專利名稱：數(shù)字磁存儲(chǔ)單元裝置交換耦合層系統(tǒng)之均質(zhì)磁化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于一種均質(zhì)磁化數(shù)字磁存儲(chǔ)單元裝置交換耦合層系統(tǒng)之方法，數(shù)字磁存儲(chǔ)單元裝置包括AAF層系統(tǒng)及交換耦合AAF層系統(tǒng)層的層之反鐵磁層。
此種數(shù)字存儲(chǔ)單元裝置用于以磁性基準(zhǔn)儲(chǔ)存信息，個(gè)別存儲(chǔ)單元裝置一般為存儲(chǔ)裝置，一般亦稱之為MRAM(磁性隨機(jī)存取內(nèi)存)，的一部份。此種內(nèi)存可進(jìn)行讀取及/或?qū)懭氩僮?。每一個(gè)別存儲(chǔ)單元裝置包括由中間層與硬磁參考層系統(tǒng)分開的軟磁讀取及/或?qū)懭雽酉到y(tǒng)，其形成為AAF系統(tǒng)，在本存儲(chǔ)單元裝置形式的情況下，參考層系統(tǒng)的參考層之磁化為穩(wěn)定的且在施用場不會(huì)改變，當(dāng)軟磁讀取及/或?qū)懭雽酉到y(tǒng)的磁化可藉由施用場被切換時(shí)，該兩個(gè)磁性層系統(tǒng)可以平行或逆平行方式相關(guān)于彼此被磁化。在每一情況，該兩個(gè)先前提及的狀態(tài)表示一位信息，亦即邏輯零(“0”)或一(“1”)狀態(tài)。若該兩層的磁化之相對位向由平行變化為逆平行，或反之，則在此層結(jié)構(gòu)上該磁阻變化數(shù)個(gè)百分點(diǎn)，此在阻抗的改變可被使用以讀取儲(chǔ)存于存儲(chǔ)單元的數(shù)字資料，在該單元阻抗的變化可由電壓變化被辨識。做為實(shí)例，在電壓增加的情況下，該單元可由邏輯零(“0”)占據(jù)，及在電壓減少的情況下，該單元可由邏輯一(“1”)占據(jù)。在GMR形式(巨磁阻)或TMR形式(穿隧磁阻)的單元結(jié)構(gòu)中，當(dāng)該磁化方位由平行變化為逆平行，或反之，在數(shù)個(gè)百分點(diǎn)的范圍的特別大的阻抗變化已被發(fā)現(xiàn)。
此種磁存儲(chǔ)單元的重要優(yōu)點(diǎn)為信息系以此種方式被永久儲(chǔ)存，及可被儲(chǔ)存且不需維持任何基本供應(yīng)即使該裝置被關(guān)閉，及在裝置被切換為開后可再次被立即提供，此與已知習(xí)知半導(dǎo)體內(nèi)存相反。
在此情況下，中央組件部份為該參考層系統(tǒng)，其形成為AAF系統(tǒng)(AAF＝仿反鐵磁)。此種AAF系統(tǒng)為有利的因?yàn)榻逵梢话惴Q的橘皮剝離作用及/或藉由巨靜磁耦合場其具高磁剛性及至該讀取及/或?qū)懭雽酉到y(tǒng)的相當(dāng)?shù)婉詈稀AF系統(tǒng)一般包括第一磁性層或磁性層系統(tǒng)，反鐵磁耦合層及第二磁性層或磁性層系統(tǒng)，其系經(jīng)由與該下方磁性層的磁化相反的該反鐵磁耦合層與其磁化耦合。此種AAF系統(tǒng)可由兩個(gè)磁性Co層及由Cu制造的反鐵磁耦合層形成。
為改良該AAF系統(tǒng)的剛性，亦即其對外部場的阻抗，習(xí)慣排列一反鐵磁層于距該讀取及/或?qū)懭雽酉到y(tǒng)遙遠(yuǎn)的該AAF系統(tǒng)的磁性層。此反鐵磁層額外旋轉(zhuǎn)在其磁化直接相鄰的磁性層，且結(jié)果為該AAF系統(tǒng)整體的變得更硬(交換自旋或交換偏移)。
該AAF系統(tǒng)的磁剛性對應(yīng)于所施用外部場的振幅，其為于相同方向(亦即平行設(shè)定)旋轉(zhuǎn)該兩個(gè)鐵磁層的磁化所必需，此限制此種存儲(chǔ)單元裝置的讀取及寫入應(yīng)用的磁窗口。
