專利名稱：雙極性晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于一種雙極性晶體管，而且，本發(fā)明系關(guān)于一種制造雙極性晶體管的方法。
雙極性晶體管一般由兩個(gè)在半導(dǎo)體晶體接近放置的pn接點(diǎn)構(gòu)成，在此情況下，兩個(gè)n-摻雜區(qū)域由一個(gè)p-摻雜區(qū)域彼此電絕緣<一般稱為npn晶體管>，或是兩個(gè)p-摻雜區(qū)域由一個(gè)n-摻雜區(qū)域彼此電絕緣<一般稱為pnp晶體管>。三種不同摻雜的區(qū)域被指定為射極<E>、基極<B>及集極<C>。雙極性晶體管已被知曉一段長時(shí)間且以多種方式被使用。差異與一般稱的個(gè)別晶體管，其意欲被用于裝設(shè)在印刷電路板會其類似物上且被容納于其自己的外框內(nèi)，及一般稱的積體晶體管，其與其它半導(dǎo)體組件一起于共同半導(dǎo)體載體<一般稱為基材>上制造。
雙極性晶體管的最大振動(dòng)頻率fmax系正比于fT的平方根除以8πRBCBC，其中RB為基極電阻，CBC為基極-集極電容，且fT為跳變頻率。所以為得到高的振動(dòng)頻率，希望減少基極電阻，雙極性晶體管的基極電阻由連接區(qū)域的電阻及基極摻雜分布的薄膜電阻決定，此薄膜電阻，一般稱為夾止，與已知均勻基極摻雜的基極厚度成反比，然而，基極厚度的增加導(dǎo)致基極少數(shù)載體的傳送時(shí)間之加長。
在均勻基極摻雜高于5 1018的增加使射極-基極接點(diǎn)的擊穿電壓減少至非常低的值且同時(shí)增加基極-射極消耗層的電容。進(jìn)一步減少基極夾止電阻的已知方法為輕摻雜<1 1018)磊晶射極之使用，輕射極摻雜允許基極可實(shí)際被摻雜至1×1020而不會使射極-基極接點(diǎn)的阻障能力減少。與發(fā)射器相較，因增加的基極電荷，此種晶體管的電流增益為太低，但此可由于基極使用鍺而被補(bǔ)償。
用于制造具磊晶射極結(jié)構(gòu)的先前觀念被說明及敘述于如Behammer等，固態(tài)電子，41卷，8期，1105-1110頁<1997>或J.Schiz等IEEE<1997>，ISBN，7803-4135-X，255-260頁。
第14標(biāo)地顯示一種根據(jù)Behammer等的出版物之簡單化方式的雙極性晶體管，首先該雙極性晶體管具集極102，其在硅基材或是在硅磊晶層上形成。該SiGe基極104<p-摻雜>被提供于集極102<n-摻雜>上，且n-形式射極106被提供于基極104上。一種p-形式植入以與該集極102、基極104及n-形式射極106側(cè)壁相鄰的方式排列，該植入產(chǎn)生至該p-摻雜基極的接觸點(diǎn)，對p-形式植入108的連接，金屬層110被提供，其藉由一般俗稱的側(cè)壁間隔物112與n+-形式射極114絕緣，該n+-形式射極114依次放置于n-形式射極106上。整個(gè)雙極性晶體管由絕緣116及絕緣層118與其它組件絕緣。
根據(jù)Behammer等的出版物，示于第14圖的雙極性晶體管可在一般稱的”全部磊晶”的協(xié)助下被制造，然而，在此實(shí)例中，干蝕刻于基極連接區(qū)域被作動(dòng)。
