專利名稱：高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種構(gòu)裝集成電路的結(jié)構(gòu)，特別是一種高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，以增加構(gòu)裝集成電路內(nèi)的電路積集度與簡化制程、降低制造成本、增加產(chǎn)品良率及提高集成電路構(gòu)裝的可靠度。
在過去，集成電路廠商所發(fā)展出來的集成電路構(gòu)裝技術(shù)，已企圖滿足微小化的要求。對于微小化的集成電路改良方法，是使其能夠在硅底材上結(jié)合包含電路、芯片等數(shù)以百萬計的晶體管電路組件。這些改良的方法導(dǎo)致在有限的空間中構(gòu)裝電路組件的方法更受到重視。
集成電路由一硅晶圓經(jīng)過復(fù)雜的蝕刻、摻雜、沉積及切割等技術(shù)，在集成電路設(shè)備中制造出來。一硅晶圓至少包含一集成電路芯片，每一芯片代表一單獨的集成電路。最后，此芯片可由包圍在芯片四周的塑料灌膠混合物(Molding Compound)構(gòu)裝起來，且有多樣化的針腳露出和互相連接的設(shè)計。例如提供一相當(dāng)平坦構(gòu)裝的M型雙列直插式構(gòu)裝體(MDual-In-Line-Package；M-Dip)，其有兩列平行的引腳從底部穿通孔中延伸出來，接觸并固定于在下面的集成電路板上。容許較高密度集成電路的印刷電路板為單列式構(gòu)裝體(Single-In-Line-Package；SIP)和小外型接腳構(gòu)裝(Small Outline J-leaded；SOJ)，其為采用模型的構(gòu)裝。
依照構(gòu)裝中組合的集成電路芯片數(shù)目，構(gòu)裝集成電路的種類大致可分為單芯片構(gòu)裝(Single Chip Package；SCP)與多芯片構(gòu)裝(MultichipPackage；MCP)兩大類，多芯片構(gòu)裝也包括多芯片模塊構(gòu)裝(MultichipModule；MCM)。若依照組件與電路板的接合方式，構(gòu)裝集成電路可區(qū)分為引腳插入型(Pin-Through-Hole；PTH)與表面黏著型(Surface MountTechnology；SMT)兩大類。引腳插入型組件的引腳為細針狀或是薄板狀金屬，以供插入腳座(Socket)或電路板的導(dǎo)孔(Via)中進行焊接固定。而表面黏著型的組件則先黏貼于電路板上后再以焊接的方式固定。目前所采用的較先進的構(gòu)裝技術(shù)為芯片直接黏結(jié)(Direct Chip Attach；DCA)構(gòu)裝，以降低構(gòu)裝集成電路的體積的大小，并增加構(gòu)裝集成電路內(nèi)部的電路的積集度。芯片直接黏結(jié)的技術(shù)為直接將集成電路的芯片(Integrated Circuit Chip)固定至基板(Substrate)上，再進行電路的連結(jié)。
參照

圖1所示，此為傳統(tǒng)使用感光型防焊膜將芯片固定于基板上的示意圖。首先提供一基板10及一芯片40，其中此基板10上包含已布局好的多個電路導(dǎo)線25、多個第一焊接墊(Solder Pad)20、防焊膜30、與預(yù)焊平臺18(可依需要省略)。而此芯片上則包含多個第二焊接墊45與多個焊接凸塊(Solder Bump)15。多個焊接凸塊15借助多個第二焊接墊45連接于芯片40上。接下來芯片40即可借助多個焊接凸塊15連接于基板10上的多個第一焊接墊20或預(yù)焊平臺18上，以將芯片40固定于基板10上，其中任一焊接凸塊15的位置均對應(yīng)于任一第一焊接墊20。
