專利名稱：膜基板處理裝置、膜基板處理方法和膜基板搬出方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及處理膜基板時(shí)進(jìn)行膜基板的交接技術(shù)。
背景技術(shù)：
在實(shí)裝技術(shù)領(lǐng)域，伴隨著電子設(shè)備的小型化和高性能化，要求實(shí)裝密度提高。為此，要求有一種在實(shí)裝基板上的元件連接變得微細(xì)、可靠性更高的實(shí)裝技術(shù)。為確?？煽啃?，一種方法是，用等離子體進(jìn)行表面改性。例如，通過(guò)等離子處理，可除去附著在表面的有機(jī)物污染、提高絲焊的焊接強(qiáng)度、改善潤(rùn)濕性、提高基板與密封樹脂之間的粘附性。即，用氧等離子體將基板表面活化，引起活性氧與有機(jī)物反應(yīng)、產(chǎn)生羧基(-COOH)、羰基(-C＝O)等、從而提高接合強(qiáng)度這樣的表面活化作用。此外，通過(guò)由氬離子或氧離子產(chǎn)生的濺射作用，產(chǎn)生表面凈化作用。
特別是由膜等構(gòu)成的撓性電路基板，如基板表面殘留氯，則由于基板周圍的濕氣和電路中的電流的影響，電路有可能受到腐蝕，因此，通過(guò)等離子處理，除去附著在表面的氯。此外，提高基板與樹脂之間的粘附性，防止水分從外部侵入。
以往，進(jìn)行這樣的等離子處理的方法是，人工進(jìn)行下述各步驟用人的手將膜幾片幾片地放置在操作室中，蓋上蓋子后，先抽成接近真空，再抽成真空，打開氣體閥門，施加高頻電流，停止施加高頻電流，恢復(fù)至大氣壓，打開操作室。用真空計(jì)確認(rèn)真空壓，并用秒表測(cè)定高頻電流施加時(shí)間。
然而，這樣的處理必然是間歇式處理，處理量有限。此外，由于用人手取出、放入膜，因此，膜有可能被污染。而且，由于凈化和下道工序之間有空隙，難以管理好膜。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的是，提供一種將膜放置在靜電式操作臺(tái)上進(jìn)行處理并實(shí)現(xiàn)處理自動(dòng)化的技術(shù)。
第1個(gè)發(fā)明是一種膜基板處理裝置，它具有
用靜電力將膜基板的與被處理面相反側(cè)的背面進(jìn)行保持(holding)的操作臺(tái)，內(nèi)部配置有上述操作臺(tái)的操作室，在上述操作室被減壓的狀態(tài)下對(duì)上述用操作臺(tái)加以保持的膜基板的被處理面進(jìn)行規(guī)定處理的處理部，從被處理面?zhèn)缺３帜せ?、進(jìn)行搬運(yùn)、邊從上述被處理面?zhèn)冗M(jìn)行擠壓邊將膜基板放置至上述操作臺(tái)上的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。
第2個(gè)發(fā)明是，在上述第1發(fā)明所述的裝置中，所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)具有通過(guò)吸引吸附來(lái)保持膜基板的搬入用保持部。
第3個(gè)發(fā)明是，在上述第1或第2發(fā)明所述的裝置中，所述搬入用保持部具有將膜基板的至少端部區(qū)域朝上述操作臺(tái)擠壓的擠壓部件。
第4個(gè)發(fā)明是，在上述第1或第2發(fā)明所述的裝置中，所述搬入用保持部具有使膜基板的整個(gè)邊緣部朝上述操作臺(tái)擠壓的擠壓面。
第5個(gè)發(fā)明是一種膜基板的處理方法，它具有通過(guò)搬入用保持部從被處理面將膜基板保持、進(jìn)行搬運(yùn)的搬運(yùn)工序，上述搬入用保持部邊從被處理面?zhèn)葦D壓膜基板邊將膜基板放置到操作臺(tái)上的放置工序，上述操作臺(tái)通過(guò)靜電力對(duì)與上述被處理面相反側(cè)的膜基板的背面進(jìn)行保持的操作臺(tái)保持工序，將上述操作臺(tái)周圍減壓的減壓工序，對(duì)上述膜基板的被處理面進(jìn)行規(guī)定處理的處理工序。
第6個(gè)發(fā)明是，在上述第5發(fā)明所述的方法中，在放置工序中，所述搬入用保持部將膜基板的的至少端部朝操作臺(tái)擠壓。
第7個(gè)發(fā)明是，在上述第5發(fā)明所述的方法中，在放置工序中，所述搬入用保持部將膜基板的整個(gè)邊緣部朝操作臺(tái)擠壓。
