專利名稱：封裝后測試參數(shù)分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種工藝參數(shù)分析方法，特別涉及一種封裝后測試參數(shù)的分析方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，要完成一半導(dǎo)體產(chǎn)品通常要經(jīng)過許多個工藝，例如光刻工藝、蝕刻工藝、離子注入工藝等；亦即在半導(dǎo)體制造過程中必須應(yīng)用到龐大數(shù)量的機(jī)臺，以及許多繁瑣的程序。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員皆致力于確保機(jī)臺運作正常、維持或提高產(chǎn)品合格率、偵測確認(rèn)問題點以及機(jī)臺維修等作業(yè)，以期使半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)速度及品質(zhì)能夠合乎客戶需求。
一般而言，要探討半導(dǎo)體工藝的問題可以從下列數(shù)項資料著手進(jìn)行分析，包括工藝參數(shù)資料、線上品質(zhì)測試(In-line QC)資料、缺陷檢測(defect inspection)資料、樣品測試(sample test)資料、晶片測試(wafer test)資料以及封裝后測試(final test)資料。其中，封裝后測試資料乃是當(dāng)晶片切割并進(jìn)行封裝程序后，對所制得的半導(dǎo)體組件進(jìn)行產(chǎn)品測試所得到的檢測值。
在現(xiàn)有技術(shù)中，請參照圖1所示，首先進(jìn)行步驟101，此時本領(lǐng)域技術(shù)人員會針對經(jīng)過封裝工藝之后的每一半導(dǎo)體組件進(jìn)行各項封裝后測試項目的測試，如半導(dǎo)體組件的接腳(pin)的電性測試。
接著，在步驟102中，本領(lǐng)域技術(shù)人員會觀察每一半導(dǎo)體組件的各項封裝后測試項目的結(jié)果，以便找出封裝后測試結(jié)果有偏差的產(chǎn)品。
步驟103是由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)經(jīng)驗，以及從步驟102中所選出的異常產(chǎn)品的封裝后測試結(jié)果，來判斷可能有問題的工藝站別，如封裝工藝，或是其它測試資料的站別有問題，如線上品質(zhì)檢測站別、樣品測試站別等。
最后，在步驟104中，本領(lǐng)域技術(shù)人員檢查步驟103所判斷的工藝站別中的各機(jī)臺，以便找出異常的機(jī)臺，或是重新設(shè)定步驟103所判斷的測試站別的各項測試設(shè)定值。舉例而言，若本領(lǐng)域技術(shù)人員判斷半導(dǎo)體組件的某一接腳有問題，可以搜索進(jìn)行此封裝工藝的工藝站別，并檢查出異常的機(jī)臺，如打線接合(wire bonding)機(jī)臺、封膠(molding)機(jī)臺等；另外，若本領(lǐng)域技術(shù)人員判斷半導(dǎo)體組件的問題是與先前的制造過程有關(guān)，則可能是之前的某一線上檢測站別有問題，導(dǎo)致無法有效地檢出有問題的產(chǎn)品，所以本領(lǐng)域技術(shù)人員會修正此一線上檢測站別的各項預(yù)設(shè)規(guī)格(spec)，以期在后續(xù)產(chǎn)品中避免相同問題發(fā)生。
然而，由于在現(xiàn)有技術(shù)中是利用人為經(jīng)驗判斷來決定分析結(jié)果(步驟103)及修正的數(shù)值(步驟104)，所以最后分析出來的結(jié)果的精確度及可信度將有待商榷；再加上半導(dǎo)體制造業(yè)的人士更迭頻繁，導(dǎo)致前后期工程師之間的經(jīng)驗傳承不易，且每一位工程師能力有限、無法兼顧廠區(qū)所有機(jī)臺的操作狀態(tài)，故當(dāng)半導(dǎo)體產(chǎn)品的測試結(jié)果發(fā)生異常時，工程師不見得有足夠的經(jīng)驗快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題，因而可能必須耗費許多時間來進(jìn)行相關(guān)研究，甚至有可能做出錯誤的判斷，如此一來，不但降低工藝的效率、增加生產(chǎn)成本，還無法及時改善線上生產(chǎn)情形以提高合格率。
