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      半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路板以及電子機(jī)器的制作方法

      文檔序號(hào):6998525閱讀:240來源:國知局
      專利名稱:半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路板以及電子機(jī)器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路板以及電子機(jī)器背景技術(shù)在半導(dǎo)體裝置的制造中,周知的有在電極上的凸點(diǎn)上進(jìn)行引線的二次焊接的技術(shù)。根據(jù)這種技術(shù),可以降低引線的環(huán)高度,從而可以制造薄型半導(dǎo)體裝置。另一方面,將引線連接到凸點(diǎn)上時(shí),確保大的引線與凸點(diǎn)的接合區(qū)域和以可靠穩(wěn)定的狀態(tài)接合二者是很重要的。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于可以在可靠并且穩(wěn)定的狀態(tài)下將引線焊接在凸點(diǎn)上。
      (1)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法,包括(a)通過工具將引線的前端部焊接在第1電極上的工藝、(b)將所述引線從所述第1電極引出到第2電極上的凸點(diǎn)的工藝、以及(c)利用所述工具中的所述第1電極側(cè)的部分,將所述引線的一部分焊接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的引出方向越過所述中心的部分上的工藝。
      依據(jù)本發(fā)明,由于是將引線的一部分焊接在凸點(diǎn)上的引線的引出方向的中心或越過它的部分上,所以可以避免例如工具對(duì)引線中從凸點(diǎn)伸到第1電極側(cè)的部分的擠壓。因而,可以防止引線的下垂。因此,可以將引線以可靠并且穩(wěn)定的狀態(tài)焊接在凸點(diǎn)上。
      (2)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(c)工藝中,通過所述工具,將所述凸點(diǎn)的一部分壓扁。
      這樣,可以以凸點(diǎn)中沒有被壓扁的部分為支點(diǎn),將引線向與電極相反的方向(上方)拉起。因此,可以防止引線與形成有電極的部件接觸。
      (3)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(c)工藝中,在通過加壓而壓扁所述引線的同時(shí),使所述工具在所述凸點(diǎn)上沿所述凸點(diǎn)的寬度方向移動(dòng)。
      這樣,由于是在加壓時(shí)使工具沿引線的前端部的寬度方向移動(dòng),所以可以形成最佳形狀的凸點(diǎn)。
      (4)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(c)工藝中,使所述工具在所述凸點(diǎn)上沿所述引線的引出方向移動(dòng)。
      這樣,例如可以使凸點(diǎn)在所述引線的引出方向變寬或沿引線的引出方向逐漸降低。
      (5)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(c)工藝中,使形成的所述凸點(diǎn)在所述引線的引出方向變寬。
      這樣,例如,可以有利于將其它引線焊接在凸點(diǎn)上。
      (6)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(c)工序中,使形成的所述凸點(diǎn),從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低。
      這樣,例如,可以有利于將其它引線焊接在凸點(diǎn)上。
      (7)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在實(shí)施所述(c)工藝時(shí),同時(shí)對(duì)所述凸點(diǎn)施加超聲波振動(dòng)。
      這樣,可以穩(wěn)定引線的連續(xù)加工性。
      (8)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以使所述工具具有能夠貫穿所述引線的孔;在所述(c)工藝中,通過所述孔的開口端部上的所述第1電極側(cè)的部分,進(jìn)行焊接。
      這樣,可以以凸點(diǎn)中沒有被壓扁的部分作為支點(diǎn)將第1引線向與第2電極相反的方向(上方)提升。為此,可以防止第1引線和形成第2電極的部件之間的接觸。
      (9)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(a)工藝之前,還包括(e)將在第2引線上的形成球狀的前端部焊接在所述第2電極上的工藝、
      (f)將所述第2引線的一部分從焊接后的所述前端部引出的工藝、(g)將所述第2引線中與所述前端部連接的部分在所述前端部上壓扁后在所述第2電極上形成所述凸點(diǎn)的工藝、以及(h)在所述第2電極上留下所述凸點(diǎn)并將所述第2引線切斷的工藝。
      這樣,可以在電極上容易地形成大致呈平坦面的凸點(diǎn)。
      (10)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(g)工藝中,將所述凸點(diǎn)形成為具有連接在所述第2電極上的下端部、和大致呈平坦面的上端部。
      (11)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(g)工藝中,將所述凸點(diǎn)的所述上端部,在與所述凸點(diǎn)連接的所述第1引線的向所述凸點(diǎn)引出的方向上加寬形成。
      這樣,有利于將第1引線焊接在凸點(diǎn)的上端部。
      (12)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中,也可以在所述(g)工藝中,使所述凸點(diǎn)的所述上端部沿向外的方向逐漸降低。
      這樣,有利于將第1引線焊接在凸點(diǎn)的上端部。
      (13)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置,由所述方法而制造。
      (14)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置,包括具有成為第1電極的部分的引出腳;具有集成電路和第2電極、并且具有與所述第2電極相連接的下端部和大致呈平坦面的上端部的凸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片;具有第1及第2端部、所述第1端部與所述第1電極電連接而所述第2端部與所述凸點(diǎn)電連接的引線,形成的所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低,所述引線的所述第2端部連接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分。