在傳統(tǒng)的構(gòu)裝集成電路結(jié)構(gòu)中，使用防焊膜30的目的是避免基板10上的聯(lián)機電路導(dǎo)線25受到外來環(huán)境的侵害，并防止后續(xù)制程中，因焊接凸塊15的溢流而造成電路之間的缺陷。因此在傳統(tǒng)包含防焊膜的構(gòu)裝集成電路結(jié)構(gòu)中，防焊膜30必須覆蓋在分布于基板上的電路25上，以保護分布在基板10上的電路25。為了提供較佳的保護功能，防焊膜30更須覆蓋部分分布于基板10上的任一第一焊接墊20上，以避免焊接凸塊15在后續(xù)的制程中因溢流而造成缺陷的缺陷。由于防焊膜必須覆蓋在部分分布于基板10上的任一第一焊接墊20上，因此在傳統(tǒng)使用防焊膜的構(gòu)裝集成電路結(jié)構(gòu)中，第一焊接墊20的周邊需要預(yù)留額外的邊界以便有足夠的誤差容許寬度來承載焊接凸塊，也因此在基板上的第一焊接墊20與第一焊接墊20之間所能容許導(dǎo)線的數(shù)目將會變少。此現(xiàn)象將造成使用防焊膜的構(gòu)裝集成電路結(jié)構(gòu)的體積無法縮小，而使此技術(shù)無法適用于集成電路的體積越來越小的需求。
使用防焊膜的構(gòu)裝集成電路，由于防焊膜必須覆蓋在部分的任一第一焊接墊上，因此也會在焊接凸塊連接至第一焊接墊上時，發(fā)生焊接凸塊定位不準的問題而影響構(gòu)裝集成電路的品質(zhì)。而且，防焊膜將導(dǎo)致容易發(fā)生缺陷。當(dāng)使用的構(gòu)裝形式為沒有全部覆蓋灌膠模灌膠模混合物(Molding Compound)或所代替的覆晶填充(Underfill)的覆晶接合(Flip Chip；FC)時，覆蓋于電路上的防焊膜因結(jié)合力較弱將容易剝落而導(dǎo)致基板上的電路容易發(fā)生較差的構(gòu)裝可靠性及缺陷。
本實用新型的第二個目的為利用具焊接沾附性的金屬，作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以提高構(gòu)裝集成電路在基板上的電路積集度。
本實用新型的第三個目的為利用具焊接沾附性的金屬，作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以增加構(gòu)裝集成電路的可靠度。
本實用新型的第四個目的為利用具焊接沾附性的金屬，作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以提高構(gòu)裝集成電路的良率(yield)。
本實用新型的第五個目的為利用具焊接沾附性的金屬，作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以提高構(gòu)裝集成電路的生產(chǎn)效率。
本實用新型的再一個目的為利用具焊接沾附性的金屬，作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以降低集成電路構(gòu)裝的生產(chǎn)成本。
根據(jù)以上所述的目的，本實用新型提供了一項高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，利用具焊接沾附性的金屬作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以避免未包含防焊膜的構(gòu)裝集成電路發(fā)生缺陷。首先提供一基板并在此基板上形成一整面金屬層，其中此金屬層的材質(zhì)大部分采用銅(Copper)。接下來在此金屬層上定義第一焊接墊的位置并在部分的金屬層上形成一第一光阻層，其中第一光阻層內(nèi)包含多個第一開口。接下來在任一開口的底部形成一第一焊接墊于金屬層上并移除第一光阻層，其中此第一焊接墊為具焊接沾附性的金屬，以電氣/化學(xué)電鍍的方式或是以物理/化學(xué)沉積的方式形成。接下來在部分的金屬層上形成第二光阻層以移除部分的金屬層，并移除第二光阻層以在基板上形成多個焊接界面及多個金屬層，其中任一焊接界面包含第一焊接墊與金屬層且此多個金屬層用來作為基板表面的電路。接下來在基板、金屬層與第一焊接墊上形成一高可靠度屏蔽層并移除部分的高可靠度屏蔽層以露出第一焊接墊。最后可依制程及產(chǎn)品的需求，選擇是否在第一焊接墊上形成迷你凸塊或是預(yù)焊平臺作為在后續(xù)制程中的第一焊接凸塊與第一焊接墊之間的接口，即可完成高密度構(gòu)裝集成電路中的基板的制作程序。借助多個第二焊接墊連接到多個第一焊接凸塊的芯片，可直接借助多個第一焊接凸塊回焊加熱連接至多個第一焊接墊上，以使芯片直接固定于基板上。最后在基板上覆蓋一層構(gòu)裝灌膠混合物(Molding Compound)或代替的覆晶填充(Underfill)以保護基板上所形成的電路與芯片，即可完成高密度構(gòu)裝集成電路的制程。