因此，如何提供一種能夠在半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝后測試資料發(fā)生異常時，快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題、以及正確地更正預(yù)設(shè)規(guī)格的分析方法，正是當(dāng)前半導(dǎo)體制造技術(shù)的重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的是提供一種能夠在半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝后測試資料發(fā)生異常時，快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題的封裝后測試參數(shù)分析方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種能夠依據(jù)封裝后測試及線上品質(zhì)檢測或樣品測試的結(jié)果來修正線上品質(zhì)檢測或樣品測試的控制標(biāo)準(zhǔn)(control spec)的封裝后測試參數(shù)分析方法。
本發(fā)明的特征為以較佳的產(chǎn)品為對照組，并以統(tǒng)計及共通性分析手法來分析較差的產(chǎn)品的各項測試資料及機(jī)臺資料。
于是，為達(dá)上述目的，依本發(fā)明的封裝后測試參數(shù)分析方法為用以分析多批分別具有一批號的產(chǎn)品，每批產(chǎn)品經(jīng)過多個機(jī)臺所制得，且每批產(chǎn)品中的每一片晶片系經(jīng)過多道封裝后測試項目的檢測以產(chǎn)生多個封裝后測試參數(shù)值，這些封裝后測試項目、這些封裝后測試參數(shù)值、及與這些封裝后測試項目相關(guān)的一封裝工藝站別系儲存于一數(shù)據(jù)庫中，本方法包括以下多個步驟搜尋數(shù)據(jù)庫以取得每批產(chǎn)品的封裝后測試參數(shù)值；比較這些封裝后測試參數(shù)值以選出一具代表性的封裝后測試參數(shù)值及相對應(yīng)的一具代表性的封裝后測試項目；判斷具代表性的封裝后測試項目是否與封裝工藝站別相關(guān)；當(dāng)判斷相關(guān)時，分別比較多批產(chǎn)品的具代表性的封裝后測試項目的參數(shù)值與一預(yù)設(shè)規(guī)格，以便將具代表性的封裝后測試項目的參數(shù)值大于預(yù)設(shè)規(guī)格者區(qū)分為一個第一不合格產(chǎn)品，而將具代表性的封裝后測試項目的參數(shù)值小于預(yù)設(shè)規(guī)格者區(qū)分為一個第一合格產(chǎn)品組；搜尋第一合格產(chǎn)品組的各批產(chǎn)品于封裝工藝站別所經(jīng)過的機(jī)臺；搜尋第一不合格產(chǎn)品組的各批產(chǎn)品于封裝工藝站別所經(jīng)過的機(jī)臺；以及判斷第一不合格產(chǎn)品組經(jīng)過機(jī)率高于第一合格產(chǎn)品組經(jīng)過機(jī)率的機(jī)臺。
此外，每批產(chǎn)品中的每一片晶片都曾經(jīng)經(jīng)過與封裝后測試項目相關(guān)的一線上品質(zhì)檢測項目及一樣品測試項目的檢測以產(chǎn)生一線上品質(zhì)檢測參數(shù)值及一樣品測試參數(shù)值，而數(shù)據(jù)庫中還儲存有這些資料，而依本發(fā)明的封裝后測試參數(shù)分析方法更以統(tǒng)計分析手法來分析封裝后測試及線上品質(zhì)檢測或樣品測試的結(jié)果，以便修正線上品質(zhì)檢測或樣品測試的控制標(biāo)準(zhǔn)。
承上所述，因依本發(fā)明的封裝后測試參數(shù)分析方法是以較佳之?dāng)?shù)批產(chǎn)品為對照組，并以統(tǒng)計及共通性分析手法來分析較差的產(chǎn)品的各項測試資料及機(jī)臺資料，所以能夠在半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝后測試資料發(fā)生異常時，快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題，以便能夠正確地判斷出有問題的工藝站別，進(jìn)而找出異常的機(jī)臺，并能夠依據(jù)分析結(jié)果來修正線上品質(zhì)檢測或樣品測試的控制標(biāo)準(zhǔn)，所以能夠有效地減少人為判斷的錯誤來提高工藝的效率、減少生產(chǎn)成本、并及時改善線上生產(chǎn)情形以提高合格率。


圖1為一流程圖，顯示現(xiàn)有晶片測試參數(shù)分析方法的流程；圖2為一流程圖，顯示依本發(fā)明較佳實施例的封裝后測試參數(shù)分析方法的流程；以及圖3為一流程圖，顯示延續(xù)圖3所示的流程圖的流程。
具體實施例方式
以下將參照相關(guān)圖，說明依本發(fā)明較佳實施例的封裝后測試參數(shù)分析方法，其中相同的組件將以相同的參照符號加以說明。