      依據(jù)本發(fā)明,由于是所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且沿引線的向凸點(diǎn)的引出方向逐漸降低,所以有利于將引線焊接在凸點(diǎn)的上端部,并且二者的電連接可靠性高。
      另外,由于是所述引線的所述第2端部連接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分,所以可以防止引線中從凸點(diǎn)伸出電極側(cè)的部分的下垂。因此,可以以可靠且穩(wěn)定的狀態(tài),將引線與凸點(diǎn)電連接。
      (15)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置,包括具有集成電路及第1電極的半導(dǎo)體芯片;具有集成電路和第2電極、并且具有與所述第2電極相連接的下端部和大致呈平坦面的上端部的凸點(diǎn)的另一半導(dǎo)體芯片;具有第1及第2端部,所述第1端部與所述第1電極電連接而所述第2端部與所述凸點(diǎn)電連接的引線,形成的所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低,所述引線的所述第2端部焊接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分。
      依據(jù)本發(fā)明,由于是所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且沿引線的向凸點(diǎn)的引出方向逐漸降低,所以有利于將引線焊接在凸點(diǎn)的上端部,并且二者的電連接可靠性高。
      另外,由于是所述引線的所述第2端部連接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分,所以可以防止引線中從凸點(diǎn)伸出電極側(cè)的部分的下垂。因此,可以以可靠且穩(wěn)定的狀態(tài),將引線與凸點(diǎn)電連接。
      (16)在該半導(dǎo)體裝置中,也可以將所述凸點(diǎn)的一部分壓扁。
      這樣,可以以凸點(diǎn)中沒有被壓扁的部分為支點(diǎn),將引線向與電極相反的方向(上方)拉起。因此,可以防止引線與半導(dǎo)體芯片接觸。
      (17)本發(fā)明的電路板,安裝了上述半導(dǎo)體裝置。
      (18)本發(fā)明的電子機(jī)器,具有上述半導(dǎo)體裝置。
      圖2A以及圖2B表示有關(guān)本發(fā)明第1實(shí)施方案的凸點(diǎn)的形成方法以及帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件的制造方法。
      圖3表示有關(guān)本發(fā)明第1實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件及其制造方法。
      圖4表示圖3的IV-IV線的截面圖。
      圖5表示有關(guān)本發(fā)明第1實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件及其制造方法。
      圖6表示有關(guān)本發(fā)明第1實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件及其制造方法。
      圖7表示有關(guān)本發(fā)明第1實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件及其制造方法。
      圖8表示圖7的VIII-VIII線的截面圖。
      圖9表示有關(guān)本發(fā)明第2實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法。


      圖10表示有關(guān)本發(fā)明第2實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
      圖11表示有關(guān)本發(fā)明第2實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
      圖12表示有關(guān)本發(fā)明第2實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
      圖13A以及圖13B表示有關(guān)本發(fā)明第2實(shí)施方案的變形例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
      圖14表示有關(guān)本發(fā)明第2實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置。
      圖15A以及圖15B表示有關(guān)本發(fā)明第3實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
      圖16表示圖15的部分放大圖。
      圖17表示有關(guān)本發(fā)明第3實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
      圖18表示有關(guān)本發(fā)明第3實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
      圖19表示有關(guān)本發(fā)明第3實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置。
      圖20表示有關(guān)本發(fā)明第3實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置。
      圖21表示有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施方案的電路板。
      圖22表示有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施方案的電子機(jī)器。
      圖23表示有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施方案的電子機(jī)器。
      (第1實(shí)施方案)圖1A~圖8表示本實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件的制造方法。在本實(shí)施方案中,在半導(dǎo)體元件10的電極12上形成凸點(diǎn)40。凸點(diǎn)40,通過使用工具30將引線20焊接在電極12上形成。凸點(diǎn)40作為引線鍵合用的端子使用。
      此外,本實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件的制造方法,包括圖1A~圖2B所示的凸點(diǎn)的形成方法。
      首先,如圖1A所示,準(zhǔn)備好半導(dǎo)體元件10。半導(dǎo)體元件10可以是半導(dǎo)體晶圓14(參見圖5)或者半導(dǎo)體芯片16(參見圖6)中的任一種。即,凸點(diǎn)形成過程可以在晶圓狀態(tài)下統(tǒng)一處理,也可以在芯片狀態(tài)下處理。半導(dǎo)體元件10包括集成電路,例如多在直方體(包括立方體或者板狀)上形成。集成電路多在任意一個(gè)面(例如最寬的面)上形成。
