專利名稱：抗靜電光學(xué)薄片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于光學(xué)薄片。更具體的說，是關(guān)于包含導(dǎo)電涂層的光學(xué)薄片。
背景技術(shù)：
集成電路是通過光刻工藝制作的。光刻工藝經(jīng)常使用紫外線(UV)在諸如硅片一類基片上重現(xiàn)光掩?；蜓谀Ｔ嫔系膱D案。掩模上的圖案以該圖案的形式阻擋了入射光的透射，讓負(fù)像圖案聚焦在基片感光面上。這個光學(xué)過程，再經(jīng)過在基片上進(jìn)行正像圖案與負(fù)像圖案顯影，產(chǎn)生了集成電路。使用多重掩模重復(fù)這個工藝過程，使相關(guān)的一些圖案疊加造成該基片上的多層集成電路。
基片上掩模圖案的準(zhǔn)確復(fù)制對功能性微電路攸關(guān)重要。因此，掩模的完整性必須得到保護(hù)，方可反復(fù)使用。飄浮在空氣中的塵埃、纖維等細(xì)微顆粒是造成掩模圖案復(fù)制準(zhǔn)確性變劣的主要原因。甚至非常微小的顆粒，當(dāng)它處于掩模焦面附近時也會影響光的透射。結(jié)果，這些顆粒給集成電路帶來缺陷。
若要保護(hù)掩模圖案的完整性，就得采用光學(xué)薄片。該光學(xué)薄片包含一層均勻的薄膜。通常光學(xué)薄片通過框架支撐在掩模表面上方。此薄膜起防塵罩的作用，能將塵粒擋在掩模表面之外，使其只能收集在薄片表面上，離開掩模有一定距離，而該距離取決于框架的高度。這些顆粒處于離掩模焦面還相當(dāng)遠(yuǎn)的位置，這樣它們阻擋光透射到掩模的能力大大減弱了。
有效的光學(xué)薄片具有非常有效的透射入射光的能力，光幾無畸變。若要獲得這種光學(xué)特性，則通常薄片所用的材料要對光刻工藝選用波長的光吸收很小。極高的透射率是與厚度的均勻一致相連系的，約在0.5μm-2μm之間。當(dāng)光刻工藝所用的，光源發(fā)射較長波長的紫外(UV)線時，硝化纖維素或醋酸纖維素用作薄膜材料雖具有高透射率，但仍要求抗反射涂層，是因為這些材料的光折射率相對較高。
光刻工藝中采用的電磁輻射的波長與基片上產(chǎn)生的電路的最小形貌特征尺寸直接有關(guān)。因此，提高微晶片上電路密度的努力引起了光刻術(shù)從采用汞燈中的436nm和365nm的g線和i線輸出向著采用紫外光譜的遠(yuǎn)紫外和真空紫外區(qū)的演變。汞燈的光譜主線位于中、近紫外區(qū)。因此，集成電路制造業(yè)轉(zhuǎn)而投向準(zhǔn)分子激光器發(fā)出遠(yuǎn)紫外輻射來制作微電路。例如，氟化氪(KrF)激光器發(fā)射UV波長為248nm，而氟化氬(ArF)激光器發(fā)射波長為193nm。為本發(fā)明的目的，遠(yuǎn)紫外光定義為波長小于250nm的紫外光。
通過在遠(yuǎn)紫外區(qū)的光刻技術(shù)制作微電路，要求光學(xué)薄片對此紫外輻射的吸收很低。發(fā)現(xiàn)含氟聚合物在248nm和193nm波長處具備這種所要求的性質(zhì)。具體地說，最有效的聚合物是無定形含氟聚合物；更具體地說，是諸如授權(quán)給Miyazaki等人的美國專利US Patent No.5,674,624中所述的那些無定形全氟樹脂，此專利參考結(jié)合于此。采用市售含氟聚合物樹脂制造的薄膜已獲成功。例如，Asahi玻璃公司產(chǎn)商品名為CYTOP和杜邦(DuPont)公司產(chǎn)商品名為AF-1600的含氟聚合物被認(rèn)為很合適。采用這些含氟聚合物制造的光學(xué)薄片在遠(yuǎn)紫外區(qū)有很高的透射率，與并有足夠低的折射率，所以通常不需要抗反射涂層，且對紫外輻射的破壞作用具有足夠抵御能力。
