專利名稱：多色發(fā)光燈和光源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造使用多個(gè)發(fā)光二極管(LED)并可以發(fā)出不同波長(zhǎng)多色光的多色發(fā)光燈的技術(shù)。
背景技術(shù)：
通過(guò)相鄰設(shè)置可以發(fā)出三基色光，即紅光(R)、綠光(G)和藍(lán)光(B)中任何一種光的發(fā)光二極管(LED)來(lái)制造RGB型多色發(fā)光燈的技術(shù)已經(jīng)公知。例如，通過(guò)集成發(fā)光波長(zhǎng)為450nm的藍(lán)頻光的LED(藍(lán)色LED)、發(fā)光波長(zhǎng)大約為525nm的綠頻光的綠色LED以及發(fā)光波長(zhǎng)近似為600到700nm的紅頻光的紅色LED制造RGB型多色發(fā)光燈的技術(shù)已公知(參見(jiàn)DisplayGijutsu(Display Techchnique)，1sted.，2ndimp.，100到101頁(yè)，KyoritsuShuppan(1998年9月25日))。
通常，利用GaxIn1-xN基藍(lán)色LED制造多色發(fā)光燈(參見(jiàn)JP-B-55-3834)，其中發(fā)光層是由例如氮化鎵銦(GaxIn1-xN0≤x≤1)等的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成(參見(jiàn)III Zoku Chikkabutsu Handotai(Group III NitrideSemiconductor)，252到254頁(yè)，Baifukan(1999年12月8日))。對(duì)于綠色LED，使用以磷化鎵作為發(fā)光層的GaxIn1-xN綠色LED或同質(zhì)結(jié)型GaP綠色LED(參見(jiàn)，(1)III Zoku Chikkabutsu Handotai(Group III NitrideSemiconductor)，249到252頁(yè)，supra，以及(2)III-V Zoku KagobutsuHandotai(Group III-V Compound Semiconductor)，1sted.，253到261頁(yè)，Baifukan(1994年5月20日))。對(duì)于紅色LED，使用以砷化鋁鎵混合晶體(AlxGa1-xAs0≤x≤1)或磷化鋁鎵銦((AlxGa1-x)yIn1-yP0≤x≤1，0＜y＜1)作為發(fā)光層的LED(參見(jiàn)Iwao Teramoto，Handotai DeviceCairon(Outline of Semiconductor Device)，116到118頁(yè)，Baifukan，(1995年3月30日))。
同樣，通過(guò)混合例如藍(lán)頻光和黃頻光等的互補(bǔ)色可以獲得白色光也是已知的(參見(jiàn)Hikari no Enpitsu-Hikari Gijutsusha no tame no OyoKogaku-(Pencil of Light-Applied Optics for Optical Engineer)，7sted.，51頁(yè)，Shin Gijutsu Communications(1989年6月20日))。就適合與藍(lán)色LED結(jié)合的黃色LED而言，適合使用包含具有大約590nm發(fā)光波長(zhǎng)的磷化鎵化砷(GaAs1-zPz0＜z＜1)發(fā)光層的同質(zhì)結(jié)型GaAsP基LED和磷化鋁鎵銦混合晶體((AlxGa1-x)yIn1-yP0≤x≤1，0＜y＜1，通常y等于大約0.5)異質(zhì)結(jié)型LED(參見(jiàn)J.Crystal Growth，221，652到656頁(yè)(2000))。
構(gòu)成多色發(fā)光燈的氮化鎵銦(GaxIn1-xN0≤x≤1)基LED通常使用電絕緣蘭寶石(α-Al2O3單晶)作為襯底材料(參見(jiàn)III Zoku ChikkabutsuHandotai(Group III-V Nitride Semiconductor)，243到252頁(yè)，supra)。由于驅(qū)動(dòng)LED的電流(工作電流)不能通過(guò)絕緣晶體襯底，正電極和負(fù)電極都被設(shè)置在襯底側(cè)的同一表面上。另一方面，同質(zhì)結(jié)型GaP基或同質(zhì)結(jié)型GaAs1-zP基LED是利用導(dǎo)電單晶磷化鎵(GaP)和單晶砷化鎵(GaAs)制作的，因此，只有一個(gè)具有正極性或負(fù)極性的電極被設(shè)置在表面一側(cè)(參見(jiàn)Handotai Device Cairon(Outline of Semiconductor Device)，117頁(yè)，supra)。
無(wú)論如何，當(dāng)使用常規(guī)的GaxIn1-xN(0≤x≤1)基藍(lán)色、綠色和紅色LED制作RGB三色集成型白色燈時(shí)，其中每個(gè)LED都包含一個(gè)絕緣型襯底，正極性和負(fù)極性電極都被設(shè)置在每個(gè)LED的表面，會(huì)帶來(lái)一件麻煩事，就是到一個(gè)極性電極的引線焊接線與到另一個(gè)極性電極的引線焊接必須分開(kāi)完成。如果使用一個(gè)導(dǎo)電襯底，特別是具有相同導(dǎo)電率的導(dǎo)電襯底把用來(lái)連接的電極的極性統(tǒng)一成正性或負(fù)性，就會(huì)避免麻煩的連接。
最近幾年，已經(jīng)公開(kāi)了在導(dǎo)電硅單晶(Si)上，使用包含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體層和由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光層制作藍(lán)色LED的技術(shù)(參見(jiàn)美國(guó)專利6,069,021)。如果利用具有相同導(dǎo)電率的導(dǎo)電襯底作為制造綠色和紅色LED的襯底，可以很容易的制造RGB型多色發(fā)光燈，同時(shí)不會(huì)帶來(lái)傳統(tǒng)技術(shù)中連接操作的麻煩。