第15標(biāo)地顯示一種根據(jù)J.Schiz等的出版物之簡單化方式的雙極性晶體管，該雙極性晶體管100同樣地具集極102，其在硅基材或是在硅磊晶層上形成。該SiGe基極104<p-摻雜>被提供于集極102<n-摻雜>上且n--形式射極106被提供于基極104上。一種p+-摻雜多晶硅層120以與基極104及n--形式射極106側(cè)壁相鄰的方式排列，該多晶硅層產(chǎn)生至該p-摻雜基極的接觸點(diǎn)。由排列的側(cè)壁間隔物122限制的n+-形式射極114被置于n--形式射極106上方。整個(gè)雙極性晶體管由絕緣116及絕緣層118再次與其它組件絕緣。
根據(jù)J.Schiz等的出版物的雙極性晶體管必須藉由光技術(shù)產(chǎn)生側(cè)壁間隔物122，且厚度少于200微米的結(jié)果一般為不可能的，然而，此種厚度的側(cè)壁間隔物122產(chǎn)生顯著增加的寄生電容。
第14及15圖所示的雙極性晶體管所共有的共同特性為一般稱的”聯(lián)結(jié)植入”(接觸植入)在射極區(qū)域外被進(jìn)行以減少基極連接電阻。在Harame等的進(jìn)一步出版物，Trans.ED第42卷，第3期，469-482頁，其中的第3圖說明植入損傷、點(diǎn)狀缺陷，其一般在此種植入的情況下產(chǎn)生，及亦在于硅基極上干蝕刻的情況下產(chǎn)生。
即使假設(shè)點(diǎn)狀缺陷未延伸進(jìn)入有效基極區(qū)域，存在的點(diǎn)狀缺陷仍然造成摻雜硼進(jìn)入附近SiGe基極104的不正常高擴(kuò)散。為預(yù)防此種摻雜擴(kuò)散，側(cè)壁間隔物無法被制造的任意薄。為保持點(diǎn)狀缺陷遠(yuǎn)離基極，約150奈米或更大的側(cè)壁間隔物是必須的，然而，其增加聯(lián)結(jié)電阻及基極-集極電容。對側(cè)壁間隔物完全被省略及植入被額外被額外作動(dòng)進(jìn)入該連接區(qū)域的情況，功能成份無法被預(yù)期，而且，在高于550℃期間的后續(xù)溫度階段，因點(diǎn)狀缺陷仍存在，基極分布被大為增寬。
所以，本發(fā)明目的為提供一種雙極性晶體管及其制造方法，其顯著降低或完全避免所列出的困難。特別是，本發(fā)明目的為提供一種雙極性晶體管，其具低基極連接電阻及低缺陷密度。
此目的可藉由根據(jù)申請專利范圍第1項(xiàng)的制造雙極性晶體管的方法及根據(jù)申請專利范圍第10項(xiàng)的雙極性晶體管而達(dá)到，本發(fā)明的其它較佳具體實(shí)施例、細(xì)節(jié)及方向可由子申請專利范圍、敘述及相關(guān)圖標(biāo)知道。
本發(fā)明提供一種制造雙極性晶體管，特別是npn雙極性晶體管的方法，其具下列步驟a)一種具集極、基極及輕摻雜射極的半導(dǎo)體基材被提供；b)一種屏蔽被供應(yīng)至該輕摻雜射極層；c)該輕摻雜射極層在屏蔽協(xié)助下被濕化學(xué)蝕刻，由此形成一種輕摻雜射極；d)基極連接在基極的未覆蓋區(qū)域上形成；e)該屏蔽被移除及高度摻雜射極被形成。
而且，本發(fā)明提供一種具半導(dǎo)體基材、集極、基極、輕摻雜射極及高度摻雜射極的雙極性晶體管，特別是npn雙極性晶體管.根據(jù)本發(fā)明的雙極性晶體管特征在于至該基板的連接基本上以平行于該輕摻雜射極的方式被定位且藉由側(cè)壁間隔物或pn接合與該輕摻雜射極分隔。
根據(jù)本發(fā)明方法使得制造一種具低基極連接電阻、低缺陷密度及改良的可縮放性的雙極性晶體管為可行。在此情況下要了解可縮放性系指射極窗的側(cè)壁縮放及基極寬度(低溫度預(yù)算)的垂直縮放，在基極區(qū)域，該溫度預(yù)算可被保持為低的因不需要植入以減少該基極連接電阻。而且，伴隨點(diǎn)狀缺陷的困難被大部份避免.