      半導(dǎo)體元件10具有1個(gè)或者多個(gè)電極12。電極12是在半導(dǎo)體元件10的面上薄薄平坦形成的焊盤。電極12在半導(dǎo)體元件10的具有集成電路的面上形成。這時(shí),電極12也可以在集成電路區(qū)域的外側(cè)上形成。使用半導(dǎo)體芯片16時(shí),電極12多在半導(dǎo)體芯片16的面的端部(例如外形的2邊或者4邊的端部)上形成。同樣,使用半導(dǎo)體晶圓14時(shí),電極1 2多在半導(dǎo)體晶圓14的包含1個(gè)集成電路的區(qū)域15(參見圖5)的端部(例如區(qū)域的2邊或者4邊的端部)上形成。電極12采用鋁系或者銅系金屬形成。
      在半導(dǎo)體元件10上,在避開各電極12的至少一部分的位置上形成鈍化膜(圖中未畫出)。鈍化膜,例如可以采用SiO2、SiN或者聚酰亞胺樹脂等形成。
      如圖1A所示,準(zhǔn)備好支撐引線20的工具30。引線20由金等導(dǎo)電材料構(gòu)成。工具30使引線20的軸方向相對(duì)于電極12的面垂直那樣支撐引線20。在圖1A所示的例中,工具30包括孔32,引線20貫穿孔32的內(nèi)側(cè)中。孔32的寬度(直徑)比引線20的寬度(直徑)要大。這樣,可以在孔32的軸方向上將引線20送出。工具30也可以是半導(dǎo)體裝置的制造中所使用的毛細(xì)管。工具也可以采用孔以外的引導(dǎo)裝置支撐引線20。此外,工具30由圖中未畫出的支撐體(例如超聲波喇叭)被支撐在圖中未畫出的制造裝置的本體(引線焊接機(jī))上。
      引線20由夾具36夾持。夾具26配置在工具30的上方,即電極12相反側(cè)。打開夾具36后,可以由工具30對(duì)引線20進(jìn)行操作。此外,在圖1A所示的例中,工具30以及夾具36雖然分別獨(dú)立構(gòu)成,也可以將工具30以及夾具36一體構(gòu)成,例如也可以使工具30具有夾具36的功能。
      引線20的前端部22,從孔32中從電極12側(cè)的開口部伸出到外部???2的開口端部(或者按壓部)34,可以按壓住引線20的一部分(參見圖1B、圖2A以及圖2B)。如圖所示,開口端部34的一部分(工具的外周附近)也可以傾斜?;蛘唛_口端部34也可以是平坦面。
      如圖1A所示,工具30配置在半導(dǎo)體元件10的電極12側(cè)(詳細(xì)講在電極12的上方)。然后,引線20的前端部22形成為球狀(或者塊狀)??梢酝ㄟ^熱能(例如放電或者燃?xì)饣鹧?將其前端部22熔化后形成為球狀。也可以使圖中未畫出的電焊矩接近前端部22,進(jìn)行高壓放電將前端部22熔化。
      如圖1B所示,引線20的前端部22配置在任意一個(gè)電極12的上方,在夾具36開放的狀態(tài)下,降下工具30。這樣,將引線30的前端部22焊接在電極12上。詳細(xì)講,通過工具30的開口端部34按壓引線20的前端部22。優(yōu)選在按壓前端部22的期間施加超聲波振動(dòng)或者熱等。這樣,可以使前端部22和電極12以良好的狀態(tài)連接。此外,通過開口端部34的按壓,在引線20的前端部22上形成上端部以及比上端部面積大(或者寬度寬)的下端部。
      然后,如圖1C所示,將引線20的一部分24從焊接后的前端部22引出。由于前端部22連接在電極12上,通過使工具30朝離開電極12的方向移動(dòng),可以將引線20的一部分24從前端部22引出。
      在圖1C所示的例中,將引線20的一部分24彎曲引出。這樣,引線20中與前端部22連接的部分在前端部22上容易壓扁。例如,可以使工具30先向前端部22的高度方向移動(dòng),向電極12的上方引出引線20,然后向前端部22的寬度方向移動(dòng)使引線20的一部分24彎曲。引線20的一部分24的彎曲方式(形狀以及方法)并不限定于上述方式。
      如圖2A所示,用工具20將與前端部22連接的部分壓扁。詳細(xì)講,在引線20中從前端部22引出的部分(引線20的一部分24)中至少將與前端部22連接的部分壓扁。如圖2A所示,開口端部34中用以孔32為基準(zhǔn)的一邊側(cè)的部分(與工具30移動(dòng)側(cè)相反一側(cè)的部分)將引線20壓扁。引線20中與前端部22連接的部分在前端部22上壓扁后成平坦面。在進(jìn)行壓扁時(shí),優(yōu)選施加超聲波振動(dòng)。這樣,在電極12上形成凸點(diǎn)40。在此,凸點(diǎn)40具有與電極12連接的下端部44和具有大致平坦面(削掉引線的突起的面)的上端部42(參見圖4)。
      如圖2A所示,使工具30向前端部22加壓的同時(shí),在前端部22上向前端部22的寬度方向(圖2A的箭頭所示方向)移動(dòng)。換言之,使工具30向前端部22加壓的同時(shí),向與半導(dǎo)體元件10的面平行的方向上滑動(dòng)。這樣,可以形成圖3以及圖4所示的最佳形狀的凸點(diǎn)40。在此,圖3表示凸點(diǎn)形成后的半導(dǎo)體元件的平面圖,圖4表示圖3的的IV-IV線的截面圖。
      在使工具30向前端部22的寬度方向(圖3以及圖4的箭頭所示方向)移動(dòng)的過程中,也可以在工具30的移動(dòng)方向上加寬凸點(diǎn)40的上端部42。換言之,在凸點(diǎn)42的平面視圖中,使凸點(diǎn)40的上端部42形成為橢圓形狀。
      這樣,在后續(xù)工藝中,容易將其它引線120焊接在凸點(diǎn)40的上端部42上(參見圖7以及圖8)。詳細(xì)講,通過在凸點(diǎn)40加寬的方向上引出引線120,可以確保引線120和凸點(diǎn)40有較寬的連接區(qū)域。因此,可以在可靠并且穩(wěn)定的狀態(tài)下將引線120焊接在凸點(diǎn)40上。
      在使工具30向前端部22的寬度方向(圖3以及圖4的箭頭所示方向)移動(dòng)的過程中,也可以在工具30的移動(dòng)方向上降低(減薄)形成凸點(diǎn)40的上端部42。換言之,凸點(diǎn)40的高度也可以在工具30的移動(dòng)方向上降低傾斜形成。
      這樣,在后續(xù)工藝中,容易將其它引線120焊接在凸點(diǎn)40的上端部42上(參見圖7以及圖8)。詳細(xì)講,通過從凸點(diǎn)40較高側(cè)向凸點(diǎn)40引出引線120,可以增大引線120和半導(dǎo)體元件10之間的距離。為此,可以防止引線120和半導(dǎo)體元件10接觸。另外,由于可以避免引線120和半導(dǎo)體元件10接觸,在引線120的環(huán)形狀、環(huán)高度、電極12和半導(dǎo)體芯片16的角部(邊緣)之間的距離等的設(shè)計(jì)上沒有限制,可以自由進(jìn)行設(shè)計(jì)(例如引線的低環(huán)化以及短環(huán)化)。
      圖7以及圖8表示工具30的移動(dòng)方向(前端部22的寬度方向的移動(dòng)方向)的圖。詳細(xì)講,圖7表示凸點(diǎn)形成后的半導(dǎo)體芯片的平面圖,圖8表示圖7的VIII-VIII線的截面圖。圖7的箭頭所示方向是指在后續(xù)工藝中所連接的引線120向凸點(diǎn)40引出的方向。引線120用于將半導(dǎo)體芯片16的電極12和其它電子部件(例如電路板的布線或者其它半導(dǎo)體芯片)電連接。
      如圖7所示,也可以使工具30向連接在凸點(diǎn)40上的引線120向凸點(diǎn)40引出的方向移動(dòng)。此外,因襲120的引出方向并不限定與圖7的箭頭所示方向,可以根據(jù)凸點(diǎn)40(或者電極12)的位置自由確定。