盡管含氟聚合物薄膜在光刻技術(shù)中顯示了符合要求的光學(xué)特性，但它們同時也具有不符要求的電學(xué)特性。具體地說，含氟聚合物起極其有效的絕緣體作用。事實上，它適用于介電常數(shù)極低，通常小于2.0，而體電阻率大于1018Ω-cm的光學(xué)薄片。含氟聚合物這種極其有效的絕緣性質(zhì)使得在標(biāo)準(zhǔn)含氟聚合物薄膜上聚集起來的靜電電荷不容易散逸，結(jié)果靜電電荷聚集在該薄膜上，產(chǎn)生明顯的周期性地對掩模靜電放電。這種靜電放電會使掩模上的形貌特征變壞，特別當(dāng)反復(fù)放電時。對于在遠(yuǎn)紫外區(qū)中使用的具有細(xì)小形貌特征的掩模板，靜電放電發(fā)生時這個問題更為嚴(yán)重。而這種形貌特征的物質(zhì)往往不能驅(qū)散靜電放電產(chǎn)生的熱量，造成由靜電放電引發(fā)的對掩模的損壞。靜電放電對掩模的破壞能力造成每年數(shù)以千計掩模的毀壞，給微電路制造業(yè)造成巨大經(jīng)濟(jì)損失。
為了減少靜電放電影響，工作重點放在制作微電路之前和過程中，在絕對無塵室內(nèi)要消除靜電電荷。例如，所有工具與儀器儀表進(jìn)行了接地，在無塵室內(nèi)引進(jìn)電離空氣。這樣就減少了在微電路制作期間靜電電荷聚積的影響，但仍不能消除來自外部的靜電放電的影響。
其中，外部靜電放電源之一就是光學(xué)薄片本身。因為它是極其優(yōu)異的電絕緣體，在制作該薄膜期間電荷就可能聚積起來。此外，將薄片運輸?shù)绞褂矛F(xiàn)場時也可能再行聚積電荷。
為了減少靜電電荷的聚積，曾在含氟聚合物光學(xué)薄片表面上涂覆一種抗靜電材料，但未取得成功，部分原因至少是因為所用的導(dǎo)電材料很難附著在這種含氟聚合物薄膜的表面上。因此，微電路制造業(yè)要求一種散逸電荷的材料，它能附著在遠(yuǎn)紫外光學(xué)薄膜上，提供抗靜電光學(xué)薄片。
發(fā)明概述本發(fā)明提供一種具有抗靜電涂層的光學(xué)薄片，以及制造其上面的涂層的溶膠凝膠方法。該涂層是金屬氧化物薄層，能使該光學(xué)薄片在遠(yuǎn)紫外光區(qū)保持高的透射率。在所揭示的溶膠凝膠方法中，在光學(xué)薄膜上涂覆溶膠，使該溶膠轉(zhuǎn)變成凝膠，然后將該凝膠干燥成為涂層。
附圖簡要說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施方式形成的光學(xué)薄片的側(cè)視截面圖。該薄片的操作位置在掩模上方，它包含一層涂布在薄膜頂面的抗靜電涂層。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個實施方式形成的光學(xué)薄片的側(cè)視截面圖。該薄片的操作位置在掩模上方，它包含一層涂布在薄膜底面的抗靜電涂層。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施方式形成的光學(xué)薄片的側(cè)視截面圖。薄片的操作位置在掩模上方，它包含分別涂布在薄膜頂面和底面的抗靜電涂層。
詳細(xì)敘述本發(fā)明提供的是包含抗靜電涂層的光學(xué)薄片。圖1顯示的是本發(fā)明實施方式中的一個光學(xué)元件，它是有導(dǎo)電涂層的薄膜，該元件通常以數(shù)字10標(biāo)記。這里所示的光學(xué)元件稱為光學(xué)薄片，它包含高透射率薄膜表面上涂覆的一層涂層。該涂層附著在薄膜上，且遠(yuǎn)薄于該薄膜，能夠散逸電荷，使得達(dá)到掩模上靜電電荷的頻數(shù)與強(qiáng)度明顯減小。