根據(jù)一個(gè)較佳具體實(shí)施例，高度摻雜的硅-鍺基極被用做基極。在基極鍺的使用使可確保雙極性晶體管的足夠電流增益，僅管有增加的基極電荷。
該基極較佳為具20至50奈米的厚度及超過2 1015每立方公分的摻雜，特別是p+-形式摻雜。而且，該輕摻雜射極較佳為具50至150奈米的厚度及少于2 1018每立方公分的n--形式摻雜。
根據(jù)進(jìn)一步較佳具體實(shí)施例，該屏蔽包括氧化物層、硅化物層及氮化物層。在此情況下，較佳為氧化物層(氧化物終止層)在CVD方法協(xié)助下被施用于輕摻雜射極層。該終止層的厚度較佳為具5至30奈米。一種具100至1000奈米的厚度的較佳p+-摻雜非晶硅層被施用于該氧化物層。之后為具20至50奈米厚度的氮化物，此氮化物系藉由濺鍍方法沉積。包括氮化物及非晶硅層的該合并層可接著藉由光技術(shù)由干蝕刻被型式化至射極窗的寬度。在此情況下，該氧化物層被用做蝕刻終止層，因非晶硅可關(guān)于氧化物被高選擇性地蝕刻(＞10)，該氧化物接著由HF被移除。
更佳為該輕摻雜射極層使用堿性蝕刻劑(特別是KOH、氯及/或乙烯二胺)被濕化學(xué)地蝕刻，使用堿性蝕刻劑(特別是KOH、氯及/或乙烯二胺)的濕化學(xué)蝕刻具蝕刻被在n-形式及p-形式硅間選擇性地作動(dòng)之優(yōu)點(diǎn)。因而該輕摻雜射極層可關(guān)于基極被選擇性地型式化。而且，在此情況下，濕化學(xué)蝕刻具在其下的基極沒有任何缺陷產(chǎn)生之優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)進(jìn)一步較佳具體實(shí)施例，該輕摻雜射極層在基極上形成做為基本上單晶質(zhì)層且濕化學(xué)蝕刻終止于在該基本上單晶質(zhì)層的(111)面。使用KOH或氯的濕化學(xué)蝕刻特別是具蝕刻終止于(111)表面(其沿在(100)表面的(110)邊緣過切期間形成)之優(yōu)點(diǎn)，此亦為在半導(dǎo)體晶圓習(xí)常平的及基材位向。
根據(jù)進(jìn)一步較佳具體實(shí)施例，一種側(cè)壁間隔物，較佳為氮化物間隔物在該屏蔽的側(cè)壁的濕化學(xué)蝕刻前被產(chǎn)生。
根據(jù)進(jìn)一步較佳具體實(shí)施例，一種側(cè)壁間隔物，較佳為氮化物間隔物，在該屏蔽的側(cè)壁的基極連接及輕摻雜射極形成前被產(chǎn)生。在此情況下，為避免在基極上的干蝕刻，首先較佳為5至50奈米的氮化物層被沉積及而后氧化物間隔物藉由干蝕刻被制造。該氮化物再較佳為藉由磷酸選擇性地關(guān)于該氧化物被濕化學(xué)地被移除，且結(jié)果為僅由氧化物間隔物保護(hù)的氮化物層區(qū)域被留下。若氧化物間隔物接著使用HF被移除，這些氮化物層的區(qū)域形成側(cè)壁間隔物。
根據(jù)進(jìn)一步較佳具體實(shí)施例，該基極連接系藉由在基極的未覆蓋區(qū)域上的差別磊晶而形成。在此情況下，特佳為高摻雜(＞1 1020)，特別是p+-摻雜，基極連接被做為該基極連接。在此情況下，選擇性的磊晶較佳為在約該基極本身亦被制造(如約800℃)的溫度下被作動(dòng)。因此，在此情況下，摻雜分布未被顯著加寬。
根據(jù)進(jìn)一步較佳具體實(shí)施例，一種側(cè)壁間隔物，特別是氮化物間隔物，在該射極窗的側(cè)壁上的高摻雜射極形成前被產(chǎn)生。
本發(fā)明參考圖式詳細(xì)說明于下，其中第1至9圖顯示一種根據(jù)本發(fā)明方法第一具體實(shí)施例的圖標(biāo)說明。