      多個(gè)電極12在半導(dǎo)體芯片16的端部(圖7中外形的4邊的端部)上形成時(shí),也可以使工具30從半導(dǎo)體芯片16的端部向中央部的方向移動(dòng)。如圖7所示,多個(gè)電極12在半導(dǎo)體芯片16的端部上形成時(shí),引線120多從半導(dǎo)體芯片16的端部向中央部的方向引出。例如,多個(gè)中2個(gè)以上的引線120從聚焦在半導(dǎo)體芯片16的中央部的1點(diǎn)(圖中未畫出)的方向延伸從凸點(diǎn)40引出。
      這樣,如圖7以及圖8所示,凸點(diǎn)40的上端部可以在引線120的引出方向上加寬(細(xì)長)。另外,如圖8所示,凸點(diǎn)40的上端部42也可以在引線120的引出方向上逐步降低(減薄)形成。即,凸點(diǎn)40中半導(dǎo)體芯片16的端部側(cè)比中央部側(cè)高。其效果如上所述。
      此外,上述工具30的移動(dòng)方向的說明,并不限定于半導(dǎo)體芯片16,也可以適用于半導(dǎo)體晶圓14中。詳細(xì)講,如圖5以及圖6所示,如果用半導(dǎo)體晶圓14中包含任意一個(gè)集成電路的區(qū)域15替代半導(dǎo)體芯片16,就可以適用上述工具30的移動(dòng)方向的說明。
      在圖2A以及圖2B所示的例中,通過使工具30向前端部22的寬度方向移動(dòng),將引線20拉薄引出后切斷。這時(shí),工具30在使引線20中貫穿工具30的孔32中的部分從前端部22離開的方向(圖2A的箭頭所示方向)上移動(dòng)。這樣,可以使凸點(diǎn)40的上端部42成最佳形狀,同時(shí)將引線20切斷。另外,可以在施加超聲波振動(dòng)的同時(shí)使工具30在前端部22的寬度方向上移動(dòng),在給定位置上切斷引線20。即,形成多個(gè)凸點(diǎn)時(shí),每次可以在一定的位置上切斷引線20。為此,引線20中凸出到工具30的外部的部分的長度每次都是一定的,這樣,可以使球狀的前端部22的直徑大小每次都相同。因此,可以穩(wěn)定連續(xù)進(jìn)行引線20的加工。
      此外,當(dāng)半導(dǎo)體元件10具有多個(gè)電極12時(shí),反復(fù)進(jìn)行上述各工藝(圖1A~圖2B所示工藝),可以在各電極12上形成凸點(diǎn)40。即,凸出到圖2B所示的工具30的外部的前端部,如圖1A所示再次形成球狀,并焊接到半導(dǎo)體元件10的其它電極上。
      在上述的例中,雖然示出的是在半導(dǎo)體元件10的電極12上形成凸點(diǎn)的例子,在本實(shí)施方案的凸點(diǎn)形成方法中,并不限定電極的方式,例如也可以在引出腳(電路板上的布線或者引出腳板的內(nèi)引出腳)的一部分上形成凸點(diǎn)。
      依據(jù)有關(guān)本實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件的制造方法,可以在電極12上簡單形成具有大致平坦面的凸點(diǎn)40。另外,利用焊接時(shí)使用的工具30在電極12上形成凸點(diǎn)40,并且使凸點(diǎn)40的面平坦,制造過程簡單并且快捷。這樣,例如沒有必要專門進(jìn)行使凸點(diǎn)40的面平坦的工藝(例如平坦化工藝)。
      另外,由于可以將凸點(diǎn)40形成為在后續(xù)工藝中所進(jìn)行的焊接中最適合的形狀,可以防止引線120偏離凸點(diǎn)40位置,或者引線120彎曲的狀態(tài)下焊接。
      此外,有關(guān)本實(shí)施方案的凸點(diǎn)形成方法,可以選擇適用根據(jù)上述制造方法中說明的內(nèi)容引導(dǎo)出的任何事項(xiàng)(構(gòu)成、作用以及效果)。
      圖3~圖8表示本實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件。該帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件,可以采用上述方法制造。另外,在以下的說明中,將省略根據(jù)上述方法的內(nèi)容所引導(dǎo)出的事項(xiàng)。
      半導(dǎo)體元件10,可以是圖5所示的半導(dǎo)體晶圓14,也可以是圖6所示的半導(dǎo)體芯片16。
      如圖3所示,凸點(diǎn)40的上端部42,在半導(dǎo)體元件10的平面視圖中,在某一方向上被加寬。詳細(xì)講,如圖7所示,上端部42在引線120的向凸點(diǎn)40引出的方向上被加寬?;蛘?,上端部42在從半導(dǎo)體芯片16(或者半導(dǎo)體晶圓14的區(qū)域15(參見圖5))的端部向中央部的方向上被加寬。
      如圖4所示,凸點(diǎn)40的上端部42在某一方向上傾斜??梢韵髨D4那樣上端部42的一部分傾斜,也可以整體傾斜。上端部42至少一部分為大致平坦面。如圖8所示,上端部42在引線120的向凸點(diǎn)40引出的方向上逐漸降低而傾斜?;蛘?,上端部42在從半導(dǎo)體芯片16(或者半導(dǎo)體晶圓14的區(qū)域15(參見圖5))的端部向中央部的方向上逐漸降低而傾斜依據(jù)有關(guān)本實(shí)施方案的帶凸點(diǎn)的半導(dǎo)體元件,在凸點(diǎn)40的上端部42上容易將引線(例如引線120)焊接。
      (第2實(shí)施方案)圖9~圖14表示有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在本實(shí)施方案中,在凸點(diǎn)40上進(jìn)行引線120的第2次焊接。
      在以下所示的例子中,使用上述實(shí)施方案中說明的帶凸點(diǎn)半導(dǎo)體芯片(包含采用上述方法制造的半導(dǎo)體芯片),制造半導(dǎo)體裝置。此外,半導(dǎo)體芯片16也可以將上述帶凸點(diǎn)半導(dǎo)體晶圓14分割成多個(gè)單片后形成。
      或者也可以對(duì)與上述實(shí)施方案不同的半導(dǎo)體芯片(例如周知的半導(dǎo)體芯片)實(shí)施本實(shí)施方案的內(nèi)容。
      圖9~圖12表示引線的第2次焊接工藝。圖10表示圖9的半導(dǎo)體芯片的部分平面圖,圖12表示圖11的半導(dǎo)體芯片的部分平面圖。此外,在圖10中工具用2點(diǎn)虛線表示。
      首先,如圖9所示,在半導(dǎo)體芯片16的外側(cè)配置電極52。在圖9所示的例中,電極52是由基板50支撐的引出腳(或者布線)的一部分。電極52也可以是焊盤。通過將半導(dǎo)體芯片16搭載在基板50上,將電極52配置在半導(dǎo)體芯片16的外側(cè)。
      基板50可以采用有機(jī)系(聚酰亞胺樹脂等可撓性基板)或者無機(jī)系(陶瓷基板、玻璃基板)的任一種材料形成,也可以采用這些材料的復(fù)合機(jī)構(gòu)(玻璃環(huán)氧樹脂基板)構(gòu)成?;?0可以是單層基板,也可以是多層基板。
      作為變形例,電極52也可以是板材的引出腳板上支撐的引出腳的一部分(例如內(nèi)引出腳)。這時(shí),引出腳是不被支撐的自由端。引出腳具有內(nèi)引出腳以及外引出腳,內(nèi)引出腳的部分面向半導(dǎo)體芯片16的電極12配置。通過將半導(dǎo)體芯片16搭載在圖中未畫出的裸片襯墊(或者散熱片)上,將電極52配置半導(dǎo)體芯片16的外側(cè)。
      如圖9所示,準(zhǔn)備好支撐引線120的工具130。然后,將引線120的前端部122形成為球狀,用工具130將引線120的前端部122焊接在電極52上。引線120、工具130以及夾具136的事項(xiàng),可以適用上述內(nèi)容。工具130具有孔132以及開口部134。另外,引線120的前端部122形成為球狀的方法也和上述相同。
