專利名稱：生產(chǎn)第Ⅲ族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件。例如，本發(fā)明適合第III族氮化物化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件例如藍(lán)色發(fā)光二極管等的電極的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
在第III族氮化物化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件例如藍(lán)色發(fā)光二極管等中，已經(jīng)提出多種建議從器件整個(gè)表面獲得均勻光發(fā)射。
例如，透光電極粘結(jié)到p型層使得電流能注入到p型層表面的較寬范圍。在這種情況下，透光電極形成如下。第二個(gè)電極層(例如Au)層壓在第一個(gè)電極層(例如Co)上形成透光電極形成層。透光電極形成層在500-600℃溫度下含氧氣體中被熱處理。結(jié)果，透光電極形成層和p型層合金化，從而保證了兩層之間的歐姆接觸。順便提及，在這種情況下第一個(gè)電極層的組成元素的分布發(fā)生變化。
根據(jù)本發(fā)明人的檢驗(yàn)，當(dāng)在不低于500℃的高溫下含氧氣氛中進(jìn)行熱處理，p座電極(p-seat electrode)的表面狀態(tài)發(fā)生變化，使得對(duì)導(dǎo)電性電線粘附力的可靠性被降低。
象透光電極那樣，p座電極用層壓多個(gè)電極層形成(例如從較低側(cè)起連續(xù)層壓Cr和Au)。當(dāng)在高溫下含氧氣氛中進(jìn)行熱處理時(shí)，可能會(huì)發(fā)生低金屬層的部分移到表面并在那里被分離的情況。這種情況下，除了降低對(duì)導(dǎo)電性電線的粘附力外，電線粘結(jié)時(shí)在圖片處理(識(shí)別p座電極)中可能發(fā)生錯(cuò)誤。

發(fā)明內(nèi)容
開發(fā)本發(fā)明以解決上述問題，本發(fā)明構(gòu)思如下。
一種生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，包括在第III族氮化物化合物半導(dǎo)體的p型層上層壓第一種金屬形成第一電極層和在第一電極層上層壓離子化電位比第一種金屬高的第二種金屬形成第二電極層的電極形成步驟；在實(shí)質(zhì)含氧的氣氛中在第一個(gè)溫度下進(jìn)行熱處理的第一個(gè)加熱步驟；在實(shí)質(zhì)不含氧的氣氛中在比第一個(gè)溫度高的第二個(gè)溫度下進(jìn)行熱處理的第二個(gè)加熱步驟。
在本發(fā)明的生產(chǎn)方法中，在第一電極層和第二電極層層壓形成的電極與p型層之間能保證充分的歐姆接觸。并且當(dāng)，例如在電極上形成p座電極時(shí)，在含氧氣氛中熱處理的條件為低溫(溫和條件)，從而能阻止p座電極表面被氧化，并且能阻止p座電極的底涂金屬層遷移并分離(segregate)在p座電極表面上。
附圖簡(jiǎn)要說明

圖1表示本發(fā)明一個(gè)方案的發(fā)光器件的層結(jié)構(gòu)。
圖2表示該方案的發(fā)光器件中電極的層結(jié)構(gòu)。
實(shí)施發(fā)明的最佳方式(第III族氮化物化合物半導(dǎo)體的描述)在本說明書中，每個(gè)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體用通式表示AlXGaYIn1-X-YN(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)，包括所謂的二元化合物例如AlN、GaN和InN，和所謂的三元化合物例如AlXGa1-XN、AlXIn1-XN和GaXIn1-XN(上述式中，0＜X＜1)。第III族元素可以部分地被硼(B)、鉈(Tl)等代替。氮(N)可以部分地被磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)等代替。第III族氮化物化合物半導(dǎo)體層可以包含選擇性摻雜劑。Si、Ge、Se、Te、C等可以用作n型雜質(zhì)。Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等可以用作p型雜質(zhì)。順便提及，摻雜p型雜質(zhì)后，第III族氮化物化合物半導(dǎo)體可以進(jìn)行電子束照射、等離子體照射或爐子的加熱，但是不是必需的。形成第III族氮化物化合物半導(dǎo)體層的方法不特別限定。第III族氮化物化合物半導(dǎo)體層可以用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD法)、或以已知方法例如分子束取向附生法(MBE法)、鹵化物氣相取向附生法(HVPE法)、濺射法、離子鍍法、電子簇射法等。
