專利名稱：一種肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件。具體說涉及一種肖特基二極管。
背景技術(shù)：
肖特基二極管是利用金屬與半導(dǎo)體之間接觸勢(shì)壘進(jìn)行工作的一種多數(shù)載流子器件，它包括由重?fù)诫s硅襯底和輕摻雜的硅外延層構(gòu)成的硅外延片，設(shè)在襯底背面的歐姆接觸電極，在硅外延層的上方有周邊圍了二氧化硅的勢(shì)壘金屬，勢(shì)壘金屬上方設(shè)置有金屬電極。在本實(shí)用新型作出前，傳統(tǒng)的硅基肖特基二極管的硅外延層厚度均在2μm以上，它的截止頻率較低，使應(yīng)用場(chǎng)合受到極大限制，已無法適應(yīng)通訊、微波技術(shù)的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種肖特基二極管。它包括由重?fù)诫s硅襯底和硅外延層構(gòu)成的硅外延片，歐姆接觸電極，周邊圍有二氧化硅的勢(shì)壘金屬和金屬電極，其特征是所說的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，外延層摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3。
本實(shí)用新型采用了外延層厚度為亞微米的超薄硅外延片及合適的摻雜濃度，能有效降低器件的串聯(lián)電阻和結(jié)電容，大幅度提高截止頻率，試驗(yàn)表明，可使截止頻率高達(dá)40GHz～80GHz，本實(shí)用新型的一種肖特基二極管拓寬了硅基器件在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用，能廣泛用于微波混頻、檢波及超高速開關(guān)電路中。


附圖是肖特基二極管結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參照附圖，本實(shí)用新型的肖特基二極管包括重?fù)诫s硅襯底1和硅外延層3構(gòu)成的硅外延片，設(shè)在襯底背面的歐姆接觸電極2，硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，硅外延層的摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3，通常，用磷摻雜或砷摻雜，在硅外延層的上方有周邊圍了二氧化硅6的勢(shì)壘金屬4，在勢(shì)壘金屬的上方設(shè)置有金屬電極5。
權(quán)利要求1.肖特基二極管，包括由重?fù)诫s硅襯底(1)和硅外延層(3)構(gòu)成的硅外延片，歐姆接觸電極(2)，周邊圍有二氧化硅的勢(shì)壘金屬(4)和金屬電極(5)，其特征是所說的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，外延層摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3。
2.按權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征是硅外延層的摻雜為磷或砷。
專利摘要本實(shí)用新型的肖特基二極管包括由重?fù)诫s硅襯底和硅外延層構(gòu)成的硅外延片，歐姆接觸電極，周邊圍有二氧化硅的勢(shì)壘金屬和金屬電極，其特征是所說的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，外延層摻雜濃度為1×10
文檔編號(hào)H01L29/66GK2562372SQ02265178
公開日2003年7月23日 申請(qǐng)日期2002年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月26日
發(fā)明者葉志鎮(zhèn), 張海燕, 黃靖云, 李蓓 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)