專利名稱：有源矩陣像素器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有源矩陣像素器件及其制造方法，更具體而言但不排他地，涉及有源矩陣顯示器，特別是有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)的定制，其中可從最初的通用有源矩陣實現(xiàn)一個范圍的像素間距(pitch)。
背景技術：
除了顯示器件以外的有源矩陣像素器件的實例包括傳感器件，如圖像傳感器件和指紋傳感器件，其中矩陣元件包括例如光學或電容傳感元件；變換器器件，其中矩陣元件包括可移動機電元件，例如壓電式或靜電控制的激勵器元件。
諸如AMLCD的有源矩陣像素器件被用在日益增長的各種各樣的產(chǎn)品中，包括消費者電子器件、計算機和通信器件。這樣的器件常常被包括在便攜式產(chǎn)品中，其中該產(chǎn)品的尺寸和緊湊性是特別重要的考慮。
這種器件的實例被描述于EP-A-0617310中。在該器件中，顯示器像素的行和列矩陣陣列被提供，每個像素都是通過TFT(薄膜晶體管)形式的關聯(lián)開關元件來驅(qū)動的。與通常情況下一樣，所述器件包括被置于一對間隔的基片支持電極之間的一層液晶(LC)材料，所述電極限定各個顯示器像素。TFT與行(掃描)導體和列(數(shù)據(jù))導體的組一起被支持于第一基片的表面上，通過所述組來尋址TFT以便于驅(qū)動顯示器像素。每個TFT都被放置得與行和列導體的相應的一些之間的交叉部分相鄰。與一行顯示器像素關聯(lián)的所有TFT的柵都被連接于相應的行導體，而與一列像素關聯(lián)的所有TFT的源都被連接于相應的列導體。由此形成了有源單元的陣列，在其中每個單元都包括具有關聯(lián)的行和列導體的TFT。反射金屬像素電極的陣列被支持于絕緣膜上，該絕緣膜在第一基片上延伸并覆蓋TFT和地址導體的組以使像素電極通常被置于TFT和地址導體的水平之上。跟常規(guī)情況下一樣，每個像素電極都被關聯(lián)于一個相應的TFT。每個單獨的像素電極都連接于下面的接觸電極，該接觸電極與其關聯(lián)TFT的漏電極成為整體，所述連接是通過被形成于直接在接觸電極上的絕緣膜中的相應開口而實現(xiàn)的。借助像素電極的陣列和TFT的陣列被提供于基片表面以上的相應不同水平處的這種類型的構(gòu)造，像素電極可被放大以使在兩個相對側(cè)，它們在相鄰的行導體上略微延伸，而在其兩個其它相對側(cè)，它們在相鄰的列導體上略微延伸，而不是尺寸被定得小于具有被提供于像素電極的每個邊緣和相鄰導體之間的間隙的相鄰行導體和相鄰列導體之間的間隔，如在各個像素電極被基本上與TFT共面并且與TFT橫向而安排的顯示器件安排中。因此，以這種方式，像素孔徑被增加，并且在工作中，經(jīng)過LC層并到達像素電極的較多的光被反射回來以產(chǎn)生較亮的顯示輸出。而且，被圖形化以形成反射像素電極的經(jīng)淀積的金屬層的部分可在圖形化過程中被使得緊接著重疊TFT以起到用于TFT的光屏蔽的作用，從而減小由于在其上入射的光而造成的TFT中的光電效應，由此避免了需要提供用于該目的的其它基片上的黑矩陣材料。支持TFT、地址導體和像素電極的基片構(gòu)成顯示器件的有源板。其它的透明的基片構(gòu)成無源板并支持所述陣列中的所有像素公用的連續(xù)透明電極和對應于像素陣列的濾色元件的陣列，其中每個濾色元件都重疊相應的像素電極。
為了補充AMLCD中每個LC單元的電容，存儲電容一般與LC單元平行地被提供。這需要在驅(qū)動信號被去除時維持所述單元上的所需電壓。提供存儲電容器的一個示例方法是在接觸電極上形成額外的傳導層，同時電介質(zhì)材料被夾在其間。
在常規(guī)情況下，有源矩陣陣列是通過以下來制造的在基片上淀積傳導、絕緣和半傳導層的各種層并使用光刻限定過程來圖形化這些層，所述過程涉及確定各個層的圖形的光刻掩模。