另一方面，與GaxIn1-xN基藍(lán)色LED一起構(gòu)成多色發(fā)光燈的GaP基或GaAs1-zPz基LED是同質(zhì)結(jié)型結(jié)構(gòu)。因此，GaP基或GaAs1-zPz基LED的發(fā)光強(qiáng)度低于GaxIn1-xN(0≤x≤1)雙異質(zhì)結(jié)型LED的發(fā)光強(qiáng)度，不能提供發(fā)光強(qiáng)度很均勻的多色發(fā)光燈。如果形成能夠?qū)d流子起到‘限制’作用從而通過(guò)輻射復(fù)合來(lái)發(fā)光的異質(zhì)結(jié)型結(jié)構(gòu)，料想可以帶來(lái)更高強(qiáng)度的發(fā)光。
本發(fā)明提供了使用具有能夠避免連接麻煩的結(jié)構(gòu)的藍(lán)色LED制作多色發(fā)光燈的技術(shù)。本發(fā)明特別提供了結(jié)合使用能夠發(fā)出高強(qiáng)度的綠色光的異質(zhì)結(jié)型GaP基LED結(jié)構(gòu)制作多色發(fā)光燈的技術(shù)。同樣，例如，通過(guò)藍(lán)色LED和黃色LED來(lái)制作多色發(fā)光燈過(guò)程中，本發(fā)明提供了利用沒(méi)有連接麻煩的藍(lán)色LED和具有高發(fā)光強(qiáng)度的異質(zhì)結(jié)型GaAs1-zPz黃色基LED制作多色發(fā)光燈的技術(shù)。此外，本發(fā)明提供了利用基于本發(fā)明的多色發(fā)光燈制作的光源。

發(fā)明內(nèi)容
更具體地說(shuō)，本發(fā)明提供了具有下面(1)到(5)所述特征的多色發(fā)光燈(1)通過(guò)設(shè)置多個(gè)相結(jié)合的LED制作的多色發(fā)光燈，其中設(shè)置了一個(gè)能發(fā)射藍(lán)頻光的藍(lán)色發(fā)光二極管(LED)，該藍(lán)色發(fā)光二極管包含一個(gè)在導(dǎo)電襯底表面上由非晶或多晶的含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的低溫緩沖層，以及含有一個(gè)在低溫緩沖層上由包含硼(B)和磷(P)的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的勢(shì)壘層和一個(gè)在勢(shì)壘層上由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光層；(2)如上面(1)中所述的多色發(fā)光燈，其中設(shè)置了一個(gè)能發(fā)射黃頻光的異質(zhì)結(jié)型黃色LED，該黃色LED包含一個(gè)在襯底上的發(fā)光層以及一個(gè)在發(fā)光層上由磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成的上勢(shì)壘層；(3)如上面(1)和(2)中所述的多色發(fā)光燈，其中設(shè)置了一個(gè)能發(fā)射綠頻光的異質(zhì)結(jié)型綠色LED，該綠色LED包含一個(gè)在襯底上的發(fā)光層以及一個(gè)在發(fā)光層上由磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成的上勢(shì)壘層；(4)如上面(1)到(3)中所述的多色發(fā)光燈，其中設(shè)置了一個(gè)能發(fā)射紅頻光的異質(zhì)結(jié)型紅色LED，該紅色LED包含一個(gè)在襯底上的發(fā)光層以及一個(gè)在發(fā)光層上由磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成的上勢(shì)壘層；以及(5)如上面(1)到(4)中所述的多色發(fā)光燈，其中襯底是由具有相同導(dǎo)電類型的單晶所形成的。
本發(fā)明還提供(6)利用上面(1)到(5)中任何一個(gè)所介紹的多色發(fā)光燈的光源。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的藍(lán)色LED的截面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)型黃色LED的截面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)型綠色LED的截面圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)型紅色LED的截面圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明的多色發(fā)光燈的截面圖；圖6為根據(jù)實(shí)例1的多色發(fā)光燈的截面圖；圖7為根據(jù)實(shí)例2的多色發(fā)光燈的截面圖；圖8為根據(jù)實(shí)例3的利用多色發(fā)光燈制作的光源的結(jié)構(gòu)的平面圖。
參考數(shù)字說(shuō)明1A、2A、3A、4ALED10、20、30多色發(fā)光燈40光源11襯底12上勢(shì)壘層13表面電極14背面電極15襯墊16金屬層17、18、19接線端101 單晶襯底
102緩沖層103下勢(shì)壘層104發(fā)光層105上勢(shì)壘層106表面電極107背面電極108組分梯度層109第一GaP層110第二GaP層具體實(shí)施方式
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的藍(lán)色LED的截面圖。當(dāng)使用具有n型或p型導(dǎo)電性的導(dǎo)電單晶作為襯底101時(shí)，可以在襯底101的背面設(shè)置歐姆背面電極106，因此，可以很容易的制作出藍(lán)色LED 1A。適合作為導(dǎo)電襯底101的單晶材料的例子包括例如單晶硅(Si)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)和磷化硼(BP)等的半導(dǎo)體單晶(參見(jiàn)，(1)J.Electrochem.Soc.，120，802到806頁(yè)(1973)，以及(2)美國(guó)專利5,042,043)。特別是，具有較低電阻率，10mΩ·cm或更低，優(yōu)選為1mΩ·cm或更低的導(dǎo)電單晶襯底可以使藍(lán)色LED具有低的正向電壓(所謂的Vf)。
