專利名稱：半導(dǎo)體器件的互連的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到半導(dǎo)體互連冶金學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及到互連冶金技術(shù)的阻擋層及其制作方法。
背景技術(shù)：
先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)將銅互連冶金技術(shù)用于集成電路中有源器件的連接。典型的互連冶金學(xué)技術(shù)使用嵌入或雙嵌入工藝。嵌入工藝的引線具有很窄的線條、大(大于1)的高寬比(高度除以寬度)以及高密度的特點(diǎn)。在嵌入工藝中，在介電層中腐蝕溝槽。淀積足夠厚的導(dǎo)電層來填充溝槽，然后用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝除去淀積在介電層表面上的導(dǎo)體。在CMP工藝之后，只留下填充在溝槽中的導(dǎo)電層，使填充的溝槽表面與介電層表面齊平。在嵌入工藝中，不同的互連層經(jīng)由通道來連接，這些通道分別制作在插入的介電層中。在雙嵌入工藝中，這些通道集中制作在同一介電層中作為導(dǎo)電引線。
銅已成為導(dǎo)體冶金學(xué)技術(shù)的選擇，因?yàn)樗母唠妼?dǎo)率可使較窄的引線中流過的電流較舊有的鋁基互連冶金學(xué)技術(shù)所達(dá)到者更高。雖然銅改善了電遷徙及機(jī)械應(yīng)力的可靠性，但通常銅是與冗余(redundant)的導(dǎo)體如鉭一起使用，后者以薄層的形式襯在溝槽的底部和側(cè)壁以改善可靠性。然而，鉭不直接淀積在如氧化硅這樣的介電層上，因?yàn)檫@會(huì)形成β相鉭。β相鉭具有200μΩ/cm的電阻率，用作冗余的導(dǎo)電層是太高了。而且，在與氧化硅介電層一起使用時(shí)，銅和鉭需要有助粘層。一種銅和鉭的助粘材料為氮化鉭。當(dāng)鉭淀積在氮化鉭上時(shí)，形成α相鉭。α相鉭具有12-20μΩ/cm的電阻率。此外，氮化鉭也起銅擴(kuò)散阻擋層的作用。銅可改變有源硅器件的特性，且必須防止其經(jīng)介電層遷徙進(jìn)入硅。這不僅與氧化硅介電層有關(guān)，而且當(dāng)使用低κ值的介電層如SILKTM(Dow Corning，Midland，MI)時(shí)也與之有很大關(guān)系，因?yàn)榈挺手挡牧鲜嵌嗫椎摹?br> 然而，由于具有250-500μΩ/cm的電阻率，氮化鉭不是很好的導(dǎo)體。隨著互連密度的增高，線寬減小至0.25μm及0.25μm尺度時(shí)，這種高電阻率就變得極為重要。對(duì)于0.225μm寬和深的溝槽和25-50nm的氮化物層，氮化鉭為引線截面積的30-56％，則部分抵消了銅電導(dǎo)率增大的得益。而且，隨著溝槽高寬比的增大，達(dá)到只有一窄條銅可填充在溝槽的側(cè)壁之間的程度，如果需要?jiǎng)t可用銅完全填充其余的開口部分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面為半導(dǎo)體器件用的互連，它包括具有側(cè)壁和底部的導(dǎo)體芯；以及淀積在所述導(dǎo)體芯側(cè)壁和底部上的超薄層。
本發(fā)明的第二方面為一種制作超薄氮化鉭層的方法，包括提供鉭靶；啟動(dòng)惰性氣體等離子體，并在預(yù)定時(shí)間內(nèi)向等離子體通入氮?dú)舛谝r底上濺射氮化鉭；到達(dá)預(yù)定的固定時(shí)間后停止氮?dú)饬鳌?br> 本發(fā)明的第三方面為一種制作超薄氮化鉭層的方法，包括提供鉭靶；用氮?dú)饬鲗?duì)鉭靶預(yù)充氮；然后啟動(dòng)惰性氣體等離子體而在襯底上濺射氮化鉭。
本發(fā)明的第四方面為一種制作半導(dǎo)體器件互連的方法，包括在半導(dǎo)體襯底上制作介電層；在介電層中制作溝槽；將半導(dǎo)體襯底置于有鉭靶的等離子體淀積室中；在等離子體淀積室中存在氮時(shí)啟動(dòng)等離子體；以及在溝槽中淀積含鉭和氮的超薄層。