光學(xué)薄片10包含薄膜12，在其表面16上涂覆了一層涂層14。該薄膜通常裝在框架18上，該薄膜由諸如金屬、陶瓷或塑料等合適材料制成?？蚣芡ǔＳ射X制成?？蚣?8將薄膜12固定在與掩模20的基本平表面距離一定間隔，用來捕集有害的顆粒與細(xì)小的碎屑，使其離開掩模焦平面?？蚣?8用粘接劑22固定在掩模上，從而將薄片10裝在掩模20上方，由此將顆粒排除在焦平面之外，這樣顆粒對光刻產(chǎn)生的圖案的破壞作用得以減小。
薄膜12可以由任何一種材料組成，只要該材料對入射的電磁輻射具有很高的透射率，又僅有極微的畸變作用。高透射率材料只吸收很少一部分入射輻射，而使掩模圖案能在基片上成象。通常，高透射率薄膜僅吸收小于50％的入射成象輻射，最好其平均透射率約為80％，90％，或95％。對于使用遠(yuǎn)紫外線的光刻技術(shù)，薄膜12對于波長小于250nm紫外線具有高透射率。為了在248nm和193nm波長的紫外線具有高透射率，薄膜12可以由諸如Asahi玻璃公司產(chǎn)品CTYOP或杜邦公司產(chǎn)品AF-1600這些含氟聚合物制成，它們具有很合適的高透射率。
薄膜12的厚度應(yīng)根據(jù)制作、處理與用途等實際因素而定。一般說來，薄膜12可盡實際可能地薄以便減少對光輻射的吸收。另一方面，薄膜還不能太薄，以至于影響它的生產(chǎn)和在正常使用條件下影響它對機(jī)械損傷的抵御能力。薄膜的厚度約在0.5-2μm，0.6-1.7μm，或0.8-1.5μm之間。大多數(shù)場合下，膜的厚度應(yīng)均勻一致，可以減小光學(xué)畸變。
如圖1所示，膜12的頂面16上有涂層14，它通常附著在薄膜12上，且至少基本上在薄膜的一面上。本圖中，底面24上并不沒有涂層14。然而，如圖2所示的薄片10’，它的底面上也可以有涂層14，或如圖3所示的薄片10”，它的頂面16與底面24上都有涂層14。當(dāng)涂層14出現(xiàn)在底面24上時，該涂層就像圖2和圖3所示那樣，通常將薄膜12與框架18分隔起來。
涂層14是位于薄膜表面12上的任何導(dǎo)電薄層。該導(dǎo)電薄層是具有減小從光學(xué)薄片靜電放電能力的一層材料。導(dǎo)電涂層能起導(dǎo)體的作用，促使電荷散逸，其絕緣性差，因此它的導(dǎo)電性要優(yōu)于薄膜12。導(dǎo)電涂層14的體電阻率通常小于1016Ω-cm，經(jīng)常小于108Ω-cm，甚至往往小于103Ω-cm，或在102Ω-cm～103Ω-cm之間。
涂層14的厚度是按照折衷考慮進(jìn)行調(diào)整的。它的厚度既要足以散逸靜電電荷，但又要足夠薄，能使薄片10維持高的光透射。合適的厚度取決于涂覆在薄膜12上涂層14的光學(xué)透射率和導(dǎo)電率。例如，如果該涂層材料對光刻技術(shù)中采用的光輻射的吸光度很低，則涂層14可以稍厚些。反之，如果涂層材料的體電阻率很低，則較薄涂層適合。涂層14比薄膜12薄得多，其厚度較佳為20?！?000，更佳為50?！?000，最佳為100?！?00。
涂層14基本上由多價金屬M的氧化物分子形成。對于本發(fā)明，金屬氧化物包括下列形式之一1)金屬氧化物包含的任何化合物中，至少其部分分子的每個金屬原子含有n個M-O鍵，其中n為金屬M的價數(shù)。2)金屬氧化物包含的氫氧化物中，至少部分分子含有M-OH鍵。3)金屬氧化物包含的任何化合物中，至少部分分子的每個金屬原子含有(n-k)個M-O鍵，并且其每個多價金屬M的每個原子有k個非水解有機(jī)基團(tuán)，其中n為M的總價數(shù)。4)金屬氧化物包含的任何化合物中至少部分分子含有的原子既與OH成鍵，也可與非水解有機(jī)基團(tuán)成鍵。對于第三和第四項，非水解有機(jī)基團(tuán)是烴類化合物，可以是飽和或非飽和烴，替代或非替代烴。
