專利名稱：聚酰胺酰亞胺組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及導線涂料組合物。更具體而言，本發(fā)明涉及表現(xiàn)出抗微裂性的用于磁體導線的聚酰胺酰亞胺涂料組合物。
背景技術：
和發(fā)明概述聚酰胺酰亞胺和聚酰亞胺因為其優(yōu)越的熱學和電學性能而廣為人知，并因此廣泛用于磁體導線涂料和電子包裝應用中。上述兩種材料的一個缺陷是會形成微裂。在有或沒有引入溶劑的情況下都會形成微裂并擴展。隨著微裂的擴展，經(jīng)常出現(xiàn)沿薄膜層的裂紋。在清漆存在下，聚酰胺酰亞胺薄膜上的裂紋會催生許多垂直于導線或線圈的環(huán)狀微裂。裂紋也可能深入到底涂層，使其包覆的導線暴露，從而造成電氣故障。在磁體導線領域，上清漆工藝處理(其中通常施用水性環(huán)氧樹脂)之后，經(jīng)常會碰到電涌故障問題。
造成裂紋產(chǎn)生的機理尚不清楚。多年試驗數(shù)據(jù)提示裂紋由于殘余熱應力而產(chǎn)生，所述熱應力由于固化過程中溶劑揮發(fā)、酰亞胺化程度及聚酰胺酰亞胺和聚酯底涂層熱膨脹系數(shù)不同等因素而產(chǎn)生。隨著涂料厚度增加，熱膨脹引起的應力加大且被在磁體導線制造中常用的快速固化周期所擴大。
在分子水平上，熱應力是過度拉伸的聚酰胺酰亞胺鏈凝固、形態(tài)結構有缺陷、密度分布不規(guī)則及可能的凝膠微粒的結果。在清漆存在下，過度拉伸的聚酰胺酰亞胺鏈在系統(tǒng)熵驅(qū)動下趨于重卷，導致收縮并因此在宏觀上形成微裂。
溶劑或清漆誘導的抗微裂磁體導線用聚酰胺酰亞胺瓷漆日益重要，因為大多數(shù)現(xiàn)代繞線工藝趨于淘汰附加的應力消除設備。以下美國專利是使導線涂料的微裂效應最小化的各種努力的例證Hart等的美國專利第5,443,914號、Martino等的美國專利第5,567,781號、Lavallee等的美國專利第4,839,444號和Vassiliou等的美國專利第4,181,686號。
通過以下的描述，本發(fā)明的其它特征、特點、實施方案和替代方案將變得顯而易見。根據(jù)這些特征、特點、實施方案和替代方案，本發(fā)明的一個示例性實施方案提供了磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，所述組合物包括(a)選自二酸化合物、1，2，4-苯三酸酐、二苯甲酮四酸酐的化合物及其混合物；(b)二異氰酸酯化合物；(c)二羥基化合物；(d)三羥基化合物；(e)含氟聚合物；和(f)礦物填料。
本發(fā)明進一步提供磁體導線，所述磁體導線包括傳導元件；和傳導元件上的一層抗微裂導線涂料組合物，所述組合物包括(a)選自二酸化合物、1，2，4-苯三酸酐、二苯甲酮四酸酐的化合物及其混合物；(b)二異氰酸酯化合物；(c)二羥基化合物；(d)三羥基化合物；(e)含氟聚合物；和(f)礦物填料。
詳細說明在對承受電壓力的聚合物電纜絕緣材料的老化的研究中，已知樹枝狀微裂/裂紋在聚合物基質(zhì)的界面上以例如微孔和突起的不規(guī)則形式出現(xiàn)。少數(shù)大的樹枝狀微裂比很多微小的樹枝狀微裂對電氣故障更加有害，因此減少微裂的尺寸而不是減少它們的密度顯得更加重要。
本文所述實施方案部分基于這樣的現(xiàn)象半剛性/交聯(lián)聚酰胺酰亞胺限制了鏈的流動性并因此對溶劑誘導的微裂具抵抗性。此外，本發(fā)明部分基于這樣的現(xiàn)象分散的二次相使殘余應力最小化并因此減少了大的、有害的微裂的形成。
了解在室溫儲存和/或老化過程中出現(xiàn)的微裂形成與由溶劑在短時間內(nèi)誘導的微裂形成之間的區(qū)別，將有助于理解本文所公開的實施方案。在室溫儲存和/或老化過程中出現(xiàn)的微裂形成主要是一種與殘余熱應力有關的現(xiàn)象。由溶劑誘導的微裂形成由殘余應力和滲透性溶劑誘導的聚合物形態(tài)結構改變的組合導致。本發(fā)明的聚酰胺酰亞胺瓷漆能抗這兩種微裂形成現(xiàn)象。
本文提供的公開內(nèi)容提供了聚酰胺酰亞胺瓷漆，所述瓷漆可用于制造磁體導線并表現(xiàn)出清漆微裂抗性和優(yōu)越的機械和電學性能。
本發(fā)明實施方案的聚酰胺酰亞胺瓷漆組合物基于多種限制鏈流動性和收縮性并由此來減少微裂的設想。其中一個設想是規(guī)定酰亞胺和酰胺的最佳比例。另一個設想是在聚酰胺酰亞胺組合物中引入交聯(lián)機理。又一個設想是通過在薄膜中引入微粒而從化學上釋放由聚酰胺酰亞胺組合物形成的薄膜的局部應力。再一個設想是延遲清漆溶液滲入由聚酰胺酰亞胺組合物形成的薄膜。
已經(jīng)確定，提高分子量對減少清漆誘導的聚酰胺酰亞胺薄膜中的微裂影響甚微。但是已經(jīng)有結論，即微裂抗性與固化和交聯(lián)、酰胺與酰亞胺的比例以及薄膜涂料的分散的二次相和表面張力有關。