在制作可根據(jù)特定應用的需要而容易、迅速和廉價地定制的AMLCD的過程中有著增長的興趣。例如，不同的用戶可能需要具有不同且專門的像素間距的顯示器。這對于用于諸如移動電話、PDA等的便攜式產(chǎn)品中的應用的小/中尺寸顯示器是特別真實的，其中市場的特征在于產(chǎn)品范圍的恒定變化并因此在于顯示器設計的恒定變化。
在本領域眾所周知的是，為了生產(chǎn)一批顯示器，新設計需要完全新的一組光刻掩模。問題在于這可使所定制的AMLCD相當昂貴，這是因為掩模組的投資成本高，并且這些成本在其上可被收回的顯示器的總數(shù)可能相當小。另外，交付周期可能是長的，這是因為必須為每個特定用戶需要而設計掩模，并且每個用戶特定的產(chǎn)品然后必須被處理直到完成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種生產(chǎn)有源矩陣像素器件的改進方法。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種濾及滿足用戶特定需要的成本減小的生產(chǎn)有源矩陣像素器件的方法。
依照本發(fā)明的一個方面，提供了一種構(gòu)造有源矩陣像素器件的方法，包括提供通用有源矩陣，其包括基片上的間隔限定基本間距的開關元件的矩陣陣列，以及行地址導體和列地址導體的組，用于尋址開關元件；在基片上形成開關元件的陣列上的電介質(zhì)層，在電介質(zhì)層中形成接觸孔的陣列以使可與多個開關元件接觸，在通用有源矩陣上形成像素陣列，該像素陣列包括通過接觸孔與下面的開關元件電接觸的像素電極的矩陣陣列，該像素電極的間隔限定像素間距，其中像素間距大于所述基本間距。
當通用有源矩陣(UAM)已被形成于第一基片上時，如果需要，經(jīng)部分構(gòu)造的器件可被存放。具有所需像素間距的像素陣列然后可被形成于以后的階段以滿足用戶的需要。本發(fā)明提供的一個優(yōu)點是生產(chǎn)過程的大部分可在定制之前被實施。這種方法使能了不同設計的有源矩陣像素器件，例如，具有不同的像素電極布局，從而得以比以前容易且不貴地制造。使用可為了方便而被存放的一般UAM使能減小用戶預訂器件和完成時間之間的時間。另一個優(yōu)點是每個新定制有源矩陣像素器件需要較少的掩模組，這是因為相同的掩?？杀挥糜诿總€UAM。這減小了所定制的器件的成本。
依照本發(fā)明的另一個方面，提供了一種有源矩陣像素器件，其包括具有被安排成限定基本間距的開關元件的矩陣陣列的通用有源矩陣，以及具有被安排成限定像素間距的像素電極的矩陣陣列的像素層，其中像素間距大于基本間距。
UAM的開關元件優(yōu)選地由如先前所述的相應行和列地址導體來尋址。具有其相應行和列地址導體的每個開關元件都形成有源單元。有源單元的間隔限定基本間距。該間隔不必要在水平(行)和垂直(列)方向上相同，因此如果有必要，基本間距可被細分成水平和垂直分量。優(yōu)選的是使基本間距盡可能方便地小。這限定了最終有源矩陣像素器件的最小可達到的間距。通過以這種方式使基本間距最小，用于最終產(chǎn)品的可達到的像素間距的范圍得以增加。
在優(yōu)選實施例中，電介質(zhì)層位于開關元件的陣列上，其優(yōu)選地包括聚合物并覆蓋整個陣列。這用來減小上面的像素電極層和下面的UAM之間的顯著電容性耦合。
所述開關元件優(yōu)選地包括如本領域已知的薄膜晶體管(TFT)。該TFT可以是頂部柵或底部柵型的TFT。矩陣陣列中的TFT一般被制造成無定形、多晶或微晶硅材料或塑料有機材料的相應、分離的半導體島，其通過以下來限定圖形化在基片上淀積的連續(xù)半導體層以剩下以行和列矩陣來排列的半導體材料的離散區(qū)域。
