專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器。
(1)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包含導(dǎo)線；層疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片；電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的第一半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)線的第一引線；電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中層疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)線的第二引線；形成在所述第二引線上，曲率比其他部分大的第一和第二彎曲部；所述第二引線通過在所述導(dǎo)線的上方，延伸到所述第一彎曲部，從所述第一彎曲部向所述第二半導(dǎo)體芯片的方向，向斜上延伸，從所述第二彎曲部向下延伸，電連接了所述第二半導(dǎo)體芯片。
根據(jù)本發(fā)明，在第二引線上形成了第一和第二彎曲部。所述第二彎曲部形成在比第一彎曲部更靠第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)，并且成為第二引線的最頂部。據(jù)此，能確保第二引線和第二半導(dǎo)體芯片的角部的距離，能避免兩者的接觸。而且，通過第一彎曲部，能調(diào)整第一和第二引線的距離。即與第二引線直接從導(dǎo)線向第二彎曲部延伸相比，能使第二引線的最頂部的高度降低，并且能確保第一和第二引線的距離。因此，能以低環(huán)形實(shí)現(xiàn)第二引線的走線。
(2)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第二引線可以在接合了所述導(dǎo)線后，接合第二半導(dǎo)體芯片的電極。
(3)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第一彎曲部可以形成在比所述第一引線的高度低的位置上。
(4)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第一彎曲部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度可以比所述第一引線的高度方向的中間部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度小。
(5)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第二引線中比所述第一彎曲部更靠所述引線一側(cè)的部分的接線與所述導(dǎo)線的面所成的所述第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度比所述第一引線的高度方向的中間部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度大。
據(jù)此，因?yàn)榈谝粡澢繌牡谝灰€分開，所以能確保第一和第二引線間的距離。
(6)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第二彎曲部可以形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的內(nèi)側(cè)。
(7)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第二彎曲部形成在比所述第二半導(dǎo)體芯片至少高出所述第二引線的寬度尺寸以上的位置上。
據(jù)此，就能可靠地避免第二引線和第二半導(dǎo)體芯片的角部接觸。
(8)在該半導(dǎo)體裝置中，所述第二引線可以以幾乎最短距離連接所述第一和第二彎曲部而延伸。
據(jù)此，就能盡可能縮短第二引線。
(9)在該半導(dǎo)體裝置中，所述導(dǎo)線可以是由襯底支撐的布線圖案。
(10)本發(fā)明的電路板安裝有所述半導(dǎo)體裝置。
(11)本發(fā)明的電子儀器具有所述半導(dǎo)體裝置。
(12)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，形成電連接層疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的第一半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線的第一引線；形成電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中層疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)線的第二引線，使其具有比其他部分曲率更大的第一和第二彎曲部；通過在所述導(dǎo)線的上方，把所述第二引線引出到所述第一彎曲部，從所述第一彎曲部向所述第二半導(dǎo)體芯片的方向，向斜上引出，從所述第二彎曲部向下方引出，電連接所述第二半導(dǎo)體芯片。