這里，第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的例子包括光學(xué)器件例如發(fā)光二極管、光敏二極管(photo acceptance diode)、激光二極管、太陽能電池等；雙極器件例如整流器、半導(dǎo)體閘流管、晶體管等；單極器件例如FET等；和電子器件例如微波器件等。本發(fā)明也可以應(yīng)用到這些器件的介質(zhì)層制品中。
順便提及，均質(zhì)結(jié)構(gòu)、異型結(jié)構(gòu)、雙異質(zhì)型結(jié)構(gòu)等可以用作發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。也可以使用量子阱結(jié)構(gòu)(單一量子阱結(jié)構(gòu)或多重量子阱結(jié)構(gòu))。
(電極層的描述)如果第二電極層組成元素的離子化電位高于第一電極層組成元素的離子化電位，那么在p型層上形成的電極層就不特別地限定。為了賦予電極層透光性，優(yōu)先使用下述的金屬元素。
優(yōu)選第一電極層組成元素為離子化電位低于第二電極層組成元素的離子化電位的元素，第二電極層組成元素為與半導(dǎo)體的歐姆接觸比第一電極層組成元素更好的元素。從半導(dǎo)體表面起沿深度方向上的元素分布被含氧氣氛中第一個(gè)熱處理改變，從而第二電極層的組成元素比第一電極層的組成元素滲透更深。即，電極層的元素分布被反轉(zhuǎn)為電極層形成時(shí)的分布。電極層形成后，在較上側(cè)形成的第二電極層的組成元素轉(zhuǎn)到較低側(cè)，同時(shí)在較低側(cè)形成的第一n電極層的組成元素轉(zhuǎn)到較上側(cè)。
優(yōu)選第一電極層組成元素為選自鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、釩(V)、鎂(Mg)、鋁(Al)和銀(Ag)組成的組中的至少一種元素。第一電極層的膜厚選擇在0.5-15nm范圍內(nèi)。第二電極層組成元素為選自鈀(Pd)、金(Au)、釔(Ir)和鉑(Pt)組成的組中的至少一種元素。第二電極層的膜厚選擇在3.5-25nm范圍內(nèi)。最優(yōu)選地，第一電極層組成元素為Co，第二電極層組成元素為Au。這種情況下，從半導(dǎo)體表面起沿深度方向上的元素分布被加熱處理改變，從而Au比Co滲透更深。
(p座電極的描述)
形成p座電極的材料也不特別地限定。例如以從較低側(cè)看連續(xù)層壓第一金屬層Cr層、第二金屬層Au層、第三金屬層Al層的結(jié)構(gòu)形成p座電極。
第一金屬層由離子化電位比第二金屬層的離子化電位低的元素制成，從而第一金屬層能牢固地粘結(jié)到第一金屬層下的層。第二金屬層由對(duì)Al或Au粘結(jié)特性良好的元素制成，并且對(duì)透光電極是非反應(yīng)性的。第三金屬層優(yōu)選由能和保護(hù)膜牢固粘結(jié)的元素制成。
優(yōu)選第一金屬層組成元素為選自鎳(Ni)、鐵(Fe)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、釩(V)、鎂(Mg)和鈷(Co)組成的組中的至少一種元素。第一金屬層的膜厚在1-300nm范圍內(nèi)。
優(yōu)選第三金屬層組成元素為選自鋁(Al)、鎳(Ni)和鈦(Ti)組成的組中的至少一種元素。第三金屬層的膜厚在1-30nm范圍內(nèi)。
優(yōu)選第二金屬層組成元素為金(Au)。第二金屬層的膜厚在0.3-3μm范圍內(nèi)。
p輔助電極可以使用與p座電極相同的材料和相同的方法形成。這種情況下p輔助電極具有和p座電極相同的厚度。
p輔助電極的形成可以不依賴于p座電極。這種情況下p輔助電極的材料和厚度可以選擇為不同于p座電極。
如果p座電極具有用已知方法充分粘結(jié)導(dǎo)電性電線的面積，p座電極的形狀不特別地限定。為了粘結(jié)時(shí)確認(rèn)位置，優(yōu)先使用不同于n座電極形狀的形狀作為p座電極的形狀。