第10至13圖顯示一種根據(jù)本發(fā)明方法第二具體實(shí)施例的圖標(biāo)說明。
第14標(biāo)地說明一種根據(jù)Behammer等的出版物之簡單化方式的雙極性晶體管，及第15標(biāo)地說明一種根據(jù)J.Schiz等的出版物之簡單化方式的雙極性晶體管。
下文的第1至9圖顯示一種根據(jù)本發(fā)明方法第一具體實(shí)施例的圖標(biāo)說明。依據(jù)根據(jù)本發(fā)明方法的步驟a)，一種具集極12、基極14及輕摻雜射極16的硅基材10被提供，為確保該集極12的電連接，該集極12與埋藏層11接觸。而且，一種絕緣17，在本實(shí)例一種LOCOS絕緣，及一種一般稱的”信道終止層”18于絕緣17下方被提供以絕緣之后的雙極性晶體管。
由具埋藏層11的硅基材10進(jìn)行，該集極12如藉由選擇性的磊晶于該埋藏層11上產(chǎn)生。在此實(shí)例中，該集極12由一種絕緣層19(如TEOS層)被側(cè)壁地圍繞。之后，一種高摻雜硅-鍺基極14及一種輕摻雜射極層16被沉積，如藉由差別磊晶。該基極14較佳為具20至50奈米的厚度及超過2 1019每立方公分的p+-形式摻雜，該輕摻雜射極16具50至150奈米的厚度及少于2 1018每立方公分的n--形式摻雜。所得結(jié)果示于第1圖。
一種CVD氧化物終止層20被接著沉積，在此情況下，該氧化物終止層20的厚度為在5及30奈米間，該沉積在如600℃的溫度下作動(dòng)。一種高摻雜(p+)非晶硅層21接著被沉積，在此實(shí)例中，該非晶硅層21的厚度為在100及1000奈米間，，該沉積在如550℃的溫度下作動(dòng)。而且，一種具厚度約35奈米的經(jīng)濺鍍的氮化物層22被施用。
之后，該氮化物層22及該非晶硅層21藉由光技術(shù)由干蝕刻被型式化至射極窗的寬度。在此實(shí)例中，該氧化物層20被用做蝕刻終止層，因非晶硅可關(guān)于氧化物被高選擇性地蝕刻(＞10)，該氧化物20接著由HF被移除。所得結(jié)果示于第2圖。
根據(jù)本發(fā)明方法的一個(gè)基本部份現(xiàn)在包括藉由濕蝕刻型式化在該基極14上的該輕摻雜射極層16。在此實(shí)例中，包括氧化物層20、非晶硅層21及氮化物層22的該層堆棧用做型式化的屏蔽。在此實(shí)例中，該輕摻雜射極層16較佳為使用KOH或氯被濕化學(xué)地蝕刻，使用KOH或氯的濕化學(xué)蝕刻具KOH或氯在n-形式及p-形式硅間選擇性地蝕刻之優(yōu)點(diǎn)。因而該輕摻雜射極層16可關(guān)于基極14及已型式化的非晶硅層2 1被選擇性地型式化。而且，在此情況下，使用KOH或氯的濕化學(xué)蝕刻具在其下的基極14沒有任何缺陷產(chǎn)生之優(yōu)點(diǎn)。
因該輕摻雜射極層16在基極14上被形成做為基本上單晶質(zhì)層，使用KOH或氯的濕化學(xué)蝕刻終止于在其沿在(100)表面的(110)邊緣過切期間形成的(111)面。此亦為在半導(dǎo)體晶圓習(xí)常平的及基材位向。由(111)面?zhèn)缺诘貒@的(亦高至角落區(qū)域)的該輕摻雜射極層16以此種方式形成。所得結(jié)果示于第3圖。
該輕摻雜射極的側(cè)壁再以氮化物間隔物23絕緣，在此情況下，為避免在該基極14上的干蝕刻，首先具厚度為5及50奈米間的氮化物層23被沉積及而后氧化物間隔物24藉由氧化物沉積(如TEOS)被型式化及接著干蝕刻。所得結(jié)果示于第4圖。為簡化原因，側(cè)壁地圍繞該輕摻雜射極層16的該(111)終止面不再說明于第4圖及后續(xù)圖式。
