專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具備自發(fā)光元件的顯示裝置，特別涉及一種具備電致發(fā)光元件及薄膜晶體管的顯示裝置。
上述EL顯示裝置是依序?qū)FT及有機(jī)EL元件層積在例如透明基板(以下，稱絕緣性基板)上而形成的。
在該絕緣性基板上形成有柵極。在該柵極上依序形成了柵極絕緣膜及由p-Si膜所構(gòu)成的有源層。
在該有源層上，設(shè)有柵極上方的溝道，以及通過該溝道位于柵極電極兩側(cè)的源極·漏極區(qū)域。
并且，在上述柵極絕緣膜、有源層上的所有面上形成有層間絕緣膜，且在上述漏極區(qū)域相應(yīng)地設(shè)置的接觸孔內(nèi)填充有Al等金屬，而形成漏極電極。
并且，在所有面上形成了使由例如有機(jī)樹脂所構(gòu)成的表面平坦的平坦化絕緣膜，且在對應(yīng)于該平坦化絕緣膜的源極區(qū)域的位置形成了接觸孔，而在平坦化絕緣膜上形成了兼具由通過該接觸孔與源極區(qū)域相接觸的ITO(Indium Tin Oxide)而構(gòu)成的源極電極的EL元件的陽極。
此外，在由該ITO所構(gòu)成的陽極上，形成了空穴輸送層，在該空穴輸送層上形成了EL元件，并且以覆蓋該EL元件的方式形成電子輸送層，而在該電子輸送層上，層積形成了陰極。
以下，將組裝有上述EL元件的基板側(cè)稱為裝置基板200繼續(xù)進(jìn)行說明。
圖4(A)、(B)是用以說明現(xiàn)有EL顯示裝置的封裝狀態(tài)的說明圖。首先，如圖4(A)、(B)所示，使用配料裝置(dispenser)等對上述裝置基板200與由玻璃基板形成的封裝基板300進(jìn)行涂布，通過例如環(huán)氧樹脂等密封樹脂400進(jìn)行貼合，通過加熱硬化，將上述裝置基板200和封裝基板300予以貼合。
此時，如圖5(A)所示，在封裝基板300的周邊部涂布密封樹脂400時，將該封裝基板300的某一邊的大略中央部作為涂布開始點(diǎn)411而開始涂布密封樹脂400，在涂布結(jié)束點(diǎn)(涂布開始點(diǎn)411的位置)結(jié)束涂布，當(dāng)在接合部413的位置接合密封樹脂400時，如圖5(B)所示，在利用封裝基板300和裝置基板200擠壓密封樹脂400時(貼合時擠壓)，也會發(fā)生使該密封樹脂400變寬，密封樹脂400流出至EL元件上的情形。此時會造成EL元件的動作不良。412表示涂布途中點(diǎn)。
在此，以往，為了實(shí)現(xiàn)即使密封樹脂擴(kuò)散，也不致使密封樹脂流出至EL元件上，在EL元件與密封樹脂之間具有充裕的間隔。因而必須犧牲顯示區(qū)域的尺寸，或增大顯示裝置本身的尺寸。
另外，為使密封樹脂不致流出，還考慮過在封裝基板側(cè)設(shè)置溝部，而在該溝部內(nèi)涂布密封樹脂的方法。然而，此時必須對封裝基板加工以形成溝部，導(dǎo)致成本的提高。
并且，上述密封樹脂在上述裝置基板及上述封裝基板的角部的寬度比在其它部分的寬度更寬。
并且，上述裝置基板構(gòu)成EL顯示裝置。
再者，由密封樹脂貼合裝置基板及封裝基板而形成的顯示裝置的制造方法的特征為，在沿著上述裝置基板及上述封裝基板的周邊部涂布密封樹脂時，將該基板的角部設(shè)定為涂布開始點(diǎn)并開始進(jìn)行涂布，并將涂布結(jié)束點(diǎn)設(shè)定在與涂布開始點(diǎn)相同的角部。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，當(dāng)沿著裝置基板及封裝基板的周邊部涂布密封樹脂時，將該基板的角部設(shè)定為涂布開始點(diǎn)，并將涂布結(jié)束點(diǎn)設(shè)定在與涂布開始點(diǎn)相同的角部，再使密封樹脂在該基板的角部接合，這樣，即使在該部分的樹脂寬度比其它部分的樹脂寬度更寬，由于角部的面積比其它部分的面積更寬，因此可防止密封樹脂延及EL元件。
圖2是適用于本發(fā)明的EL顯示裝置的平面圖。
圖3(a)、(b)是適用于本發(fā)明的EL顯示裝置的剖面圖。
圖4(A)、(B)是用以說明現(xiàn)有裝置基板與封裝基板的貼合構(gòu)造的說明圖。
圖5(A)、(B)是用以說明現(xiàn)有基板涂布密封樹脂的涂布動作的說明圖。符號說明200裝置基板，300封裝基板；400密封樹脂；401涂布開始點(diǎn)；402涂布途中點(diǎn)；403接合部圖2表示適用于本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的顯示像素附近的平面圖。圖3(a)表示沿著圖2中A-A線的剖面圖，圖3(b)表示沿著圖2中B-B線的剖面圖。
如圖2及圖3所示，在由柵極信號線51與漏極信號線52所圍成的區(qū)域，形成了顯示像素110，且配置成矩陣狀。