本發(fā)明中所指的多價金屬包括類金屬硅(Si)、硼(B)、鍺(Ge)、砷(As)、銻(Sb)、碲(Te)、釙(Po)、和砹(At)，以及處于周期表左邊或后邊的類金屬，還包括堿土金屬、過渡金屬、鑭系和錒系金屬。適于本發(fā)明金屬的例子包括上述類金屬，以及鋁(Al)、鈹(Be)、鈰(Ce)、鉻(Cr)、鈷(Co)、銅(Cu)、鉺(Er)、銪(Eu)、鉿(Hf)、銦(In)、鐵(Fe)、鎂(Mg)、鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鐠(Pr)、銣(Rb)、鍶(Sr)、鉭(Ta)、釷(Th)、錫(Sn)、鈦(Ti)、鎢(W)、鈾(U)、釩(V)、釔(Y)、鋅(Zn)、和鋯(Zr)。本發(fā)明的金屬也可包括Al、Ce、Si、Ti或Zr；在有些場合，金屬包括Al、Si或Ti。
涂層14的金屬氧化物可以由任何合適方法制備。然而，在一種較佳實施方式中，采用的是溶膠凝膠法。該方法可以認(rèn)為包括兩步有效步驟，雖然該兩步也可以在一個反應(yīng)中伴同發(fā)生。第一步，先由一個或多個反應(yīng)物產(chǎn)生溶膠。溶膠是固體顆粒的膠體懸濁液，顆粒大小從1nm到約1000nm。這些顆粒之所以懸浮在溶液中是因為它們太小，以至于重力作用可以忽略不計，而短程相互作用起主導(dǎo)作用。第二步，溶膠顆粒相互團(tuán)聚或連接一起成凝膠，凝膠與連續(xù)液相接觸的網(wǎng)絡(luò)狀固體骨架。凝膠干燥后生成的薄層就是本發(fā)明中的涂層14。
適合于生成涂層14的溶膠是通過一種溶膠前體反應(yīng)制備的。溶膠前體是一種化合物或多種化合物的混合物，它們在溶液中反應(yīng)生成溶膠。溶膠前體可以是有機(jī)金屬化合物，有機(jī)金屬化合物包括例如金屬醇鹽或金屬羧酸鹽中的，常常通過O-C鍵連接在水解有機(jī)配位體上的多價金屬原子。醇鹽可以是飽和或非飽和的，還可以是替代的。合適的醇鹽配位體包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基以及己氧基等分子基團(tuán)，或者替代的或非替代的芳氧基團(tuán)。適合用作溶膠前體的金屬醇鹽可以是單體，它的化學(xué)通式為M(OR)n，其中M是多價金屬，OR是諸如醇鹽一類水解有機(jī)基團(tuán)，n是M的價數(shù)，它的值在2～8之間，取決于金屬的價數(shù)。此外，溶膠前體可以是齊聚或多聚金屬醇鹽和/或羧酸鹽，其中兩個或多個金屬原子與一個或多個氧原子，以及包括與醇鹽或羧酸鹽配位體鏈接。作為一種替換方法，溶膠前體可以是通式為R1k-M-(OR)n-k的有機(jī)金屬化合物，其中R1是非水解有機(jī)基團(tuán)，n是金屬M價數(shù)，OR代表水解有機(jī)基團(tuán)。含有機(jī)基團(tuán)的溶膠前體可以是齊聚物或多聚物，其中有兩個或多個金屬原子與一個或多個氧原子連接。
在一個實施方式中，溶膠凝膠法生成的涂層14是由包含硅的金屬醇鹽制得的。在另一溶膠凝膠法的較佳實施方式中，涂層14是由包含鋁的金屬醇鹽制得的。在一更佳實施方式中，通過溶膠凝膠法提供的涂層14是由包含硅和鋁的金屬醇鹽制得。在最佳實施方式中，由包含硅和鋁以及乙氧基金屬和丁氧基金屬配位體的溶膠前體生成涂層14。在此較佳實施方式中采用的合適共聚物是二乙氧基硅氧烷-s-丁基鋁酸鹽，賓夕法尼亞州Tullytown的Gelest公司有售。