      如圖9所示,在將前端部122焊接在電極52上之后,將引線120引出到電極12上的凸點(diǎn)40。詳細(xì)講,如圖10所示,引線120被引出到越過凸點(diǎn)40的中心線L的位置。在此,中心線L,如圖10所示,是指在引線120的引出方向上通過凸點(diǎn)40的寬度的中心的假想線,和引線120的引出方向垂直的假想線。
      然后,將引線120的一部分焊接在凸點(diǎn)40上。這時(shí),工具130(詳細(xì)講開口端部134)中使用在引線120的引出方向上第1電極側(cè)的部分進(jìn)行焊接。引線120的一部分,如圖9以及圖10所示,也可以焊接在凸點(diǎn)40中引線120的引出方向的中心(與圖10的中心線L重疊的部分)位置上,或者也可以焊接在越過中心的部分(圖10的中心線L的右側(cè)部分)上。在圖9以及圖10所示的例中,通過開口端部134按壓凸點(diǎn)40中包含引線120的引出方向的中心的區(qū)域。如圖9以及圖10所示,可以將凸點(diǎn)40以及引線120重疊部分的一部分焊接,也可以全部焊接。在前者,優(yōu)選對(duì)引線120中,凸點(diǎn)40中沒有越過引線120的引出方向中心的部分(圖10的中心線L的左側(cè)部分)的至少一部分不進(jìn)行按壓。這樣,可以由沒有被按壓的部分支撐(上拉)引線120。即,可以防止引線120和半導(dǎo)體芯片16接觸。
      在向凸點(diǎn)40的焊接工藝中,優(yōu)選在施加超聲波振動(dòng)的狀態(tài)下進(jìn)行。超聲波振動(dòng)通過工具130施加在凸點(diǎn)40上。這樣,可以使引線120和凸點(diǎn)40以良好的狀態(tài)連接。
      在圖9所示的例中,對(duì)工具130加壓將引線120的一部分壓扁,同時(shí)使工具130在凸點(diǎn)40上沿凸點(diǎn)40的寬度方向移動(dòng)。換言之,在按壓凸點(diǎn)40的同時(shí),使工具130在與半導(dǎo)體芯片16的面平行的方向上滑動(dòng)。這時(shí),也可以使工具130沿引線120向凸點(diǎn)40的引出方向(圖9或者圖10的箭頭所示方向)移動(dòng)。
      這樣,凸點(diǎn)40(特別是上端部42)可以加寬(變細(xì)長)引線120的引出方向。這樣,在后續(xù)工藝中,可以容易將其它引線220焊接在凸點(diǎn)40上(參見圖15A)。詳細(xì)講,可以確保引線220和凸點(diǎn)40有較寬的連接區(qū)域。因此,可以在可靠并且穩(wěn)定的狀態(tài)下將引線220焊接在凸點(diǎn)40上。另外,凸點(diǎn)40,由于可以在引線120的引出方向上加寬,可以防止相鄰?fù)裹c(diǎn)40之間相互短路。進(jìn)一步,由于在工具130的移動(dòng)方向上可以加寬凸點(diǎn)40,對(duì)由超聲波振動(dòng)加寬凸點(diǎn)40在方向上沒有限制,可以在自由方向上加寬凸點(diǎn)40。
      另外,通過工具130的移動(dòng),可以在引線120向凸點(diǎn)40的引出方向上將凸點(diǎn)40的上端部42逐漸降(減薄)。
      這樣,在后續(xù)工藝中,可以容易將其它引線220焊接在凸點(diǎn)40上(參見圖15A)。詳細(xì)講,可以容易將引線220的形成了球狀的前端部222焊接在偏離凸點(diǎn)40的中心的位置上。
      在圖9以及圖11所示的例子中,通過使工具130在前端部122的寬度方向上移動(dòng),將引線120拉薄引出后切斷。這時(shí),這時(shí),工具130在使引線120中貫穿工具130的孔132中的部分從凸點(diǎn)40離開的方向(圖9的箭頭所示方向)上移動(dòng)。這樣,可以凸點(diǎn)40成最佳形狀,同時(shí)將引線120切斷。另外,可以在施加超聲波振動(dòng)的同時(shí)使工具130在凸點(diǎn)40的寬度方向上移動(dòng),在給定位置上切斷引線120。即,在多個(gè)凸點(diǎn)40上焊接時(shí),每次可以在一定的位置上切斷引線120。為此,引線120中凸出到工具130的外部的部分的長度每次都是一定的,這樣,可以使球狀的前端部122的直徑大小每次都相同。因此,可以穩(wěn)定連續(xù)進(jìn)行引線120的加工。
      這樣,如圖11以及圖12所示,在凸點(diǎn)40上形成引線120的連接部126。如圖11所示,使引線120的連接部126比焊接前的引線120的直徑要小的情況下扯斷。此外,半導(dǎo)體芯片16具有多個(gè)凸點(diǎn)40時(shí),反復(fù)進(jìn)行上述各工藝,形成多個(gè)引線120。
      在上述例中,雖然示出的是用引線120將基板50的電極52(引出腳的一部分)和半導(dǎo)體芯片16的電極12電連接的例子,本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法,并不限定于上述的例子,例如,也可以適用于用引線120將多個(gè)半導(dǎo)體芯片的電極之間電連接的情況。
      依據(jù)有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法,將引線120的一部分焊接在凸點(diǎn)40中引線120的引出方向的中心位置或者越過中心位置的部分上。這樣,例如,可以避免工具130按壓引線120中在引線120的引出方向的電極52側(cè)凸出的部分。這樣,可以防止引線120垂下。因此,可以在可靠并且穩(wěn)定的狀態(tài)下將引線120和凸點(diǎn)40焊接。
      進(jìn)一步,由于凸點(diǎn)40在引線120的引出方向被加寬,并且在引線120的引出方向逐漸降低而傾斜,可以在更可靠并且更穩(wěn)定的狀態(tài)下焊接引線120。
      然后,說明本實(shí)施方案的變形例。如圖13A以及圖13B所示,在本變形例中,在將引線120的一部分焊接在凸點(diǎn)40上的工藝中,將凸點(diǎn)40的一部分壓扁。即,如圖13A所示,向凸點(diǎn)40的方向上對(duì)工具130的開口端部134加壓,使凸點(diǎn)40的一部分塑性變形。在凸點(diǎn)40的平面視圖中,凸點(diǎn)40的被壓扁的區(qū)域與開口端部134接觸的區(qū)域重疊。凸點(diǎn)40的被壓扁的區(qū)域也可以就是上述引線120和凸點(diǎn)40的焊接區(qū)域。
      另外,也可以在使凸點(diǎn)40的一部分壓扁而對(duì)工具130加壓的同時(shí),使工具130在凸點(diǎn)40上凸點(diǎn)40的寬度方向(圖13A的箭頭所示方向)上移動(dòng)。工具130的移動(dòng)方式以及所產(chǎn)生的效果和已經(jīng)說明的情況相同。
      這樣,如圖13B所示,可以在引線120中與凸點(diǎn)40的連接部126中,將凸點(diǎn)40的一部分壓扁。
      依據(jù)本變形例,可以以凸點(diǎn)40中沒有被壓扁的部分作為支點(diǎn)將引線120向和半導(dǎo)體芯片16相反的方向(上方)提升。即,可以防止引線120和半導(dǎo)體芯片16接觸。
      此外,本變形例可以選擇適用根據(jù)上述制造方法中所說明的內(nèi)容引導(dǎo)出的任何事項(xiàng)(構(gòu)成、作用以及效果)。