為了形成結(jié)晶性很好的下勢(shì)壘層103，在單晶襯底101上提供了由含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的緩沖層102。緩沖層102適合由例如由公式BαAlβGaγIn1-α-β-γP1-δAsδ(其中0＜α≤1，0≤β＜1，0≤γ＜1，0＜α+β+γ≤1以及0≤δ＜1)表示的磷化硼基半導(dǎo)體構(gòu)成。緩沖層102也可由例如由公式BαAlβGaγIn1-α-β-γP1-δNδ(其中0＜α≤1，0≤β＜1，0≤γ＜1，0＜α+β+γ≤1以及0＜δ＜1)表示的含氮(N)的磷化硼基半導(dǎo)體構(gòu)成。緩沖層102優(yōu)選由具有較少組元數(shù)以及容易形成的二元或三元混合晶體構(gòu)成。其例子包括一磷化硼(BP)、磷化硼鋁混合晶體(BαAlβP0＜α≤1，α+β＝1)、磷化硼鎵混合晶體(BαGaδP0＜α≤1，α+δ＝1)以及磷化硼銦混合晶體(BαIn1-αP0＜α≤1)。
特別是，在低溫下形成的、由非晶或多晶的含硼III-V族化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成的緩沖層(低溫緩沖層)102起到了釋放襯底101和下勢(shì)壘層103之間的晶格失配，并降低下勢(shì)壘層中如不匹配錯(cuò)位等的晶體缺陷密度的作用(參見(jiàn)美國(guó)專利6,029,021，supra)。當(dāng)由含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的低溫緩沖層102包含構(gòu)成下勢(shì)壘層103的含硼III-V族化合物半導(dǎo)體的元素(組元)時(shí)，可以通過(guò)組元的‘成核生長(zhǎng)(growth nuclei)’作用有效地促進(jìn)連續(xù)的下勢(shì)壘層103的形成。例如，可以通過(guò)MOCVD方法(參見(jiàn)，Inst.Phys.Conf.Ser.，No.129，175到162頁(yè)，IOP PublishingLtd.(1993))在大約250到750℃的溫度下(參見(jiàn)美國(guó)專利6,194,744)形成非晶或多晶BαAlβGaγIn1-α-β-γP1-δAsδ層(其中0＜α≤1，0≤β＜1，0≤γ＜1，0＜α+β+γ≤1以及0≤δ＜1)。在大約500℃或更低的低溫下，很容易獲得主體為非晶的含硼III-V族化合物半導(dǎo)體。在近似從500到750℃的高溫區(qū)域，獲得的是主要包含多晶的含硼III-V族化合物半導(dǎo)體層。當(dāng)暴露于750到大約1200℃的高溫環(huán)境時(shí)，在生長(zhǎng)狀態(tài)下為非晶的低溫緩沖層102通常會(huì)轉(zhuǎn)化為多晶層。通過(guò)根據(jù)常規(guī)X射線衍射或電子束衍射方法分析衍射圖樣，可以知道緩沖層102是否為非晶層或多晶層。構(gòu)成低溫緩沖層102的非晶或多晶層的厚度優(yōu)選為從大約1nm到100nm，更優(yōu)選為從2nm到50nm。
在緩沖層102上提供了由含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的下勢(shì)壘層103。作為發(fā)光層104的基礎(chǔ)層(發(fā)光層104沉積在這層上)的下勢(shì)壘層103優(yōu)選由包含硼(B)和磷(P)的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成，它是利用作為基體材料的具有3.0±0.2eV的室溫帶隙的磷化硼(BP)形成。例如，下勢(shì)壘層103適合由具有大約2.7eV的室溫帶隙的磷化硼鎵混合晶體(B0.50Ga0.50P)形成，它是具有大約3.0eV的室溫帶隙的單體磷化硼(一磷化硼)和磷化鎵(GaP，室溫下的帶隙大約為2.3eV)的混合晶體。特別地，通過(guò)在各自規(guī)定的范圍內(nèi)設(shè)置生長(zhǎng)速率和源材料的供給比率可以形成具有高室溫帶隙的磷化硼層。生長(zhǎng)速率優(yōu)選從2到30nm/min。與此生長(zhǎng)速率相結(jié)合，當(dāng)V族源材料和III族源材料的供給比率(所謂的V/III比)優(yōu)選控制在從15到60的范圍內(nèi)時(shí)，可以形成具有高室溫帶隙的磷化硼層。帶隙可以通過(guò)光子能量與通過(guò)折射率(＝n)和消光系數(shù)(＝k)決定的復(fù)介電常數(shù)中虛數(shù)部分(ε2＝2·n·k)的相關(guān)性來(lái)確定。
在與緩沖層102相連接的界面處與緩沖層102晶格匹配、同時(shí)在發(fā)光層104側(cè)的表面上與發(fā)光層104也晶格匹配的由含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成的下勢(shì)壘層103，可以提供降低了例如不匹配錯(cuò)位或堆垛層錯(cuò)等的晶體缺陷密度的高質(zhì)量發(fā)光層104。例如，與緩沖層102和發(fā)光層104都晶格匹配的下勢(shì)壘層103可以由含硼III-V族化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成，其中III族或V族組元的組成被賦予一梯度(參見(jiàn)JP-A-2000-22211)(這里術(shù)語(yǔ)‘JP-A’意為未經(jīng)審查公開(kāi)的日本專利申請(qǐng))。組元的組分梯度可以通過(guò)隨層厚的增加而均勻地、臺(tái)階式地或非線性地增加或降低來(lái)產(chǎn)生。例如，在由磷化硼鎵混合晶體(B0.02Ga0.98P)構(gòu)成的與硅襯底101相晶格匹配的緩沖層102上，下勢(shì)壘層103可以通過(guò)磷化硼鎵組分梯度層(BαGaδPα＝0.02→0.98，相應(yīng)地δ＝0.98→0.02)形成，其中，硼的組分比(＝α)從與緩沖層102相連接面的0.02線性增加到與由氮化鎵銦(Ga0.90In0.10N晶格常數(shù)＝大約4.557)構(gòu)成的發(fā)光層104相連接面的0.98。