作為一種替代方法，溶膠前體可以選自其它不是有機(jī)金屬化合物的可水解金屬化合物。例如溶膠前體可以是M(NO3)n或M(Cl)n，其中n是多價金屬M的價數(shù)。
涂層14可以由溶膠前體化合物經(jīng)過溶膠凝膠方法生成溶膠，然后轉(zhuǎn)為凝膠而形成。通常，這種溶膠轉(zhuǎn)為凝膠的轉(zhuǎn)變是經(jīng)過水解和凝聚作用完成的?；钚越饘倥湮换涣u基取代再凝聚而形成金屬-氧-金屬鍵。大多數(shù)情況下，在該過程中金屬醇鹽的轉(zhuǎn)變是通過加水起催化作用而加速完成，同時釋放出醇。
本發(fā)明的一個典型實施方式中，溶膠是由有機(jī)金屬溶膠前體制得。將該溶膠涂布到高透射率薄膜上，然后轉(zhuǎn)變成凝膠。盡管任何合適的條件均可以用來使溶膠前體形成溶膠，然后轉(zhuǎn)變成凝膠；在一個較佳實施方式中，采用的是水，水的重量百分?jǐn)?shù)約0.5％～約25％。本發(fā)明的一個更佳實施方式中，水的重量百分?jǐn)?shù)約1％～約10％，而一個最佳實施方式中，水的重量百分?jǐn)?shù)約2.5％～7.5％。
水和有機(jī)金屬溶膠前體可以混合在合適的有機(jī)溶劑或混合溶劑中。然而，在較佳實施方式中，水和溶膠前體是置于含醇混合液里。在更佳實施方式中，該醇含有1～4個碳原子。在尤其佳的實施方式中，該醇是乙醇或異丙醇。
為了在薄膜上涂布，混合物中溶膠濃度須使其能有效轉(zhuǎn)變成合適的凝膠。在較佳實施方式中，溶膠濃度的重量百分?jǐn)?shù)約為1％～25％；在更佳實施方式中，約為2％～15％；在尤其佳的施方式中，約為5％～10％。
采用任何合適的涂布方法，將溶膠混合物涂布到薄膜12的一面或兩面上，涂層須涂得很均勻。合適的涂膠方法可以包括旋轉(zhuǎn)澆注法、刮漿法、浸涂法、平淌法以及噴涂法。在一較佳實施方式中，采用的是旋轉(zhuǎn)澆注法。旋轉(zhuǎn)澆注法可以通過調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)速率和溶膠液的粘度，調(diào)整溶膠的涂布厚度。
在一典型實施方式中，溶膠混合物涂布到薄膜12之后，溶膠基本上轉(zhuǎn)變成凝膠。這兩個過程的順序取決于實際情況而定，在溶膠轉(zhuǎn)變凝膠期間，該混合物的粘度急劇增加。然而，需要著重指出的是，兩步溶膠凝膠過程并無明顯界限。例如，涂布在薄膜12上的溶膠混合物可以已經(jīng)有一些類凝膠的交聯(lián)，只要該溶膠混合物的粘度足夠低，能夠均勻地涂布在薄膜12上。
在有些實施方式中，在將溶膠涂覆到薄膜上以后對薄膜12加熱。這至少有三個目的。首先，溶膠凝膠過程在較高溫度下，因反應(yīng)速率提高而得到加速。第二，熱量可以用來使溶劑蒸發(fā)速率加快而加速凝膠轉(zhuǎn)變成涂層。第三，溶劑蒸發(fā)提高了溶膠濃度，因而加快了反應(yīng)速率。盡管溶膠凝膠過程與涂層形成過程可以在室溫15℃～25℃下進(jìn)行，但該過程在將膜-溶膠或膜-凝膠的組合加熱到較高溫度可以得到加速。合適的高溫為25℃～200℃，較佳為50℃～150℃，更佳為80℃～120℃。溶膠和/或凝膠經(jīng)歷高溫時間的長短與溫度提高程度反向相關(guān)。例如，在較高溫度下，溶膠轉(zhuǎn)變成凝膠以及溶劑的蒸發(fā)的速率要高于在較低溫度下的情況。在高溫下歷時可為10分鐘～600分鐘，較佳為20分鐘～150分鐘，更佳為30分鐘～70分鐘。