      圖14表示適用本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的一例。在圖14所示的例中,半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片16、18、具有電極52的基板50、封接部60、外部端子62。此外,有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置,并不限定于以下的例子。
      在基板50上形成布線,布線的一部分成為電極52。多個(gè)半導(dǎo)體芯片16、18在基板50上積層。詳細(xì)講,半導(dǎo)體芯片18面朝下安裝在基板50上,半導(dǎo)體芯片16配置在半導(dǎo)體芯片18上。半導(dǎo)體芯片16使具有電極12的面朝向與半導(dǎo)體芯片18相反側(cè)進(jìn)行配置,用引線120與基板50進(jìn)行電連接。詳細(xì)講,在半導(dǎo)體芯片16上設(shè)置凸點(diǎn)40,用引線120將凸點(diǎn)40與基板50的電極52電連接。用引線120進(jìn)行連接的方式,如上所述。
      封接部60多采用樹脂(例如環(huán)氧樹脂)。然后,在基板50上設(shè)置多個(gè)外部端子62(例如焊錫球)。外部端子62,電連接在基板50的布線上,例如,通過基板50的過孔(圖中未畫出)設(shè)置在和搭載多個(gè)半導(dǎo)體芯片16、18的面相反一側(cè)上。
      依據(jù)有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置,可以實(shí)現(xiàn)引線120的低環(huán)化,并且可以提供電連接可靠性高的裝置。
      此外,有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置,可以選擇適用根據(jù)上述制造方法中所說明的內(nèi)容引導(dǎo)出的任何事項(xiàng)(構(gòu)成、作用以及效果)。例如,也可以用其它半導(dǎo)體芯片替代上述基板50,適用本實(shí)施方案。
      (第3實(shí)施方案)圖15A~圖20表示有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在本實(shí)施方案中,在已經(jīng)焊接了引線120的凸點(diǎn)40上,進(jìn)行其它引線220的第1次焊接。
      在以下所示的例中,包含在上述實(shí)施方案中說明的制造方法?;蛘咭部梢栽谂c上述實(shí)施方案不同的工藝(例如周知的引線鍵合工藝)之后,,適用本實(shí)施方案的內(nèi)容。
      圖15A以及圖15B表示引線鍵合工藝。圖16是圖15A的部分放大圖。圖17是圖16所示連接結(jié)構(gòu)的平面圖,并省略了工具。圖18表示與引線的接觸部分。
      如圖15A所示,在上述實(shí)施方案中已經(jīng)說明的圖11所示的狀態(tài)中,進(jìn)一步準(zhǔn)備其它電極112。在圖15A所示的例中,多個(gè)半導(dǎo)體芯片16、116,使各電解51、12、112露出那樣被積層在基板50上。半導(dǎo)體芯片116搭載在半導(dǎo)體芯片16上。這時(shí),多數(shù)情況下上側(cè)的半導(dǎo)體芯片116的外形比下側(cè)半導(dǎo)體芯片16的外形小。
      如圖15A所示,準(zhǔn)備支撐引線220的工具230,使引線220的前端部222形成為球狀。引線220、工具230以及夾具236的事項(xiàng),可以適用上述內(nèi)容。工具230具有孔232以及開口部234。另外,引線220的前端部222形成為球狀的方法也和上述相同。
      然后,通過工具230的開口端部234將引線220的前端部222焊接在凸點(diǎn)40上。這時(shí),如圖16以及圖17所示,使前端部222的至少一部分重疊在引線120上進(jìn)行焊接。這樣,可以有效活用凸點(diǎn)40的平面面積。此外,優(yōu)選在超聲波振動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行焊接。
      如圖16所示,在上述焊接工藝中,通過引線220的前端部222以及工具230,對(duì)連接在凸點(diǎn)40上的引線120中沒有被壓扁的部分不進(jìn)行壓扁。這時(shí),優(yōu)選使引線220的前端部222以及工具230與引線120中沒有被壓扁的部分不接觸。在此,引線120的沒有被壓扁的部分是指在將引線120焊接在凸點(diǎn)40上的工藝中沒有被壓扁的部分。即,引線120被壓扁的部分是引線120的連接班126。
      如果采用圖18所示的例進(jìn)行說明,在上述焊接工藝中,引線220的前端部222以及工具230與引線120的X處附近沒有被壓扁的部分(X處的左側(cè))不接觸。此外,圖18的X處是指將引線120向凸點(diǎn)40的焊接中沒有被壓扁的區(qū)域的邊界點(diǎn)。
      這樣,這樣可以防止已經(jīng)連接在凸點(diǎn)40撒謊那個(gè)的引線120的環(huán)形狀變形。詳細(xì)講,可以防止引線120的環(huán)高度降低后與半導(dǎo)體芯片接觸,或者引線120在橫方向上倒下,或者引線120損傷的情況發(fā)生。
      或者,引線220的前端部222以及工具230,也可以與圖18所示的引線120的Y處附近沒有被壓扁的部分(Y處的左側(cè))不接觸。圖18的Y處是指將引線120的直徑(厚度)降低到1/2時(shí)的邊界點(diǎn)。這樣,可以更加可靠地到達(dá)上述效果。
      或者,引線220的前端部222以及工具230,也可以與圖18所示的引線120的Z處附近沒有被壓扁的部分(Z處的左側(cè))不接觸。圖18的Z處是指將引線120的直徑(厚度)降低到1/3時(shí)的邊界點(diǎn)。這樣,可以更加可靠地到達(dá)上述效果。
      如圖17所示,也可以將引線220的前端部222的中心(在圖7中引線220中從前端部222在孔232內(nèi)連續(xù)的部分)配置在凸點(diǎn)40中越過引線120的引出方向的中心的部分(圖17的中心線L的右側(cè))進(jìn)行焊接工藝。即,使前端部222的中心偏離引線120向引線40的引出方向。這時(shí),如果凸點(diǎn)40(特別是上端部42)在引線120的引出方向已經(jīng)被加寬,可以確保凸點(diǎn)40和引線220的連接區(qū)域。加寬凸點(diǎn)40的方式,和上述第1以及第2實(shí)施方案中說明的方式相同。進(jìn)一步,如果凸點(diǎn)40在引線120的引出方向逐漸降低而傾斜,容易在凸點(diǎn)40上載置引線220的前端部222。使凸點(diǎn)40傾斜的方式,和上述第1以及第2實(shí)施方案中說明的方式相同。這樣,可以在可靠并且穩(wěn)定的狀態(tài)下將引線220的前端部222焊接在凸點(diǎn)40上。
      如圖17所示,也可以將整個(gè)前端部222配置在凸點(diǎn)40中越過引線120的引出方向的中心的部分(圖17的中心線L的右側(cè)),也可以包含凸點(diǎn)40中引線120的引出方向的中心(在圖17中與中心線L重疊的部分)進(jìn)行配置。此外,也可以使引線220的前端部222和凸點(diǎn)40,如圖17所示一部分之間重疊進(jìn)行焊接,或者使整個(gè)前端部222與凸點(diǎn)40的一部分重疊進(jìn)行焊接。