發(fā)光層104由例如能在藍(lán)頻范圍內(nèi)發(fā)出短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的氮化鎵銦(GaxIn1-xN0≤x≤1)等的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成(參見(jiàn)JP-B-55-3834，supra)。發(fā)光層104也可由磷化氮化鎵(GaN1-xPx0≤x≤1)構(gòu)成(參見(jiàn)，Appl.Phys.Lett.，60(20)，2540到2542頁(yè)(1992))。此外，發(fā)光層104可由砷化氮化鎵(GaN1-xAsx0≤x≤1)構(gòu)成。發(fā)光層104可以通過(guò)具有上述III-V族化合物半導(dǎo)體層作為阱層的單或多量子阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
當(dāng)在發(fā)光層104上制作上勢(shì)壘層105時(shí)，可以形成雙異質(zhì)(DH)結(jié)構(gòu)型發(fā)光部分。上勢(shì)壘層105可以由上述具有3.0±0.2eV的室溫帶隙的單體磷化硼(一磷化硼)或利用這種以一磷化硼作為基體成分的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。上勢(shì)壘層105也可由例如氮化鎵(GaN)或氮化鋁鎵混合晶體(AlxGa1-xN0＜x＜1)等的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。
例如，可以通過(guò)在上勢(shì)壘層105上提供一個(gè)歐姆表面電極106和在襯底101的背面設(shè)置一個(gè)歐姆背面電極107制作根據(jù)本發(fā)明的雙異質(zhì)結(jié)(DH)結(jié)構(gòu)型LED 1A。就通過(guò)含硼III-V族化合物半導(dǎo)體制作上勢(shì)壘層105而言，p型歐姆電極可以由例如金鋅(Au·Zn)合金或金鈹(Au·Be)合金構(gòu)成。n型歐姆電極可以由如金鍺(Au·Ge)合金、金銦(Au·In)合金或金錫(Au·Sn)合金等的金合金形成。為了形成具有良好歐姆接觸特性的電極，表面電極106也可以設(shè)置在具有良好導(dǎo)電性的接觸層上。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)使用具有寬帶隙的含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體層，可以制作適合表面歐姆電極106同時(shí)能充當(dāng)在拾取方向上傳輸所發(fā)射光的窗口層的接觸層。
圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的異質(zhì)結(jié)型黃色LED 2A的截面圖的一個(gè)例子。在圖2中，使用相同的參考標(biāo)號(hào)表示與圖1所示相同的構(gòu)件。
通過(guò)使用具有n型或p型導(dǎo)電率的砷化鎵(GaAs)單晶襯底作為襯底101來(lái)制作異質(zhì)結(jié)型黃色LED 2A。為了釋放襯底101和發(fā)光層104之間的晶格失配，在襯底101和發(fā)光層104之間提供了由例如GaAs1-zPz構(gòu)成的組分梯度層108。通過(guò)這種釋放晶格失配的方法，可以獲得結(jié)晶性很好的發(fā)光層104。
發(fā)光層104由例如n型或p型磷化砷化鎵(GaAs1-zPz)構(gòu)成。特別是，含作為等電子陷阱的氮(N)的由GaAs1-zPz構(gòu)成的發(fā)光層104有利于得到高強(qiáng)度的發(fā)光。例如，具有大約0.25的砷(As)組分比(＝1-z)的由GaAs0.25P0.75構(gòu)成的發(fā)光層104可以發(fā)出波長(zhǎng)大約為850nm的黃頻光。
根據(jù)本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)型黃色LED 2A的特征在于其結(jié)構(gòu)為在發(fā)光層104上提供了由含硼III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層105。上勢(shì)壘層105特別適合由上述具有3.0±0.2eV的室溫帶隙的一磷化硼(BP)或使用這種以一磷化硼作為基體成分的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。具有如此寬帶隙的由含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層105也適合充當(dāng)向外傳輸所發(fā)射光的發(fā)射光傳輸層(窗口層)。依靠能夠‘限制’載流子和有效地向外傳輸所發(fā)射光的上勢(shì)壘層105所發(fā)揮的作用，可以獲得發(fā)光強(qiáng)度很高的異質(zhì)結(jié)型黃色LED 2A。
特別是，當(dāng)異性連接在發(fā)光層104上的上勢(shì)壘層105由在250到750℃的相對(duì)低溫下形成的主體為非晶的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成時(shí)，可以起到阻止由于熱引起發(fā)光層104熱退化的作用。這樣，發(fā)光層104的良好結(jié)晶性可以得到保持并由此可以提供具有高強(qiáng)度發(fā)光的發(fā)光層104。
圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的異質(zhì)結(jié)型綠色LED 3A的截面圖的一個(gè)例子。在圖3中，使用相同的參考標(biāo)號(hào)表示與圖1和圖2所示相同的構(gòu)件。
通過(guò)使用具有n型或p型導(dǎo)電率的磷化鎵(GaP)單晶襯底作為襯底101來(lái)制作異質(zhì)結(jié)型綠色LED 3A。在襯底101上，通過(guò)例如液相外延(LPE)生長(zhǎng)方法提供了第一n型或p型磷化鎵(GaP)109。在第一GaP層109上，通過(guò)例如LPE生長(zhǎng)方法提供了與第一GaP層109導(dǎo)電類型相反的第二GaP層110。pn結(jié)型發(fā)光部分由第一GaP層109和第二GaP層110構(gòu)成。當(dāng)例如第二GaP層110的發(fā)光層由摻有作為等電子陷阱的氮(N)的GaP構(gòu)成時(shí)，可以得到發(fā)光強(qiáng)度很高的發(fā)光層。