如圖2所示，其顯示本發(fā)明較佳實施例的封裝后測試參數(shù)分析方法的流程圖。此實施例可分析并找出問題封裝機(jī)臺。
如圖2所示，首先，在步驟201中，依本發(fā)明較佳實施例的封裝后測試參數(shù)分析方法先搜尋多批產(chǎn)品的多個封裝后測試參數(shù)值，然后步驟202比較這些封裝后測試參數(shù)值，然后選出一具代表性的封裝后測試參數(shù)值及相對應(yīng)的一具代表性的封裝后測試項目。舉例而言，假設(shè)共有n批產(chǎn)品，而所分析的封裝后測試項目有A項目、B項目及C項目三種，則所有的封裝后測試參數(shù)值如下表所示

其中所顯示的各項百分比為各批號在各封裝后測試項目的不合格率；在本步驟中，所選出的具代表性的封裝后測試項目為平均值最高者，即A項目。換言之，此具代表性的封裝后測試項目為扼殺(killed)封裝后測試項目，其為多批產(chǎn)品中不合格率的平均值最高的封裝后測試項目。
在本實施例中，每一批(lot)產(chǎn)品具有一批號(lot number)，且每批產(chǎn)品包括有25片晶片，而每批產(chǎn)品經(jīng)過多道工藝的多個機(jī)臺，最后經(jīng)過多道封裝后測試項目的檢測以產(chǎn)生多個封裝后測試參數(shù)值。
接著，步驟203可判斷具代表性的封裝后測試項目是否與封裝工藝站別相關(guān)。一般而言，每一道封裝后測試項目會與某些特定的工藝機(jī)臺相關(guān)，而本實施例可將此相關(guān)性儲存于一數(shù)據(jù)庫中，以避免人為的判斷。
當(dāng)步驟203判斷此具代表性的封裝后測試項目與封裝工藝站別不相關(guān)時，本方法會從其它相關(guān)工藝著手進(jìn)行分析(如圖3所示)，如線上品質(zhì)檢測、或樣品測試等。當(dāng)步驟203判斷此具代表性的封裝后測試項目與封裝工藝站別相關(guān)時，接著進(jìn)行步驟204，其依據(jù)具代表性的封裝后測試項目將多批產(chǎn)品區(qū)分為至少一個第一合格產(chǎn)品組及一個第一不合格產(chǎn)品組。舉例而言，本步驟分析比較每批產(chǎn)品的A項目的參數(shù)值(不合格率)是否大于A項目的預(yù)設(shè)規(guī)格(如20％)，若不是，則將此批產(chǎn)品歸類于A組(第一合格產(chǎn)品組)產(chǎn)品，例如包括批號1、2、3、4、及5(如步驟205所示)；若是，則將此批產(chǎn)品歸類于B組(第一不合格產(chǎn)品組)產(chǎn)品，例如包括批號6、7、8、9、及10(如步驟206所示)。
然后，步驟207計算B組產(chǎn)品中，所有產(chǎn)品經(jīng)過此封裝工藝站別的多個機(jī)臺的機(jī)率；一般而言，一封裝工藝站別包括多個機(jī)臺，例如E1，E2，E3…。另外，步驟208可計算A組產(chǎn)品經(jīng)過此封裝工藝站別的這些機(jī)臺的機(jī)率。最后，于步驟209中，利用共通性分析手法，找出B組產(chǎn)品經(jīng)過機(jī)率高于A組產(chǎn)品經(jīng)過機(jī)率的機(jī)臺。因此，由步驟209所求得的這些B組產(chǎn)品經(jīng)過機(jī)率高的機(jī)臺，就是依本發(fā)明較佳實施例的封裝后測試參數(shù)分析方法所分析出的可能有問題的封裝機(jī)臺。
另外，請參照圖3所示，當(dāng)步驟203判斷具代表性的封裝后測試項目與封裝工藝站別不相關(guān)時，接著會進(jìn)行步驟301，其系依據(jù)具代表性的封裝后測試項目將多批產(chǎn)品區(qū)分為一第二合格產(chǎn)品組及第二不合格產(chǎn)品組。在本實施例中，本步驟系分析比較每批產(chǎn)品的A項目的參數(shù)值(不合格率)是否大于A項目的預(yù)設(shè)規(guī)格(如20％)，若否則將此批產(chǎn)品歸類于第二合格產(chǎn)品組；若是則將此批產(chǎn)品歸類于第二不合格產(chǎn)品組。
接著，步驟302自數(shù)據(jù)庫中分別搜尋第二合格產(chǎn)品組及第二不合格產(chǎn)品組中，與A項目(具代表性的封裝后測試項目)相關(guān)的線上品質(zhì)檢測項目或樣品測試項目及其參數(shù)值。在本實施例中，本步驟系選出與A項目相關(guān)的一線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)。