由于像素間距大于基本間距，一些像素電極可覆蓋多于一個的開關元件?？赏ㄟ^電介質(zhì)層中的接觸孔而與至少一個被覆蓋的開關元件進行電接觸。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，每個像素電極被連接于僅一個下面的開關元件并由其來控制。因此，一些開關元件成為多余的，并且不被用于提供信號給像素電極。每個像素電極使用僅一個開關元件的優(yōu)點是行和列地址導體之間有較小的電容性耦合。這有助于減小顯示假象，如串擾和閃爍。
在另一個實施例中，可由多于一個的下面的開關元件來同時尋址像素電極。這可通過將關聯(lián)的相鄰行和列導體并聯(lián)連接在一起而實現(xiàn)。
盡管基本間距和像素間距基本上是無關的，但可設想有一個整數(shù)關系，其中像素間距在其水平和垂直分量兩者上均為基本間距的整數(shù)倍。例如，在水平像素間距是水平基本間距的三倍且垂直像素間距是垂直基本間距的兩倍的情況下，每個像素電極覆蓋六個開關元件。因此，如果有必要，任何一個或多個這些開關元件可被用于操作其關聯(lián)的上面的像素電極。依照本發(fā)明進一步的方面，有源矩陣像素器件包括AMLCD器件。在優(yōu)選實施例中，AMLCD器件包括反射或透反(transflective)型顯示器件。
盡管依照本發(fā)明的有源矩陣像素器件優(yōu)選地包括液晶顯示器，可設想本發(fā)明被應用于其它類型的有源矩陣顯示器件，例如電泳、電致變色(electrochromic)或電致發(fā)光顯示器件，并且亦可被應用于為了非顯示目的的有源矩陣像素器件，例如傳感器陣列，如圖像傳感陣列，等等。


為了舉例，現(xiàn)在將參照附圖來描述依照本發(fā)明的有源矩陣像素器件的實施例及其制造方法，在附圖中圖1是通過依照本發(fā)明的方法的第一實施例來制造的有源矩陣像素器件的部分的平面示意圖；圖2是通過依照本發(fā)明的方法的第二實施例來制造的有源矩陣像素器件的部分的平面示意圖，其說明了典型有源單元的結(jié)構(gòu)；圖3A到3G示意性地分段說明了制造圖2器件的方法中的各個階段；圖4是描述如在圖3A到3G中說明的構(gòu)造方法的流程圖；圖5是通過依照本發(fā)明的方法的第三實施例來制造的器件的部分的平面示意圖；圖6說明在其制造過程中器件的部分的一個優(yōu)選安排；圖7說明在其制造過程中器件的部分的第二優(yōu)選安排；圖8示意性地示出完整AMLCD的結(jié)構(gòu)。
應理解，附圖僅是示意性的，而不是按比例畫出的。具體而言，某些尺度可能已被夸大而其它的已被減小。在所有附圖中，相同的參考數(shù)字被用來指示相同或類似的部分。
具體實施例方式
圖1示意性地說明了通過依照本發(fā)明的方法的第一實施例來制造的器件的部分。該器件包括反射型有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)面板11，其具有位于通用有源矩陣(UAM)上的像素電極的陣列。將理解，圖1示出了具有僅一個完整像素電極的AMLCD的一小部分，并且典型的器件將包括具有成百像素電極的陣列，例如在移動電話顯示器的情況下具有150×150個左右。UAM包括基片上的電路，該電路包括在垂直方向上相互平行地延伸的一組規(guī)則間隔的列地址導體12和在水平方向上相互平行地延伸的一組規(guī)則間隔的行地址導體14。在該實例中包括底部型薄膜晶體管(TFT)的開關元件20被形成于行和列導體的每個交叉部分處或其附近。每個行導體14提供用于相應行中每個TFT的柵電極15。未示出的一層半導體材料位于每個TFT的柵電極上。每個列導體12提供用于相應列中每個TFT的源電極13。每個源電極都與TFT的柵電極部分地重疊。每個TFT亦都包括從傳導材料層形成的漏電極17，該漏電極與每個相應的柵電極15部分地重疊，并且所述層在由形成整體接觸電極16的相鄰行和列導體限定的有源單元上部分地延伸。