根據(jù)本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)型綠色LED 3A是一個(gè)異質(zhì)結(jié)型LED，其中在作為發(fā)光層的第二GaP層110上提供了由磷化硼基的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層105。異質(zhì)結(jié)型結(jié)構(gòu)可以通過(guò)在發(fā)光層上提供上勢(shì)壘層105來(lái)形成。上勢(shì)壘層105特別適合由上述具有3.0±0.2eV的室溫帶隙的一磷化硼(BP)或使用這種以一磷化硼作為基體成分的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。具有如此寬帶隙的由磷化硼基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層105可以起到限制發(fā)光層中載流子的作用，同時(shí)作為適于將發(fā)射光向外傳輸?shù)陌l(fā)射光的傳輸層(窗口層)。由此可以獲得發(fā)光強(qiáng)度很高的異質(zhì)結(jié)型綠色LED 3A。
特別是，當(dāng)異性連接在發(fā)光層上的上勢(shì)壘層105由在250到750℃的相對(duì)低溫下形成的主體為非晶的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成時(shí)，可以起到阻止由于熱引起發(fā)光層熱退化的作用。這樣，發(fā)光層104的良好結(jié)晶性可以得到保持并由此可以提供具有高強(qiáng)度發(fā)光的發(fā)光層104。
根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的異質(zhì)結(jié)型紅色LED 4A可以通過(guò)具有圖4所示截面圖的GaP基LED制作。在圖4中，使用相同的參考標(biāo)號(hào)表示與圖1到3所示相同的構(gòu)件。
在異質(zhì)結(jié)型GaP基紅色LED 4A中，發(fā)光層104可以由同時(shí)摻鋅(Zn)和氧(O)的p型GaP層構(gòu)成。異質(zhì)結(jié)型GaP基紅色LED 4A可以通過(guò)在發(fā)光層104上提供一個(gè)由例如LEP方法或MOCVD方法等方法獲得的與發(fā)光層104導(dǎo)電類型相反的由磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層105來(lái)制造。異性連接在發(fā)光層104上的上勢(shì)壘層105特別適合由上述具有3.0±0.2eV的室溫帶隙的一磷化硼(BP)或使用以這種一磷化硼作為基體成分的磷化硼基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。具有如此寬帶隙的由磷化硼基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層105可以起到限制發(fā)光層104中載流子的作用，同時(shí)作為適合向外傳輸所發(fā)射光的發(fā)射光傳輸層(窗口層)。由此可以獲得發(fā)光強(qiáng)度很高的異質(zhì)結(jié)型紅色LED 4A。
特別是，根據(jù)使由在250到750℃的相對(duì)低溫下形成的主體為非晶的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層105異性連接到發(fā)光層104上的方法，可以起到阻止由于熱引起發(fā)光層104熱退化的作用。這樣，發(fā)光層104的良好結(jié)晶性可以得到保持并由此可以提供具有高強(qiáng)度發(fā)光的發(fā)光層104。
異質(zhì)結(jié)型紅色LED也可以通過(guò)例如作為發(fā)光層的使用磷化鋁鎵銦混合晶體((AlXGa1-X)YIn1-YP0＜X＜1，0＜Y＜1)的磷化鋁鎵銦基(AlGaInP)LED來(lái)制作(參見(jiàn)J.Crystal Growth，221，652到656頁(yè)(2000)，supra)。與GaP紅色LED相比，AlGaInP基混合晶體LED有利于獲得更高強(qiáng)度的發(fā)光。特別地，利用把表面電極分散設(shè)置在上勢(shì)壘層上的歐姆電極散射型AlGaInP基混合晶體LED可以發(fā)出高強(qiáng)度的紅光，因?yàn)槠骷?qū)動(dòng)電流可以幾乎均勻的通過(guò)發(fā)光層的整個(gè)表面(參見(jiàn)J.Crystal Growth，supra，221(2000)，supra)。
當(dāng)使用與藍(lán)色LED相同導(dǎo)電類型的導(dǎo)電襯底101制造異質(zhì)結(jié)型黃色、綠色和紅色LED 2A到4A時(shí)，可以在襯底101的背面提供具有相同極性的歐姆電極107。據(jù)此，通過(guò)接地到極性相同的襯墊，可以很容易地制造出多色發(fā)光燈。LED的表面電極106的極性也可以統(tǒng)一，因此，僅僅通過(guò)將具有任一極性的表面電極通過(guò)引線焊接起來(lái)，就可以很容易地制造出多色發(fā)光燈。本發(fā)明的第五實(shí)施例的優(yōu)選例子包括通過(guò)組裝使用摻硼(B)的p型硅單晶(Si)作為襯底101的藍(lán)色LED 1A、使用摻鋅(Zn)的p型磷化鎵(GaP)單晶作為襯底101的異質(zhì)結(jié)型綠色LED 3A和使用摻鋅(Zn)的p型砷化鎵(GaAs)單晶作為襯底的異質(zhì)結(jié)型紅色LED 4A來(lái)制造多色發(fā)光燈。多色發(fā)光燈也可以通過(guò)組裝使用摻磷(P)或銻(Sb)的n型硅單晶(Si)作為襯底101的藍(lán)色LED 1A和使用摻硅(Si)的n型砷化鎵作為襯底101的異質(zhì)結(jié)型黃色LED 2A來(lái)制造。換句話說(shuō)，當(dāng)使用了統(tǒng)一在所謂的n面朝上型或p面朝上型的LED時(shí)，可以很容易地獲得多色發(fā)光燈，同時(shí)避免了傳統(tǒng)技術(shù)中連接操作的麻煩。