然后，步驟304及步驟305系以統(tǒng)計方式分析第二不合格產(chǎn)品組的搜尋結(jié)果與第二合格產(chǎn)品組的搜尋結(jié)果是否有差異。在本實施例中，步驟304先分析步驟303所搜尋到的線上品質(zhì)檢測項目的參數(shù)值，以計算出其平均數(shù)(mean)及變異數(shù)(variance)；然后步驟305比較第二不合格產(chǎn)品組的線上品質(zhì)檢測參數(shù)值的平均數(shù)及變異數(shù)與第二合格產(chǎn)品組的線上品質(zhì)檢測參數(shù)值的平均數(shù)及變異數(shù)，以判斷出二者之間是否有差異。若步驟305的判斷結(jié)果顯示二者無差異時，則表示造成A項目不合格率過高的原因并非為步驟302所選出的線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)，此時便停止分析；若步驟305的判斷結(jié)果顯示二者有差異時，則表示造成A項目不合格率過高的原因與步驟302所選出的線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)可能相關(guān)，于是便接著進(jìn)行步驟306。
在步驟306～311中，主要是要分析出造成線上品質(zhì)檢測項目出問題的原因為何，并設(shè)法提供修正線上品質(zhì)檢測項目的控制標(biāo)準(zhǔn)(controlspec)的方法。
在步驟306中，依據(jù)步驟302所選出的線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)的預(yù)設(shè)規(guī)格，以統(tǒng)計方式計算出第二不合格產(chǎn)品組的不合規(guī)格(out of spec)部分與第二合格產(chǎn)品組的不合規(guī)格部分的數(shù)量，及二者分別占第二不合格產(chǎn)品組與第二合格產(chǎn)品組的產(chǎn)品批數(shù)的比例。在本實施例中，線上品質(zhì)檢測項目的預(yù)設(shè)規(guī)格為一定范圍，其具有一預(yù)設(shè)規(guī)格上限(up spec limit)及一預(yù)設(shè)規(guī)格下限(low spec limit)。因此，本步驟系計算出第二不合格產(chǎn)品組中超過預(yù)設(shè)規(guī)格上限的產(chǎn)品批數(shù)占第二不合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例PaL，與第二合格產(chǎn)品組中超過預(yù)設(shè)規(guī)格上限的產(chǎn)品批數(shù)占第二合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例PaH；另外，本步驟亦計算出第二不合格產(chǎn)品組中低于預(yù)設(shè)規(guī)格下限的產(chǎn)品批數(shù)占第二不合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例PbL，與第二合格產(chǎn)品組中低于預(yù)設(shè)規(guī)格下限的產(chǎn)品批數(shù)占第二合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例PbH。
接著，步驟307分別比較PaL與PaH、及PbL與PbH，以便判斷在第二合格產(chǎn)品組及第二不合格產(chǎn)品組中超過預(yù)設(shè)規(guī)格上限的部分及低于預(yù)設(shè)規(guī)格下限的部分是否有差異。若步驟307判斷的結(jié)果為有差異時，進(jìn)行步驟308，其系判斷造成具代表性的封裝后測試參數(shù)值(扼殺封裝后測試項目之參數(shù)值)過高的原因是由步驟302所搜尋到的線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)的測試結(jié)果偏移所造成。在本實施例中，步驟308可以利用一CDF圖輸出步驟302所搜尋到的線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)的測試結(jié)果，因此，工程師可以參考此CDF圖來校準(zhǔn)修正線上品質(zhì)檢測的規(guī)格資料。
另外，若步驟307判斷的結(jié)果為無差異時，進(jìn)行步驟309，其依據(jù)一縮小規(guī)格(narrowed spec)以統(tǒng)計方式分析第二不合格產(chǎn)品組的不合縮小規(guī)格(out of narrowed spec)部分與該第二合格產(chǎn)品組的不合縮小規(guī)格部分的數(shù)量，及二者分別占第二不合格產(chǎn)品組與第二合格產(chǎn)品組的產(chǎn)品批數(shù)的比例。在本實施例中，線上品質(zhì)檢測項目的縮小規(guī)格為一定范圍，其具有一縮小規(guī)格上限(up narrowed spec limit)及一縮小規(guī)格下限(low narrowed spec limit)。需注意的是，上述的預(yù)設(shè)規(guī)格的范圍通常為此線上品質(zhì)檢測制程的標(biāo)準(zhǔn)差的六倍，而縮小規(guī)格上限與預(yù)設(shè)規(guī)格上限相差一倍的標(biāo)準(zhǔn)差，縮小規(guī)格下限與預(yù)設(shè)規(guī)格上限相差一倍的標(biāo)準(zhǔn)差，所以縮小規(guī)格的范圍通常為此標(biāo)準(zhǔn)差的四倍。