包括TFT和關聯(lián)尋址導體的該陣列的UAM對依照本發(fā)明的所有器件是公用的。TFT是規(guī)則間隔的并且限定基本間距。基本間距不必要在水平和垂直方向上相同。將在以下被描述的使用圖1中所示部分的顯示器件的元件可被改變以定制最終產(chǎn)品的像素間距。
圖1中未示出的電介質(zhì)層完全位于有源單元的陣列上。類似尺寸且規(guī)則間隔的像素電極19的陣列位于電介質(zhì)層上。每個像素電極19都通過電介質(zhì)層中的接觸孔36與至少一個下面的接觸電極16接觸。接觸孔36的數(shù)量、位置和間距取決于最終產(chǎn)品的所需像素間距。圖1的實施例示出了水平像素間距僅在水平UAM間距的一倍半以上的顯示器件的部分。垂直像素間距是垂直UAM間距的大約三倍。所示的完整像素電極19覆蓋了兩個完整的有源單元，其包括其相應的TFT和接觸電極16。該像素電極19通過接觸孔36與一個接觸電極16接觸。因此，該像素僅通過與那個TFT關聯(lián)的行和列地址導體來尋址。類似地，像素電極陣列中的每個其它像素電極19都通過接觸孔36與一個下面的接觸電極接觸。
在圖1的優(yōu)選實施例中，盡管每個像素電極19都僅與下面的TFT之一的一個接觸電極16接觸，可設想相反與多個下面的接觸電極接觸以使每個像素可通過多于一個的像素來尋址。在此情況下，與每個TFT關聯(lián)的行和列導體將需要被尋址。這可通過以下而方便地實現(xiàn)在其末端處互連行和列導體以使它們同時接收相同的驅(qū)動(掃描和數(shù)據(jù))信號。
圖1示出了底部型的TFT，其中柵電極位于半導體材料的下面。依照本發(fā)明制作的器件可相反包括頂部TFT，其中柵電極位于半導體材料的上面。
圖2是通過依照本發(fā)明的方法的第二實施例來制造的有源矩陣像素器件的部分的示意圖，并且示出了UAM的有源單元，其具有包括頂部TFT的一個開關元件20，以及存儲電容器。圖2的器件制造的各個階段被說明于示出沿圖2的線A-A的橫截面的圖3A到3G中。圖4是過程流程圖，其總結(jié)了具有與像素電極不同的基本間距的器件的構(gòu)造的分離階段。
參照圖3A，優(yōu)選為透明的例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide)(ITO)的第一傳導層32被完全淀積于優(yōu)選為玻璃的絕緣層31上。優(yōu)選為MoCr的第二傳導層21被淀積于第一傳導層32上。使用光刻圖形化過程來刻蝕第二層21以形成列導體12的整體部分。第二傳導層的材料優(yōu)選地具有比第一傳導層高的傳導率。
然后如圖3B中所示，第一傳導層32被刻蝕以形成具有用于TFT的源電極13的列導體12和與相應的TFT的漏電極成為整體的接觸電極16。接觸電極16形成用于存儲電容器的第一板。
參照圖3C，優(yōu)選為無定形硅的半導體層22然后被淀積和圖形化以提供TFT的有源層。優(yōu)選為氮化硅(1)的第一絕緣層被淀積和圖形化于列導體12上以限定所選的絕緣體區(qū)23。這些將列導體與行導體和在稍后階段被添加的其跨接(cross-over)區(qū)處的其它交叉特征絕緣。
優(yōu)選為氮化硅(2)的第二絕緣層33被淀積于基片上。如圖3D中所示，相應的接觸孔18通過該層被形成于每個接觸電極16上。
參照圖3E，金屬層，例如AlCu，然后被淀積于基片上。其被用光刻來圖形化并被刻蝕以形成具有用于每個TFT的柵電極15的行導體14，其重疊半導體層22。用于存儲電容器的與行導體平行而延伸的第二存儲電容器板24和相應的電容器導體線25亦從該淀積得以圖形化。絕緣層33因此為存儲電容器提供了插入電介質(zhì)。由此完成了UAM的構(gòu)造。
在制造過程的該階段，UAM被存放以便于用在定制的顯示器面板中。該UAM然后可被用于生產(chǎn)多種這種類型的有源矩陣顯示器面板，而不管其所需的像素間距。生產(chǎn)UAM僅需要一個掩模組，而直到生產(chǎn)的該階段，并不需要否則生產(chǎn)具有其它特定像素間距的器件將需要的掩模組，由此節(jié)約了成本。