根據(jù)本發(fā)明的多色發(fā)光燈10可以通過(guò)以下步驟來(lái)制造。如圖5所示，例如，利用導(dǎo)電粘合材料將一個(gè)n面朝上型藍(lán)色LED 1A和一個(gè)異質(zhì)結(jié)型黃色LED 2A固定在鍍有如銀(Ag)或鋁(Al)等金屬的襯墊15之上的金屬層16上。用來(lái)制造LED 1A和2A的導(dǎo)電襯底11的背面上分別提供的背面電極14電連接到襯墊15。同時(shí)，例如，分別設(shè)置在LED 1A和2A的上勢(shì)壘層12上的表面電極13與附著在襯墊15上的接線端17和18相連接。就在發(fā)光強(qiáng)度上會(huì)引起巨大的差別而言，可以單獨(dú)為L(zhǎng)ED 1A和2A提供專用的接線端17和18，以實(shí)現(xiàn)通過(guò)單獨(dú)控制流過(guò)LED 1A和2A的電流來(lái)調(diào)節(jié)發(fā)光這一機(jī)制，從而有利于獲得混合光并容易實(shí)現(xiàn)多色發(fā)光燈10。
通過(guò)組裝根據(jù)本發(fā)明的多色發(fā)光燈10可以制造光源。例如，恒壓驅(qū)動(dòng)型白色光源可以通過(guò)電并聯(lián)多個(gè)的白燈10來(lái)實(shí)現(xiàn)。同樣，恒流驅(qū)動(dòng)型多色光源可以通過(guò)電串聯(lián)多色發(fā)光燈來(lái)實(shí)現(xiàn)。與傳統(tǒng)的白熾熒光光源相比，這種多色光源在發(fā)光上不需要那么大的電功率，因此，可以用作長(zhǎng)壽命的低功耗型多色光源。例如，這種光源可以用作為房間照明的光源以及用于室外顯示或間接照明的多色光源。
實(shí)例(實(shí)例1)下面將利用通過(guò)結(jié)合使用硅襯底的藍(lán)色LED和GaAs1-zPz基黃色LED制造的多色發(fā)光燈對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖6示出了根據(jù)實(shí)例1的多色發(fā)光燈20的截面圖。為了平衡藍(lán)頻光和黃頻光之間光發(fā)射的強(qiáng)度，通過(guò)組合一個(gè)藍(lán)色LED 1A和兩個(gè)黃色LED 2A來(lái)制作多色發(fā)光燈20。
所用的藍(lán)色LED 1A是通過(guò)在疊層結(jié)構(gòu)上設(shè)置下面(6)和(7)所說(shuō)明的歐姆表面和背面電極所制造的n面朝上型LED，其中下面(2)到(5)所說(shuō)明的功能層是在下面(1)中介紹的襯底101上依次堆棧形成的。
(1)摻硼(B)p型(111)-Si單晶襯底101。
(2)在350℃下，通過(guò)使用三乙基硼烷((C2H5)3B)/磷烷(PH3)/氫氣(H2)系統(tǒng)的大氣壓MOCVD方法生長(zhǎng)的層厚為5nm的由磷化硼(BP)構(gòu)成的緩沖層102。
(3)在850℃下，通過(guò)使用上述MOCVD氣相生長(zhǎng)方法摻雜鎂(Mg)的由主要包含取向與襯底101的表面幾乎平行的(110)晶面的p型磷化硼(BP)構(gòu)成的下勢(shì)壘層103(載流子濃度大約4×1018cm-3，層厚大約700nm)。
(4)主要由立方n型Ga0.94In0.06N層(晶格常數(shù)4.538)構(gòu)成的發(fā)光層104(載流子濃度大約3×1017cm-3，層厚大約180nm)。
(5)在400℃下，通過(guò)上述MOCVD反應(yīng)系統(tǒng)生長(zhǎng)的由主要部分為非晶的n型磷化硼(BP)層構(gòu)成的室溫帶隙為3.1eV的上勢(shì)壘層105(載流子濃度大約8×1016cm-3，層厚大約480nm)。
(6)設(shè)置在上勢(shì)壘層105中心的由金·鍺(Au·Ge)環(huán)形電極(直徑120μm)構(gòu)成的歐姆表面電極106。
(7)提供在幾乎整個(gè)p型Si襯底101背表面上的由鋁(Al)構(gòu)成的歐姆背面電極107。
所用的藍(lán)色LED 1A是具有以下特征(a)到(d)的LED，即(a)發(fā)光中心波長(zhǎng)為430nm(b)亮度6毫堪德拉(mcd)(c)正向電壓3伏(V)(正向電流20毫安(mA))(d)反向電壓8V(反向電流10μA)所用的黃色LED 2A是通過(guò)在疊層結(jié)構(gòu)上設(shè)置下面(5)和(6)所說(shuō)明的歐姆表面和背面電極所制造的n面朝上型LED，其中下面(2)到(4)所說(shuō)明的功能層是在下面(1)中介紹的襯底101上依次堆棧形成的。
(1)摻鋅(Zn)p型(100)-GaAs單晶襯底101。
(2)在720℃下，通過(guò)使用鎵(Ga)/砷烷(AsH3)/氫氣(H2)系統(tǒng)的氫化物氣相外延(VPE)方法生長(zhǎng)的摻Zn p型GaAs1-zPz組分梯度層108(載流子濃度大約1×1018cm-3，層厚15μm)。
(3)在720℃下，通過(guò)上述的氫化物VPE方法生長(zhǎng)的以及摻有作為等電子雜質(zhì)的氮(N)的摻硅(Si)n型GaAs0.25P0.75發(fā)光層104。
(4)在400℃下，通過(guò)使用(C2H5)3B/PH3/(H2)反應(yīng)系統(tǒng)的MOCVD方法生長(zhǎng)的由主要部分為非晶的n型砷化硼化磷(BP0.95As0.05)層構(gòu)成的室溫帶隙為2.7eV的上勢(shì)壘層105(載流子濃度大約4×1018cm-3，層厚大約750nm)。
(5)設(shè)置在上勢(shì)壘層105中心的由金·鍺(Au·Ge)環(huán)形電極(直徑120μm)構(gòu)成的歐姆表面電極106。
(6)提供在幾乎整個(gè)p型Si襯底101背表面上的由金·鋅(Au·Zn)構(gòu)成的歐姆背面電極107。
所用的黃色LED 2A是具有以下特征(a)到(d)的LED，即(a)發(fā)光中心波長(zhǎng)為580nm(b)亮度3毫堪德拉(mcd)(c)正向電壓2伏(V)(正向電流20mA)(d)反向電壓5V(反向電流10μA)通過(guò)組裝邊長(zhǎng)均為300μm的方形藍(lán)色LED 1A和黃色LED 2A獲得的多色發(fā)光燈20是通過(guò)如下步驟(A)到(B)制造的(A)使用例如導(dǎo)電粘合材料通過(guò)芯片直接組裝手段把LED 1A和2A的p型背面電極分別固定在位于公共襯墊15之上的金屬層16上，以及(B)通過(guò)楔焊手段或球焊手段把LED 1A和2A的n型表面電極106單獨(dú)鍵合在與襯墊15電絕緣的接線端17和18上。