根據(jù)本發(fā)明，形成具有第一和第二彎曲部的第二引線。所述第二彎曲部形成在比第一彎曲部更靠第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)，并且成為第二引線的最頂部。據(jù)此，就能確保第二引線和第二半導(dǎo)體芯片的角部的距離，能避免兩者的接觸。通過第一彎曲部，能調(diào)整第一和第二引線的距離。即與直接從導(dǎo)線向第二彎曲部引出第二引線相比，能使第二引線的最頂部的高度降低，并且能確保第一和第二引線的距離。因此，能以低環(huán)形實(shí)現(xiàn)第二引線的走線。
(13)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以在比第一引線的高度低的位置上形成第一彎曲部。
(14)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以形成所述第二引線，使所述第一彎曲部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度比所述第一引線的高度方向的中間部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度小。
(15)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以形成所述第二引線，使所述第二引線中比所述第一彎曲部更靠所述引線一側(cè)的部分的接線與所述導(dǎo)線的面所成的所述第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度比所述第一引線的高度方向的中間部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度大。
據(jù)此，因?yàn)榈谝粡澢繌牡谝灰€分開，所以能確保第一和第二引線間的距離。
(16)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述第二彎曲部可以形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的內(nèi)側(cè)。
(17)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以在比所述第二半導(dǎo)體芯片至少高出所述第二引線的寬度尺寸以上的位置上形成所述第二彎曲部。
據(jù)此，能可靠地避免第二引線和第二半導(dǎo)體芯片的角部接觸。
(18)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以引出所述第二引線，使它以幾乎最短距離連接所述第一和第二彎曲部。
據(jù)此，就能盡可能地縮短第二引線。
(19)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述導(dǎo)線可以是由襯底支撐的布線圖案。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖2是圖1的局部放大圖。
圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例的電路板的圖。
圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例的電子儀器的圖。
圖7是表示本發(fā)明實(shí)施例的電子儀器的圖。下面簡要說明附圖符號。
10-第一半導(dǎo)體芯片；20-第二半導(dǎo)體芯片；30-襯底；32-布線圖案；40-第一引線；50-第二引線；54-第一彎曲部；56-第二彎曲部。
圖1～圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的圖。圖1是表示本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的圖，圖2是圖1的局部放大圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包含多個(gè)半導(dǎo)體芯片(包含第一和第二半導(dǎo)體芯片10、20)、襯底30、接合了多個(gè)半導(dǎo)體芯片的多條引線(包含第一和第二引線40、50)。
多個(gè)半導(dǎo)體芯片立體層疊。半導(dǎo)體裝置1被稱作堆疊型(或三維安裝型)半導(dǎo)體裝置。在圖1所示的例子中，多個(gè)半導(dǎo)體芯片為兩個(gè)(只有第一和第二半導(dǎo)體芯片10、20)，但是多個(gè)半導(dǎo)體芯片可以三個(gè)以上。第一和第二半導(dǎo)體芯片10、20是指多個(gè)半導(dǎo)體芯片中直接層疊在上下的兩個(gè)。半導(dǎo)體芯片例如可以是閃存、SRAM、DRAM、ASIC或MPU等。作為多個(gè)半導(dǎo)體芯片的組合，例如可以是ASIC和閃存和SRAM、SRAM間、DRAM間、或閃存和SRAM。
雖然未限定第一半導(dǎo)體芯片10的形狀，但是如圖1所示，常常為長方體(包含立方體)。半導(dǎo)體芯片10具有集成電路(圖中未顯示)，具有電連接了集成電路的至少一個(gè)(常常為多個(gè))電極12。電極12是薄而平地形成在第一半導(dǎo)體芯片10的面上的焊盤。如圖2所示，電極12可以形成在第一半導(dǎo)體芯片10的面的端部(例如靠近外形的2邊或4邊)。電極12常有鋁類或銅類的金屬形成。須指出的是，在第一半導(dǎo)體芯片10上，避開電極的中央部而覆蓋端部，形成了鈍化膜(圖中未顯示)。鈍化膜能由SiO2、SiN、聚酰亞胺樹脂形成。