在該顯示像素110上配置有作為自發(fā)光元件的有機(jī)EL元件60；用以控制將電流供給至該有機(jī)EL元件60的定時開關(guān)用TFT30；用來對有機(jī)EL元件60供給電流的驅(qū)動用TFT40；以及保持電容。并且，有機(jī)EL元件是由作為第一電極的陽極和由發(fā)光材料形成的發(fā)光元件層；以及作為第二電極的陰極65所構(gòu)成。
即，在兩信號線51、52的交點(diǎn)附近具有作為開關(guān)用TFT的第一TFT，該TFT30的源極33s兼具與保持電容電極線54之間形成電容的電容電極55，同時連接著作為EL元件驅(qū)動用TFT的第二TFT40的柵極41，第二TFT的源極43s連接著有機(jī)EL元件60的陽極61，另一方的漏極43d則連接著作為供給至有機(jī)EL元件60的電流源的驅(qū)動電源線53。
并且，以與柵極信號線51平行的方式配置有保持電容電極線54。該保持電容電極線54。該保持電容電極線54由鉻等制成，并隔著柵極絕緣膜12而在與TFT的源極33s連接的電容電極55之間蓄積電荷并形成電容。該保持電容56是為了保持施加于第二TFT40的柵極電極41的電壓而設(shè)置的。
如圖3所示，有機(jī)EL顯示裝置在由玻璃或合成樹脂等所構(gòu)成的基板、或具有導(dǎo)電性的基板或半導(dǎo)體基板等基板10上，依序?qū)臃e形成TFT及有機(jī)EL元件。然而，在使用具有導(dǎo)電性的基板及半導(dǎo)體基板作為基板10時，是先在這些基板10上形成SiO2及SiN等絕緣膜，再形成第一、第二TFT及有機(jī)EL元件。不論何種TFT皆為柵極電極隔著柵極絕緣膜而位于有源層上方的所謂頂部柵極(top gate type)構(gòu)造。
首先，針對作為開關(guān)用TFT的第一TFT30加以說明。
如圖3(a)所示，利用CVD(chemical vapor deposition化學(xué)汽相成長法)法等在由石英玻璃、或無堿玻璃等構(gòu)成的絕緣性基板1上，形成非晶硅膜(以下稱“a-Si膜”)，并將激光照射在該a-Si膜上，使之熔融再結(jié)晶化，以形成多晶硅膜(以下稱“p-Si”膜)，而將該p-Si膜作為有源層33。在該有源層33上將SiO2膜、SiN膜的單層或?qū)臃e體作為柵極絕緣膜12。而且在該有源層33上具有兼具由Cr、Mo等高融點(diǎn)金屬所構(gòu)成的柵極電極31的柵極信號線51以及由Al所構(gòu)成的漏極信號線52，并配有作為有機(jī)EL元件的驅(qū)動電源且由Al所構(gòu)成的驅(qū)動電源線53。
而且，在柵極絕緣膜12及有源層33上的所有面上，形成了以SiO2膜、SiN膜、SiO2膜的順序?qū)臃e的層間絕緣膜15，且在對應(yīng)漏極33d而設(shè)置的接觸孔中，設(shè)置填充有Al等金屬的漏極電極36，并在所有面上形成使由有機(jī)樹脂所構(gòu)成的表面平坦化的平坦化絕緣膜17。
其次，針對作為有機(jī)EL元件的驅(qū)動用TFT的第二TFT40加以說明。如圖3(b)所示，在由石英玻璃或無堿玻璃等所構(gòu)成的絕緣性基板1上，依次形成了將激光照射在該a-Si膜并予以多結(jié)晶化而形成的有源層43、柵極絕緣膜12、以及由Cr、Mo等高熔點(diǎn)金屬所構(gòu)成的柵極電極41，在該有源層43上設(shè)有溝道43c，而在該溝道43c的兩側(cè)設(shè)有源極43s和漏極43d。而且，在柵極絕緣膜12及有源層43上的所有面上，形成了按照SiO2膜、SiN膜、SiO2膜的順序?qū)臃e的層間絕緣膜15，并配置了在對應(yīng)于漏極43d而設(shè)置的接觸孔中填充Al等金屬從而與驅(qū)動電源相連的驅(qū)動電源線53。并在所有面形成使由例如有機(jī)樹脂構(gòu)成的表面平坦化的平坦化絕緣膜17。而且，在對應(yīng)于該平坦化絕緣膜17的源極43s的位置上形成了接觸孔，而通過該接觸孔在平坦化絕緣膜17上則設(shè)置了由與源極43s相接觸的ITO所形成的透明電極，亦即有機(jī)EL元件的陽極61。該陽極61使各個顯示像素分離形成為島狀。
有機(jī)EL元件60按照下述順序?qū)臃e形成由ITO(Indium Tin Oxide)等透明電極形成的陽極61、由MTDATA(4，4-bis(3-methylphenylphenyl-amino)biphenyl)形成的第一空穴輸送層、由TPD(4，4，4-tris(3-methyl-phenylphenylamino)triphenylamine)形成的第二空穴輸送層所構(gòu)成的空穴輸送層62、包含喹吖酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯并[h]喹啉酚-鈹絡(luò)合物)(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex)所形成的發(fā)光層63、以及由Bebq2所形成的電子輸送層64、由鎂·銦合金所形成的陰極65的構(gòu)造。