多色發(fā)光燈20是通過(guò)單獨(dú)鍵合LED 1A和2A來(lái)制造的，因此，可以用作綠色單色燈或用作可發(fā)出黃頻范圍內(nèi)單色光的燈。當(dāng)電流同時(shí)通過(guò)綠色LED 1A和黃色LED 2A時(shí)，提供了可以用作白色燈的多色燈。
(實(shí)例2)下面將結(jié)合制造包含使用硅襯底的藍(lán)色LED的RGB型多色發(fā)光燈的一個(gè)實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖7示出了根據(jù)實(shí)例2的多色發(fā)光燈30的結(jié)構(gòu)的截面圖。RGB型多色發(fā)光燈30是通過(guò)結(jié)合實(shí)例1中說(shuō)明的藍(lán)色LED 1A、異質(zhì)結(jié)型GaP綠色LED3A和異質(zhì)結(jié)型AlGaAs紅色LED 4A制造的。
所用的藍(lán)色LED 1A是通過(guò)在疊層結(jié)構(gòu)上設(shè)置下面(6)和(7)所說(shuō)明的歐姆表面和背面電極所制造，其中下面(2)到(5)所說(shuō)明的功能層是在下面(1)中介紹的襯底101上依次堆棧形成的。實(shí)例2的p面朝上型藍(lán)色LED 1A是與實(shí)例1的n面朝上型藍(lán)色LED 1A具有相同發(fā)光特性的雙異質(zhì)(DH)結(jié)型LED。
(1)摻磷(P)n型(100)-Si單晶襯底101。
(2)在400℃下，通過(guò)使用三乙基硼烷((C2H5)3B)/磷烷(PH3)/氫氣(H2)系統(tǒng)的大氣壓MOCVD方法生長(zhǎng)的層厚為15nm的、由與構(gòu)成襯底101的Si單晶(晶格常數(shù)5.431)晶格匹配的n型磷化硼銦混合晶體(B0.33In0.67P)構(gòu)成的緩沖層102。
(3)在850℃下，通過(guò)使用上述MOCVD氣相生長(zhǎng)方法摻雜鎂(Mg)的、由主要包含取向與襯底101的表面幾乎平行的(110)晶面的n型磷化硼銦混合晶體(BxIn1-xPx＝0.33→0.98)構(gòu)成的下勢(shì)壘層103(載流子濃度大約1×1018cm-3，層厚大約560nm)。在磷化硼銦混合晶體(BxIn1-xP)組分梯度層中硼組分比(＝x)在與緩沖層102接觸的界面處被設(shè)為x＝0.33，并在與發(fā)光層連接的表面上被設(shè)為x＝0.98。
(4)主要由立方n型Ga0.90In0.10N層(晶格常數(shù)4.557)構(gòu)成的發(fā)光層104(載流子濃度大約3×1017cm-3，層厚大約150nm)。
(5)在400℃下，通過(guò)上述MOCVD反應(yīng)系統(tǒng)生長(zhǎng)的由主要部分為非晶的、摻鎂(Mg)的p型磷化硼銦(B0.98In0.02P，晶格常數(shù)大約4.557)層構(gòu)成的室溫帶隙為3.1eV的上勢(shì)壘層105(載流子濃度大約2×1019cm-3，層厚大約400nm)。
(6)設(shè)置在上勢(shì)壘層105中心的由金·鋅(Au·Zn)環(huán)形電極(直徑130μm)構(gòu)成的歐姆表面電極106。
(7)提供在幾乎整個(gè)n型Si襯底101背表面上的由鋁(Al)構(gòu)成的歐姆背面電極107。
所用的異質(zhì)結(jié)型GaP綠色LED 3A是通過(guò)在疊層結(jié)構(gòu)上設(shè)置下面(4)和(5)所說(shuō)明的歐姆表面和背面電極所制造的p面朝上型單異質(zhì)(SH)結(jié)型LED，其中下面(2)和(3)所說(shuō)明的功能層是在下面(1)中介紹的襯底101上依次堆棧形成的。
(1)摻硅(Si)n型偏離(100)2°的GaP單晶襯底101。
(2)在800℃下，通過(guò)普通的液相外延(LEP)方法(參見(jiàn)III ZokuKagobutsu Handotai(Group III-V Compound Semiconductor)，253到256頁(yè)，supra)生長(zhǎng)的以及摻雜具有6×1018cm-3原子濃度的作為等電子陷阱的氮(N)的由摻硅(Si)n型GAP構(gòu)成的發(fā)光層。
(3)在380℃下，通過(guò)上述MOCVD反應(yīng)系統(tǒng)生長(zhǎng)的由主要部分為非晶的p型磷化硼(BP)層構(gòu)成的室溫帶隙為3.0eV的上勢(shì)壘層105(載流子濃度大約3×1019cm-3，層厚大約400nm)。
(4)設(shè)置在上勢(shì)壘層105中心的由金·鈹(Au·Be)環(huán)形電極(直徑110μm)構(gòu)成的歐姆表面電極106。
(5)提供在幾乎整個(gè)n型Gap襯底101背表面上的由金·鍺合金(Au95wt％，Ge，5wt％)構(gòu)成的歐姆背面電極107。
所用的異質(zhì)結(jié)型GaP綠色LED 3A是具有以下特征(a)到(d)的LED，即(a)發(fā)光中心波長(zhǎng)為555nm(b)亮度5毫堪德拉(mcd)(c)正向電壓2伏(V)(正向電流20毫安(mA))(d)反向電壓5V(反向電流10μA)所用的異質(zhì)結(jié)型紅色LED 4A是用摻硅(Si)n型(100)-Si單晶作為襯底101的以及具有由n型砷化鋁鎵(AlGaAs)制造的發(fā)光層104和由p型磷化硼(BP)制造的上勢(shì)壘層105的pn結(jié)型LED。P面朝上型紅色LED4A的主要特征如下(a)發(fā)光中心波長(zhǎng)為660nm(b)亮度8毫堪德拉(mcd)
(c)正向電壓2伏(V)(正向電流20毫安(mA))(d)反向電壓5V(反向電流10μA)通過(guò)組裝其一邊長(zhǎng)均為250μm的方形藍(lán)色LED 1A、異質(zhì)結(jié)型GaP綠色LED 3A和異質(zhì)結(jié)型AlGaAs紅色LED 4A獲得的RGB型多色發(fā)光燈30是通過(guò)如下步驟(A)到(B)制造的(A)使用例如導(dǎo)電粘合材料通過(guò)芯片直接組裝方法把LED 1A、3A和4A的n型背面電極107分別固定在位于公共襯墊15之上的金屬層16上，以及(B)通過(guò)楔焊手段或球焊手段把LED 1A、3A和4A的p型表面電極106單獨(dú)鍵合在與襯墊15電絕緣的接線端17到19上。
