專利名稱：包合薄板狀基材之集成電路配置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于根據(jù)申請專利范圍第1項(xiàng)之一種包含薄板狀基材的集成電路配置。
目前一半導(dǎo)體芯片上集成電路的開發(fā)成本非常高，使得競爭者漸漸有興趣來分析電路以便仿造。然而，現(xiàn)今一些可能侵害半導(dǎo)體芯片，損害其安全性的致命傷正是來自于這些模糊內(nèi)部建構(gòu)的詳細(xì)知識。所以也是為了安全的理由，想要防止侵害者得知有關(guān)制造如此一半導(dǎo)體芯片的細(xì)節(jié)。此外同時(shí)，其中集成電路儲存數(shù)據(jù)于內(nèi)部型式的應(yīng)用，逐漸成為慣例。此后所揭示的多重方法，是用來保護(hù)這些模塊以免被分析。經(jīng)由實(shí)例得知，以此方式覆蓋的集成電路表面就沒有辦法做光學(xué)分析。EP 0981162 A1中所述的就是這類的保護(hù)。
然而，這些保護(hù)措施可以利用小心研磨的方法除去覆蓋而失去效用，甚至如果該表面保護(hù)是可以抗蝕刻的。分別經(jīng)過連續(xù)除去層次并且照相未覆蓋層，接下來就能夠分析該集成電路結(jié)構(gòu)中此型態(tài)的配置。
US 5,955,766揭示形成一集成電路于一球形基材上，然而此結(jié)構(gòu)不能使用量產(chǎn)技術(shù)制造。
所以，本發(fā)明基于此目的為提供一種集成電路配置，其擁有高安全性以制止低花費(fèi)的分析。
此目的是根據(jù)本發(fā)明以申請專利第1項(xiàng)中詳實(shí)敘述的方式完成。在此實(shí)際情況中，至少在一傳遞方向，藉由載體使得基材從平面型式變成一非平面型式，并在一付得起的花費(fèi)下，該基材不能經(jīng)由研磨的方法處理，如此該表面就無法完成地除去，以一層一層的方式分析。
本發(fā)明其它具優(yōu)點(diǎn)的精巧部分于申請專利附屬項(xiàng)中明確敘述，一第二方向申缺乏的平面性增加了上述的安全性，該基材是應(yīng)用一材質(zhì)而變形，像是一附著或一彎曲的陶器，可以產(chǎn)生一相當(dāng)大的機(jī)械應(yīng)力。
想要的變形也可以藉由在該基材內(nèi)本身引起的機(jī)械應(yīng)力制成，例如經(jīng)由該基材化學(xué)或物理的細(xì)微結(jié)構(gòu)改變。由此實(shí)例，利用植入方法、擴(kuò)散方法、或加熱方法可達(dá)到目的。例如安排彼此相疊的一多重基板之間焊接和接合方法，也可以應(yīng)用提供合適的技術(shù)，該基材內(nèi)以目標(biāo)方式產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。
一變形的基材通常在一段時(shí)間之后，仍維持其改變的形狀。為了避免以一外力作用下，將該基材弄回一平面形狀，也可能至少在一表面上去除局部的區(qū)域。
藉由一載體上的提高位置，就能夠利用簡單的方法得到一種非常復(fù)雜且非平面表面形狀的集成電路配置。
本發(fā)明將參考圖式，并做下列的說明解釋。
圖式有

圖1顯示一半導(dǎo)體晶丬上一集成電路配置的基本結(jié)構(gòu)，圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一半導(dǎo)體芯片之一集成電路配置的一第一示范具體實(shí)施例，圖3顯示該第一范例具體實(shí)施例之該表面的一修正情況，圖4顯示根據(jù)本發(fā)明之一第二范例具體實(shí)施例，圖5顯示該第二范例具體實(shí)施例之一修正，圖6顯示該第二范例具體實(shí)施例之一第二修正，以及圖7顯示一可能的表面架構(gòu)。
圖1顯示一集成電路配置的基本結(jié)構(gòu)。于一基材上，以熟知的方式建構(gòu)一集成電路于多重層次內(nèi)，其中此處呈現(xiàn)層次2和層次3為最小的結(jié)果。目前情形下通常絕大部分是超過兩層，而兩層次即形成本發(fā)明可適當(dāng)應(yīng)用的最小啟始點(diǎn)，因?yàn)榇饲闆r下只出現(xiàn)要除去的唯一一層，就能夠分析下面的層次。
圖2中呈現(xiàn)的一種材質(zhì)4，是應(yīng)用于距離該層2和3遙遠(yuǎn)的側(cè)面，該材質(zhì)彎曲時(shí)會產(chǎn)生該基材1的應(yīng)力，以致形成一表面至少在一方向上是彎曲的。市面上現(xiàn)成以環(huán)氧基樹脂為主的黏膠適用于此目的。
