專利名稱：一種集成電路中電阻的修調(diào)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體集成電路中電阻器的阻值修調(diào)裝置，這種修調(diào)可在芯片測試時修調(diào)，也可在芯片封裝完成后進(jìn)行。
發(fā)明創(chuàng)造內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供一種修調(diào)裝置。
本實用新型的一種集成電路電阻的修調(diào)裝置，包括邏輯電路(1)、記憶電路(2)、開關(guān)控制電路(3)，修調(diào)信號經(jīng)邏輯電路(1)處理后得到的電阻誤差存儲于記憶電路(2)中，記憶電路(2)控制開關(guān)控制電路(3)中的驅(qū)動電路進(jìn)而通過多個并聯(lián)于待修調(diào)電阻中各分電阻兩端的開關(guān)器件實現(xiàn)對各分電阻有選擇地短路操作，從而調(diào)整待修調(diào)電阻的阻值。
所述的記憶電路(2)可選用PROM、EEPROM、Flash memory、OTP(一次可編程器件)中的至少一種存儲部件構(gòu)成。
所述的開關(guān)器件可選NMOSFET、PMOSFET、光電耦合器件、PJFET、NJFET中的至少一種。
待修調(diào)的電阻通常被設(shè)計成由若干個分電阻串聯(lián)而成，每一個分電阻兩端并聯(lián)一個受控的開關(guān)器件，開關(guān)的導(dǎo)通電阻小于與它連接的分電阻。當(dāng)開關(guān)控制電路給出不同的控制信號組合時，被修調(diào)的電阻就可得到不同的電阻值。在集成電路芯片制造完工后，在芯片測試時或封裝后成品測試中，將電阻的誤差信息用其它測試系統(tǒng)測試并做分析后，以數(shù)字方式寫入修調(diào)信息；修調(diào)信號也可由同一塊集成電路中產(chǎn)生，對同一電路的電阻進(jìn)行自動修調(diào)。最終實現(xiàn)對集成電路產(chǎn)品的參數(shù)調(diào)整。
記憶電路(2)亦可選用PROM、Flash memory、OTP(一次可編程器件)中的至少一種存儲部件構(gòu)成。
圖2表示

圖1中開關(guān)控制電路(3)的開關(guān)器件Kn，其中n＝1、2、-、i，可以選用N溝道MOSFET(NMOSFET)，P溝道MOSFET(PMOSFET)、光電耦合器件、P溝道JFET(PJFET)、N溝道JEET(NJFET)5種類型的半導(dǎo)體開關(guān)器件之中至少一種。
本實用新型的優(yōu)點是節(jié)省修調(diào)成本，降低芯片占用面積，選用不同的記憶電路可滿足不同的修調(diào)需要。
權(quán)利要求1.一種集成電路電阻的修調(diào)裝置，其特征在于包括邏輯電路(1)、記憶電路(2)、開關(guān)控制電路(3)，修調(diào)信號經(jīng)邏輯電路(1)處理后得到的電阻誤差存儲于記憶電路(2)中，記憶電路(2)控制開關(guān)控制電路(3)中的驅(qū)動電路進(jìn)而通過多個并聯(lián)于待修調(diào)電阻中各分電阻兩端的開關(guān)器件實現(xiàn)對各分電阻有選擇地短路操作，從而調(diào)整待修調(diào)電阻的阻值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述修調(diào)裝置，其特征在于所述的記憶電路(2)可選用PROM、EEPROM、Flash memory、OTP(一次可編程器件)中的至少一種存儲部件構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述修調(diào)裝置，其特征在于所述的開關(guān)器件可選NMOSFET、PMOSFET、光電耦合器件、PJFET、NJFET中的至少一種構(gòu)成。
專利摘要本實用新型涉及一種半導(dǎo)體集成電路中電阻器的阻值修調(diào)裝置，包括邏輯電路(1)、記憶電路(2)、開關(guān)控制電路(3)，修調(diào)信號經(jīng)邏輯電路(1)處理后得到的電阻誤差存儲于記憶電路(2)中，記憶電路(2)控制開關(guān)控制電路(3)中的驅(qū)動電路進(jìn)而通過多個并聯(lián)于待修調(diào)電阻中各分電阻兩端的開關(guān)器件實現(xiàn)對各分電阻有選擇地短路操作，從而調(diào)整待修調(diào)電阻的阻值，這種修調(diào)可在芯片測試時修調(diào)，也可在芯片封裝完成后進(jìn)行，節(jié)省修調(diào)成本，降低芯片占用面積，選用不同的記憶電路可滿足不同的修調(diào)需要。
文檔編號H01L21/00GK2599747SQ0229008
公開日2004年1月14日 申請日期2002年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月3日
發(fā)明者羅如忠, 王傳福 申請人:比亞迪股份有限公司