優(yōu)選形成窄p輔助電極，因?yàn)閜輔助電極遮擋光。p輔助電極的寬度優(yōu)選在1-40μm范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2-30μm范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在3-25μm范圍內(nèi)，更進(jìn)一步優(yōu)選在3-20μm范圍內(nèi)，最優(yōu)選在5-15μm范圍內(nèi)。
優(yōu)選地，p座電極和/或p輔助電極周圍是不規(guī)則的，從而能增加和透光電極的接觸面積。
優(yōu)選地，p座電極的周圍表面是傾斜的。座電極的周圍表面可以是錐形的，從而在座電極和透光電極的表面形成的保護(hù)膜(SiO2膜等)能在錐形部分形成以基本上具有設(shè)計(jì)的膜厚。
(第一個(gè)加熱步驟的描述)
在實(shí)質(zhì)上含氧的氣氛中進(jìn)行第一個(gè)加熱步驟?？梢詢?yōu)先使用下列氣體獲得含氧氣氛。即可以從O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2和H2O組成的組中選擇的至少一種成分或其混合物作為含氧氣體?；蚝卸栊詺怏w和從O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2和H2O組成的組中選擇的至少一種成分的混合氣、或含有惰性氣體與從O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2和H2O組成的組中選擇的成分的混合氣的混合氣體可以用作含氧氣體。簡(jiǎn)而言之，含氧氣體意味著具有氧原子或含氧原子的分子的氣體。特別地，優(yōu)選氧化氣體氣氛。
加熱時(shí)氣氛的壓力可以優(yōu)選不低于氮化鎵化合物半導(dǎo)體在熱處理溫度下不熱分解的壓力。當(dāng)只將氧氣氣體用作含氧氣體時(shí)，可以優(yōu)選地通入氣體使得氣體壓力不低于氮化鎵化合物半導(dǎo)體的分解壓力。當(dāng)使用混合氧氣的惰性氣體時(shí)，如果整個(gè)氣體的壓力不低于氮化鎵化合物半導(dǎo)體的分解壓力和氧氣對(duì)整個(gè)氣體的比不低于約10-6，那么含氧氣體就能充分地發(fā)揮作用。簡(jiǎn)而言之，如果存在很少量的含氧氣體，含氧氣體能充分地發(fā)揮作用。順便提及，從電極合金化特性看，引入的含氧氣體量的上限不特別限定。即，如果能進(jìn)行生產(chǎn)，可以使用任意量的含氧氣體。
熱處理溫度優(yōu)先選擇低于440℃。如果熱處理溫度不低于440℃，可能發(fā)生上述問題。熱處理溫度更優(yōu)選低于420℃，進(jìn)一步優(yōu)選低于400℃。
如果第一電極層和第二電極層之間能發(fā)生遷移，加熱時(shí)間不特別地限定。加熱時(shí)間優(yōu)先選擇在5-1000分鐘范圍內(nèi)，更優(yōu)選在10-500分鐘范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在30-300分鐘范圍內(nèi)。
(第二個(gè)加熱步驟的描述)在實(shí)質(zhì)無氧的氣氛中進(jìn)行第二個(gè)加熱步驟。即，優(yōu)選在非氧化氣氛或還原氣氛中不使用第一個(gè)加熱步驟中使用的含氧氣體進(jìn)行熱處理。特別地，優(yōu)選在惰性氣體例如N2、He、Ar等中、在還原氣體例如H2等中或在這些氣體的混合氣中進(jìn)行熱處理。
熱處理溫度選擇高于第一個(gè)加熱步驟中使用的熱處理溫度。結(jié)果，在電極層和p型層之間能得到歐姆接觸。如果省略高溫下的熱處理，在兩層之間不能得到歐姆接觸(見表1中對(duì)比例3)。因此，在第二個(gè)加熱步驟中需要的熱處理?xiàng)l件是加熱溫度和加熱時(shí)間足以保證電極層和p型層之間的歐姆接觸。
熱處理溫度優(yōu)先選擇不低于440℃，更優(yōu)選不低于480℃，進(jìn)一步優(yōu)選不低于520℃。
加熱時(shí)間優(yōu)先選擇在0.1-180分鐘范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.3-60分鐘范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選在0.5-30分鐘范圍內(nèi)。
在第二個(gè)加熱步驟中氣氛的壓力可以優(yōu)選不低于第III族氮化物化合物半導(dǎo)體在熱處理溫度下不熱分解的壓力。