在此情況下，做為實(shí)例，除了在簡介中所提及的材料組合之外，該AAF系統(tǒng)的磁性層的目的總是亦包括兩個(gè)鐵磁CoFe層及被引入期間的Ru層要被盡可能均勻地磁化，理想上為以單一均勻磁化方向。在所討論具該AAF層系統(tǒng)及該額外交換耦合或旋轉(zhuǎn)反鐵磁耦合層(如由IrMn所制造的)的存儲(chǔ)元件之情況下，磁化以一種方式被產(chǎn)生使得在該層堆棧的制造后，該層堆棧被加熱至大于該反鐵磁的阻隔溫度，亦即如IrMn的阻隔溫度，之溫度，一種強(qiáng)磁場飽和在此期間存在的該AAF層系統(tǒng)的兩個(gè)磁性層。此產(chǎn)生該磁性層磁化之方位，及因?yàn)樵擇詈希喈a(chǎn)生該反鐵磁層的磁化之方位，該溫度接著被再次減少。若該外部設(shè)定磁場接著被同樣取出，未耦合至該反鐵磁層的該磁性層的磁化因?yàn)樵揂AF系統(tǒng)耦合而開始旋轉(zhuǎn)。然而，在此情況下，多種一般稱的360°壁在該層的磁化形成。這些360°壁(其在關(guān)于進(jìn)行域觀察的方面被說明為纏繞、迂回線路)產(chǎn)生一系列缺點(diǎn)。由此，做為實(shí)例，可經(jīng)由該內(nèi)存組件分流的訊號，如在TMR內(nèi)存組件(TMR＝穿隧磁阻)的情況下為TMR訊號，被減少。由如坡莫合金所制造的該測量層的反磁化行為因泄漏場亦為較不利的，該測量層系藉由去耦合(如由Al2O3制造)而層與該AAF層系統(tǒng)分開，這些經(jīng)由該360°壁，其中磁化經(jīng)過360°旋轉(zhuǎn)一次。
本發(fā)明由此系基于訂定一種方法的問題，其激活均質(zhì)磁化同時(shí)盡最大可能避免不利的360°壁。
為解決此問題，在于簡介中所提及形式的方法之情況下，根據(jù)本發(fā)明，已知該反鐵磁層的磁化之經(jīng)訂定方向，該AAF層系統(tǒng)的該磁性層系于磁場飽和及之后，該反鐵磁層的磁化之方向位置及該飽和磁場彼此方向被改變，故它們?yōu)橄鄬τ诒舜藶?°＜α＜180°的角度α，之后該飽和磁場被關(guān)閉。
本發(fā)明特別有利地于提出產(chǎn)生該反鐵磁自旋層的磁化，其因?yàn)殛P(guān)于該AAF層系統(tǒng)的該相鄰磁性層該非常強(qiáng)的交換耦合，維持其磁化，及該磁場的方向系在角度＜180°及＞0°，及接著關(guān)斷該磁場。因該反鐵磁層的磁化方向已被建立，該AAF層系統(tǒng)的相鄰磁性層之磁化接著在相同方向自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，因?yàn)榻?jīng)由排列于期間的該耦合層，該AAF系統(tǒng)的第二磁性層之耦合，該第二磁性層的磁化接著在相反方向旋轉(zhuǎn)。然而，因該反鐵磁層磁化的方向及該飽和磁場之設(shè)定事先已關(guān)于彼此仍存在，非經(jīng)由180°的旋轉(zhuǎn)，現(xiàn)在僅需要經(jīng)由顯著較小的角度之旋轉(zhuǎn)發(fā)生，此是因?yàn)榻嵌仍O(shè)定及該飽和磁場仍事先存在，該兩個(gè)磁性AAF層的仍飽和的磁化不為關(guān)于該反鐵磁層磁化的0°或180°的角度，而是在中間角度，現(xiàn)在該第二磁性AAF層的磁化僅必需旋轉(zhuǎn)此中間角度，該磁化因而專一地在此一方向較佳地旋轉(zhuǎn)，此方向具較短的旋轉(zhuǎn)路徑及接著允許更有利的旋轉(zhuǎn)(以能量觀點(diǎn)而言)，此因此排除該磁化的分解或該360°壁的形成，該360°壁主要系當(dāng)該磁化必須旋轉(zhuǎn)180°時(shí)而產(chǎn)生，因在此情況下，旋轉(zhuǎn)在兩個(gè)方向?yàn)榭赡艿模Q之為自180°至0°及自180°至360°(最后至”左邊”及”右邊”)，其導(dǎo)致壁形成。磁化方向的設(shè)定因而定義層磁化旋轉(zhuǎn)的較佳旋轉(zhuǎn)方向，其有利地使得該360°壁可被避免。