現(xiàn)在，將參照附圖，只通過實(shí)例來描述本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1A-1D為部分的剖面圖，說明根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式來制作氮化鉭/鉭/銅互連線；圖2為根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式來淀積超薄氮化鉭層的第一種設(shè)備的示意剖面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式來淀積超薄氮化鉭層的第二種設(shè)備的示意剖面圖；圖4為說明根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式來淀積超薄氮化鉭層的第一種方法的流程圖；圖5為說明根據(jù)本發(fā)明的一種可選實(shí)施方式來淀積超薄氮化鉭層的第二種方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A-1D為部分的剖面圖，說明了氮化鉭/鉭/銅互連線的制作。在圖1A中，介電層100制作在襯底110的上表面105上。在一個(gè)實(shí)例中，襯底110為半導(dǎo)體襯底。制作在介電層100中的是溝槽115，其側(cè)壁120從介電層100的上表面125伸展至襯底110的上表面105。溝槽115還有底部130。介電層100可為氧化硅或低κ值介電材料。在一個(gè)實(shí)例中，低κ值介電材料為SILKTM(Dow Corning，Midland，MI)。溝槽115可由反應(yīng)離子刻蝕(RIE)工藝來制作。
在圖1B中，氮化鉭超薄層135由等離子體淀積工藝來淀積。在圖2和3中說明了氮化鉭層135的制作設(shè)備，并在下面加以描述。圖4和5說明了氮化鉭層135的制作工藝，并在下面加以描述。氮化鉭層135約為0.5-3nm厚的保形涂層，覆蓋溝槽115的側(cè)壁120和底部130以及介電層100的上表面125。由于氮化鉭分子的直徑約為0.42nm，氮化鉭層135包含1-6個(gè)單層。
在圖1C中，鉭層140淀積在氮化鉭層135上面。鉭層140是在淀積了氮化鉭后在淀積氮化鉭層135所用的同一設(shè)備和同一淀積室中淀積的。在一個(gè)實(shí)例中，鉭層140約為5-30nm厚。鉭層140在氮化鉭層135上形成一保形層。
在圖1D中，在鉭層140上制作保形的銅籽層145。銅籽層145是濺射淀積或蒸發(fā)的，厚約10-200nm。銅籽層可在有進(jìn)樣設(shè)備的第二室中進(jìn)行淀積或蒸發(fā)，第一室用來制作氮化鉭層135和鉭層140。然后在銅籽層145上用電鍍制作銅導(dǎo)體芯150，使其厚度足以完全填充溝槽115。然后進(jìn)行CMP步驟來從介電層100的上表面125上除去氮化鉭層135、鉭層140、銅籽層145和銅導(dǎo)體芯150，留下的銅引線155其上表面160基本上與介電層的上表面齊平。雖然在圖1D中示出了銅籽層145，實(shí)際上銅籽層成了銅芯導(dǎo)體150的一部分，不能與銅芯導(dǎo)體區(qū)分開。
圖2為淀積超薄氮化鉭層第一種設(shè)備的示意剖面圖。淀積室165為離子金屬等離子體室，例如，購自Applied Materials Inc.，SantaClara，Calif.的IMP VectraTM室。淀積室165包含側(cè)壁170、頂蓋175以及底部180。鉭靶185設(shè)在淀積室165的頂蓋175上。在淀積室165中設(shè)有可移動(dòng)的襯底臺(tái)190，其上表面195用于承載襯底200。在一個(gè)實(shí)例中，襯底200為半導(dǎo)體襯底。襯底臺(tái)190裝在與提升馬達(dá)205相連的軸上，馬達(dá)205使襯底臺(tái)190在降下的裝片/取片位置與升高的加工位置間升降。淀積室165備有開口210，使當(dāng)襯底臺(tái)190在降下的裝片/取片位置時(shí)，機(jī)械手(未示出)可經(jīng)由此開口向室中送入或從室中取出襯底200。在淀積室165中還裝有與提升馬達(dá)220相連的提升臺(tái)215以及裝在襯底臺(tái)190中的升降桿225。桿225使襯底200從襯底臺(tái)190的上表面195升起或落至上表面195上。