專利名稱：一種閃存單元及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失性(non-volatile)存儲單元結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種閃存單元及其操作方法。
背景技術(shù)：
如圖1所示，現(xiàn)有的閃存單元1包括一基底10、一漏極11、一源極12、二場氧化層13、一控制柵極14、一浮置柵極15以及一P型井(P well)16。其中，漏極11與源極12形成于基底10中，且位于二場氧化層13之間，而在漏極11與源極12之間形成有一堆疊式柵極，其中包括有控制柵極14與浮置柵極15，另外，P型井16植入在漏極11與源極12周圍。如圖所示，一柵極電壓VG施加于控制柵極14上，用以控制閃存單元1，浮置柵極15為浮置狀態(tài)。當(dāng)執(zhí)行閃存單元1的編程操作時，柵極電壓VG為-9V，施于漏極11的漏極電壓VD為6V，源極12的源極電壓VS為浮置狀態(tài)，而施于基底10的基底電壓VB為0V。如此，將使得位于浮置柵極15中的電子(e-)因邊緣富勒-諾得亥姆效應(yīng)(edge Fowler-Nordheim effect)而使電子射出浮置柵極15到達(dá)漏極11以編程此閃存單元1。但在施加電壓于漏極11時，此電壓會在漏極11外形成空乏區(qū)(depletion region)17，并會產(chǎn)生熱電洞(e+)，在通過橫向電場(lateral electric field)的作用下，會造成熱電洞注入(hot hole injection)的現(xiàn)象，其嚴(yán)重影響閃存單元1的正常操作。
現(xiàn)有技術(shù)針對上述缺陷提出一種改良的閃存單元及其操作方式。如圖2所示，此方法的不同點在于將漏極11與P型井16電性短路連接在一起，并以相同的電壓，如VD＝6V施加于其上，而且利用信道富勒-諾得亥姆效應(yīng)(channel Fowler-Nordheim effect)來操作此閃存單元。因此，在漏極11與P型井16間的接面便不會形成空乏區(qū)，也不會有熱電洞產(chǎn)生。
雖然利用信道富勒-諾得亥姆效應(yīng)來操作上述閃存單元可以改善缺失，然而，因為是將漏極11與P型井16電性短路連接在一起，而P型井16在基底10中延伸，其有可能會影響鄰近的源極12，甚至影響相鄰閃存單元的正常操作。
為避免將漏極11與P型井16電性短路連接在一起，而影響鄰近的源極區(qū)所造成的問題，美國專利第6,091,644號中提出另一種閃存單元2，如圖3所示，其包括一基底20、一第一型離子摻雜區(qū)25、一第二型離子淺摻雜區(qū)26、一第二型離子深摻雜區(qū)27及一源極摻雜區(qū)28。其中，基底20具有一場氧化層21與一堆疊式柵極，場氧化層21下方形成有一信道阻絕層22，堆疊式柵極包括一控制柵極23及一浮置柵極24。在閃存單元2中，第一型離子摻雜區(qū)25為閃存單元2的漏極，第二型離子深摻雜區(qū)27為P型井，而源極摻雜區(qū)28為閃存單元2的源極，因此，每一漏極便對應(yīng)一P型井，此時，即使將漏極與P型井電性短路連接在一起，也不會如圖2所示的閃存單元一樣，影響到鄰近的源極與相鄰閃存單元的正常操作。
然而，在閃存單元2中，由于漏極與P型井電性短路連接在一起，所以在進行編程操作時，P型井會達(dá)到與漏極相同的電壓位準(zhǔn)；同時，與待編程的閃存單元2相鄰的閃存單元(圖中未顯示)具有相同的控制柵極電壓位準(zhǔn)，所以，此相鄰的閃存單元會產(chǎn)生邊緣編程干擾現(xiàn)象(edge program disturb issue)；而為了避免邊緣編程干擾現(xiàn)象，現(xiàn)有技術(shù)將浮置柵極邊緣的穿遂氧化層(tunnel oxide layer)加厚，但是，這樣不但制程上不易控制，而且會降低產(chǎn)品的可靠度。另外，在閃存單元2中在編程(program)時還會使得相鄰的閃存單元有漏電的問題；一般而言，本技術(shù)領(lǐng)域人員在其它閃存單元的控制柵極施加一特定電壓，如-2V，以減低在編程時的漏電問題，如不施加一負(fù)電壓，將會增加電路中電荷充電(charging pumping)的負(fù)荷，進而可能造成閃存單元操作上的故障。