60°至120°的角度α，特別是90°，應(yīng)權(quán)宜地被設(shè)定。在90°的角度之情況下，藉由該反鐵磁層旋轉(zhuǎn)的該相鄰AAF層的磁化必須旋轉(zhuǎn)90°及該第二磁性層的磁化同樣地亦必須同樣地旋轉(zhuǎn)90°，但是系在另一方向。對兩種磁化而言，該路徑為整體為相當(dāng)短的，且結(jié)果為均質(zhì)磁化被建立。
為設(shè)定該角度的目的，關(guān)于磁化方面，數(shù)個(gè)可能性為理解的，在一方面，該內(nèi)存組件可關(guān)于固定磁場旋轉(zhuǎn)；做為此的替代方案，關(guān)于該固定內(nèi)存組件移動(dòng)磁場為可能的。最后，該兩個(gè)亦可能關(guān)于彼此被移動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明方法使得避免360°壁的形成為可能，即使是在內(nèi)存組件的第一磁化期間。為進(jìn)行此目的，為設(shè)定該反鐵磁層的磁化之目的，溫度被增加至高于該層的阻隔溫度，在溫度增加期間，飽和磁場存在，之后，溫度被減少及層系統(tǒng)的磁化被設(shè)定。因而，在此情況下，該AAF系統(tǒng)的磁性層之飽和及該反鐵磁層的磁化之設(shè)定被同時(shí)執(zhí)行，因?yàn)楦哂谠撟韪魷囟戎疁囟?，其被采用于該AAF系統(tǒng)的相鄰磁性層之磁化方向。溫度被接著減少，且結(jié)果為在溫度降至低于該阻隔溫度之后，該反鐵磁層的磁化系如同其是被冷凍的。該內(nèi)存組件及/或該磁場接著被旋轉(zhuǎn)以進(jìn)行設(shè)定該角度α的目的且該磁場仍存在，之后其被關(guān)閉及該AAF系統(tǒng)的兩個(gè)磁性層之磁化在該兩個(gè)不同方向旋轉(zhuǎn)。
然而，根據(jù)本發(fā)明方法同等地亦使得后續(xù)地均質(zhì)已被磁化及具360°壁(亦即被不均質(zhì)地磁化)的內(nèi)存組件為可能。為進(jìn)行此目的，該AAF層系統(tǒng)的磁化于足夠高的磁場被飽和而溫度不需被事先增加。飽和后，該系統(tǒng)被關(guān)于磁場旋轉(zhuǎn)，如關(guān)于該反鐵磁層的原先飽和方向旋轉(zhuǎn)90°，在此情況下，后者被事先權(quán)宜地平行于該外部飽和磁場被指向或者該內(nèi)存組件已被相對應(yīng)地放置。旋轉(zhuǎn)后，該外部磁場被以一種方式向后驅(qū)動(dòng)使得經(jīng)由一相對應(yīng)角區(qū)段向后旋轉(zhuǎn)位于該外部磁場的方向的層磁化，盡管有因飽和的旋轉(zhuǎn)。
除了該方法，本發(fā)明進(jìn)一步關(guān)于一種已根據(jù)本方法磁化的磁阻存儲(chǔ)單元裝置，而且，本發(fā)明系關(guān)于一種磁阻存儲(chǔ)裝置，其包括許多根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)單元裝置。
而且，本發(fā)明系關(guān)于一種裝置以進(jìn)行該方法，其包括一種基材之插座(其具至少一內(nèi)存組件)，及亦包括磁場產(chǎn)生裝置。該裝置特征為該插座及該磁場產(chǎn)生裝置可關(guān)于彼此被旋轉(zhuǎn)。根據(jù)本發(fā)明第一細(xì)節(jié)，該插座可為旋轉(zhuǎn)桌及該磁場產(chǎn)生裝置可為固定的，亦即在此情況下該基材(其本質(zhì)上許多內(nèi)存組件于此上形成)系關(guān)于該固定的磁場旋轉(zhuǎn)。做為替代方案，該插座可為固定的及該磁場產(chǎn)生裝置可為旋轉(zhuǎn)的。