一旦所需像素間距已知，則可如以下所述而定制器件。參照圖3F，氮化硅(2)的電介質(zhì)層34被完全淀積于UAM上。在此過程中接觸孔36被形成于所需位置。接觸孔36的位置對應于接觸孔18的所選的那些并依賴于所需像素間距和驅(qū)動每個像素電極19所需的TFT的數(shù)量。電介質(zhì)層34亦被圖形化以允許在器件的邊緣處與行和列導體14和12的接觸以便于連接到相應驅(qū)動電路(未示出)的輸出。
另一個的傳導層然后被淀積并圖形化以形成如圖3G中所示的相應像素電極19。每個像素電極通過接觸孔36接觸至少一個接觸電極16。另一個的傳導層可以是銀或銀合金層上的ITO或金屬。
如可以理解的，各個像素電極19的尺寸及其像素間距可如針對器件定制所述而被改變。
示出上述構(gòu)造方法的流程圖的圖4說明了制造過程中的僅兩個步驟被定制以滿足所需像素電極間距的需要。由此完成對有源矩陣像素器件的有源板的制造。
圖5示出了通過依照本發(fā)明的方法的第三實施例來制造的有源矩陣像素器件的部分。該器件包括如在以下參照先前實施例所述的行和列導體14和12。然而，每個像素電極19通過接觸孔36連接于多個接觸電極16，并且每個像素電極因此由多于一個的TFT來控制。從該圖將理解，在基本間距和像素間距之間有非整數(shù)關系。水平像素間距是水平基本間距的兩倍半以下一點。垂直像素間距是垂直基本間距的三倍半以下一點。具有這種間距關系的器件中的每個像素電極19將位于至少六個完整的有源單元上并因此位于六個對應的TFT上。對像素電極位于其上的單元的每列進行尋址的相鄰列導體12通過短路棒51連接在一起。因此與每個短路棒51關聯(lián)的TFT的每列被并行地尋址。對像素電極位于其上的單元進行尋址的相鄰行導體14用類似的短路棒53連接在一起。因此與每個短路棒53關聯(lián)的TFT的每行都被并行地選擇。由于基本間距和像素間距之間的非整數(shù)關系，存在多余的列導體52和多余的行導體54。這些可被短接在一起以在需要時將所有的多余行和列導體保持在固定電勢。位于兩個相鄰像素電極下面的單元未被提供有接觸孔36。
圖6和7示出用于UAM的TFT電極的可替換布局。它們均采用與圖1中所說明的實施例類似的底部柵TFT。列導體12、行導體14和電容器導體線25通過絕緣材料62的插入層而相互絕緣。半傳導層22形成每個TFT的有源層以及與源、漏和柵電極的接觸。在該安排中，存儲電容器被提供于接觸電極16和電容器導體線25之間的重疊區(qū)。通過從接觸電極16的區(qū)域中分離對應的電容器導體25，絕緣材料62形成用于每個單元的存儲電容器的電介質(zhì)。
為使用于最終產(chǎn)品的像素間距的可達到范圍最大，理想的是具有相對小的基本間距。圖6示出一個可能的安排，其中TFT的每行都具有對應的電容器導體線25，并且TFT的每列都具有對應的列導體12。為使基本間距最小，可利用如圖7中所說明的專門布局。在此，TFT的每列都對應于兩個列導體12。成對的相鄰TFT行共享一個存儲電容器導體線25。由此較好地利用了陣列空間。在正常情況下，這種安排將導致不理想的圖像假象，這是因為不同的行和列的局部環(huán)境是不同的。然而，在各個像素由多于一個的TFT驅(qū)動的情況下，這些效應將被減小，這是因為將在各個像素的區(qū)域上發(fā)生了某種平均。
制造過程可包括進一步的步驟(未示出)在如參照圖2、3和4所述而形成TFT開關元件和存儲電容器之后，將擴散有機層(DOL)淀積于UAM上。這包括突起(bump)層，其在所定制的層被淀積之后導致對應的突起被形成于像素電極中。在完成的顯示器件中，這些像素電極突起用來擴散經(jīng)反射的光以在被察看時確保非鏡面反射。這種類型的層被描述于EP-A-0617310中。確保非鏡面反射的可替換方法是在顯示器面板的無源板上結(jié)合前散射膜。