之后，該氮化物層23較佳為藉由磷酸選擇性地關(guān)于該氧化物24被濕化學(xué)地被移除，且結(jié)果為僅由氧化物間隔物24保護(hù)的該氮化物層23區(qū)域被留下。該氧化物間隔物24接著使用HF被移除，且結(jié)果為由該氧化物間隔物保護(hù)的該氮化物層的該區(qū)域形成側(cè)壁間隔物23。所得結(jié)果示于第5圖。
之后，該基極連接25系藉由在基極的未覆蓋區(qū)域上的差別磊晶而形成。在此情況下，特佳為高摻雜(＞1 1020)，特別是p+-摻雜，基極連接25被做為該基極連接。在此情況下，選擇性的磊晶較佳為在約該基極14本身亦被制造(如約800℃)的溫度下被作動(dòng)。因此，在此情況下，摻雜分布未被顯著加寬。所得結(jié)果示于第6圖。
至該基極的該連接25因而被定位為基本上平行于該輕摻雜射極層16，亦即該基極14與該基極連接25接觸的基本接觸面積被定位為平行于該輕摻雜射極層16與該基極14接觸的接觸面積。在此情況下，該基極連接25藉由該側(cè)壁間隔物23與該輕摻雜射極分隔。因該基極連接25的單晶質(zhì)區(qū)域基本上無缺陷，可使該側(cè)壁間隔物23非常薄。
如第7圖所示，一種CVD氧化物層26被接著沉積及平面化，在此情況下，在射極窗上方的該殘留氮化物層22被光。接著此之后為在射極窗的犧牲層的自行對準(zhǔn)移除，在此情況下，該非晶硅層21藉由干蝕刻在射極窗被移除，該例如CVD氧化物層20再次被用做蝕刻終止層(第8圖)。
在該氧化物20使用HF同樣地由濕蝕刻被移除后，該n+射極覆晶27被沉積及型式化。該基極接觸28及該集極接觸29接著以習(xí)知方式被制造。所得結(jié)果示于第9圖。
相對于根據(jù)如第14圖所示的先前技藝的雙極性晶體管，如第9圖所示的根據(jù)本發(fā)明的雙極性晶體管具持續(xù)向下至該基極且至少部份由基本上單晶質(zhì)基極連接25所圍繞。在根據(jù)如第14圖所示的先前技藝的雙極性晶體管之情況，該單晶質(zhì)p+-摻雜區(qū)域終止與該n-形式射極的位準(zhǔn)及到達(dá)該基極下方，然而在如第9圖所示的根據(jù)本發(fā)明的雙極性晶體管之情況，絕緣開始于在該基極下方邊緣且該基極連接25的單晶質(zhì)區(qū)域可靠地位于該基極上方邊緣。因至該基極14的該單晶質(zhì)基極連接25基本上無缺陷，可使該側(cè)壁間隔物23非常薄。
下文的第10至13圖顯示一種根據(jù)本發(fā)明方法第二具體實(shí)施例的圖標(biāo)說明。在此情況下，第二具體實(shí)施例的第一方法步驟對應(yīng)于已敘述于第1及2圖的方法步驟，以省略重復(fù)。
在該氮化物層22及該非晶硅層21藉由干蝕刻被型式化后，一種氮化物間隔物30在該氮化物層22及在該非晶硅層21的側(cè)壁產(chǎn)生.在此實(shí)例中，該氧化物層20再次被用做蝕刻終止層。所得結(jié)果示于第10圖。取代包括硅及四氮化三硅的層堆棧，亦可使用不由四氮化三硅所組成的屏蔽。此可具僅兩個(gè)材料必須選擇性地關(guān)于另一個(gè)被蝕刻的優(yōu)點(diǎn)。該氧化物20接著由HF被移除。