多色發(fā)光燈30是通過(guò)單獨(dú)鍵合LED 1A、3A和4A來(lái)制造的，因此，也可以用作綠頻、紅頻或黃頻的單色燈。特別是，實(shí)例2的燈30使用了具有含硼III-V族化合物半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)型GaP基LED 3A，因此，也可以用作可發(fā)出高亮度綠頻范圍單色光的燈。此外，LED 1A、3A和4A是單獨(dú)鍵合的，因此，可以單獨(dú)控制通過(guò)每個(gè)LED的正向電流并可以產(chǎn)生RGB的混合光。此外，通過(guò)同時(shí)點(diǎn)亮LED 1A、3A和4A可以提供能夠發(fā)出白光的RGB型多色發(fā)光燈30。
(實(shí)例3)下面將結(jié)合通過(guò)組裝實(shí)例2中介紹的RGB型多色發(fā)光燈30來(lái)制造光源的一個(gè)實(shí)例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明。
圖8為依據(jù)本發(fā)明的光源的平面圖，它是例如通過(guò)有規(guī)律的等間距排列RGB型多色發(fā)光燈30來(lái)制造的。通過(guò)應(yīng)用配線，使之能夠受控向燈30陣列的單獨(dú)接線端18傳遞正向電流，由此，可以調(diào)節(jié)色度并且可以制作用于顯示等的多色燈。
工業(yè)應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明，多色發(fā)光燈和光源可以通過(guò)具有作為勢(shì)壘層的磷化硼基III-V族化合物半導(dǎo)體層的異質(zhì)結(jié)型發(fā)光器件來(lái)制作，例如，異質(zhì)結(jié)型GaP基綠色LED或異質(zhì)結(jié)型Ga1-zAszPz基LED，從而，例如，可以提供發(fā)光強(qiáng)度很高的RGB混合色型多色發(fā)光燈。
此外，根據(jù)本發(fā)明，多色發(fā)光燈和光源可以通過(guò)使用了導(dǎo)電襯底和在襯底的背面上提供了電極的發(fā)射綠頻光的發(fā)光器件來(lái)制作，例如，具有含硼的III-V族化合物半導(dǎo)體層的藍(lán)色LED，從而利用簡(jiǎn)單的鍵合操作即可得到高強(qiáng)度的多色發(fā)光燈和光源。
權(quán)利要求
1.一種通過(guò)結(jié)合設(shè)置多個(gè)LED制作的多色發(fā)光燈，其中設(shè)置了一個(gè)能發(fā)出藍(lán)頻光的藍(lán)色發(fā)光二極管(LED)，該藍(lán)色發(fā)光二極管包括一個(gè)位于導(dǎo)電襯底表面的、由非晶或多晶的含硼III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的低溫緩沖層、一個(gè)位于低溫緩沖層上的由包含硼(B)和磷(P)的磷化硼(BP)基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的勢(shì)壘層和一個(gè)位于勢(shì)壘層上的由III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的多色發(fā)光燈，其中設(shè)置了一個(gè)能發(fā)出黃頻光的異質(zhì)結(jié)型黃色LED，該黃色LED包括一個(gè)位于襯底上的發(fā)光層和一個(gè)位于發(fā)光層上的由磷化硼基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的多色發(fā)光燈，其中設(shè)置了一個(gè)能發(fā)出黃頻光的異質(zhì)結(jié)型綠色LED，該綠色LED包括一個(gè)位于襯底上的發(fā)光層和一個(gè)位于發(fā)光層上的由磷化硼基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任何一個(gè)的多色發(fā)光燈，其中設(shè)置了一個(gè)能發(fā)出紅頻光的異質(zhì)結(jié)型紅色LED，該紅色LED包括一個(gè)位于襯底上的發(fā)光層和一個(gè)位于發(fā)光層上的由磷化硼基III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的上勢(shì)壘層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任何一個(gè)的多色發(fā)光燈，其中襯底是由具有相同導(dǎo)電類型的單晶形成的。
6.包含根據(jù)權(quán)利要求1到5中任何一個(gè)的多色發(fā)光燈的光源。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種利用具有能夠避免連接麻煩的結(jié)構(gòu)的藍(lán)色LED制作多色發(fā)光燈的技術(shù)。特別地，本發(fā)明提供了使用能夠發(fā)出高強(qiáng)度的合成綠色光異質(zhì)結(jié)型GaP基LED結(jié)構(gòu)制作多色發(fā)光燈的技術(shù)。同樣，例如，通過(guò)藍(lán)色LED和黃色LED來(lái)制作多色發(fā)光燈過(guò)程中，本發(fā)明提供了利用沒(méi)有連接麻煩的藍(lán)色LED和具有高發(fā)光強(qiáng)度的異質(zhì)結(jié)型GaAs
文檔編號(hào)H01L25/075GK1541420SQ0281567
公開(kāi)日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2002年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月20日
發(fā)明者宇田川隆 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社