淀積室165中還設(shè)有屏蔽罩235，使濺射的材料不致淀積到側(cè)壁170上。線圈230經(jīng)襯底臺(tái)190與靶185間的支撐件240裝在屏蔽罩235上。為了增強(qiáng)等離子體中的離化成分，線圈230提供RF能量來幫助啟動(dòng)和維持等離子體以及增大等離子體強(qiáng)度。支撐件240使線圈230與屏蔽罩235及淀積室165電絕緣。淀積室165使用了三個(gè)電源。DC電源250為靶185供電，使處理氣體產(chǎn)生等離子體。環(huán)狀磁鐵252設(shè)在靶185后面，在靶表面形成磁力線而俘獲電子并提高靶面附近的等離子體強(qiáng)度，以提高濺射效率。第一RF電源經(jīng)由第一匹配網(wǎng)絡(luò)255B為線圈230供給RF功率以提高等離子體強(qiáng)度。第二RF電源260A經(jīng)由第二匹配網(wǎng)絡(luò)260B在襯底臺(tái)190與等離子體間施加偏壓，將離化的濺射材料直接引向襯底200。兩種等離子體氣體從氣源270、275經(jīng)氣體入口265送入淀積室165，每一路氣體分別由各自的質(zhì)量流量控制器280和285來計(jì)量。在本實(shí)例中，第一種氣體為氮，第二種氣體為惰性氣體如氬、氦、氖或氪，或?yàn)槠浣M合。一個(gè)或多個(gè)真空泵290接在淀積室165的排氣口295上，為淀積室抽氣使之保持所需的壓力。在一個(gè)實(shí)例中，真空泵290為冷凝泵或任何能夠維持10-8Torr低壓的泵。控制器300控制電源250、255A和260A、匹配網(wǎng)絡(luò)255B和260B、提升馬達(dá)205和220、質(zhì)量流量控制器280和285、真空泵290以及淀積室其他相關(guān)部件與功能?？刂破?00執(zhí)行儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器中的系統(tǒng)控制軟件，在一個(gè)實(shí)例中，存儲(chǔ)器為硬盤，并可包括模擬-數(shù)字輸入/輸出板、接口板和步進(jìn)馬達(dá)控制板。光學(xué)和/或磁傳感器一般用來移動(dòng)和確定可動(dòng)機(jī)械組件的位置。
在工作時(shí)，機(jī)械手將襯底200經(jīng)開口210送入淀積室165。桿225上升，將襯底200從機(jī)械手托起。然后機(jī)械手從淀積室165退出，開口210封閉。然后，桿225使襯底200落至襯底臺(tái)190的上表面195上。襯底臺(tái)190將襯底200提升至靶185下面的加工位置。然后將一種或多種等離子體氣體送入淀積室165，使室中的氣壓穩(wěn)定在工作壓力下。電源250供電使靶185與襯底臺(tái)190間產(chǎn)生等離子體。第一RF電源255A向線圈230供電來產(chǎn)生足夠強(qiáng)的等離子體，使從靶185濺射的靶材料流離化。第二RF電源260A使離子向偏置的襯底200加速。淀積后，襯底臺(tái)190下降，桿225上升托起襯底200，機(jī)械手進(jìn)入淀積室165取去襯底200，如果需要，再送入另一個(gè)襯底進(jìn)行加工。
圖3為淀積超薄氮化鉭層第二種設(shè)備的示意剖面圖。圖3代表一般的直流磁控濺射等離子體淀積設(shè)備。淀積室305包含側(cè)壁170、頂蓋175和底部180。鉭靶185設(shè)在淀積室305的頂蓋175上。在淀積室305中設(shè)有可動(dòng)襯底臺(tái)190，其上表面195用于承載襯底200。襯底臺(tái)190可包含靜電晶片吸盤。襯底臺(tái)190裝在與提升馬達(dá)205相連的軸上，馬達(dá)205使襯底臺(tái)190在降下的裝片/取片位置與升高的加工位置間升降。淀積室305備有開口210，使當(dāng)襯底臺(tái)190在降下的裝片/取片位置時(shí)，機(jī)械手(未示出)可經(jīng)由此開口向室中送入或從室中取出襯底200。在淀積室305中還裝有與提升馬達(dá)220相連的提升臺(tái)215以及裝在襯底臺(tái)190中的升降桿225。桿225使襯底200從襯底臺(tái)190的上表面195升起或落至上表面195上。