利用本實用新型的制程與結(jié)構(gòu)可提高構(gòu)裝集成電路在基板上的電路積集度，并增加構(gòu)裝集成電路的可靠度。利用本實用新型的制程與結(jié)構(gòu)也可提高集成電路的構(gòu)裝良率與生產(chǎn)構(gòu)裝集成電路的效率。利用本實用新型的制程與結(jié)構(gòu)更可降低構(gòu)裝集成電路的生產(chǎn)成本。
圖12為在第一焊接墊上形成迷你凸塊的示意圖；圖13為在第一焊接墊上形成預(yù)焊平臺的示意圖；圖14為芯片連接至基板上的示意圖；及圖15為在芯片與基板上形成構(gòu)裝灌膠混合物并在基板底部連結(jié)多個第二焊接凸塊的示意圖。
圖中符號說明10基板15焊接凸塊18預(yù)焊平臺20第一焊接墊25電路導(dǎo)線30防焊膜40芯片45第二焊接墊100 基板110 金屬層120 第一光阻層122 第一開口130 第一焊接墊140 第二光阻層160 焊接界面170 高可靠度屏蔽層200 第二開口210 第一軸向220 第二軸向230 角度240 迷你凸塊250 預(yù)焊平臺300 芯片
310第二焊接墊320第一焊接凸塊400構(gòu)裝灌膠混合物500第三焊接墊510第二焊接凸塊本實用新型提供了一種不需使用傳統(tǒng)感光型防焊膜的集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，利用具焊接沾附性金屬作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以避免傳統(tǒng)感光型防焊膜的構(gòu)裝集成電路因?qū)ξ徊粶蚀_而未能完全覆蓋電路的金屬層以致發(fā)生缺陷。參照圖2所示，此為在基板上形成金屬層的示意圖。本實用新型首先必須提供一基板100并在基板上形成一金屬層110。此金屬層110可依產(chǎn)品的需求采用不同的材質(zhì)。通常此金屬層110所采用的材質(zhì)為銅。參照圖3所示，此為在部分金屬層上形成第一光阻層的示意圖。當(dāng)此金屬層110上定義所欲在基板100上形成的第一焊接墊的位置后，可在金屬層110上形成一第一光阻層120，并在第一光阻層120內(nèi)形成多個第一焊接墊開口122。
參照圖4所示，此為在任一第一焊接墊開口的底部形成一第一焊接墊于金屬層上的示意圖。參照圖5所示，此為移除第一光阻層并在部分的金屬層上形成第一焊接墊的示意圖。當(dāng)借助第一光阻層120在金屬層110上形成多個第一開口122之后，隨即在任一第一開口122的底部形成一第一焊接墊130于金屬層110上并移除第一光阻層120。此第一焊接墊130用以連接后續(xù)制程中的第一焊接凸塊，以使芯片能固定于基板之上。此第一焊接墊130為一具有焊接沾附性(SolderWettability)的金屬材質(zhì)。此第一焊接墊130的厚度可隨產(chǎn)品及制程需求的不同而改變，。通常若第一焊接墊130為用來連接后續(xù)制程中的第一焊接凸塊，以使芯片能固定于基板100上，則此第一焊接墊130通常以電氣/化學(xué)電鍍的方法形成。若第一焊接墊130為用來連接其它導(dǎo)線以連接其它電路組件，則此第一焊接墊130通常以物理/化學(xué)沉積的方式形成。
參照圖6所示，此為在部分的基板上形成第二光阻層的示意圖。當(dāng)移除第一光阻層120后，隨即在部分的金屬層110上形成一第二光阻層140。此第二光阻層140的目的為用來布局基板100上的電路。參照圖7所示，此為移除部分的金屬層的示意圖。當(dāng)在部分的金屬層上形成第二光阻層140之后，隨即以第二光阻層140及第一焊接墊130為屏蔽移除部分的金屬層110并移除第二光阻層140(參照圖8所示)，以在基板100上形成多個金屬層110與多個焊接界面160，其中任一焊接界面160包含金屬層110與第一焊接墊130。當(dāng)移除第二光阻層140之后，殘留在基板100上的多個金屬層110即為所欲在基板100上所形成的電路。在移除部分金屬層110的過程中，在焊接界面160內(nèi)且在第一焊接墊130下方的金屬層110因為有第一焊接墊130的保護，因此即使未在第一焊接墊130上方形成第二光阻層140，在焊接界面內(nèi)的金屬層110也不會被移除。