實施例1下面是光學(xué)薄片上涂布導(dǎo)電涂層方法的一個實施例。所用的共聚物二乙氧基硅氧烷-s-丁基鋁酸酯是購自賓夕法尼亞州Tullytown的Gelest公司的液體，其中該共聚物含量＞90％，乙醇含量＜5％，s-丁醇含量＜5％。該共聚物的分子量約300～450，是由四乙氧基硅烷和三-s-丁氧基鋁酸酯縮合而成的二聚物。將共聚物稀釋于異丙醇中，使其濃度為7.5重量％，加水稀釋，使其最終濃度為5重量％，共聚物聚合成溶膠時，該溶液變得混濁，成了溶膠混合物。
溶膠混合物旋涂在厚為0.9μm含氟聚合物薄膜上，該薄膜是由杜邦化學(xué)公司生產(chǎn)的特氟隆(TEFLON)AF-1600。涂好以后，將已涂布的薄膜加熱到100℃，時間長達(dá)50分鐘，形成厚度100的涂層。冷卻后，有此涂層的菹膜就成了起抗靜電作用的光學(xué)薄片，它具有高透射率，和足夠低的體電阻率，能夠減輕靜電放電。
上面公開揭示的內(nèi)容包含有各自獨立用途的的許多獨特新穎性。盡管這些新穎性以較佳的形式作了敘述，但是這里揭示和闡述的具體實施方式
不應(yīng)被認(rèn)為有限制本發(fā)明范圍的作用，因為是可以作許多變動的。本發(fā)明的主題包括所有在此公開的各種各樣要素、特征、功能和/或性質(zhì)的新穎的和不明顯的組合或次級組合。下面的權(quán)利要求將具體指出被認(rèn)為新穎的和不明顯的導(dǎo)致本發(fā)明的這些組合和次級組合。這些權(quán)利要求中會提到“一個”要素或“第一個”要素或其等當(dāng)?shù)膬?nèi)容，這樣一些權(quán)利要求應(yīng)被理解為包括這一個要素或多個這些要素，它既不要求也不排斥兩個或多個這些要素。體現(xiàn)在特征、功能、要素和/或性質(zhì)的其它組合和次級組合，可以通過本權(quán)利要求的修正或通過本專利申請或有關(guān)專利申請列舉新權(quán)利要求而提出來。這樣的權(quán)利要求，不管其與本發(fā)明相同或不相同，也不管其與原權(quán)利要求在范圍上更寬、更窄，一樣或不一樣，均被認(rèn)為包含在本發(fā)明在此公開揭示的主題之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.抗靜電光學(xué)薄片，所述薄片包括薄膜，其中所述薄膜具有表面，它對波長小于250nm的紫外線具有高透射率；置于所述薄膜表面上的導(dǎo)電薄涂層。
2.如權(quán)利要求1所述的薄片，其特征在于，所述涂層的厚度約為20-2000。
3.如權(quán)利要求1所述的薄片，其特征在于，所述薄膜基本上為含氟聚合物。
4.如權(quán)利要求1所述的薄片，其特征在于，所述薄膜的厚度約為0.5-2μm。
5.如權(quán)利要求4所述的薄片，其特征在于，所述涂層的厚度約為20-2000。
6.如權(quán)利要求1所述的薄片，其特征在于，所述涂層的體電阻率小于1016Ω-cm。
7.如權(quán)利要求1所述的薄片，其特征在于，所述涂層基本上包含一種金屬氧化物。
8.如權(quán)利要求7所述的薄片，其特征在于，所述金屬氧化物包含選自Al、As、At、B、Be、Ce、Co、Cr、Cu、Er、Eu、Fe、Ge、In、Mg、Nb、Ni、Pd、Po、Pr、Rb、Sb、Si、Sn、Sr、Ta、Te、Th、Ti、U、V、W、Y、Zn和Zr中的至少一種金屬。
9.如權(quán)利要求7所述的薄片，其特征在于，所述金屬氧化物包含Al、Ce、Si、Ti或Zr。
10.如權(quán)利要求7所述的薄片，其特征在于，所述金屬氧化物包含Si和Al。
11.如權(quán)利要求1所述的薄片，所述薄片還包括以和平面相間的方式支撐所述薄膜的框架。
12.抗靜電光學(xué)薄片，所述薄片包括薄膜，其中所述薄膜具有表面，它對波長小于250nm的紫外線具有高透射率；置于所述薄膜表面上的導(dǎo)電薄涂層，所述涂層用溶膠-凝膠工藝制備。