      如圖15B所示,在上述焊接工藝后,將引線220與電極112電連接。詳細(xì)講,預(yù)先在電極1 12上形成凸點(diǎn)140,將引線220向凸點(diǎn)140引出,將引線220的一部分焊接在凸點(diǎn)140上。如果凸點(diǎn)140和凸點(diǎn)40是相同的方式形成,則在向凸點(diǎn)140焊接的工藝中,可以到達(dá)在第2實(shí)施方案中說明的效果。
      依據(jù)有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法,通過引線220的前端部222以及工具230,由于不將引線120的沒有被壓扁的部分壓扁進(jìn)行焊接的工藝,不會(huì)出現(xiàn)引線120和凸點(diǎn)40之間的接觸不良的情況,可以將新引線220焊接在凸點(diǎn)40上。
      此外,有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法,可以選擇適用根據(jù)上述制造方法中所說明的內(nèi)容引導(dǎo)出的任何事項(xiàng)(構(gòu)成、作用以及效果)。
      圖19表示適用本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的一例。在圖19所示的例中,半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片16、116、216、具有電極52的基板50、封接部60、外部端子62?;?0、封接部60以及外部端子62的內(nèi)容如上所述。此外,有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置,并不限定于以下的例子。
      多個(gè)半導(dǎo)體芯片16、116、216在基板50上積層。詳細(xì)講,半導(dǎo)體芯片16面朝下安裝在基板50上,半導(dǎo)體芯片116配置在半導(dǎo)體芯片16上,半導(dǎo)體芯片216配置在半導(dǎo)體芯片116上。各半導(dǎo)體芯片16、116、216使具有電極的面朝向與基板50相反側(cè)進(jìn)行配置,用引線與基板50進(jìn)行電連接。用引線120、220進(jìn)行連接的方式,如上所述。
      依據(jù)有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置,可以實(shí)現(xiàn)引線120、220的低環(huán)化,并且可以提供電連接可靠性高的裝置。
      圖20表示適用本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的另一例。在圖20所示的例中,半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片16、116、316、封接部70、搭載這些的裸片襯墊72、引出腳74。該半導(dǎo)體裝置具有QFP(Quad Flat Packag)型的封裝結(jié)構(gòu)。
      裸片襯墊72在其一面上載置多個(gè)半導(dǎo)體芯片16、116、316,其另一面從封接部70中露出。這樣可以提高半導(dǎo)體裝置的散熱性能。封接部70多采用環(huán)氧樹脂系的樹脂。引出腳74包括與封接部70的任一半導(dǎo)體芯片(在圖20中的半導(dǎo)體芯片16)電連接的內(nèi)引出腳76、從封接部70露出到外部的外引出腳78。外引出腳78彎曲成給定形狀(在圖20中海鷗展翅形狀),成為半導(dǎo)體裝置的外部端子。如圖所示,在外引出腳78上設(shè)置焊料等金屬皮膜44(例如電鍍皮膜)。各半導(dǎo)體芯片16、116、316通過引線120、220相互電連接。用引線進(jìn)行連接的方式,如上所述。
      依據(jù)有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置,可以實(shí)現(xiàn)引線120、220的低環(huán)化,并且可以提供電連接可靠性高的裝置。
      圖21表示應(yīng)用本實(shí)施方案的電路板。圖19所示的半導(dǎo)體裝置1被安裝在電路板80上。在電路板80上,例如一般采用玻璃環(huán)氧樹脂基板等有機(jī)系基板。在電路板80上形成例如由銅構(gòu)成的布線圖案82,形成所希望的電路,布線圖案82與半導(dǎo)體裝置的外部端子連接。
      作為具有有關(guān)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體裝置的電子機(jī)器,如圖22所示的筆記本型微機(jī)1000,圖23所示的手機(jī)電話2000。
      本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方案,可以進(jìn)行各種變形。例如,本發(fā)明包含和實(shí)施方案中所說明的構(gòu)成實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成(例如在功能、方法以及結(jié)果上相同的構(gòu)成,或者在目的以及結(jié)果上相同的構(gòu)成)。另外,本發(fā)明包含將實(shí)施方案中所說明的構(gòu)成中非本質(zhì)性部分進(jìn)行替換后的構(gòu)成。另外,本發(fā)明包括與實(shí)施方案中所說明的構(gòu)成具有相同作用效果的構(gòu)成,或者可以達(dá)到同一目的的構(gòu)成。另外,本發(fā)明包括在實(shí)施方案中所說明的構(gòu)成中添加了公知技術(shù)的構(gòu)成。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是包括(a)通過工具將引線的前端部焊接在第1電極上的工藝、(b)將所述引線從所述第1電極引出到第2電極上的凸點(diǎn)的工藝、以及(c)利用所述工具中的所述第1電極側(cè)的部分,將所述引線的一部分焊接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的引出方向越過所述中心的部分上的工藝。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(c)工藝中,通過所述工具,將所述凸點(diǎn)的一部分壓扁。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(c)工藝中,在通過加壓而壓扁所述引線的同時(shí),使所述工具在所述凸點(diǎn)上沿所述凸點(diǎn)的寬度方向移動(dòng)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(c)工藝中,使所述工具在所述凸點(diǎn)上沿所述引線的引出方向移動(dòng)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(c)工藝中,使形成的所述凸點(diǎn)在所述引線的引出方向變寬。