因此，步驟309計算出第二不合格產(chǎn)品組中超過縮小規(guī)格上限的產(chǎn)品批數(shù)占第二不合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例PaL’，與第二合格產(chǎn)品組中超過縮小規(guī)格上限的產(chǎn)品批數(shù)占第二合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例PaH’；另外，本步驟亦計算出第二不合格產(chǎn)品組中低于縮小規(guī)格下限的產(chǎn)品批數(shù)占第二不合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例PbL’，與第二合格產(chǎn)品組中低于縮小規(guī)格下限的產(chǎn)品批數(shù)占第二合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例PbH’。
接著，步驟310系分別比較paL’與PaH’、及PbL’與PbH’，以便判斷在第二合格產(chǎn)品組及第二不合格產(chǎn)品組中超過縮小規(guī)格上限的部分及低于縮小規(guī)格下限的部分是否有差異。若步驟307判斷的結(jié)果為無差異時，則表示造成A項目不合格率過高的原因并非為步驟302所選出的線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)，此時便停止分析；若步驟310判斷的結(jié)果為有差異時，進(jìn)行步驟311，其系判斷造成具代表性的封裝后測試參數(shù)值(扼殺封裝后測試項目的參數(shù)值)過高的原因是由步驟302所搜尋到的線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)的測試結(jié)果偏移所造成。在本實施例中，步驟311亦可以利用一CDF圖輸出步驟302所搜尋到的線上品質(zhì)檢測項目(如步驟303所示)的測試結(jié)果，因此，工程師可以參考此CDF圖來校準(zhǔn)修正線上品質(zhì)檢測的規(guī)格資料。
另外，在本發(fā)明的另一較佳實施例中，步驟302所搜尋到的可以是一樣品測試項目，此時，在上述步驟303～311中，所分析比較者即從線上品質(zhì)檢測項目改為樣品測試項目(圖中未顯示)，其分析結(jié)果同樣能夠提供給工程師以校準(zhǔn)修正樣品測試的規(guī)格資料。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于用以分析多批分別具有一批號的產(chǎn)品，該多批產(chǎn)品經(jīng)過多個機(jī)臺所制得，而每批產(chǎn)品中的每一片晶片經(jīng)過多道封裝后測試項目的檢測以產(chǎn)生多個封裝后測試參數(shù)值，這些封裝后測試項目、這些封裝后測試參數(shù)值、及與這些封裝后測試項目相關(guān)的一封裝工藝站別儲存于一數(shù)據(jù)庫中，該封裝后測試參數(shù)分析方法包含搜尋該數(shù)據(jù)庫以取得該多批產(chǎn)品的封裝后測試參數(shù)值；比較這些封裝后測試參數(shù)值以選出一具代表性的封裝后測試參數(shù)值及相對應(yīng)的一具代表性的封裝后測試項目；判斷該具代表性的封裝后測試項目是否與該封裝工藝站別相關(guān)；當(dāng)判斷該具代表性的封裝后測試項目與該封裝工藝站別相關(guān)時，依據(jù)該具代表性的封裝后測試項目將該多批產(chǎn)品區(qū)分為至少二個第一產(chǎn)品組，這些第一產(chǎn)品組包含一個第一合格產(chǎn)品組及一個第一不合格產(chǎn)品組；搜尋該第一合格產(chǎn)品組于該封裝工藝站別所經(jīng)過的機(jī)臺；搜尋該第一不合格產(chǎn)品組于該封裝工藝站別所經(jīng)過的機(jī)臺；以及判斷該第一不合格產(chǎn)品組經(jīng)過機(jī)率高于該第一合格產(chǎn)品組經(jīng)過機(jī)率的機(jī)臺。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于該具代表性的封裝后測試項目為一扼殺封裝后測試項目。