特別有利的是若該插座，及若適當(dāng)時(shí)該旋轉(zhuǎn)桌，可被加熱以盡可能快速地加熱該基材至高于該阻隔溫度的溫度，若此是需要的。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、特征及細(xì)節(jié)由敘述于下及亦以圖式為基礎(chǔ)的示例具體實(shí)施例得知，其中第1圖顯示在飽和磁場存在下于具溫度高于該阻隔溫度的磁化期間根據(jù)本發(fā)明存儲(chǔ)單元裝置的示意圖，第2圖顯示在具固定飽和磁場及具先前已降低的溫度之旋轉(zhuǎn)后第1圖的存儲(chǔ)單元裝置，第3圖顯示在磁場已被關(guān)閉之后第2圖的存儲(chǔ)單元裝置，第4圖顯示根據(jù)本發(fā)明裝置的第一具體實(shí)施例之示意圖，及第5圖顯示根據(jù)本發(fā)明裝置的第二具體實(shí)施例之示意圖。
第1圖顯示根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)單元裝置1，此存儲(chǔ)單元裝置包括一般稱的參考層系統(tǒng)2，其系藉由去耦合層3，如Al2O3，自軟磁測量層系統(tǒng)4去耦合，該說明進(jìn)一步顯示該字符及位線路5a、5b，其彼此間以直角在上方及下方運(yùn)行。該參考層系統(tǒng)2包括AAF層系統(tǒng)6，AAF層系統(tǒng)6包括下方鐵磁層7、上方鐵磁層8及排列于后二者中間的逆平行耦合耦合層9。該鐵磁層可由如Co或CoFe制造，及該逆平行耦合耦合層可由如Cu或Ru制造，此種AAF層系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)為足夠已知的。
該參考層系統(tǒng)2進(jìn)一步包括由如Ni、FeMn、IrMn、NiMn、PtMn、CrPtMn、RhMn或PdMn所制造的反鐵磁層10，其被提供于該下方鐵磁層7下方。該反鐵磁層10耦合位于其上方的該下方鐵磁層7的磁化，亦即，后者在界面區(qū)域平行于該反鐵磁層的磁矩被定方位。其結(jié)果為該鐵磁層7的磁化由交換偏移旋轉(zhuǎn)。此功能及此結(jié)構(gòu)亦為足夠已知的。
為達(dá)到設(shè)定該磁性層7及8的磁化及亦該反鐵磁層10的磁化之目的，該存儲(chǔ)單元裝置(其在此處僅以示意圖的形式被示出為細(xì)節(jié)及一般以在大面積晶圓上的多個(gè)進(jìn)一步內(nèi)存組件形成)被加熱至高于該反鐵磁層10的阻隔溫度T阻隔之溫度T。在高于阻隔溫度之溫度下，該反鐵磁層失去其反鐵磁性質(zhì)。該層的磁矩可由該外部磁場定位向，此種外部磁場H被施用，后者系大于飽和該磁性層7、8的磁化所需的飽和磁場Hs。由長箭頭表示的該層7、8的磁化被明顯地平行于該外部磁場被定位向，及該反鐵磁層10的磁矩亦相對應(yīng)地被定位向，接近該界面(其位于關(guān)于該磁性層7的界面區(qū)域)的磁矩平行地耦合于其。
此溫度接著被減少，故其系低于該阻隔溫度T阻隔，當(dāng)溫度低于該阻隔溫度時(shí)，該反鐵磁層10再次進(jìn)行至該反鐵磁狀態(tài)的瞬時(shí)；該磁化被”冷凍”。然而，該外部磁場仍以飽和方式存在。
如第2圖所示，經(jīng)由該角度α的旋轉(zhuǎn)接著被進(jìn)行，在此情況下α為90°，該反鐵磁層10的磁化明顯地維持在其原先設(shè)定的方向，亦即其不改變即使該外部飽和磁場H仍存在。該角度α為該層10的磁化方向關(guān)于該外部磁場H的角度，如第2圖所說明。
與該反鐵磁層10的固定磁化相反，在該存儲(chǔ)單元裝置關(guān)于固定外部磁場的旋轉(zhuǎn)之情況下，在旋轉(zhuǎn)期間該磁性層7及8的磁化旋轉(zhuǎn)，亦即他們?nèi)跃S持平行于該外部磁場H，如在第2圖所明顯示出。他們因而系在關(guān)于該反鐵磁層10的磁化方向的角度，該角度同樣地為α＝90°。