本發(fā)明公開的聚酰胺酰亞胺組合物包括以下成分(a)選自二酸化合物、1，2，4-苯三酸酐(TMA)或二苯甲酮四酸酐(BTDA)；
(b)二異氰酸酯化合物；(c)二羥基化合物；(d)三羥基化合物；(e)含氟聚合物；和(f)礦物填料。
二酸化合物的例子包括對、鄰和間苯二甲酸(p-PA、o-PA、IPA)、4，4′-氧-雙苯甲酸(OBBA)、二羧基封端的丙烯腈-丁二烯共聚物(DCPAB)和己二酸(AA)。二酸優(yōu)選與1，2，4-苯三酸酐一起使用。
二異氰酸酯化合物的例子包括4，4′-二苯基甲烷二異氰酸酯(MDI)和脂族二異氰酸酯。
二羥基化合物的例子包括二苯基硅烷二醇(DPSD)。
三羥基化合物的例子包括三(2-羥乙基)氰尿酸酯(THEIC)、氰尿酸和蜜胺衍生物。
含氟聚合物優(yōu)選聚四氟乙烯(PTFE)粉末。微粒狀PTFE最好用電子束處理，使得相應的熔點約為324℃。微粒狀PTFE的顆粒大小分布優(yōu)選為0.1至10微米。
礦物填料的例子包括二氧化鉬(MoO2)、二氧化鈦(TiO2)和熱解法二氧化硅(SiO2)。這些礦物填料的添加量為約0.3-10％。
本發(fā)明聚酰胺酰亞胺瓷漆組合物如下制備在非質(zhì)子溶劑和芳香稀釋劑的混合物中，使二酸化合物、1，2，4-苯三酸酐(TMA)或二苯甲酮四酸酐(BTDA)(成分a)與二異氰酸酯化合物(成分b)反應。反應在約70℃-160℃的溫度范圍內(nèi)進行約2-6小時。二異氰酸酯在化學計量上與二酸和1，2，4-苯三酸酐(TMA)混合物之和相當。用傅里葉變換紅外(FTIR)光譜法監(jiān)測二異氰酸酯基團的消失來確定反應終點。
所得反應混合物在約30℃-80℃的溫度范圍內(nèi)與二羥基化合物(成分c)或三羥基化合物(成分d)混合。
所得反應混合物進一步與含氟混合物(成分e)和/或礦物填料(成分f)混合。
發(fā)現(xiàn)所得反應混合物具有穩(wěn)定的配比，固體物含量約占27-33重量％。所得反應混合物的粘度在38℃用Brookfield粘度計測量為約1700cps至約5000cps。
在上述工藝中，成分(b)與成分(a)和(c)的摩爾比為約1.005-1.0比1.0。芳族二酸與脂族酸的摩爾比為約1-4比1.0。TMA與脂族二酸的摩爾比為約0.90-1.0比0-1.0。TMA與芳族二酸的摩爾比為約0.8-1.0比0-0.20。TMA與BDTA的摩爾比為約0.9-1.0比0-0.10。成分(a)-(c)的反應混合物與成分(d)的重量比為約1700克比約5-10克。成分(a)-(d)的反應混合物與成分(e)的重量比以固體份計為約0.5-10％。成分(a)-(e)的反應混合物與成分(f)的重量比以固體份計為約0.3-5％。成分(a)-(d)的反應混合物與成分(e)和(f)的優(yōu)選重量比以固體份計小于約10重量％。
本發(fā)明聚酰胺酰亞胺的一個實施方案由1.005-1.0摩爾MDI、0.8-1.0摩爾TMA、0.2-0.02摩爾芳族二酸和0.03-0.10摩爾脂族二酸組成。
以下給出的實施例用以說明而不是限制本發(fā)明，對本發(fā)明所作出的各種明顯的改動對本領域技術人員來說將是顯而易見的。除非另有指定，否則在實施例中和全文中，所述百分比為重量百分比。
在下面的實施例中，微裂用以下程序測定。在空氣中將涂有聚酰胺酰亞胺瓷漆組合物或以聚酰胺酰亞胺瓷漆組合物為罩面漆的導線樣品拉長5±1％。所得導線樣品在1/2英寸軸上繞成線圈。將成線圈的導線樣品浸入清漆中，然后在室溫下風干。將浸過清漆的成線圈導線樣品在150±5℃下烘烤10±1分鐘，然后在室溫下冷卻至少10分鐘。冷卻后，線圈在20X放大倍率下進行檢查。如下對微裂進行評級或分類“無”＝無可觀察到的微裂；“可忽略”＝難以看見的微裂；
“細小”＝容易觀察到的微裂；“少數(shù)”＝繞導線環(huán)面擴展存在三條或更少的微裂；“許多”＝繞導線環(huán)面擴展存在三條以上的微裂；“無”或“可忽略”的評級結果認為可以接受，其它的評級結果認為是不合格。
實施例1在這個實施例中，按照以下程序制備對照聚酰胺酰亞胺組合物。將1摩爾二苯基甲烷4，4′-二異氰酸酯(MDI)、0.70摩爾1，2，4-苯三酸酐(TMA)和0.30摩爾己二酸(AA)加入到N-甲基吡咯烷酮(NMP)和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時加入痕量versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、N-甲基吡咯烷酮(NMP)和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。對照聚酰胺酰亞胺的典型固體物含量和粘度分別為28％-30％和38℃下1800-2000cps。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例2在這個實施例中，按照如下程序制備半剛性聚酰胺酰亞胺組合物。將1摩爾MDI、0.87摩爾TMA、0.05摩爾AA、0.078摩爾間苯二甲酸(IPA)和0.0036摩爾二羧基封端的丙烯腈-丁二烯共聚物(DCPAB)加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