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于利用共通性分析手法來判斷該第一不合格產(chǎn)品組經(jīng)過機(jī)率高于該第一合格產(chǎn)品組經(jīng)過機(jī)率的機(jī)臺。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于每批產(chǎn)品中的每一片晶片經(jīng)過與該封裝后測試項目相關(guān)的一線上品質(zhì)檢測項目及一樣品測試項目的檢測以產(chǎn)生一線上品質(zhì)檢測參數(shù)值及一樣品測試參數(shù)值，該數(shù)據(jù)庫更儲存有該線上品質(zhì)檢測項目、該樣品測試項目、該線上品質(zhì)檢測參數(shù)值及該樣品測試參數(shù)值，該封裝后測試參數(shù)分析方法還包含當(dāng)判斷該具代表性的封裝后測試項目與該封裝工藝站別不相關(guān)時，依據(jù)該具代表性的封裝后測試項目將該多批產(chǎn)品區(qū)分為至少二個第二產(chǎn)品組，這些第二產(chǎn)品組包含一個第二合格產(chǎn)品組及一個第二不合格產(chǎn)品組；自該數(shù)據(jù)庫中分別搜尋該第二合格產(chǎn)品組及該第二不合格產(chǎn)品組中與該具代表性的封裝后測試項目相關(guān)的該線上品質(zhì)檢測項目及該樣品測試項目其中的至少一個、及相對應(yīng)的該線上品質(zhì)檢測參數(shù)值及該樣品測試參數(shù)值其中的至少一個；以統(tǒng)計方式分析該第二不合格產(chǎn)品組的搜尋結(jié)果與該第二合格產(chǎn)品組的搜尋結(jié)果是否有差異；當(dāng)搜尋結(jié)果的分析結(jié)果為無差異時，停止分析動作；當(dāng)搜尋結(jié)果的分析結(jié)果為有差異時，依據(jù)一預(yù)設(shè)規(guī)格以統(tǒng)計方式分析該第二不合格產(chǎn)品組的不合規(guī)格部分與該第二合格產(chǎn)品組的不合規(guī)格部分是否為明顯差異；當(dāng)依據(jù)該預(yù)設(shè)規(guī)格的分析結(jié)果為有明顯差異時，判斷造成該具代表性的封裝后測試參數(shù)值過高的原因為所搜尋到的與該具代表性的封裝后測試項目相關(guān)的該線上品質(zhì)檢測項目及該樣品測試項目其中的至少一個的測試結(jié)果偏移；當(dāng)依據(jù)該預(yù)設(shè)規(guī)格的分析結(jié)果為無明顯差異時，依據(jù)一縮小規(guī)格以統(tǒng)計方式分析該第二不合格產(chǎn)品組的不合縮小規(guī)格部分與該第二合格產(chǎn)品組的不合縮小規(guī)格部分是否為明顯差異；當(dāng)依據(jù)該縮小規(guī)格的分析結(jié)果為無明顯差異時，停止分析動作；以及當(dāng)依據(jù)該縮小規(guī)格的分析結(jié)果為有明顯差異時，判斷該具代表性的封裝后測試參數(shù)值過高是由所搜尋到的與該具代表性的封裝后測試項目相關(guān)的該線上品質(zhì)檢測項目及該樣品測試項目其中的至少一個所造成的。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于判斷該第二不合格產(chǎn)品組的搜尋結(jié)果與該第二合格產(chǎn)品組的搜尋結(jié)果的平均數(shù)及變異數(shù)是否有差異，來分析該第二不合格產(chǎn)品組的搜尋結(jié)果與該第二合格產(chǎn)品組的搜尋結(jié)果是否有差異。
6.如權(quán)利要求4所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于該預(yù)設(shè)規(guī)格具有一預(yù)設(shè)規(guī)格上限及一預(yù)設(shè)規(guī)格下限。
7.如權(quán)利要求6所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于比較該第二不合格產(chǎn)品組中超過該預(yù)設(shè)規(guī)格上限的產(chǎn)品批數(shù)占該第二不合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例，與該第二合格產(chǎn)品組中超過該預(yù)設(shè)規(guī)格上限的產(chǎn)品批數(shù)占該第二合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例是否有差異。