如上所述，如何提供一種改良的閃存單元，以避免產(chǎn)生邊緣編程干擾，并減少過度編程現(xiàn)象及在編程時的漏電問題，正是當(dāng)前內(nèi)存制造技術(shù)的重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠避免邊緣編程干擾現(xiàn)象及過度編程現(xiàn)象的閃存單元及其操作方法。
為達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的閃存單元在堆疊式柵極一側(cè)形成有一選擇柵極。
根據(jù)本發(fā)明的閃存單元包括一基底、一選擇柵極、一第一型離子摻雜區(qū)、一第二型離子淺摻雜區(qū)、一第二型離子深摻雜區(qū)以及一源極摻雜區(qū)。在本發(fā)明中，基底具有一堆疊式柵極；選擇柵極形成于基底上并位于堆疊式柵極的一側(cè)；第一型離子摻雜區(qū)位于基底中并與選擇柵極鄰設(shè)，以作為閃存單元的漏極；第二型離子淺摻雜區(qū)位于堆疊式柵極下方并與第一型離子摻雜區(qū)連接；第二型離子深摻雜區(qū)位于第一型離子摻雜區(qū)周圍，并與第二型離子淺摻雜區(qū)連接；而源極摻雜區(qū)鄰設(shè)于第二型離子淺摻雜區(qū)一側(cè)以作為閃存單元的源極。
另外，本發(fā)明還提供一種閃存單元操作方法，其應(yīng)用于上述的閃存單元。在本發(fā)明中，當(dāng)執(zhí)行一編程操作時，控制柵極施以一高位準(zhǔn)電壓，漏極施加一相對低于控制柵極的電壓，源極為浮置狀態(tài)而選擇柵極則為接地狀態(tài)；當(dāng)執(zhí)行一擦除操作時，在控制柵極施一低位準(zhǔn)電壓，在選擇柵極施一相對高于控制柵極的電壓，而源極與漏極為浮置狀態(tài)；當(dāng)執(zhí)行一讀取操作時，在控制柵極施一字符線電壓，在源極施一相對低于字符線電壓的電壓，漏極為接地狀態(tài)，選擇柵極為一電壓源電壓(power voltage)。
如上所述，由于根據(jù)本發(fā)明的閃存單元具有選擇柵極，而本發(fā)明的閃存單元操作方法在選擇柵極施加高位準(zhǔn)電壓，以便將位于浮置柵極中的電子射出到達(dá)選擇柵極，其不同于現(xiàn)有的施加高位準(zhǔn)電壓于漏極，所以可以有效地避免邊緣編程干擾現(xiàn)象及過度編程現(xiàn)象的產(chǎn)生。


圖1為現(xiàn)有的閃存單元及其操作的示意圖。
圖2為另一現(xiàn)有的閃存單元及其操作的示意圖。
圖3為在美國專利第6,091,644號中所揭露的閃存單元的示意圖。
圖4A為一示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元，其中未顯示源極摻雜區(qū)。
圖4B～4C為示意圖，顯示依本發(fā)明另一較佳實施例之閃存單元，其中系顯示源極摻雜區(qū)。
圖4D為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元的上視圖。
圖5A～5C為根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元操作方法的電路圖。
圖6A～6C為示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明另一較佳實施例的閃存單元操作方法的電路圖。
圖7A～7C為示意圖，顯示根據(jù)本發(fā)明又一較佳實施例的閃存單元操作方法的電路圖。
圖中的符號說明1 閃存單元10 基底11 漏極12 源極13 場氧化層14 控制柵極15 浮置柵極16 P型井17 空乏區(qū)2 閃存單元20 基底21 場氧化層22 信道阻絕層23 控制柵極24 浮置柵極25 第一型離子摻雜區(qū)26 第二型離子淺摻雜區(qū)27 第二型離子深摻雜區(qū)28 源極摻雜區(qū)