圖8示出了完整液晶顯示器的結(jié)構(gòu)，其結(jié)合了有源板，該有源板包括在此一般被參考于81處的UAM和定制的像素電極層82。液晶材料層80被提供于像素電極層82上，其包括以上所述的結(jié)構(gòu)。被示出于83處的第二、無源基片位于液晶材料層上。這個另外的基片83可被提供于具有濾色器84的安排和限定公用電極87的層的一面上。偏振膜86亦被提供于基片83上。
由于本發(fā)明具體而言涉及有源、晶體管基片和反射像素電極，液晶顯示器的工作和構(gòu)造將不以任何進一步的細節(jié)來描述，這是因為這對于本領域的技術人員是顯而易見的。
可以提供對那些描述的的附加層，并且有對本領域的技術人員將顯而易見的各種替換。特定處理參數(shù)和材料在本申請中尚未被詳述，這是因為本發(fā)明依賴于已知的各個處理步驟和材料。步驟和可能替換的范圍對本領域的技術人員將是顯而易見的。
以上特定實例在LCD的UAM中使用了無定形硅TFT，但其它半導體材料是可能的，如多晶或微晶硅。
從閱讀本公開內(nèi)容，其它修改對本領域的技術人員將是顯而易見的。這樣的修改可包含在有源矩陣像素器件和用于它的部件部分的領域內(nèi)已知的并且可取代在此已描述的特征而使用或除了它們以外還使用的其它特征。
權利要求
1.一種構(gòu)造有源矩陣像素器件的方法，包括提供通用有源矩陣，其包括在基片上間隔限定基本間距的開關元件的矩陣陣列，以及行地址導體和列地址導體的組，用于尋址開關元件；在基片上形成開關元件的陣列上的電介質(zhì)層，在電介質(zhì)層中形成接觸孔的陣列以使可與多個開關元件接觸，在通用有源矩陣上形成像素陣列，該像素陣列包括通過接觸孔與下面的開關元件電接觸的像素電極的矩陣陣列，該像素電極的間隔限定像素間距，其中像素間距大于基本間距。
2.權利要求1的方法，其中接觸孔的陣列被形成以使僅開關元件的所選部分被連接于像素電極。
3.權利要求1或2的方法，其中接觸孔的陣列被形成以使至少一些像素電極每個都與僅一個開關元件電接觸。
4.權利要求1、2或3的方法，其中像素陣列被形成以使像素間距是基本間距的整數(shù)倍。
5.一種有源矩陣像素器件，包括通用有源矩陣，包括間隔限定基本間距的開關元件的矩陣陣列；以及像素層，包括其間隔限定像素間距的像素電極的矩陣陣列，其中像素間距大于基本間距。
6.權利要求5的器件，其中電介質(zhì)層將通用有源矩陣與像素陣列分隔。
7.權利要求6的器件，其中電介質(zhì)層包括接觸孔以允許每個像素電極都與至少一個下面的開關元件接觸。
8.權利要求5、6或7的器件，其中僅一部分開關元件被連接于像素電極。
9.權利要求5到8的器件，其中至少一些像素電的每個都與僅一個開關元件電接觸。
10.權利要求5到9的器件，其中像素間距是基本間距的整數(shù)倍。
11.一種液晶顯示器件，包括權利要求5到10任何一個的有源矩陣像素器件。
12.權利要求11的顯示器件，其中顯示器是反射或透反顯示器件。
13.任何權利要求5到12的器件，其中開關元件包括薄膜晶體管。
全文摘要
一種構(gòu)造有源矩陣像素器件的方法使用了通用有源矩陣(UAM)，其包括間隔限定基本間距的開關元件(20)的矩陣陣列和像素陣列，該像素陣列包括間隔限定像素間距的像素電極(19)的矩陣陣列。像素間距大于基本間距。構(gòu)造過程的大部分可在定制器件之前被實施。使用公用UAM使能減小用戶預訂器件和完成時間之間的時間。滿足制造有源矩陣像素器件的用戶特定需要的成本由此被減小。
文檔編號H01L21/336GK1582413SQ02822055
公開日2005年2月16日 申請日期2002年10月29日 優(yōu)先權日2001年11月7日
發(fā)明者P·W·格林, S·J·巴特斯拜, J·R·胡赫斯, I·D·弗倫奇 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司