淀積室305中設(shè)有屏蔽罩235，使濺射的材料不致淀積到側(cè)壁170上。淀積室305使用了兩個(gè)電源。DC電源250為靶185供電，使處理氣體產(chǎn)生等離子體。環(huán)狀磁鐵252設(shè)在靶185后面，在靶表面形成磁力線而陷住電子并提高靶面附近的等離子體強(qiáng)度，以提高濺射效率。RF電源260A經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)260B在襯底臺(tái)190與等離子體間施加偏壓，將離化的濺射材料直接引向襯底200。也可不對(duì)襯底臺(tái)190施加偏壓，也可不使用RF電源260A和匹配網(wǎng)絡(luò)或不作為淀積室305的一部分。兩種等離子體氣體從氣源270、275經(jīng)氣體入口265送入淀積室305，每一路氣體分別由各自的質(zhì)量流量控制器280和285來計(jì)量。在本實(shí)例中，第一種氣體為氮，第二種氣體為惰性氣體如氬、氦、氖或氪，或?yàn)槠浣M合。一個(gè)或多個(gè)真空泵290接在淀積室305的排氣口295上，為淀積室抽氣使之保持所需的壓力。在一個(gè)實(shí)例中，真空泵290為冷凝泵或任何能夠維持10-8Torr低壓的泵。控制器300控制電源250和260A、匹配網(wǎng)絡(luò)260B、提升馬達(dá)205和220、質(zhì)量流量控制器280和285、真空泵290以及淀積室其他相關(guān)部件與功能?？刂破?00執(zhí)行儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器中的系統(tǒng)控制軟件，在一個(gè)實(shí)例中，存儲(chǔ)器為硬盤，并可包括模擬-數(shù)字輸入/輸出板、接口板和步進(jìn)馬達(dá)控制板。光學(xué)和/或磁傳感器一般用來移動(dòng)和確定可動(dòng)機(jī)械組件的位置。
在工作時(shí)，機(jī)械手將襯底200經(jīng)開口210送入淀積室305。桿225上升，將襯底200從機(jī)械手托起。然后機(jī)械手從淀積室305退出，開口210封閉。然后，桿225使襯底200落至襯底臺(tái)190的上表面195上。襯底臺(tái)190將襯底200提升至靶185下面的加工位置。然后將一種或多種等離子體氣體送入淀積室305，使室中的氣壓穩(wěn)定在工作壓力下。由DC電源250和RF電源260A供電在靶185與襯底臺(tái)190間產(chǎn)生等離子體，使等離子體足夠強(qiáng)而將從靶185濺射的靶材料流離化。離子向襯底加速。此外，從靶185濺射出來的未離化的金屬成分也會(huì)淀積在襯底上。淀積后，襯底臺(tái)190下降，桿225上升托起襯底200，機(jī)械手進(jìn)入淀積室305取去襯底200，如果需要，再送入另一個(gè)襯底進(jìn)行加工。
圖4為說明淀積超薄氮化鉭層第一種方法的流程圖。第一種方法可使用上述的圖2所示的第一種設(shè)備，也可使用圖3所示的第二種設(shè)備。在步驟301中，將襯底200裝入淀積室，并將淀積室抽真空至約10-8Torr。在步驟315中，將惰性氣體如氬、氦、氖或氪、或是其組合通入淀積室，流量約為5-200sccm。下面的步驟320和325是同時(shí)進(jìn)行的。在步驟320中，開啟DC和RF電源來啟動(dòng)惰性氣體等離子體，使鉭開始從靶185濺射。使用淀積室165時(shí)，DC電源250向靶185供給約500-3000W的功率，RF電源255A向線圈230供給約500-5000W的功率，而RF電源260A向襯底臺(tái)190供給約10-500W的功率。使用淀積室305時(shí)，DC電源250向靶185供給約500-3000W的功率，RF電源260A向襯底臺(tái)190供給約10-500W的功率。無論使用淀積室165還是305，襯底200的溫度都保持約0-200℃，對(duì)所有以后的加工步驟，鉭的濺射率都控制在約2-50(0.2-5nm)/秒。在步驟325中，一開始濺射鉭就通入氮。在繼續(xù)濺射鉭時(shí)，通入流量約5-200sccm的氮約1-15秒。在步驟325期間，發(fā)生兩個(gè)過程。在第一個(gè)過程中，鉭原子與等離子體中的氮離子反應(yīng)，形成氮化鉭而淀積在襯底200上。在第二個(gè)過程中，在靶185上形成氮化鉭層，然后再濺射出來淀積在襯底200上。在步驟330中，關(guān)斷氮?dú)饬鳎⒗^續(xù)濺射鉭。在步驟325中所淀積的鉭層上繼續(xù)濺射鉭，直至使鉭達(dá)到預(yù)定的厚度為止。在步驟335中，關(guān)閉RF和DC電源，等離子體消失，鉭的濺射和淀積停止。最后，在步驟340中，關(guān)斷惰性氣體流，從淀積室取出襯底200。