實施例3將1摩爾MDI、0.95摩爾TMA、0.05摩爾AA和0.002摩爾DCPAB加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時加入痕量versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例4將1摩爾MDI、0.95摩爾TMA、0.05摩爾二苯基硅氧烷二醇(diphenylsilosanediol)和0.002摩爾DCPAB加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例5將1摩爾MDI、0.975摩爾TMA和0.025摩爾二苯基硅氧烷(diphenylsilosanediol)二醇加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例6將1摩爾MDI、0.98摩爾TMA和0.02摩爾乙烯基封端的硅油加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例7將1摩爾MDI、0.95摩爾TMA、0.002摩爾DCPAB和0.02摩爾二苯甲酮四酸酐(BTDA)加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例8將1摩爾MDI、0.90摩爾TMA、0.037摩爾IPA、0.03摩爾AA、0.03摩爾BTDA和0.03摩爾DCPAB加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例9將1摩爾MDI、0.90摩爾TMA、0.07摩爾IPA和0.03摩爾AA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例10將1摩爾MDI、0.80摩爾TMA、0.15摩爾IPA和0.05摩爾AA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例11將1摩爾MDI和1摩爾TMA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。將約0.3％(重量％)的MoS2加入到瓷漆體系中。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例12將1摩爾MDI、0.95摩爾TMA和0.05摩爾AA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例13
將1摩爾MDI、0.95摩爾TMA、0.07摩爾IPA和0.03摩爾AA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例14將1摩爾MDI、0.95摩爾TMA、0.025摩爾IPA和0.025摩爾AA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例15將1摩爾MDI、0.95摩爾TMA和0.05摩爾4，4″-氧-二苯甲酸(OBBA)加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例16將1摩爾MDI、0.85摩爾TMA、0.05摩爾OBBA、0.05摩爾IPA和0.05摩爾AA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例17將1摩爾MDI、0.90摩爾TMA、0.02摩爾OBBA、0.05摩爾IPA和0.03摩爾AA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量乙烯基封端的硅油、versar蠟和脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
實施例18將1摩爾MDI、0.75摩爾TMA、0.15摩爾IPA和0.10摩爾p-TA加入到NMP和芳烴混合物(C9-C16)的混合溶劑中。同時還加入痕量脂族二異氰酸酯以使系統(tǒng)達到化學計量平衡。反應在70℃-90℃下進行，然后在120℃-150℃下進行，直到用FTIR測定發(fā)現(xiàn)所有的二異氰酸酯基團完全消失。此時用乙醇、NMP和芳烴混合物(C9-C16)停止反應。將PTFE漿加入到反應混合物中，其占總瓷漆溶液約1％。將溶于NMP的約0.15摩爾THEIC在約80℃下加入到反應中。