有機(jī)EL元件60是通過從陽極61所注入的空穴與從陰極65所注入的電子在發(fā)光層內(nèi)部再度結(jié)合，激勵用以形成發(fā)光層的有機(jī)分子而產(chǎn)生激發(fā)子。在該激發(fā)子輻射鈍化的過程中由發(fā)光層發(fā)光，該光會從透明的陽極61經(jīng)由透明絕緣基板放出至外部而進(jìn)行發(fā)光。
以下，將組裝有上述EL元件60的基板側(cè)稱的為裝置基板(devicesubstrate)200，說明使用封裝基板300及密封樹脂400對該裝置基板200的上述EL元件60進(jìn)行樹脂封裝的構(gòu)成。
在此，本發(fā)明的特征為如

圖1(A)、(B)所示，在沿著裝置基板200及封裝基板300的周邊部涂布密封樹脂時，將對封裝基板300涂布密封樹脂400的該涂布開始點(diǎn)401作為封裝基板300的角部，再從該涂布開始點(diǎn)401涂布密封樹脂400，并在涂布結(jié)束點(diǎn)(涂布開始點(diǎn)401位置)使密封樹脂400互相粘合。402表示涂布途中點(diǎn)，403表示接合部。
此時，如圖1(B)所示，利用上述裝置基板200及上述封裝基板300進(jìn)行貼合時擠壓上述密封樹脂400，即使該密封樹脂400寬度變寬，由于該裝置基板200與該封裝基板300的角部的面積比其它部分(例如現(xiàn)有基板中央部、即各邊)的面積寬，因此可避免密封樹脂400寬度延及EL元件60上的情形。
在本發(fā)明中，利用上述的簡單方法，可使密封樹脂400不致流出至EL元件60上，進(jìn)而可避免EL元件60的動作不良的情形發(fā)生。
而且，在上述實(shí)施形態(tài)中，雖然是以適用于本發(fā)明的EL顯示裝置為例加以介紹，但本發(fā)明并不限定于此，亦可適用于液晶顯示裝置等的各種顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明，在沿著上述裝置基板及上述封裝基板的周邊部涂布密封樹脂時，將該基板的角部設(shè)定為涂布開始點(diǎn)，并將涂布結(jié)束點(diǎn)設(shè)定在與涂布開始點(diǎn)相同的角部，使密封樹脂與該基板的角部接合，這樣，即使在該部分的樹脂寬度比其它部分的樹脂寬度范圍更廣，由于角部的面積比其它部分的面積寬，因此可防止密封樹脂寬度延及EL元件。因而，密封樹脂不會流出至EL元件上，所以可抑制EL元件的動作不良的情形發(fā)生。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，是通過密封樹脂貼合裝置基板和封裝基板而形成的，其特征為利用所述裝置基板和所述封裝基板的角部，使所述裝置基板與沿著所述封裝基板的周邊部所涂布的密封樹脂接合。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征為所述密封樹脂在所述裝置基板和所述封裝基板角部處的寬度，比在其它部分的寬度范圍更寬。
3.如權(quán)利要求1或2的顯示裝置，其特征為所述裝置基板構(gòu)成了EL顯示裝置。
4.一種顯示裝置的制造方法，通過密封樹脂貼合裝置基板和封裝基板形成顯示裝置，其特征為當(dāng)沿著所述裝置基板和所述封裝基板的周邊部涂布密封樹脂時，將所述基板的角部設(shè)定為涂布開始點(diǎn)并開始進(jìn)行涂布，并將涂布結(jié)束點(diǎn)設(shè)定在與涂布開始點(diǎn)相同的角部。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置的制造方法，其特征為所述裝置基板構(gòu)成了EL顯示裝置。
全文摘要
為了在通過密封樹脂貼合裝置基板及封裝基板時，即使擠壓密封樹脂使其寬度增加，也能使密封樹脂不會流出至EL元件上，而改變了涂布開始點(diǎn)。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法是通過密封樹脂(400)貼合裝置基板(200)和封裝基板(300)而形成顯示裝置的方法，其中，沿著裝置基板(200)及封裝基板(300)的周邊部涂布的密封樹脂(400)，在沿著上述裝置基板(200)和上述封裝基板(300)的周邊部涂布密封樹脂時，將該基板的角部設(shè)定為涂布開始點(diǎn)(401)并開始進(jìn)行涂布，并將涂布結(jié)束點(diǎn)設(shè)定在與涂布開始點(diǎn)(401)相同的角部。
文檔編號H01L27/28GK1444420SQ0310506
公開日2003年9月24日 申請日期2003年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月4日
發(fā)明者小村哲司, 笹谷亨 申請人:三洋電機(jī)株式會社