圖5為說明淀積超薄氮化鉭層第二種方法的流程圖。第二種方法可使用上述的圖2所示的第一種設(shè)備，也可使用圖3所示的第二種設(shè)備。在步驟345中，將襯底200裝入淀積室，并將淀積室抽真空至約10-8Torr。在步驟350中，通入氮?dú)?，流量約為50-200sccm。在步驟355中，經(jīng)過預(yù)定的時(shí)間后，停止氮?dú)饬?。通入氮?dú)庾銐蜷L的時(shí)間使之吸附在靶185表面上或與靶上的鉭起反應(yīng)而在靶表面上形成氮化鉭層。此外，氮也可吸附在線圈230上而從線圈濺射。步驟350使靶185表面有效地預(yù)充氮。在步驟360中，在淀積室通入惰性氣體如氬、氦、氖或氪、或其組合，流量約5-200sccm。在步驟365中，開啟DC和RF電源來啟動(dòng)惰性氣體等離子體，開始從靶185濺射氮化鉭。重要的是在通入惰性氣體流約0-2秒間的等離子體轟去不致使靶185表面吸附的氮被沖刷掉。在步驟365期間，隨著鉭和氮從靶185上濺射而形成氮化鉭淀積在襯底200上。使用淀積室165，DC電源250向靶185供給約500-3000W的功率，RF電源255A向線圈230供給約500-5000W的功率，而RF電源260A向襯底臺(tái)190供給約10-500W的功率。使用淀積室305時(shí)，DC電源250向靶185供給約500-3000W的功率，RF電源260A向襯底臺(tái)190供給約10-500W的功率。無論使用淀積室165還是305，襯底200的溫度都保持約0-200℃。在步驟370中，吸附的氮被用盡，鉭的濺射開始。可在步驟360中所淀積的鉭層上繼續(xù)濺射鉭，直至鉭層達(dá)到預(yù)定的厚度為止。在步驟375中，關(guān)閉RF和DC電源，等離子體消失，鉭的濺射和淀積停止。最后，在步驟380中關(guān)斷惰性氣體流，從淀積室取出襯底200。
要求超薄氮化鉭膜是連續(xù)的，以免在用鉭作為冗余導(dǎo)體時(shí)形成β相鉭。如前面所提到的，β相鉭的電阻率比α相鉭高得多。如果在氧化硅中制作的通道中氮化鉭層是不連續(xù)的，在制作鉭襯層時(shí)將會(huì)形成β相鉭。β相鉭氮化鉭的存在可由簡單地測(cè)量電阻率來確定，作為依據(jù)判斷超薄氮化鉭層是否連續(xù)。
實(shí)例制作了兩對(duì)銅通道鏈結(jié)構(gòu)。在此對(duì)中的一個(gè)通道鏈包含68,000個(gè)串聯(lián)通道，第二個(gè)通道鏈包含100個(gè)串聯(lián)通道。每個(gè)鏈中的每個(gè)通道為1微米深、直徑0.4微米，制作在氧化硅介電層中。第一對(duì)是用10nm厚的厚氮化鉭襯層和40nm厚的鉭襯層制作的。第二對(duì)是用本發(fā)明的襯層厚1-3nm的超薄氮化鉭襯層和40nm厚的鉭襯層制作的。對(duì)四個(gè)晶片上的每四十個(gè)位置測(cè)量四十個(gè)鏈。表1列出了對(duì)厚的和超薄的氮化鉭通道鏈測(cè)量的每鏈歐姆數(shù)和每個(gè)通道鏈的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
表1厚TaN 超薄TaN第一通道鏈電阻率 0.618 0.594標(biāo)準(zhǔn)偏差 0.014 0.001第二通道鏈電阻率 0.858 0.792標(biāo)準(zhǔn)偏差 0.013 0.001由于超薄氮化鉭元的電阻率實(shí)際上與厚氮化鉭元的電阻率相同，沒有發(fā)現(xiàn)β相鉭，可以斷定超薄氮化鉭層是連續(xù)的。
這樣，就描述了在鉭和鉭/銅互連冶金學(xué)技術(shù)中使用很薄的氮化鉭層作為襯層，以及這樣的層的制作方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件用的互連，包含具有側(cè)壁和底部的導(dǎo)體芯；及在所述導(dǎo)體芯側(cè)壁和底部上的超薄層。