如果以一研磨處理除去此表面，例如在虛線S的高度處，就只有一小部分的下層是可辨識的。假使也去除剩余的層3部分，同時(shí)一大部分的層2也跟著被除去。
除了可能在一個(gè)方向是區(qū)面之外，也可以在兩個(gè)方向上為一區(qū)面，如圖3所示。以現(xiàn)今芯片產(chǎn)品的厚度185微米，于整個(gè)芯片面積能夠容易地達(dá)到至少1微米的變形，此情況下也應(yīng)該注意到，如果適合的話，該芯片可以再薄一些以得到較大的變形。如圖7所示一扭曲的變形，就類似可想象的。此情形經(jīng)由實(shí)例得到，相對于相反面的對角相反扭曲是可能的，如呈現(xiàn)的箭頭所顯示。
在除去材質(zhì)4的情形中，為防止該基材1因?yàn)閴毫Ρ黄然貜?fù)一平面型式，可以從該基材表面除去A部分，如圖2中虛線所顯示，這是以基材的歪曲蝕刻去除或研磨邊緣區(qū)域完成，如圖2中左側(cè)所顯示，或是以向外蝕刻或研磨個(gè)別的A部分，如圖2中右側(cè)所顯示。為確定這是不可能或至少是要一個(gè)非常復(fù)雜的處理，才能在一變形之后把該基材1回復(fù)一平面型式。
根據(jù)圖4，該集成電路配置的建構(gòu)是在一載體5上加諸該基材，由該載體5決定該基材的型式。此情況下也可以提供凹處，于圖4中的連接部分并未顯示。根據(jù)圖5的中的架構(gòu)，不同于圖4，該載體5不只是在一個(gè)表面上變形，而像是將其整體從平面型式變成一曲面或是扭曲的形式。
根據(jù)本發(fā)明其它的范例具體實(shí)施例中，提高部分6形成于該載體5的表面上，并且和該基材1合在一起時(shí)使得該基材1以及其外加層變形。此特別以一相似的材質(zhì)4完戌，如根據(jù)圖2顯示的范例具體實(shí)施例，該相似材質(zhì)4填入該提高部分、該基材與該載體之間的相交空間，干燥之后引起該基材的應(yīng)力。
簡言之，指出本發(fā)明的基本概念就是將該基材永久變形，該基材并載有一集成電路，使其不可能以研磨層次的方法，選擇性地一層一層除去外加在該基材上的層次。
原則上，也可以恰當(dāng)?shù)刂苯又圃煲话雽?dǎo)體芯片，而其表面基本上是偏離平面性的此型態(tài)的芯片表面上，制造集成電路的量產(chǎn)方法，以現(xiàn)今可用的技術(shù)運(yùn)用在制造具有想要的復(fù)雜度之集成電路時(shí)，會發(fā)生很大的困難。
參考符號表1 基材2 第一層次3 第二層次
4 材料(也就是黏膠、陶器)5 載體6 提高部分7 凹處
權(quán)利要求
1.一種集成電路配置，包括一薄板狀的基材(1)，其上至少有一面以多重層次(2，3)形成一集成電路，該基材(1)的至少一表面在至少一傳遞方向上不是平面，其特征在于該基材(1)是安排在一載體(5)上，其致使該基材形成一曲面。
2.如申請專利范圍第1項(xiàng)之集成電路配量，其特征在于至少有一表面在一第二方向不是平面的。
3.如申請專利范圍第1或2項(xiàng)之集成電路配置，其特征在于該基材(1)以一適當(dāng)?shù)慕雍霞夹g(shù)，達(dá)接到至少一第二基材，藉由引發(fā)的機(jī)械應(yīng)力致使該基材形成曲面。
4.如申請專利范圍第1或2項(xiàng)之集成電路配置，其特征在于在該基材(1)內(nèi)所引發(fā)且致使該基材形成該曲面的機(jī)械應(yīng)力，正是該基材細(xì)部結(jié)構(gòu)化學(xué)或物理變化的結(jié)果。
5.如申請專利范圍第1或2項(xiàng)之集成電路配置，其特征在于從該基材(1)中之一表面上除去部分的區(qū)域，以致產(chǎn)生進(jìn)入根據(jù)申請專利范圍第3項(xiàng)之應(yīng)用材料的結(jié)構(gòu)是可貫穿的。
6.如申請專利范圍第4項(xiàng)之集成電路配置，其特征在于該載體(5)至少有一提高部分(6)于其表面上。
全文摘要
一種積體電略，其提供的方式是一方面為基材具有形成于一多重層次上的一集成電路，而該基材至少有一表面的建構(gòu)使其在一傳遞方向上不是平面性。
文檔編號H01L23/58GK1541413SQ02804978
公開日2004年10月27日 申請日期2002年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月14日
發(fā)明者M·賈科, P·拉克曼恩, M 賈科, 寺 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司