3 閃存單元30 基底31 場氧化層32 信道阻絕層33 控制柵極34 浮置柵極35 第一型離子摻雜區(qū)36 第二型離子淺摻雜區(qū)37 第二型離子深摻雜區(qū)38 選擇柵極39 源極摻雜區(qū)310 淺摻雜區(qū)310’淺摻雜區(qū)LDD4 閃存單元5 閃存單元50 閃存單元G 堆疊式柵極VB基底電壓VBL位線電壓VD漏極電壓VG柵極電壓VS源極電壓VSG控制柵極電壓VSL源極線電壓VWL字符線電壓具體實施方式
以下配合附圖，說明根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元及其操作方法，其中相同的組件將以相同的符號加以說明。
如圖4A所示，根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元3包括一基底30、一第一型離子摻雜區(qū)35、一第二型離子淺摻雜區(qū)36、一第二型離子深摻雜區(qū)37以及一選擇柵極38。
在本實施例中，基底30具有第一場氧化層31與一堆疊式柵極G，在第一場氧化層下方形成有一信道阻絕層32，其可為N型離子摻雜區(qū)，堆疊式柵極G包括一控制柵極33以及一浮置柵極34。
選擇柵極38形成于基底30上，并位于堆疊式柵極G的一側(cè)。
第一型離子摻雜區(qū)35位于基底30中并鄰設(shè)于選擇柵極38，也就是位于選擇柵極38與第一場氧化層31之間，以作為閃存單元3的漏極。在本實施例中，第一型離子摻雜區(qū)35可以是N型離子摻雜區(qū)。
第二型離子淺摻雜區(qū)36位于堆疊式柵極G下方并與第一型離子摻雜區(qū)35連接。在本實施例中，第二型離子淺摻雜區(qū)36可以是P型離子淺摻雜區(qū)。
第二型離子深摻雜區(qū)37位于第一型離子摻雜區(qū)35周圍，并與第二型離子淺摻雜區(qū)36連接。在本實施例中，第二型離子深摻雜區(qū)37的摻雜深度遠(yuǎn)大于第二型離子淺摻雜區(qū)36的摻雜深度，且第二型離子深摻雜區(qū)37摻雜有與第二型離子淺摻雜區(qū)36相同的離子，其可以是P型離子深摻雜區(qū)，以便作為一P型井。一般而言，第二型離子深摻雜區(qū)37與第二型離子淺摻雜區(qū)36所摻雜的離子通常為三A族元素，如硼。
另外，根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元更包括一源極摻雜區(qū)，其鄰設(shè)于第二型離子淺摻雜區(qū)一側(cè)以作為閃存單元的源極。需注意的是，在本發(fā)明中，作為源極的源極摻雜區(qū)并未限定在漏極的對側(cè)。理論上，根據(jù)本發(fā)明的閃存單元的源極可以位于基底30的任何位置上。以下參考圖4B與圖4C，說明源極的結(jié)構(gòu)，但并非用以限制本發(fā)明。
如圖4B所示，根據(jù)本發(fā)明另一較佳實施例的閃存單元4更包括一源極摻雜區(qū)39，其鄰設(shè)于第二型離子淺摻雜區(qū)36，并位于第一型離子摻雜區(qū)35的對側(cè)，以便作為閃存單元4的源極。此外，在源極摻雜區(qū)39下方具有一與源極摻雜區(qū)39摻雜相同離子的淺摻雜區(qū)310，只是淺摻雜區(qū)310的離子摻雜濃度較低。在本實施例中，源極摻雜區(qū)39與淺摻雜區(qū)310為N型離子摻雜區(qū)。
如圖4C所示，在本發(fā)明另一較佳實施例的閃存單元5中，其結(jié)構(gòu)與上述的閃存單元4相似，其差異在于把濃度較低的淺摻雜區(qū)310結(jié)構(gòu)，換成一淺摻雜區(qū)LDD 310’的結(jié)構(gòu)。一般而言，第一型離子摻雜區(qū)35、源極摻雜區(qū)39與淺摻雜區(qū)310或淺摻雜區(qū)LDD 310’所摻雜的離子通常為五A族元素，如磷。