第一個(gè)加熱步驟和第二個(gè)加熱步驟的進(jìn)行順序不特別地限定。
在供應(yīng)含氧氣體(通過進(jìn)行第一個(gè)加熱步驟)的氣氛中緩慢增加的熱處理溫度達(dá)到440℃后，可以停止含氧氣體的供應(yīng)，從而在那之后能進(jìn)行第二個(gè)加熱步驟。
(實(shí)施例)發(fā)明的實(shí)施例描述如下。
首先，按照表1所示的每個(gè)配置層壓半導(dǎo)體層。
層組分p型層5p-GaN:Mg含發(fā)光層4的層4含InGaN層的層n型層3n-GaN:Si緩沖層2 AlN基底1 藍(lán)寶石摻雜n型雜質(zhì)Si的GaN的n型層3經(jīng)緩沖層2在基底1上形成。盡管這兒表示的是藍(lán)寶石用作基底1的情況，但是基底1不局限于此。藍(lán)寶石、尖晶石、硅、碳化硅、氧化鋅、磷化鎵、砷化鎵、氧化鎂、氧化錳、第III族氮化物化合物半導(dǎo)體單晶等可以用作基底1。盡管用MOCVD法由AlN制成緩沖層，但是緩沖層不局限于此。可以使用GaN、InN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等作為緩沖層的材料?？梢允褂梅肿邮∠蚋缴?MBE法)、鹵化物氣相取向附生法(HVPE法)、濺射法、離子鍍法、電子簇射法等作為生產(chǎn)緩沖層的方法。當(dāng)GaN用作基底時(shí)，緩沖層能被省略。
在半導(dǎo)體器件形成后，基底和緩沖層都可以根據(jù)需要除去。
盡管這里表示的是n型層由GaN制成的情況，但是可以使用AlGaN、InGaN或AlInGaN。
盡管n型層用n型雜質(zhì)Si摻雜，但是Ge、Se、Te、C等可以用作其它n型雜質(zhì)。
n型層3可以是具有n-層和n+層的兩層結(jié)構(gòu)，其中低電子密度的n-層在含發(fā)光層的層4側(cè)，高電子密度的n+層在緩沖層2側(cè)。
含發(fā)光層的層4可以含有量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)光層。單異質(zhì)型(singlehetero type)結(jié)構(gòu)、雙異質(zhì)型(double hetero type)結(jié)構(gòu)、同質(zhì)結(jié)型(homo-junction type)結(jié)構(gòu)等可以用作發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。
含發(fā)光層的層4可以包含第III族氮化物化合物半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層裝置在p型層5側(cè)，摻雜了受體例如鎂等，并具有一個(gè)寬帶隙。這有效地阻止射到含發(fā)光層的層4中的電子漫射到p型層5。
摻雜p型雜質(zhì)Mg的GaN的p型層5在含發(fā)光層的層4上形成。作為選擇，p型層可以由AlGaN、InGaN或InAlGaN制成。Zn、Be、Ca、Sr或Ba可以用作p型雜質(zhì)。
p型層5可以是具有p-層和p+層的兩層結(jié)構(gòu)，其中低空穴密度的p-層在含發(fā)光層的層4側(cè)，高空穴密度的p+層在電極側(cè)。
在上述構(gòu)造的發(fā)光二極管中，每個(gè)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體層可以在一般條件下進(jìn)行的MOCVD法形成，或以一種方法例如分子束取向附生法(MBE法)、鹵化物氣相取向附生法(HVPE法)、濺射法、離子鍍法、電子簇射法等形成。
然后形成掩護(hù)膜，用反應(yīng)離子蝕刻部分除去p型層5、含發(fā)光層的層4和n型層3以顯露出n電極形成表面11，n電極9將在n電極形成表面11上形成。
接下來，參照?qǐng)D2描述制成透光電極形成層60和p座電極形成層70的方法。
首先，在晶片的整個(gè)表面上用蒸發(fā)設(shè)備連續(xù)層壓作為第一電極層的Co層(1.5nm)61和作為第二電極層的Au層(60nm)62。然后，用照相平版印刷術(shù)均勻地應(yīng)用光致抗蝕劑并從n電極形成表面11和n電極形成表面11周圍外約10μm寬的部分(清除區(qū))除去。通過蝕刻從該部分上除去透光電極形成材料61和62從而顯露出p型層5。然后除去光致抗蝕劑。
然后，以氣相沉積連續(xù)層壓Cr層(30nm)71、Au層(1.5μm)72和Al層(10nm)73的方式用剝落法形成p座電極形成層70。