8.如權(quán)利要求6所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于比較該第二不合格產(chǎn)品組中低于該預(yù)設(shè)規(guī)格下限的產(chǎn)品批數(shù)占該第二不合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例，與該第二合格產(chǎn)品組中低于該預(yù)設(shè)規(guī)格下限的產(chǎn)品批數(shù)占該第二合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例是否有差異。
9.如權(quán)利要求6所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于該縮小規(guī)格具有一縮小規(guī)格上限及一縮小規(guī)格下限，該縮小規(guī)格上限小于該預(yù)設(shè)規(guī)格上限，該縮小規(guī)格下限大于該預(yù)設(shè)規(guī)格下限。
10.如權(quán)利要求9所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于該預(yù)設(shè)規(guī)格的范圍為一標(biāo)準(zhǔn)差的六倍，而該縮小規(guī)格上限與該預(yù)設(shè)規(guī)格上限相差一倍的該標(biāo)準(zhǔn)差，該縮小規(guī)格下限與該預(yù)設(shè)規(guī)格上限相差一倍的該標(biāo)準(zhǔn)差。
11.如權(quán)利要求8所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于比較該第二不合格產(chǎn)品組中超過該縮小規(guī)格上限的產(chǎn)品批數(shù)占該第二不合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例，與該第二合格產(chǎn)品組中超過該縮小規(guī)格上限的產(chǎn)品批數(shù)占該第二合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例是否有差異。
12.如權(quán)利要求8所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于比較該第二不合格產(chǎn)品組中低于該縮小規(guī)格下限的產(chǎn)品批數(shù)占該第二不合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例，與該第二合格產(chǎn)品組中低于該縮小規(guī)格下限的產(chǎn)品批數(shù)占該第二合格產(chǎn)品組的總產(chǎn)品批數(shù)的比例是否有差異。
13.如權(quán)利要求4所述的封裝后測試參數(shù)分析方法，其特征在于當(dāng)依據(jù)該預(yù)設(shè)規(guī)格的分析結(jié)果為有明顯差異時，利用一CDF plots輸出所搜尋到的與該具代表性的封裝后測試項目相關(guān)的該線上品質(zhì)檢測項目及該樣品測試項目其中的至少一個的測試結(jié)果、或是利用一CDFplots輸出所搜尋到的與該具代表性的封裝后測試項目相關(guān)的該線上品質(zhì)檢測項目及該樣品測試項目其中的至少一個的測試結(jié)果。
全文摘要
一種封裝后測試參數(shù)分析方法，用以分析多批分別具有批號的產(chǎn)品，經(jīng)多個機(jī)臺所制得，且每批產(chǎn)品中每片晶片經(jīng)多道封裝后檢測以產(chǎn)生測試參數(shù)值，這些測試項目和參數(shù)值、及與其相關(guān)的封裝工藝站別儲存于一數(shù)據(jù)庫中，本方法包括以下步驟搜尋數(shù)據(jù)庫以取得每批產(chǎn)品的封裝后測試參數(shù)值；比較這些參數(shù)值，選出一具代表性參數(shù)值及項目；判斷測試項目是否與封裝工藝站別相關(guān)；當(dāng)判斷相關(guān)時，依據(jù)代表性的封裝后測試項目將多批產(chǎn)品區(qū)分為至少一個第一合格產(chǎn)品組及第一不合格產(chǎn)品組；搜尋第一合格產(chǎn)品組于封裝工藝站別所經(jīng)過的機(jī)臺；搜尋第一不合格產(chǎn)品組于封裝工藝站別所經(jīng)過的機(jī)臺；及判斷第一不合格產(chǎn)品組經(jīng)過機(jī)率高于第一合格產(chǎn)品組經(jīng)過機(jī)率的機(jī)臺。
文檔編號H01L21/66GK1521823SQ0310224
公開日2004年8月18日 申請日期2003年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月28日
發(fā)明者戴鴻恩, 陳建中 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司