需注意的是，如美國專利第6,091,644號所揭露的內(nèi)容，根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元的作為P型井的第二型離子深摻雜區(qū)37與作為漏極的第一型離子摻雜區(qū)35可以利用一金屬接觸(圖中未顯示)，以便將P型井與漏極電性短路連接在一起。在本實施例中，金屬接觸可以是貫穿第一型離子摻雜區(qū)35與第二型離子深摻雜區(qū)37的接面，使其電性短路連接；此外，金屬接觸也可以是將暴露出的第一型離子摻雜區(qū)35與第二型離子深摻雜區(qū)37電性短路連接。
接著，如圖4D所示，其顯示本發(fā)明較佳實施例的閃存單元的上視圖，其中，由于閃存單元的源極可以位于基底30的任何位置上，所以并未顯示出此閃存單元的源極。如圖所示，閃存單元具有一作為字符線(word line)的控制柵極33與浮置柵極34、一與控制柵極33與浮置柵極34鄰設(shè)的選擇柵極38以及作為漏極的第一型離子摻雜區(qū)35，此閃存單元的主動區(qū)(active area)被場氧化層31包圍，而第一型離子摻雜區(qū)35與浮置柵極34之間被選擇柵極38隔開。
承上所述，由于選擇柵極38設(shè)在浮置柵極34與第一型離子摻雜區(qū)35之間，所以可以利用選擇柵極38來關(guān)閉(shut off)信道，以便有效地避免因過度編程所引起的漏電現(xiàn)象，而不需象現(xiàn)有技術(shù)一樣，在其它閃存單元的電路上做進一步的設(shè)計、處理，以避免過度編程；另外在本發(fā)明中，閃存單元利用選擇柵極38來參與其操作，因此能夠有效地防止邊緣編程干擾現(xiàn)象。以下參照圖5A～5C所示，說明根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元的操作方法。
如圖5A～5C所示，其為在根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的閃存單元50中分別執(zhí)行編程、擦除及讀取等操作。其中，閃存單元50可以是前述的閃存單元3、4或5，而且閃存單元50為NOR型閃存單元；閃存單元50的控制柵極、控制柵極、源極與漏極分別施加字符線電壓VWL、控制柵極電壓VSG、源極線電壓VSL與位線電壓VBL，且位線電壓VBL與閃存單元50的P型井電性短路連接。
首先，如圖5A所示，當(dāng)要對閃存單元50執(zhí)行一編程操作時，在字符線電壓VWL施一高位準(zhǔn)電壓，例如為VWL＝9～12V，在閃存單元50的漏極施一相對低于字符線電壓VWL的位線電壓VBL，例如為VBL＝-9V，而源極為浮置狀態(tài)、選擇柵極為接地狀態(tài)；此時，位于漏極中的電子會通過富勒-諾得亥姆效應(yīng)穿遂射至浮置柵極，以完成編程動作。
其次，如圖5B所示，當(dāng)要對閃存單元50執(zhí)行一擦除操作時，在字符線電壓VWL施一低位準(zhǔn)電壓，例如為VWL＝0V，在閃存單元50的選擇柵極施一相對高于字符線電壓VWL的控制柵極電壓VSG，例如為10～12V，而源極與漏極為浮置狀態(tài)。此時，閃存單元50通過浮置柵極與選擇柵極來進行擦除操作，也就是poly-to-poly方式。此外，閃存單元50在擦除操作中的臨限電壓為負(fù)值，而由于閃存單元50中設(shè)有選擇柵極，所以在其它存儲單元中不會因為過度編程而造成漏電的情形。
當(dāng)要對閃存單元50執(zhí)行一讀取操作時，如圖5C所示，在字符線電壓VWL施一字符線電壓，例如為VWL＝1.8V，在源極施一相對低于字符線電壓VWL的源極線電壓VSL，例如為VSL＝1.5V，漏極的位線電壓VBL為接地狀態(tài)，而選擇柵極為一電壓源電壓(power voltage)VCC，如3.3V；需注意的是，在執(zhí)行閃存單元50的讀取操作的同時，其它閃存單元的漏極為浮置狀態(tài)，也就是其它位線為浮置。