順便提及，以連續(xù)層壓釩和鋁的方式用剝落法也可形成n電極形成層。
以上述方式得到的每個(gè)樣品在下列條件下熱處理。
表1




在表1中，第一個(gè)加熱步驟(在含氧氣氛中相當(dāng)?shù)偷臏囟认聼崽幚?以斜體表示。
在表1中，基于器件有20mA電流時(shí)器件的電壓判斷接觸電阻高/低。
在實(shí)施例和對(duì)比例之間光學(xué)輸出基本無差別。
以球剪切強(qiáng)度為基礎(chǔ)評(píng)價(jià)W/B性質(zhì)(粘結(jié)電線的性質(zhì))。
以通過顯微鏡觀察p座電極表面的方式檢測(cè)外觀。表面為均衡和均一的情況評(píng)價(jià)為○。觀察到Cr分離的情況評(píng)價(jià)為△。
從表1明顯看出，當(dāng)不管執(zhí)行步驟的順序進(jìn)行實(shí)質(zhì)含氧的氣氛中相當(dāng)?shù)偷臏囟认逻M(jìn)行熱處理的第一個(gè)加熱步驟和實(shí)質(zhì)無氧的氣氛中(優(yōu)選在還原氣氛中)相當(dāng)高的溫度下進(jìn)行熱處理的第二個(gè)加熱步驟時(shí)，在接觸電阻保持在與對(duì)比例1(傳統(tǒng)方法)一樣低時(shí)改進(jìn)了粘結(jié)電線的性質(zhì)和外觀。
也明顯看出，當(dāng)省略第一個(gè)加熱步驟時(shí)(見對(duì)比例2)，接觸電阻變高。
更明顯地看出，當(dāng)雖然進(jìn)行第一個(gè)加熱步驟但省略第二個(gè)加熱步驟(高溫下的熱處理)(見對(duì)比例3)時(shí)，接觸電阻也變高。
盡管參照具體的方案詳細(xì)地描述了發(fā)明，但是在不脫離發(fā)明的精神和范圍下可以進(jìn)行多種變化或修改，對(duì)本領(lǐng)域的熟練人員是明顯的。
本申請(qǐng)是基于2001年6月4日提交的日本專利申請(qǐng)(日本專利申請(qǐng)2001-167835號(hào))，其中的內(nèi)容在這兒合成一體并作為參考。
工業(yè)實(shí)用性如上所述，當(dāng)進(jìn)行本發(fā)明提出的兩個(gè)加熱步驟時(shí)，能阻止p座電極和導(dǎo)電性電線之間的粘附力因p座電極表面的氧化而降低，同時(shí)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體的p型層和透光電極之間的歐姆接觸能保持良好。
發(fā)明根本不局限于發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)例的描述。本領(lǐng)域熟練人員能容易想到的各種修改在不脫離權(quán)利要求的范圍下都包含在本發(fā)明中。
公開了下列項(xiàng)目。
11.一種加熱第III族氮化物化合物半導(dǎo)體的p型層和透光電極形成層的方法，透光電極形成層具有在p型層上形成的含第一種金屬的第一電極層和在第一電極層上形成的含有離子化電位比第一種金屬高的第二種金屬的第二電極層，該方法包括在實(shí)質(zhì)含氧的氣氛中第一溫度下進(jìn)行熱處理的第一個(gè)加熱步驟；在實(shí)質(zhì)無氧的氣氛中在比第一個(gè)溫度高的第二個(gè)溫度下進(jìn)行熱處理的第二個(gè)加熱步驟。
12.根據(jù)段11的加熱方法，其中在第一個(gè)加熱步驟后進(jìn)行第二個(gè)加熱步驟。
13.根據(jù)段11的加熱方法，其中在第二個(gè)加熱步驟后進(jìn)行第一個(gè)加熱步驟。
14.根據(jù)段11-13中任一個(gè)的加熱方法，其中第一個(gè)溫度低于440℃。
15.根據(jù)段11-14中任一個(gè)的加熱方法，其中在非氧化氣氛或還原氣氛中進(jìn)行第二個(gè)加熱步驟。
16.根據(jù)段11-15中任一個(gè)的加熱方法，其中電極形成步驟進(jìn)一步包括一個(gè)形成p座電極的步驟。
17.根據(jù)段11-16中任一個(gè)的加熱方法，其中第一種金屬為鈷(Co)，第二種金屬為金(Au)。
21.一種在兩個(gè)加熱步驟中加熱透光電極形成層得到的第III族氮化物化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中以在第III族氮化物化合物半導(dǎo)體的p型層上層壓含第一種金屬的第一電極層和在第一電極層上層壓含離子化電位比第一種金屬高的第二種金屬的第二電極層的方式形成透光電極形成層；兩個(gè)加熱步驟為在實(shí)質(zhì)含氧的氣氛中在第一個(gè)溫度下進(jìn)行熱處理的第一個(gè)加熱步驟和在實(shí)質(zhì)無氧的氣氛中在高于第一個(gè)溫度的第二個(gè)溫度下進(jìn)行熱處理的第二個(gè)加熱步驟。