參照圖9所示，此為在基板、金屬層及第一焊接墊上形成一高可靠度屏蔽層(High Reliability Mask Layer)的示意圖。當(dāng)在基板100上形成多個金屬層110與多個焊接界面160后，隨即在基板100、金屬層110及第一焊接墊130上形成一高可靠度屏蔽層170，其中此高可靠度屏蔽層170通常為一非感光型介電材質(zhì)。此高可靠度屏蔽層170的厚度可隨產(chǎn)品及制程需求的不同而改變。因此高可靠度屏蔽層170通常為一非感光型材質(zhì)，因此在后續(xù)移除部分的高可靠度屏蔽層170時，可直接采用激光或是電漿蝕刻的方式移除而不需要使用光阻層。
當(dāng)在基板100、金屬層110及第一焊接墊130上形成一高可靠度屏蔽層170后，隨即可移除部分的高可靠度屏蔽層以露出第一焊接墊130。以下所述僅為本實用新型的一種實施例，但并不限制本實用新型的范圍。參照圖10所示，此為移除部分的高可靠度屏蔽層以在高可靠度屏蔽層內(nèi)部形成多個第二開口的示意圖。當(dāng)在基板100、金屬層110及第一焊接墊130上形成一高可靠度屏蔽層170后，隨即移除部分的高可靠度屏蔽層170以在高可靠度屏蔽層170內(nèi)部形成多個第二開口200，其中任一第二開口200的底部均露出第一焊接墊130。任一第二開口200的側(cè)壁均與一第一軸向210呈現(xiàn)一角度230，以提高后續(xù)制程中的第一焊接凸塊和第一焊接墊130相互連接時的穩(wěn)定度，其中此第一軸向210為平行于基板100表面的方向。任一第一焊接墊在第二軸向220上的平面的高度均較低于高可靠度屏蔽層170在第二軸向220上的平面的高度，其中此第二軸向220為垂直于基板100表面的方向。本實用新型在移除部分高可靠度屏蔽層170的制程中，采用激光(Laser)的方式或是電漿蝕刻(Plasma Etching)以移除部分的高可靠度屏蔽層170。因此在此移除的部分的高可靠度屏蔽層170的程序中，可不需要使用光阻層來保護基板表面的組件。
以下所述為本實用新型的另一種實施例，但并不限制本實用新型的范圍。參照圖11所示，此為移除部分的高可靠度屏蔽層以露出第一焊接墊的另一示意圖。當(dāng)在基板100、金屬層110及第一焊接墊130上形成一高可靠度屏蔽層170后，隨即移除部分的高可靠度屏蔽層170以露出第一焊接墊130。在移除部分的高可靠度屏蔽層170的過程中，所采用的方式為無方向性的蝕刻以降低高可靠度屏蔽層170的平面在第二軸向220上的高度直到露出第一焊接墊130，其中此第二軸向220為垂直于基板100表面的方向且金屬層110不會在此移除部分的高可靠度屏蔽層170的過程中露出。為了要露出第一焊接墊130，因此第一焊接墊130在第二軸向220上的平面的高度高于高可靠度屏蔽層170在第二軸向220上的平面的高度。
參照圖12所示，此為在第一焊接墊上形成迷你凸塊(MiniBump)240的示意圖。參照圖13所示，此為在第一焊接墊上形成預(yù)焊平臺250的示意圖。為了要增加后續(xù)制程中的第一焊接凸塊與第一焊接墊130的結(jié)合性、穩(wěn)定度與共平面性，通?？稍诘谝缓附訅|130上形成一迷你凸塊240或是預(yù)焊平臺250作為第一焊接凸塊與第一焊接墊130的接口，以使芯片能夠更穩(wěn)定地承載于基板上。在制作迷你凸塊240的制程中，可將基板浸泡一錫鉛溶液或經(jīng)無電解電鍍以在第一焊接墊層130上形成一層錫層作為迷你凸塊240。而在制作預(yù)焊平臺250的制程中，通常先將一錫球/錫膏回焊黏接至第一焊接墊130并將此錫球壓平作為預(yù)焊平臺250，以增加在后續(xù)制程中，第一凸塊連接至焊接界面的接觸面積與提供良好共平面性及焊接可靠度。在本實用新型中，迷你凸塊以及預(yù)焊平臺可應(yīng)用在另一種露出第一焊接墊的形式的基板上，并不限制其使用的范圍。在本實用新型中第一焊接墊更可直接與后續(xù)制程中的第一焊接凸塊相互連接，以經(jīng)芯片固定于基板上。