之后，參照第3圖，該外部磁場被關(guān)閉，此具經(jīng)不同指引的旋轉(zhuǎn)方法發(fā)生于該兩個(gè)磁性層7及8之作用。雖然該下方磁性層7(在所示實(shí)例中其系位于相鄰于該反鐵磁層10)的磁化被朝向右邊建立及因而平行于該反鐵磁層10(其系接近該界面)的磁矩，此系由在該兩層間強(qiáng)的交換耦合所主導(dǎo)，該磁性層8的磁化因?yàn)樵擇詈蠈?的耦合性質(zhì)而在相反方向旋轉(zhuǎn)。第3圖由斷線顯示該磁化的起始位置，如可由第2圖已知，及實(shí)箭頭表示在旋轉(zhuǎn)發(fā)生后的個(gè)別終端位置。明顯地，兩種磁化僅經(jīng)由相當(dāng)小的角度旋轉(zhuǎn)，稱之為經(jīng)由90°，其由先前所采用該存儲(chǔ)單元裝置關(guān)于該外部磁場的設(shè)定所主導(dǎo)，如參考第2圖所敘述。對該層7、8的個(gè)別磁化存在一種優(yōu)異的最短旋轉(zhuǎn)路徑以旋轉(zhuǎn)進(jìn)入以耦合指定方式所個(gè)別訂定的設(shè)定。因?yàn)榇溯^佳的旋轉(zhuǎn)方向，該磁化成為不同的磁化區(qū)域之分解或是不欲的360°壁的形成被排除。
第4圖顯示第一具體實(shí)施例的裝置11，其用做進(jìn)行參考第1-3圖所敘述的方法，其包括以旋轉(zhuǎn)桌13的形式之插座12，其可被旋轉(zhuǎn)如箭頭P所顯示。許多存儲(chǔ)單元裝置(其形成內(nèi)存裝置)及敘述于簡介的層系統(tǒng)形成于其上的基材14被排列于該旋轉(zhuǎn)桌，該旋轉(zhuǎn)桌13本身可權(quán)宜地被加熱。磁場產(chǎn)生裝置15系由兩個(gè)磁極N及S表示。為進(jìn)行此方法，該基材14被放置于該旋轉(zhuǎn)桌13，接著為高度的加熱及該外部飽和磁場的施用，之后為冷卻及后續(xù)的旋轉(zhuǎn)及最后該外部磁場的關(guān)閉被執(zhí)行，如參考第1-3圖所詳細(xì)敘述。
第5圖顯示根據(jù)本發(fā)明裝置的進(jìn)一步裝置16，在此裝置的情況下，該插座17系以可加熱的桌子形成，然而，其無法被旋轉(zhuǎn)?；?8亦要被排列在該插座17上。相反地，該磁場產(chǎn)生裝置19，其在此情況下亦再次以該兩個(gè)磁極N及S表示，以可旋轉(zhuǎn)方式被裝設(shè)于合適的旋轉(zhuǎn)裝置20，如以旋轉(zhuǎn)桌的方式，同樣地由箭頭P表示。一種產(chǎn)生均質(zhì)磁化的些微改良方法在此裝置的情況下為可能的。取代以在參考第2圖所敘述方式關(guān)于該固定磁場旋轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)單元裝置，此處該存儲(chǔ)單元裝置維持固定的，但該磁場被旋轉(zhuǎn)以進(jìn)行設(shè)定該角度α的目的。
整體言之，本發(fā)明提出一種容易進(jìn)行的方法，其不需任何額外耗時(shí)或昂貴的方法步驟及使得存儲(chǔ)單元裝置或存儲(chǔ)系統(tǒng)的相關(guān)層之均質(zhì)磁化可被進(jìn)行。
參考符號清單1 存儲(chǔ)單元裝置2 參考層系統(tǒng)3 去耦合層4 軟磁測量層系統(tǒng)5a、5b字符及位線路6 AAF層系統(tǒng)7 下方鐵磁層8 上方鐵磁層9 耦合層10反鐵磁層11裝置12插座13旋轉(zhuǎn)桌14基材15磁場產(chǎn)生裝置16裝置17插座18基材19磁場產(chǎn)生裝置20旋轉(zhuǎn)裝置T 溫度H 磁場P 箭頭N 極S 極
權(quán)利要求