之后，必須藉由濕蝕刻型式化在該基極14上方的該輕摻雜射極16。在此實(shí)例中，包括氧化物層20、非晶硅層21及氮化物層22的該層堆棧用做進(jìn)行型式化的屏蔽。在此實(shí)例中，該輕摻雜射極層16再次較佳為使用KOH或氯被濕化學(xué)地蝕刻。因該輕摻雜射極層16在基極14上被形成做為基本上單晶質(zhì)層，使用KOH或氯的濕化學(xué)蝕刻終止于在其沿在(100)表面的(110)邊緣過切期間形成的(111)面。所得結(jié)果示于第11圖。
之后，該基極連接25系藉由在基極的未覆蓋區(qū)域上的差別磊晶而形成。在此情況下，特佳為高摻雜(＞1 1020)，特別是p+-摻雜，該基極連接25被做為該基極連接。該選擇性的磊晶較佳為在約該基極14本身亦被制造(如約800℃)的溫度下被作動(dòng)。因此，在此情況下，摻雜分布未被顯著加寬。因在此具體實(shí)施例中，該側(cè)壁間隔物30未存在于該輕摻雜射極層16的區(qū)域，至該基極14的該連接25由pn接合與該輕摻雜射極層16分隔。
一種CVD氧化物層26被接著沉積及平面化，在此情況下，在射極窗上方的該殘留氮化物層22被 光。接著此之后為在射極窗的犧牲層的自行對準(zhǔn)移除，在此情況下，該非晶硅層21藉由干蝕刻在射極窗被移除，該例如CVD氧化物層20再次被用做蝕刻終止層。所得結(jié)果示于第12圖。
進(jìn)一步的側(cè)壁間隔物31(如氮化物間隔物)再被制造以確保在該基極連接25及該n+射極間的足夠距離仍被產(chǎn)生。在該氧化物20使用HF同樣地由濕蝕刻被移除后，該n+射極覆晶27被沉積及型式化。所得結(jié)果示于第13圖。
相對于根據(jù)如第15圖所示的先前技藝的雙極性晶體管，在如第13圖所示的根據(jù)本發(fā)明的雙極性晶體管的情況，一部份該基極連接25為基本上單晶質(zhì)的及形成與該輕摻雜射極16的該(111)終止表面的pn接合。在根據(jù)第15圖所示的先前技藝的雙極性晶體管之情況，該側(cè)壁間隔物必須藉由光技術(shù)產(chǎn)生，且厚度少于200微米的結(jié)果一般為不可能的，此造成更高的寄生電容。在如第13圖所示的根據(jù)本發(fā)明的雙極性晶體管的情況，該向內(nèi)指向的該側(cè)壁間隔物31可以自行對準(zhǔn)的方式被引入已存在的該射極洞且因而可被做的非常薄，如比50奈米更薄。
權(quán)利要求
1.一種制造雙極性晶體管，特別是npn雙極性晶體管的方法，其具下列步驟a)一種具集極、基極及輕摻雜射極層的半導(dǎo)體基材被提供；b)一種屏蔽被供應(yīng)至該輕摻雜射極層；c)該輕摻雜射極層在屏蔽協(xié)助下被濕化學(xué)蝕刻，由此形成一種輕摻雜射極；d)基極連接在該基極的未覆蓋區(qū)域上形成；e)該屏蔽被移除及高度摻雜射極被形成。
2.根據(jù)申請專利范圍第1項(xiàng)的方法，其特征在于一種高度摻雜的硅-鍺基極被用做該基極。
3.根據(jù)申請專利范圍第1或2項(xiàng)的方法，其特征在于該屏蔽包括氧化物層、硅化物層及氮化物層。
4.根據(jù)先前申請專利范圍其中一項(xiàng)的方法，其特征在于該輕摻雜射極層使用堿性蝕刻劑，特別是KOH、氯及/或乙烯二胺，被濕化學(xué)地蝕刻。
5.根據(jù)先前申請專利范圍其中一項(xiàng)的方法，其特征在于該輕摻雜射極層在基極上形成做為基本上單晶質(zhì)層且濕化學(xué)蝕刻終止于在該基本上單晶質(zhì)層的(111)面。
6.根據(jù)先前申請專利范圍其中一項(xiàng)的方法，其特征在于一側(cè)壁間隔物，較佳為氮化物間隔物，系在該屏蔽的側(cè)壁的濕化學(xué)蝕刻前被產(chǎn)生。