      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(c)工序中,使形成的所述凸點(diǎn),從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在實(shí)施所述(c)工藝時(shí),同時(shí)對(duì)所述凸點(diǎn)施加超聲波振動(dòng)。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是所述工具具有能夠貫穿所述引線的孔;在所述(c)工藝中,通過所述孔的開口端部上的所述第1電極側(cè)的部分,進(jìn)行焊接。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(a)工藝之前,還包括(e)將在第2引線上的形成球狀的前端部焊接在所述第2電極上的工藝、(f)將所述第2引線的一部分從焊接后的所述前端部引出的工藝、(g)將所述第2引線中與所述前端部連接的部分在所述前端部上壓扁后在所述第2電極上形成所述凸點(diǎn)的工藝、以及(h)在所述第2電極上留下所述凸點(diǎn)并將所述第2引線切斷的工藝。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(g)工藝中,將所述凸點(diǎn)形成為具有連接在所述第2電極上的下端部、和大致呈平坦面的上端部。
      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(g)工藝中,將所述凸點(diǎn)的所述上端部,在與所述凸點(diǎn)連接的所述第1引線的向所述凸點(diǎn)引出的方向上加寬形成。
      12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征是在所述(g)工藝中,使所述凸點(diǎn)的所述上端部沿向外的方向逐漸降低。
      13.一種半導(dǎo)體裝置,其特征是由權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的方法而制造。
      14.一種半導(dǎo)體裝置,其特征是包括具有成為第1電極的部分的引出腳、具有集成電路和第2電極、并且具有與所述第2電極相連接的下端部和大致呈平坦面的上端部的凸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片、具有第1及第2端部,所述第1端部與所述第1電極電連接而所述第2端部與所述凸點(diǎn)電連接的引線,形成的所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低,所述引線的所述第2端部連接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分。
      15.一種半導(dǎo)體裝置,其特征是包括具有集成電路及第1電極的半導(dǎo)體芯片、具有集成電路和第2電極、并且具有與所述第2電極相連接的下端部和大致呈平坦面的上端部的凸點(diǎn)的另一半導(dǎo)體芯片、具有第1及第2端部,所述第1端部與所述第1電極電連接而所述第2端部與所述凸點(diǎn)電連接的引線,形成的所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低,所述引線的所述第2端部焊接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分。
      16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是所述凸點(diǎn)的一部分被壓扁。
      17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置,其特征是所述凸點(diǎn)的一部分被壓扁。
      18.一種電路板,其特征是安裝了權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置。
      19.一種電路板,其特征是安裝了包括具有成為第1電極的部分的引出腳、具有集成電路和第2電極、并且具有與所述第2電極相連接的下端部和大致呈平坦面的上端部的凸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片、具有第1及第2端部,所述第1端部與所述第1電極電連接而所述第2端部與所述凸點(diǎn)電連接的引線,形成的所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低,所述引線的所述第2端部連接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分的半導(dǎo)體裝置。
      20.一種電路板,其特征是安裝了包括具有集成電路及第1電極的半導(dǎo)體芯片、具有集成電路和第2電極、并且具有與所述第2電極相連接的下端部和大致呈平坦面的上端部的凸點(diǎn)的另一半導(dǎo)體芯片、具有第1及第2端部,所述第1端部與所述第1電極電連接而所述第2端部與所述凸點(diǎn)電連接的引線,形成的所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低,所述引線的所述第2端部焊接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分的半導(dǎo)體裝置。
      21.一種電子機(jī)器,其特征是具有權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置。
      22.一種電子機(jī)器,其特征是具有包括具有成為第1電極的部分的引出腳、具有集成電路和第2電極、并且具有與所述第2電極相連接的下端部和大致呈平坦面的上端部的凸點(diǎn)的半導(dǎo)體芯片、具有第1及第2端部,所述第1端部與所述第1電極電連接而所述第2端部與所述凸點(diǎn)電連接的引線,形成的所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低,所述引線的所述第2端部連接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分的半導(dǎo)體裝置。
      23.一種電子機(jī)器,其特征是具有包括具有集成電路及第1電極的半導(dǎo)體芯片、具有集成電路和第2電極、并且具有與所述第2電極相連接的下端部和大致呈平坦面的上端部的凸點(diǎn)的另一半導(dǎo)體芯片、具有第1及第2端部,所述第1端部與所述第1電極電連接而所述第2端部與所述凸點(diǎn)電連接的引線,形成的所述凸點(diǎn)的所述上端部,在所述引線的向所述凸點(diǎn)的引出方向變寬,且從所述引線開始沿其引出方向離開越遠(yuǎn)則越低,所述引線的所述第2端部焊接在所述凸點(diǎn)的中心或沿所述引線的所述引出方向越過所述中心的部分的半導(dǎo)體裝置。
      全文摘要
      一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,通過工具(130),將引線(120)的前端部(122)焊接在第1電極(52)上。將引線(120)從第1電極(52)引出到第2電極(12)上的凸點(diǎn)(40)。通過工具(130)中在引線(120)的引出方向的第1電極(52)側(cè)的部分,將引線(120)的一部分焊接在凸點(diǎn)40的引線(120)的引出方向的中心或越過中心的部分上。從而實(shí)現(xiàn)將引線以可靠并且穩(wěn)定的狀態(tài)焊接在凸點(diǎn)上的目的。
      文檔編號(hào)H01L25/065GK1440063SQ0310377
      公開日2003年9月3日 申請(qǐng)日期2003年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月19日
      發(fā)明者高橋卓也 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社
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