在圖1所示的例子中，第二半導(dǎo)體芯片20的外形比第一半導(dǎo)體芯片10的外形小。這樣一來，能避開電極12，在第一半導(dǎo)體芯片10上搭載第二半導(dǎo)體芯片20。第二半導(dǎo)體芯片20最好搭載在第一半導(dǎo)體芯片10的中央部。
第二半導(dǎo)體芯片20具有電極22，在電極22上設(shè)置了凸臺24。通過設(shè)置了凸臺24，當(dāng)進(jìn)行第二引線50的第二接合時(shí)，能在不損傷成為基底的電極22的前提下，電連接第二引線50和電極22。凸臺24最好用和第二引線50相同的材料(例如金)形成。
襯底30被稱作半導(dǎo)體裝置的插入層。襯底30可以由有機(jī)類(聚酰亞胺襯底)或無機(jī)類(陶瓷襯底、玻璃襯底)中的任意材料形成，可以由它們的復(fù)合構(gòu)造(玻璃環(huán)氧襯底)形成。襯底30可以是單層或多層襯底。
襯底30具有由多條布線構(gòu)成的布線圖案(導(dǎo)線)32。在布線圖案32上形成了電連接部(例如連接盤)。電連接部常常形成平的面。形成了布線圖案32，以便實(shí)現(xiàn)從襯底10的任意一方或兩面的電連接。例如如圖1所示，通過在襯底30上形成多個(gè)通孔34，從襯底30的兩面實(shí)現(xiàn)電連接。通孔34可以由導(dǎo)電材料嵌入，也可以鍍敷內(nèi)壁面，成為通孔。
如圖1所示，使電極12向上(與襯底30相反的一側(cè))，安裝有第一半導(dǎo)體芯片10。使電極22向上(與第一半導(dǎo)體芯片10相反的一側(cè))，安裝有第二半導(dǎo)體芯片20。
第一引線40電連接第一半導(dǎo)體芯片10和布線圖案32。在第一半導(dǎo)體芯片10上，對應(yīng)電極12的個(gè)數(shù)而設(shè)置了多條第一引線40?？梢酝ㄟ^應(yīng)用球形接合法形成第一引線40。具體地說，即把引出到工具(例如毛細(xì)管)的外部的第一引線40的頂端部熔化為球狀，通過把它的頂端部熱壓接(最好同時(shí)使用超聲波振動)在電極12上，把第一引線40電連接了電極12。此時(shí)，第一引線40的頂端部成為凸臺42。然后，第一引線40接合了布線圖案32。
作為變形例，可以通過在襯底30的布線圖案32上接合了第一引線40后，接合第一半導(dǎo)體芯片10的電極12而形成。此時(shí)，在接合前，在接合前，為了防止電極12的損傷，最好在第一半導(dǎo)體芯片10的電極12上預(yù)先設(shè)置凸臺。須指出的是，第一引線40的形態(tài)(例如環(huán)形)并不局限于這些內(nèi)容。
第二引線50電連接第二半導(dǎo)體芯片20和布線圖案32。在第二半導(dǎo)體芯片20上，與電極22的個(gè)數(shù)對應(yīng)，設(shè)置了多條第二引線50。第二引線50可以電連接與第一引線40公共的布線，可以電連接不同的布線?？梢酝ㄟ^應(yīng)用球形結(jié)合法，形成第二引線50。如圖2所示，當(dāng)最初在第二引線50的布線圖案32上接合第二引線50時(shí)，在布線圖案32上設(shè)置了凸臺52。然后，該第二引線50接合了電極22上的凸臺24。
第二引線50具有第一和第二彎曲部54、56。第一和第二彎曲部54、56比第二引線50的其他部分的曲率大(或曲率半徑小)。換言之，第二引線50中曲率最大的部分相當(dāng)于第一或第二彎曲部54、56的任意一方，曲率第二大的部分相當(dāng)于另一方。第一和第二彎曲部54、56的任意一個(gè)可以是最大的曲率。
第一彎曲部54形成在比第二彎曲部56更靠襯底30(具體地說，布線圖案32)一側(cè)。即在第二引線50上形成了第一彎曲部54，在比第一彎曲部54更靠第二半導(dǎo)體芯片20一側(cè)形成了第二彎曲部56。
如圖2所示，第一彎曲部54可以配置在襯底30(具體地說，布線圖案32)的上方。在圖2所示的例子中，第一彎曲部54形成在從布線圖案32的接合部(例如凸臺52)平面地移開的位置上。即第二引線50從布線圖案32向靠近第二半導(dǎo)體芯片20的方向斜著延伸。此時(shí)，能自由決定第二引線50中比第一彎曲部54更靠近布線圖案32一側(cè)的部分的接線L1(實(shí)際為多條接線的任意一個(gè))和布線圖案32的面(或襯底30的面)所成角度θ1(第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度)。而且，θ1最好比第一引線40的高度方向的中間部44(例如高度方向的中點(diǎn)及其附近)的接線L3(實(shí)際為多條接線的任意一個(gè))和布線圖案32的面(或襯底30的面)所成角度θ3(第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度)大。這樣一來，因?yàn)榈谝粡澢?4從第一引線40分開，所以能確保第一和第二引線40、50之間的距離。
作為變形例，通過第二引線50從布線圖案32開始，在幾乎正上方延伸，在布線圖案32的接合部(例如凸臺52)的幾乎正上方形成了第一彎曲部54。
如圖2所示，可以在比第一引線40的高度低的位置形成第一彎曲部54?？梢钥紤]布線圖案32的第一和第二引線40、50的各接合部間的距離、到第二引線50的第一彎曲部54的傾斜角度，決定第一彎曲部54的高度方向的位置。或者，在比第二半導(dǎo)體芯片20的高度低的位置形成第一彎曲部54。