7.根據(jù)申請專利范圍第1至5項(xiàng)其中一項(xiàng)的方法，其特征在于一側(cè)壁間隔物，較佳為氮化物間隔物，系在該屏蔽的側(cè)壁的基極連接及輕摻雜射極形成前被產(chǎn)生。
8.根據(jù)先前申請專利范圍其中一項(xiàng)的方法，其特征在于該基極連接系藉由在基極的未覆蓋區(qū)域上的選擇磊晶而形成。
9.根據(jù)先前申請專利范圍其中一項(xiàng)的方法，其特征在于一側(cè)壁間隔物，較佳為氮化物間隔物，系在該射極窗的側(cè)壁上的高摻雜射極形成前被產(chǎn)生。
10.一種雙極性晶體管，特別是npn雙極性晶體管，其具半導(dǎo)體基材(10)、集極(12)、基極(14)、輕摻雜射極(16)及高度摻雜射極(27)，其特征在于至該基極(14)的該連接(25)基本上以平行于該輕摻雜射極(16)的方式被定位且藉由側(cè)壁間隔物(23)或pn接合與該輕摻雜射極(16)分隔。
11.根據(jù)申請專利范圍第8項(xiàng)的雙極性晶體管，其特征在于該基極(14)被設(shè)計(jì)為高度摻雜的硅-鍺基極。
12.根據(jù)申請專利范圍第8或9項(xiàng)的雙極性晶體管，其特征在于該基極(14)具一摻雜，特別是一種超過2×1019每立方公分的p+-形式摻雜。
13.根據(jù)申請專利范圍第8至10項(xiàng)其中一項(xiàng)的雙極性晶體管，其特征在于該輕摻雜射極(16)具一摻雜，特別是一少于2×1018每立方公分的n-形式摻雜。
14.根據(jù)申請專利范圍第8至11項(xiàng)其中一項(xiàng)的雙極性晶體管，其特征在于該輕摻雜射極(16)被設(shè)計(jì)為基本上單晶質(zhì)層且由(111)面?zhèn)缺诘貒@。
15.根據(jù)申請專利范圍第8至12項(xiàng)其中一項(xiàng)的雙極性晶體管，其特征在于該側(cè)壁間隔物(23)被設(shè)計(jì)為一氮化物間隔物。
16.根據(jù)申請專利范圍第8至13項(xiàng)其中一項(xiàng)的雙極性晶體管，其特征在于該基極連接(25)至少在一些區(qū)域?yàn)閱尉з|(zhì)層設(shè)計(jì)。
17.根據(jù)申請專利范圍第8至14項(xiàng)其中一項(xiàng)的雙極性晶體管，其特征在于該基極連接(25)為一高度摻雜，特別是p+摻雜，的基極連接。
18.根據(jù)申請專利范圍第8至16項(xiàng)其中一項(xiàng)的雙極性晶體管，其特征在于該集極(12)與埋藏層(11)接觸。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明方法使制造一種具低基極連接電阻、低缺陷密度及改良的可縮放性的雙極性晶體管為可行。在此情況下要了解可縮放性系指射極窗的側(cè)壁縮放及基極寬度(低溫度預(yù)算)的垂直縮放，在基極區(qū)域，該溫度預(yù)算可被保持為低的，因不需要植入以減少該基極連接電阻。而且，伴隨點(diǎn)狀缺陷的困難被大部分避免。
文檔編號H01L29/737GK1518773SQ02804518
公開日2004年8月4日 申請日期2002年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月2日
發(fā)明者M·弗拉諾斯, T·梅斯特, H·謝弗, R·斯坦?fàn)? M 弗拉諾斯, 固, 茍 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司