22.根據(jù)段21的第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件，其中第二個(gè)加熱步驟在第一個(gè)加熱步驟之后進(jìn)行。
23.根據(jù)段21的第III族氮化物化合物半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件，其中第一個(gè)加熱步驟在第二個(gè)加熱步驟之后進(jìn)行。
24.根據(jù)段21-23中任一個(gè)的第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件，其中第一個(gè)溫度低于440℃。
25.根據(jù)段21-24中任一個(gè)的第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件，其中第二個(gè)加熱步驟在非氧化氣氛或還原氣氛中進(jìn)行。
26.根據(jù)段21-25中任一個(gè)的第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件，其中電極形成步驟進(jìn)一步包括一個(gè)形成p座電極的步驟。
27.根據(jù)段21-26中任一個(gè)的第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件，其中第一種金屬為鈷(Co)，第二種金屬為金(Au)。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，包括在第III族氮化物化合物半導(dǎo)體的p型層上層壓第一種金屬形成第一電極層和在所述的第一電極層上層壓離子化電位比所述第一種金屬高的第二種金屬形成第二電極層的電極形成步驟；在實(shí)質(zhì)含氧的氣氛中第一個(gè)溫度下進(jìn)行熱處理的第一個(gè)加熱步驟；和在實(shí)質(zhì)無氧的氣氛中比所述的第一個(gè)溫度高的第二個(gè)溫度下進(jìn)行熱處理的第二個(gè)加熱步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中所述的第二個(gè)加熱步驟在所述的第一個(gè)加熱步驟后進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中所述的第一個(gè)加熱步驟在所述的第二個(gè)加熱步驟后進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中所述的第一個(gè)溫度低于440℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中所述的第二個(gè)加熱步驟在非氧化氣氛或還原氣氛中進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中所述的第二個(gè)溫度不低于440℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中所述的電極形成步驟進(jìn)一步包括p座電極形成步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的生產(chǎn)第III族氮化物化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中所述的第一種金屬為鈷，所述的第二種金屬為金。
全文摘要
p座電極層壓到透光電極形成層后，進(jìn)行第一個(gè)加熱步驟和第二個(gè)加熱步驟以合金化這兩層。在第一個(gè)加熱步驟中，在含氧氣氛中在相當(dāng)?shù)偷臏囟认逻M(jìn)行熱處理。在第二個(gè)加熱步驟中，在不含氧的氣氛中在相當(dāng)高的溫度下進(jìn)行熱處理。
文檔編號(hào)H01L21/285GK1513211SQ02811198
公開日2004年7月14日 申請(qǐng)日期2002年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月4日
發(fā)明者上村俊也 申請(qǐng)人:豐田合成株式會(huì)社