在圖2所示的例子中，第一彎曲部54的引線L2和布線圖案32的面(或襯底30的面)所成角度θ2(第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度)比上述的第一引線40的角度θ3小。即具有θ1＞θ3＞θ2的關(guān)系。這樣一來，在避免接觸第一引線40的程度下，向上方引出第一引線40，能盡可能地降低使環(huán)形的高度。
第二引線50從第一彎曲部54開始，向第二半導(dǎo)體芯片20的方向，斜上方(與襯底30向方的方向)延伸。即第二引線50以與布線圖案32的面(或襯底30的面)平行的面為基準(zhǔn)，比它更向斜上方延伸。
第二彎曲部56成為第二引線50的最頂部。即第二彎曲部56的接線(圖中未顯示)可以配置在第一半導(dǎo)體芯片10的內(nèi)側(cè)。即第二彎曲部56在第一半導(dǎo)體芯片10的俯視圖中，可以配置在第一半導(dǎo)體芯片10的范圍內(nèi)。
第二彎曲部56配置在比第二半導(dǎo)體芯片20的面更高的位置。第二彎曲部56形成在至少比第二半導(dǎo)體芯片20高出第二引線50的寬度(直徑)的尺寸以上的位置。這樣一來，如圖2所示，能可靠地避免第二引線50和第二半導(dǎo)體芯片20的角部(邊緣)26的接觸。例如，第二彎曲部56可以配置在第二引線50的寬度(例如由25μm)的尺寸的約1～2倍的高度(例如約25μm～50μm)。
第二引線50從第二彎曲部56向下(襯底30的方向)延伸。具體地說，第二引線50以與布線圖案32的面(或襯底30的面)平行的面為基準(zhǔn)，比它向下延伸，電連接了第二半導(dǎo)體芯片20的電極22(在圖中，電極22上的凸臺24)。
第二引線50幾乎以最短距離連接第一和第二彎曲部54、56而延伸。即第二引線50中，第一和第二彎曲部54、56之間的部分可以為直線。這樣一來，能盡可能縮短第二引線。
在圖1所示的例子中，半導(dǎo)體裝置1具有在襯底上密封第一和第二半導(dǎo)體芯片10、20的密封部60。密封部60可以是樹脂密封部。在密封時(shí)可以使用金屬模。例如應(yīng)用傳遞模塑法，在襯底30上形成密封部60?；蛘?，可以應(yīng)用接合法，形成密封部60。
在圖1所示的例子中，半導(dǎo)體裝置1具有多個(gè)外部端子62。外部端子62可以是焊錫球。外部端子62電連接了布線圖案32。外部端子62可以形成在通孔34的位置。通過把電連接第一和第二半導(dǎo)體芯片10、20的布線圖案32形成給定形狀，能在襯底30的平面擴(kuò)展的區(qū)域中設(shè)置外部端子62。即因?yàn)槟茉诎雽?dǎo)體裝置上設(shè)置改變了間隔的外部端子62，所以能容易地進(jìn)行向電路板(母板)的搭載。
作為變形例，可以使襯底30的布線圖案32的一部分延伸，從它實(shí)現(xiàn)外部連接?？梢园巡季€圖案32的一部分作為連接器的導(dǎo)線，或把連接器安裝在襯底30上。可以不主動形成外部端子62，在向電路板的安裝時(shí)，利用涂敷在電路板一側(cè)的焊膏，用它熔化時(shí)的表面張力，形成外部端子。該半導(dǎo)體裝置是所謂的連接盤柵格陣列型的半導(dǎo)體裝置。
與上述的例子不同，可以代替布線圖案32，在加工引線框而形成的導(dǎo)線上電連接多個(gè)半導(dǎo)體芯片。此時(shí)，導(dǎo)線不支撐在構(gòu)件上，成為自由端。導(dǎo)線具有內(nèi)導(dǎo)線和外導(dǎo)線，在內(nèi)導(dǎo)線的部分接合了第一和第二引線40、50。第一和第二半導(dǎo)體芯片10、20可以搭載在芯片墊上。或者，當(dāng)未設(shè)置芯片墊時(shí)，可以設(shè)置散熱(例如熱吸收器)，在其上搭載第一和第二半導(dǎo)體芯片10、20。
根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，在第二引線50上形成了第一和第二彎曲部54、56。第二彎曲部56形成在比第一彎曲部54更靠第二半導(dǎo)體芯片20一側(cè)，并且成為第二引線50的最頂部。因此，能確保第二引線50和第二半導(dǎo)體芯片20的角部的距離，能避免兩者的接觸。通過第一彎曲部54，能調(diào)整第一和第二引線40、50的距離。即與第二引線50直接從導(dǎo)線(布線圖案32)向第二彎曲部56延伸相比，能降低第二引線50的最頂部的高度，并且能確保第一和第二引線40、50的距離。據(jù)此，第二引線50很難倒下，另外，能防止密封步驟中，被密封材料沖走。因此，能以低環(huán)形實(shí)現(xiàn)低第二引線50的走線。
圖3和圖4是表示本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一部分的圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含用于到達(dá)要從上述的內(nèi)容選擇的任意的結(jié)構(gòu)所必要的方法，省略了與上述的內(nèi)容重復(fù)的部分。
如圖3所示，在襯底30上搭載了第一和第二半導(dǎo)體芯片10、20后，通過第一引線40電連接第一半導(dǎo)體芯片10和布線圖案32。第一引線40能應(yīng)用眾所周知的內(nèi)容。