2.權(quán)利要求1的互連，其中所述導(dǎo)體芯包含銅，所述超薄層包含氮化鉭。
3.權(quán)利要求1或2的互連，其中超薄層為0.5-3nm厚。
4.前面任何權(quán)利要求的互連，其中超薄層包含1-7個(gè)單層的氮化鉭。
5.前面任何權(quán)利要求的互連，還包含導(dǎo)體芯與超薄層之間的冗余導(dǎo)體。
6.權(quán)利要求5的互連，其中冗余導(dǎo)體包括鉭。
7.權(quán)利要求5或權(quán)利要求6的互連，其中冗余導(dǎo)體約為5-30nm厚。
8.一種制作超薄氮化鉭層的方法，包括提供鉭靶；啟動(dòng)惰性氣體等離子體，并在預(yù)定時(shí)間內(nèi)向等離子體通入氮?dú)饬?，從而在襯底上濺射氮化鉭層；以及在預(yù)定時(shí)間到達(dá)后，停止所述氮?dú)饬鳌?br> 9.權(quán)利要求8的方法，還包括在氮化鉭層的頂部上濺射鉭層。
10.權(quán)利要求8或權(quán)利要求9的方法，其中所述預(yù)定的時(shí)間足以產(chǎn)生不厚于3nm的氮化鉭層。
11.權(quán)利要求8-10中任一項(xiàng)的方法，其中所述預(yù)定的時(shí)間足以產(chǎn)生包含1-7個(gè)單層的氮化鉭層。
12.一種制作超薄氮化鉭層的方法，包括提供鉭靶；用氮?dú)饬鬟^鉭靶使之預(yù)充氮；以及啟動(dòng)惰性氣體等離子體，從而在襯底上濺射氮化鉭。
13.權(quán)利要求12的方法，還包括在所述氮化鉭層的頂部上濺射鉭層。
14.權(quán)利要求12或13的方法，其中所述預(yù)充氮僅足以產(chǎn)生不厚于3nm的氮化鉭層。
15.權(quán)利要求12-14中任一項(xiàng)的方法，其中所述預(yù)充氮僅足以產(chǎn)生包含1-7個(gè)單層的氮化鉭層。
16.一種制作半導(dǎo)體器件互連的方法，包括在半導(dǎo)體襯底上制作介電層；在所述介電層中制作溝槽；將所述半導(dǎo)體襯底置于有鉭靶的等離子體淀積室中；在等離子體淀積室中存在氮的情況下啟動(dòng)等離子體；以及在溝槽中淀積含鉭和氮的超薄層。
17.權(quán)利要求16的方法，其中在啟動(dòng)等離子體后向等離子體淀積室通氮?dú)鈦硪氲?br> 18.權(quán)利要求16的方法，其中在啟動(dòng)等離子體前向等離子體淀積室通入氮?dú)?，使鉭靶表面預(yù)充氮。
19.權(quán)利要求16-18中任一項(xiàng)的方法，其中含鉭和氮的超薄層為0.5-3nm厚。
20.權(quán)利要求16-18中任一項(xiàng)的方法，其中含鉭和氮的超薄層包含1-7個(gè)單層的鉭和氮。
21.權(quán)利要求16-20中任一項(xiàng)的方法，還包括在超薄層上濺射鉭層。
22.權(quán)利要求16-21中任一項(xiàng)的方法，其中介電層包括選自由氧化硅、低κ值介電材料和SILKTM構(gòu)成的組中的材料。
23.權(quán)利要求16-22中任一項(xiàng)的方法，其中等離子體淀積室為DC磁控濺射室。
24.權(quán)利要求16-22中任一項(xiàng)的方法，其中等離子體淀積室為離子金屬等離子體室。
25.權(quán)利要求16-24中任一項(xiàng)的方法，其中所述溝槽具有大高寬比。
全文摘要
公開了半導(dǎo)體器件互連的一種制作方法。此方法包括在半導(dǎo)體襯底上制作介電層；在介電層中制作溝槽；將半導(dǎo)體襯底置于有鉭靶的等離子體淀積室中；在等離子體淀積室中存在氮的情況下啟動(dòng)等離子體；以及在溝槽中淀積含鉭和氮的超薄層。
文檔編號(hào)H01L23/532GK1653613SQ02809623
公開日2005年8月10日 申請(qǐng)日期2002年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月11日
發(fā)明者愛德華·庫尼三世, 安東尼·斯坦珀 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司