在現(xiàn)有的EEPROM存儲單元中需設(shè)置一選擇晶體管(selecttransistor)，因此，將會影響到存儲單元的尺寸大小；而依據(jù)本發(fā)明的設(shè)計使用選擇柵極來取代選擇晶體管的功能，所以根據(jù)本發(fā)明的存儲單元結(jié)構(gòu)將可視為一微小型EEPROM存儲單元，此時，因根據(jù)本發(fā)明的存儲單元結(jié)構(gòu)將不需要額外設(shè)置選擇晶體管，因此將可有效地縮小存儲單元的尺寸。在本實施例中，閃存單元的操作方式如圖6A～6C所示，其分別用以說明單位元編程(byte program)以及單位元擦除(byte erase)的操作方式。需注意的是，根據(jù)這種操作方式將可使根據(jù)本發(fā)明的閃存單元數(shù)組具有一次只擦除一個位的特征，而不是前述頁面式擦除(page erase)的方式。
如圖6A所示，當(dāng)要對根據(jù)本發(fā)明的閃存單元執(zhí)行一編程操作時，在字符線電壓VWL施一高位準(zhǔn)電壓，例如為VWL＝9～12V，在閃存單元的源極施一相對低于字符線電壓VWL的源極線電壓VSL，例如為6V，并使漏極接地，而在選擇柵極上施加控制柵極電壓VSG＝1.5～2V。
如圖6B所示，當(dāng)要對根據(jù)本發(fā)明的閃存單元執(zhí)行一擦除操作時，在字符線電壓VWL施一低位準(zhǔn)電壓，例如為VWL＝-9V，在漏極施加一高位準(zhǔn)電壓，如8V，并使源極浮置、選擇柵極接地。
當(dāng)要對根據(jù)本發(fā)明的閃存單元執(zhí)行一讀取操作時，如圖6C所示，在字符線電壓VWL施一字符線電壓，例如為VWL＝3.3V，在源極施一相對低于字符線電壓VWL的源極線電壓VSL，例如為VSL＝1.5V，漏極的位線電壓VBL為接地狀態(tài)，而選擇柵極為一電壓源電壓VCC，如3.3V。
此外，根據(jù)本發(fā)明的閃存單元還可以視為一BiNOR型的存儲單元，而其操作方式如圖7A～7C所示。
當(dāng)要對根據(jù)本發(fā)明的閃存單元執(zhí)行一編程操作時，如圖7A所示，在字符線電壓VWL施一低位準(zhǔn)電壓，例如為VWL＝-9V，在閃存單元的漏極施一相對高于字符線電壓VWL在位線電壓VSL，例如為6V，并使源極浮置，而選擇柵極接地。
如圖7B所示，當(dāng)要對根據(jù)本發(fā)明的閃存單元執(zhí)行一擦除操作時，在字符線電壓VWL施一高位準(zhǔn)電壓，例如為VWL＝10V，在源極施加一低位準(zhǔn)電壓，如-9V，并使漏極浮置、選擇柵極接地。
當(dāng)要對根據(jù)本發(fā)明的閃存單元執(zhí)行一讀取操作時，如圖7C所示，在字符線電壓VWL施一字符線電壓，例如為電壓源電壓VCC(即VWL＝3.3V)，在源極施一相對低于字符線電壓VWL的源極線電壓VSL，例如為VSL＝1.5V，漏極的位線電壓VBL為接地狀態(tài)，而選擇柵極也為電壓源電壓(powervoltage)VCC，如3.3V。
綜上所述，由于根據(jù)本發(fā)明的閃存單元具有選擇柵極，且其設(shè)在浮置柵極與第一型離子摻雜區(qū)之間，所以可以允許過度編程，并有效地避免漏電現(xiàn)象；此外，本發(fā)明的閃存單元操作方法在選擇柵極施加高位準(zhǔn)電壓，以便將位于浮置柵極中的電子射出到達(dá)選擇柵極，也就是poly-to-poly的方式，所以可以有效地避免邊緣編程干擾現(xiàn)象及過度編程現(xiàn)象的產(chǎn)生。
以上所述僅為舉例性，而不是限制性的。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種閃存單元，其特征在于，其包含一基底，其具有一堆疊式柵極；一選擇柵極，其形成于該基底上并位于該堆疊式柵極的一側(cè)；一第一型離子摻雜區(qū)，其位于該基底中并鄰設(shè)于該選擇柵極，以作為該閃存單元的漏極；一第二型離子淺摻雜區(qū)，其位于該堆疊式柵極下方并與該第一型離子摻雜區(qū)連接；一第二型離子深摻雜區(qū)，其位于該第一型離子摻雜區(qū)周圍，并與該第二型離子淺摻雜區(qū)連接；以及一源極摻雜區(qū)，其鄰設(shè)于該第二型離子淺摻雜區(qū)一側(cè)以作為該閃存單元的源極。
2.如權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，該第二型離子深摻雜區(qū)的摻雜深度大于該第二型離子淺摻雜區(qū)的摻雜深度。