制備導線樣品并按照上述程序進行測定。導線樣品的性質(zhì)在下表1中顯示。
表1

表1(續(xù))

雖然本發(fā)明已對具體方法、材料和實施方案進行了描述，本領域技術人員可從以上描述容易地確定本發(fā)明的必要特征，并且在不背離以下權利要求所描述的本發(fā)明的宗旨和范圍下，可作出各種變化和更改以適應各種用途和特征。
權利要求
1.一種磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，所述組合物包括(a)選自二酸化合物、1，2，4-苯三酸酐、二苯甲酮四酸酐的化合物及其混合物；(b)二異氰酸酯化合物；(c)二羥基化合物；(d)三羥基化合物；(e)含氟聚合物；和(f)礦物填料。
2.權利要求1的磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，其中成分(a)為選自對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、4，4″-氧-二苯甲酸、二羧基封端的丙烯腈-丁二烯共聚物和己二酸的二酸化合物及其混合物。
3.權利要求2的磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，其中所述二酸化合物與1，2，4-苯三酸酐一起使用。
4.權利要求1的磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，其中所述二異氰酸酯化合物選自4，4′-二苯基甲烷二異氰酸酯、脂族二異氰酸酯及其混合物。
5.權利要求1的磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，其中所述二羥基化合物包括二苯基硅烷二醇。
6.權利要求1的磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，其中所述三羥基化合物選自三(2-羥乙基)氰尿酸酯、氰尿酸、蜜胺衍生物及其混合物。
7.權利要求1的磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，其中所述含氟聚合物包括聚四氟乙烯。
8.權利要求7的磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，其中所述聚四氟乙烯的熔點約為324℃。
9.權利要求1的磁體導線用抗微裂導線涂料組合物，其中所述礦物填料選自二氧化鉬、二氧化鈦、熱解法二氧化硅及其混合物。
10.一種磁體導線，所述磁體導線包括傳導元件；和所述傳導元件上的一層抗微裂導線涂料組合物，所述組合物包括(a)選自二酸化合物、1，2，4-苯三酸酐、二苯甲酮四酸酐的化合物及其混合物；(b)二異氰酸酯化合物；(c)二羥基化合物；(d)三羥基化合物；(e)含氟聚合物；和(f)礦物填料。
11.權利要求10的磁體導線，其中成分(a)為選自對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、4，4″-氧-二苯甲酸、二羧基封端的丙烯腈-丁二烯共聚物、己二酸的二酸化合物及其混合物。
12.權利要求11的磁體導線，其中二酸化合物與1，2，4-苯三酸酐一起使用。
13.權利要求10的磁體導線，其中所述二異氰酸酯化合物選自4，4′-二苯基甲烷二異氰酸酯、脂族二異氰酸酯及其混合物。
14.權利要求10的磁體導線，其中所述二羥基化合物包括二苯基硅烷二醇。
15.權利要求10的磁體導線，其中所述三羥基化合物選自三(2-羥乙基)氰尿酸酯、氰尿酸、蜜胺衍生物及其混合物。
16.權利要求10的磁體導線，其中所述含氟聚合物包括聚四氟乙烯。
17.權利要求10的磁體導線，其中所述礦物填料選自二氧化鉬、二氧化鈦、熱解法二氧化硅及其混合物。
18.權利要求10的磁體導線，所述磁體導線進一步包括位于所述傳導元件和抗微裂導線涂料組合物層之間的底涂層。
19.權利要求18的磁體導線，其中所述底涂層包括聚酰胺酰亞胺。
20.權利要求18的磁體導線，其中所述底涂層包括聚酯。
全文摘要
具有抵抗溶劑或清漆誘導的微裂性能的磁體導線用聚酰胺酰亞胺涂料組合物。所述聚酰胺酰亞胺組合物包括選自二酸化合物、1，2，4－苯三酸酐、二苯甲酮四酸酐的化合物及其混合物；二異氰酸酯化合物；二羥基化合物；三羥基化合物；含氟聚合物和礦物填料。
文檔編號H01B3/30GK1604974SQ02824958
公開日2005年4月6日 申請日期2002年10月16日 優(yōu)先權日2001年10月16日
發(fā)明者J·J·徐 申請人:菲爾普斯·道奇工業(yè)有限公司