準(zhǔn)備支撐第二引線50的工具(例如毛細(xì)管)。第二引線50由金等導(dǎo)電材料形成。工具70具有孔，第二引線50穿過孔72的內(nèi)側(cè)。工具70由圖中未顯示的支撐例(超聲波角狀擴(kuò)音器)，支撐在圖中未顯示的制造裝置的主體(引線接合器)上。第二引線50根據(jù)夾具74的開關(guān)，能在上下方向移動。而且，工具70的開口端部76能按壓第二引線50的一部分(形成了球狀的頂端部)。
把工具70配置在布線圖案32的上方，把第二引線50中引出到工具70的外部的頂端部形成球狀(或塊狀)?？梢酝ㄟ^熱能(例如放電或氣體火焰)使頂端部熔化，形成球狀。
然后，如圖3所示，在布線圖案32上接合第二引線50。然后，形成第一和第二彎曲部54、56，把第二引線50向第二半導(dǎo)體芯片20的方向引出。如果在第二半導(dǎo)體芯片20的電極上預(yù)先形成凸臺，在接合時(shí)，就不會損傷電極。
如圖4所示，在凸臺24上接合第二引線50的一部分。具體地說，在開口端部76的已經(jīng)引出第二引線50的一側(cè)，接合第二引線50的一部分。然后，在凸臺24上切斷第二引線50。這樣，能在第一引線40的上方形成第二引線50。須指出的是，可以用和上述同樣的步驟形成第一引線40。
根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能實(shí)現(xiàn)上述的效果。
圖5表示了應(yīng)用了上述的實(shí)施例的電路板。半導(dǎo)體裝置1安裝在電路板1000上。電路板1000一般使用例如玻璃環(huán)氧襯底等有機(jī)類襯底。在電路板1000上形成有例如由銅構(gòu)成的布線圖案1100，使其成為所希望的電路，布線圖案1100和半導(dǎo)體裝置的外部端子62接合在一起。
作為具有本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的電子儀器，圖6中表示了筆記本型的個(gè)人電腦2000，圖7中表示了移動電話3000。
本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施例，它可能有各種各樣的變形。例如，本發(fā)明包含與實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)或目的以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包含置換了實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)部分的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含能與實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)發(fā)揮同樣作用的結(jié)構(gòu)或能實(shí)現(xiàn)相同目的的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包含在實(shí)施例中說明的結(jié)構(gòu)中附加了公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包含導(dǎo)線；層疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片；電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的第一半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)線的第一引線；電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中層疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)線的第二引線；形成在所述第二引線上，曲率比其他部分大的第一和第二彎曲部；所述第二引線通過在所述導(dǎo)線的上方延伸到所述第一彎曲部，從所述第一彎曲部向所述第二半導(dǎo)體芯片的方向，向斜上方延伸，從所述第二彎曲部向下方延伸，電連接所述第二半導(dǎo)體芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二引線在接合了所述導(dǎo)線后，接合所述第二半導(dǎo)體芯片的電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第一彎曲部形成在比所述第一引線的高度低的位置上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第一彎曲部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度，比所述第一引線的高度方向的中間部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二引線中比所述第一彎曲部更靠所述引線一側(cè)的部分的接線與所述導(dǎo)線的面所成的所述第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度，比所述第一引線的高度方向的中間部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二彎曲部形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的內(nèi)側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二彎曲部形成在比所述第二半導(dǎo)體芯片至少高出所述第二引線的寬度尺寸以上的位置上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二引線以幾乎最短距離連接所述第一和第二彎曲部而延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述導(dǎo)線是由襯底支撐的布線圖案。