1.一種均質(zhì)磁化數(shù)字磁存儲(chǔ)單元裝置交換耦合層系統(tǒng)之方法，其包括AAF層系統(tǒng)及交換耦合該AAF層系統(tǒng)層的反鐵磁層，其特征在于已知該反鐵磁層的磁化之經(jīng)訂定方向，該AAF層系統(tǒng)的該磁性層于磁場被飽和及之后，該反鐵磁層磁化的方向之位置及該飽和磁場彼此的方向被改變，故它們系在相對于彼此為0°＜α＜180°的角度α，之后該飽和磁場被關(guān)閉。
2.根據(jù)權(quán)利要求第1項(xiàng)的方法，其特征在于介于60°至120°的角度α，特別是90°，被設(shè)定。
3.根據(jù)權(quán)利要求第1或2項(xiàng)的方法，其特征在于為進(jìn)行設(shè)定該角度的目的，該存儲(chǔ)單元裝置可關(guān)于固定磁場被旋轉(zhuǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求第1或2項(xiàng)的方法，其特征在于為進(jìn)行設(shè)定該角度的目的，該磁場可關(guān)于該固定存儲(chǔ)單元裝置被移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求第1或2項(xiàng)的方法，其特征在于為進(jìn)行設(shè)定該角度的目的，該磁場及該存儲(chǔ)單元裝置被移動(dòng)。
6.根據(jù)先前權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其特征在于為設(shè)定該反鐵磁層的磁化之目的，溫度被增加至高于該層的阻隔溫度，在溫度增加期間，該飽和磁場存在，之后，溫度被減少及該層系統(tǒng)的磁化被設(shè)定。
7.一種磁阻存儲(chǔ)單元裝置，其具根據(jù)權(quán)利要求第1至6項(xiàng)其中一項(xiàng)的方法之磁化設(shè)定。
8.一種磁阻存儲(chǔ)裝置，其具許多根據(jù)權(quán)利要求第7項(xiàng)的存儲(chǔ)單元裝置。
9.一種裝置以進(jìn)行根據(jù)權(quán)利要求第1至6項(xiàng)其中一項(xiàng)的方法，其包括一種具至少一存儲(chǔ)單元裝置的基材之插座，及亦包括一磁場產(chǎn)生裝置，其特征在于該插座及該磁場產(chǎn)生裝置可關(guān)于彼此被旋轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求第9項(xiàng)的裝置，其特征在于該插座系為一種旋轉(zhuǎn)桌及該磁場產(chǎn)生裝置系為固定的。
11.根據(jù)權(quán)利要求第9項(xiàng)的裝置，其特征在于該插座系為固定的及該磁場產(chǎn)生裝置系為旋轉(zhuǎn)的。
12.根據(jù)權(quán)利要求第9至11項(xiàng)其中一項(xiàng)的裝置，其特征在于若該插座，及若適當(dāng)時(shí)該旋轉(zhuǎn)桌，可被加熱。
全文摘要
本發(fā)明系關(guān)于一種均質(zhì)磁化數(shù)字磁存儲(chǔ)位置裝置交換耦合層系統(tǒng)的方法，其包括AAF(仿反鐵磁))層系統(tǒng)及交換耦合該AAF層系統(tǒng)層的反鐵磁層之使用。當(dāng)該反鐵磁層的磁化方向被決定時(shí)，該AAF層系統(tǒng)的該磁性層于磁場飽和及之后，該反鐵磁層磁化的方向及該飽和磁場的方向彼此的方向被改變，由此系在相對于彼此為0度＜α＜180度的角度α，于是該飽和磁場被關(guān)閉。
文檔編號H01F10/16GK1630921SQ02822375
公開日2005年6月22日 申請日期2002年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月12日
發(fā)明者H·布雷克, U·克洛斯特曼恩, J·維克 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司