3.如權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，該第二型離子深摻雜區(qū)與該第二型離子淺摻雜區(qū)摻雜相同離子。
4.如權(quán)利要求3所述的閃存單元，其特征在于，該第二型離子深摻雜區(qū)與該第二型離子淺摻雜區(qū)所摻雜的離子為三A族元素。
5.如權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，該第一型離子摻雜區(qū)與該源極摻雜區(qū)所摻雜的離子為五A族元素。
6.如權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，該第一型離子摻雜區(qū)與該第二型離子深摻雜區(qū)電性短路連接。
7.如權(quán)利要求6所述的閃存單元，其特征在于，其通過一接觸貫穿該第一型離子摻雜區(qū)與該第二型離子深摻雜區(qū)的接面的金屬來電性短路連接。
8.如權(quán)利要求6所述的閃存單元，其特征在于，其通過一接觸暴露于該基底外的該第一型離子摻雜區(qū)與該第二型離子深摻雜區(qū)的金屬來電性短路連接。
9.如權(quán)利要求1所述的閃存單元，其特征在于，該堆疊式柵極包含一位于該第二型離子淺摻雜區(qū)上方的浮置柵極，以及一位于該浮置閘上方的控制柵極。
10.一種閃存單元操作方法，應(yīng)用于一閃存單元，該閃存單元包含一基底、一選擇柵極、一第一型離子摻雜區(qū)、一第二型離子淺摻雜區(qū)、一第二型離子深摻雜區(qū)及一源極摻雜區(qū)，該基底具有一堆疊式柵極，該堆疊式柵極包含該閃存單元的控制柵極，該選擇柵極形成于該基底上并位于該堆疊式柵極的一側(cè)，該第一型離子摻雜區(qū)位于該基底中并鄰設(shè)于該選擇柵極以作為該閃存單元的漏極，該第二型離子淺摻雜區(qū)位于該堆疊式柵極下方并與該第一型離子摻雜區(qū)連接，該第二型離子深摻雜區(qū)位于該第一型離子摻雜區(qū)周圍并與該第二型離子淺摻雜區(qū)連接，該源極摻雜區(qū)鄰設(shè)于該第二型離子淺摻雜區(qū)一側(cè)以作為該閃存單元的源極，其特征在于，該閃存單元操作方法包含當(dāng)執(zhí)行一編程操作時，在該控制柵極施一高位準(zhǔn)電壓，在該漏極施一相對低于該控制柵極的電壓，該源極為浮置狀態(tài)，該選擇柵極為接地狀態(tài)；當(dāng)執(zhí)行一擦除操作時，在該控制柵極施一低位準(zhǔn)電壓，在該選擇柵極施一相對高于該控制柵極的電壓，該源極與該漏極為浮置狀態(tài)；以及當(dāng)執(zhí)行一讀取操作時，在該控制柵極施一字符線電壓，在該源極施一相對低于該字符線電壓的電壓，該漏極為接地狀態(tài)，該選擇柵極為一電壓源電壓。
全文摘要
一種閃存單元，包括一基底、一選擇柵極、一第一型離子摻雜區(qū)、一第二型離子淺摻雜區(qū)、一第二型離子深摻雜區(qū)以及一源極摻雜區(qū)。其中，基底具有一堆疊式柵極(stackedgate)；選擇柵極形成于基底上并位于堆疊式柵極的一側(cè)；第一型離子摻雜區(qū)位于基底中并與選擇柵極鄰設(shè)，以作為閃存單元的漏極；第二型離子淺摻雜區(qū)位于堆疊式柵極下方并與第一型離子摻雜區(qū)連接；第二型離子深摻雜區(qū)位于第一型離子摻雜區(qū)周圍，并與第二型離子淺摻雜區(qū)連接；而源極摻雜區(qū)鄰設(shè)于第二型離子淺摻雜區(qū)一側(cè)以作為閃存單元的源極。另外，本發(fā)明還揭露一種上述閃存單元的操作方法。
文檔編號H01L21/8247GK1521853SQ0310269
公開日2004年8月18日 申請日期2003年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月14日
發(fā)明者洪至偉, 宋達(dá), 許正源 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司