10.一種電路板，其特征在于安裝有權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
11.一種電子儀器，其特征在于具有權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于形成電連接層疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的第一半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線的第一引線；形成電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中層疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)線的第二引線，使其具有比其他部分曲率更大的第一和第二彎曲部；通過在所述導(dǎo)線的上方把所述第二引線引出到所述第一彎曲部，從所述第一彎曲部向所述第二半導(dǎo)體芯片的方向，向斜上方引出，從所述第二彎曲部向下方引出，電連接所述第二半導(dǎo)體芯片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在比第一引線的高度低的位置上形成第一彎曲部。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于形成所述第二引線，使所述第一彎曲部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度比所述第一引線的高度方向的中間部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度小。
15.根據(jù)權(quán)利要求12～14中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于形成所述第二引線，使所述第二引線中比所述第一彎曲部更靠所述引線一側(cè)的部分的接線與所述導(dǎo)線的面所成的所述第二半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度比所述第一引線的高度方向的中間部的接線和所述導(dǎo)線的面所成的所述第一半導(dǎo)體芯片一側(cè)的角度大。
16.根據(jù)權(quán)利要求12～15中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于把所述第二彎曲部形成在所述第一半導(dǎo)體芯片的內(nèi)側(cè)。
17.根據(jù)權(quán)利要求12～16中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在比所述第二半導(dǎo)體芯片至少高出所述第二引線的寬度尺寸以上的位置上形成所述第二彎曲部。
18.根據(jù)權(quán)利要求12～17中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于引出所述第二引線，使其以幾乎最短的距離連接所述第一和第二彎曲部。
19.根據(jù)權(quán)利要求12～18中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于所述導(dǎo)線是由襯底支撐的布線圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，包含導(dǎo)線(32)；層疊的多個(gè)半導(dǎo)體芯片；電連接所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的第一半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線(32)的第一引線(40)；電連接多個(gè)半導(dǎo)體芯片中層疊在第一半導(dǎo)體芯片(10)上的第二半導(dǎo)體芯片(20)和導(dǎo)線(32)的第二引線(50)；形成在所述第二引線(50)上，曲率比其他部分大的第一和第二彎曲部(54、56)；第二引線(50)通過在導(dǎo)線(32)的上方，延伸到第一彎曲部(54)，從第一彎曲部(54)向第二半導(dǎo)體芯片(20)的方向，向斜上延伸，從第二彎曲部(56)向下延伸，電連接了第二半導(dǎo)體芯片(20)。能實(shí)現(xiàn)引線的恰當(dāng)走線。
文檔編號H01L21/60GK1441495SQ03103780
公開日2003年9月10日 申請日期2003年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月25日
發(fā)明者富松浩之 申請人:精工愛普生株式會社