參照圖14所示，此為芯片連接至基板上的示意圖。當(dāng)露出第一焊接墊之后，隨即可將芯片300與基板100相互連結(jié)。芯片300借助多個第二焊接墊310與多個第一焊接凸塊320相互連結(jié)且任一第二焊接墊310均對應(yīng)于任一第一焊接凸塊320。芯片上更包含一保護層，以防止芯片在回焊加熱黏結(jié)的過程中受到損毀。多個第一焊接凸塊320可借助回焊加熱的方式連接至基板100上的多個第一焊接墊130以將芯片300固定于基板100上。任一第一焊接凸塊320均可輕易對應(yīng)于任一第一焊接墊130。由于本實用新型中并未使用防焊膜而且在第一焊接凸塊320連接至第一焊接墊130的過程中不會產(chǎn)生定位的問題，因此本實用新型可增加集成電路的制程運作效率，并降低生產(chǎn)構(gòu)裝集成電路所需要的成本。將芯片固定在基板上僅為利用本實用新型的一種實施利，但并不限制本實用新型的保護范圍。本實用新型還可利用在焊接界面上的第一焊接墊借助一導(dǎo)線而連接至其它的電路組件。當(dāng)芯片300固定于基板100上后，隨即可將芯片300及基板與芯片的接合處采用構(gòu)裝灌膠?；旌衔?Package Molding Compound)400構(gòu)裝方式或是覆晶填充物(Underfill)構(gòu)裝方式固定，并在基板底部連結(jié)多個第二焊接凸塊510(參照圖15所示)以保護芯片300與基板100上的電路在運作的過程中不會受到外界環(huán)境的影響而降低其運作的效能，并完成未包含防焊膜的構(gòu)裝集成電路的制程。在基板底部可借助多個第三焊接墊500與多個第二焊接凸塊510相連接，以使未包含防焊膜的構(gòu)裝集成電路可再連接其它組件。參照圖11所示，與基板100底部相連結(jié)的多個第二焊接凸塊510僅為本實用新型的一實施例而不限制本實用新型的權(quán)利范圍。利用本實用新型所制作的非感光型介電質(zhì)焊墊開口設(shè)計的構(gòu)裝集成電路，仍可采用其它構(gòu)裝形式連接至其它組件上。
本實用新型中由于未使用防焊膜，因此第一焊接墊的周邊不需要預(yù)留額外的邊界，且任兩第一焊接墊之間可布局較多的電路。此現(xiàn)象可使未包含防焊膜的構(gòu)裝集成電路的體積順利地縮小且可包含較多的電路，以提高縮小體積后的構(gòu)裝集成電路的效能，并可以提高構(gòu)裝集成電路的穩(wěn)定度綜上所述，本實用新型提供了一項未使用防焊膜的集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，利用具焊接沾附性沾附性沾附性的金屬作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以避免未包含防焊膜的構(gòu)裝集成電路發(fā)生缺陷。首先提供一基板并在此基板上形成一金屬層，其中此金屬層的材質(zhì)大部分采用銅。接下來在此金屬層上定義第一焊接墊的位置并在部分的金屬層上形成一第一光阻層，其中第一光阻層內(nèi)包含多個第一開口。接下來在任一開口的底部形成一第一焊接墊于金屬層上并移除第一光阻層，其中此第一焊接墊為具焊接沾附性的金屬，以電氣/化學(xué)電鍍的方式或是以物理/化學(xué)沉積的方式形成。接下來在部分的金屬層上形成第二光阻層以移除部分的金屬層，并移除第二光阻層以在基板上形成多個焊接界面及多個金屬層，其中任一焊接界面包含第一焊接墊與金屬層且此多個金屬層用來作為基板表面的電路。接下來在基板、金屬層與第一焊接墊上形成一高可靠度屏蔽層并移除部分的高可靠度屏蔽層以露出第一焊接墊。最后可依制程及產(chǎn)品的需求，選擇是否在第一焊接墊上形成迷你凸塊或是預(yù)焊平臺作為在后續(xù)制程中的第一焊接凸塊與第一焊接墊之間的接口，即可完成高密度構(gòu)裝集成電路中的基板的制作程序。借助多個第二焊接墊連接到多個第一焊接凸塊的芯片，可直接借助多個第一焊接凸塊回焊加熱連接至多個第一焊接墊上，以使芯片直接固定于基板上。最后在基板上覆蓋一層構(gòu)裝灌膠混合物或填入覆晶填充(Underfill)以保護基板上所形成的電路與芯片，即可完成高密度構(gòu)裝集成電路的制程。