13.如權(quán)利要求12所述的薄片，其特征在于，溶膠-凝膠工藝使用一種溶膠前體，它包含至少一種選自Al、As、At、B、Be、Ce、Co、Cr、Cu、Er、Eu、Fe、Ge、In、Mg、Nb、Ni、Pd、Po、Pr、Rb、Sb、Si、Sn、Sr、Ta、Te、Th、Ti、U、V、W、Y、Zn、和Zr的金屬。
14.如權(quán)利要求12所述的薄片，其特征在于，溶膠-凝膠工藝使用一種溶膠前體，它包含至少一種選自Al、Ce、Si、Ti和Zr的金屬。
15.如權(quán)利要求12所述的薄片，其特征在于，溶膠-凝膠工藝使用一種溶膠前體，它包含Al和Si。
16.如權(quán)利要求12所述的薄片，其特征在于，溶膠-凝膠工藝使用一種有機(jī)金屬化合物。
17.如權(quán)利要求16所述的薄片，其特征在于，所述有機(jī)金屬化合物為金屬醇鹽。
18.如權(quán)利要求17所述的薄片，其特征在于，所述醇鹽含有1-6個碳原子。
19.如權(quán)利要求17所述的薄片，其特征在于，所述金屬醇鹽為二乙氧基硅氧烷-s-丁基鋁酸鹽。
20.光學(xué)薄片的涂布方法，所述方法包括如下步驟在該光學(xué)薄片的表面涂布溶膠，使其在該表面形成凝膠，其中，所述薄膜對波長小于250nm的紫外線具有高透射率；將該凝膠干燥，在薄膜表面上形成導(dǎo)電涂層。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述溶膠包含選自Al、As、At、B、Be、Ce、Co、Cr、Cu、Er、Eu、Fe、Ge、In、Mg、Nb、Ni、Pd、Po、Pr、Rb、Sb、Si、Sn、Sr、Ta、Te、Th、Ti、U、V、W、Y、Zn和Zr的金屬。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述溶膠包含選自Al，Ce，Si，Ti和Zr的金屬。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述溶膠包含Al和Si。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電涂層為金屬氧化物。
25.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述溶膠由金屬醇鹽的溶膠前體制得。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述溶膠前體包含鋁或硅。
27.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，干燥包括對凝膠進(jìn)行加熱。
28.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，涂布包括使用旋轉(zhuǎn)澆注法。
全文摘要
用于遠(yuǎn)紫外線的抗靜電薄片[10]。該薄片上涂覆一層金屬氧化物薄層[16]，它具有低電阻率和對遠(yuǎn)紫外線的高透射率該低的電阻率能用來減少靜電放電?？刹捎糜蟹磻?yīng)活性的多價溶膠前體，通過溶膠凝膠法制備該金屬氧化物層。該溶膠前體轉(zhuǎn)變?yōu)槿苣z，然后涂布在薄膜[12]上，使其在薄膜表面上生成凝膠，該凝膠再經(jīng)干燥形成涂層。
文檔編號H01L21/027GK1511241SQ02810539
公開日2004年7月7日 申請日期2002年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月30日
發(fā)明者王青柏 申請人:微相科技股份有限公司