利用本實用新型的制程與結(jié)構(gòu)可提高構(gòu)裝集成電路在基板上的電路積集度，并增加構(gòu)裝集成電路的可靠度。利用本實用新型的制程與結(jié)構(gòu)也可提高構(gòu)裝集成電路的良率與生產(chǎn)構(gòu)裝集成電路的效率。利用本實用新型的制程與結(jié)構(gòu)更可降低構(gòu)裝集成電路的生產(chǎn)成本，不僅具有實用功效外，并且為前所未見的設(shè)計，具有功效性與進步性的增進。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并非用以限定本實用新型的保護范圍；凡其它未脫離本實用新型所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包含一基板；多個金屬層，位于部分的該基板上用以作為該基板上的一電路；多個具焊接沾附性(Solder Wettability)的焊接墊，位于部分該金屬層上以形成多個焊接界面；一高可靠度屏蔽層，覆蓋該多個金屬層并在該高可靠度屏蔽層的表面露出該焊接墊；及其中，上述的金屬層與焊接界面之間不具有防焊膜(SolderMask)。
2.如權(quán)利要求1所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的高可靠度屏蔽層內(nèi)包含多個開口。
3.如權(quán)利要求2所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的焊接墊位于該開口的一底部。
4.如權(quán)利要求2所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的焊接墊在一第一軸向上的平面的高度低于該高可靠度屏蔽層在一第一軸向上的平面的高度。
5.如權(quán)利要求4所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的第一軸向為垂直于該基板的一表面的方向。
6.如權(quán)利要求2所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的開口的一側(cè)壁與一第二軸向呈現(xiàn)一角度。
7.如權(quán)利要求6所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的第二軸向為平行于該基板的一表面的方向。
8.如權(quán)利要求1所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的焊接墊在一第三軸向上的平面的高度高于該高可靠度屏蔽層在一第三軸向上的平面的高度。
9.如權(quán)利要求8所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的第三軸向為垂直于該基板的一表面的方向。
10.如權(quán)利要求1所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的焊接墊上更包含一迷你凸塊(Mini-Bump)。
11.如權(quán)利要求1所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的焊接墊上更包含一預(yù)焊平臺(Presoldering)。
12.如權(quán)利要求1所述的高密度集成電路構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述的高可靠度屏蔽層為一非感光型介電材層。
專利摘要本實用新型涉及一種構(gòu)裝集成電路(PackagingIntegrated Circuit)的結(jié)構(gòu)，特別是一種高密度構(gòu)裝集成電路的結(jié)構(gòu)，本實用新型為在高密度構(gòu)裝集成電路中采用具焊接沾附性的金屬作為第一焊接墊的材質(zhì)，并在作為電路的金屬層上形成一高可靠度屏蔽層，以避免構(gòu)裝集成電路發(fā)生缺陷，并可增加構(gòu)裝集成電路內(nèi)的電路積集度(density)與簡化制程、增加產(chǎn)品良率及提高集成電路構(gòu)裝的可靠度。
文檔編號H01L23/14GK2567769SQ0223656
公開日2003年8月20日 申請日期2002年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月6日
發(fā)明者宮振越, 何昆耀 申請人:威盛電子股份有限公司