第8個(gè)發(fā)明是，在上述第5至第7中的任一項(xiàng)發(fā)明所述的方法中，所述操作臺(tái)保持工序包括施加電壓于操作臺(tái)，在上述電壓變化后，解除搬入用保持部對(duì)膜基板的保持。
第9個(gè)發(fā)明是，在上述第5至第7中任一項(xiàng)發(fā)明所述的方法中，所述操作臺(tái)保持工序包括施加電壓于操作臺(tái)，對(duì)流向操作臺(tái)的電流和施加電壓后的電流下降進(jìn)行檢測(cè)，在檢測(cè)出上述電流下降后解除搬入用保持部對(duì)膜基板的保持。
第10個(gè)發(fā)明是一種膜基板處理裝置，它具有將膜基板從通過(guò)靜電力將膜基板保持的操作臺(tái)搬出的搬出用保持部，其特征在于，所述搬出用保持部具有將膜基板端部保持、從操作臺(tái)舉起的端部舉起部和將膜基板的其它部位保持、使膜基板整體與操作臺(tái)分離的整體分離部。
第11個(gè)發(fā)明是，在第10發(fā)明所述的裝置中，所述端部舉起部為與膜基板接觸并進(jìn)行吸附的圓弧面的一側(cè)部位，而所述整體分離部為圓弧面的其它部位。
第12個(gè)發(fā)明是一種膜基板的搬出方法，它將膜基板從保持膜基板的操作臺(tái)搬出，它具有端部舉起部將操作臺(tái)上的膜基板的端部保持、整體分離部將其它部位保持的保持工序，端部舉起部離開操作臺(tái)、將膜基板端部從操作臺(tái)舉起的端部舉起工序，整體分離部離開操作臺(tái)、使膜基板整體與操作臺(tái)分離的整體分離工序。
第13個(gè)發(fā)明是，在第12發(fā)明所述的方法中，操作臺(tái)通過(guò)靜電力將膜基板保持，在端部舉起工序之前，還具有將施加在操作臺(tái)上的電壓解除的電壓解除工序和檢測(cè)操作臺(tái)電壓變化的電壓檢測(cè)工序。
第14個(gè)發(fā)明是，在第13發(fā)明所述的方法中，在電壓解除工序之前，還具有施加反電壓于操作臺(tái)的反電壓施加工序。
第15個(gè)發(fā)明是一種膜基板處理裝置，它具有搬運(yùn)膜基板的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)、用靜電力保持膜基板的與被處理面相反側(cè)的背面的操作臺(tái)、內(nèi)部配置有上述操作臺(tái)的操作室、在上述操作室處于減壓狀態(tài)下對(duì)由操作臺(tái)保持的膜基板的被處理面進(jìn)行規(guī)定處理的處理部，其特征在于，所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)具有從被處理面?zhèn)缺３帜せ?、進(jìn)行搬運(yùn)、在從上述被處理面?zhèn)葦D壓的同時(shí)將膜基板放置到操作臺(tái)上的搬入用保持部和從用靜電力保持膜基板的操作臺(tái)將膜基板搬出的搬出用保持部。
第16個(gè)發(fā)明是，在第15發(fā)明所述的裝置中，所述搬出用保持部通過(guò)吸引吸附將膜基板保持、將膜基板的端部區(qū)域朝操作臺(tái)擠壓。
第17個(gè)發(fā)明是，在第15發(fā)明所述的裝置中，所述搬出用保持部先將膜基板的端部保持，然后將膜基板整體從操作臺(tái)舉起。
根據(jù)上面所述的本發(fā)明的膜基板處理裝置和方法，在減壓氣氛下對(duì)膜基板進(jìn)行處理時(shí)，可將膜基板穩(wěn)穩(wěn)地保持在操作臺(tái)上。此外，根據(jù)本發(fā)明的膜基板處理裝置和膜基板搬出方法，不用強(qiáng)力就可從用靜電力保持膜基板的操作臺(tái)將該膜基板接取。


圖1A是操作室結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖1B是說(shuō)明用等離子體處理基板的原理的圖。
圖2是膜基板處理裝置的平面圖。
圖3是操作室的縱向剖面圖。
圖4是膜基板處理裝置的操作流程圖。
圖5是膜基板處理裝置的操作流程圖。
圖6是第1吸附部的正面圖。
圖7是吸附膜基板的第1吸附部的底面圖。
圖8是說(shuō)明第1吸附部將膜基板傳送給操作臺(tái)的情況的圖。
圖9是說(shuō)明第1吸附部將膜基板傳送給操作臺(tái)的情況的圖。
圖10是第1吸附部將膜基板傳送給操作臺(tái)時(shí)的時(shí)序圖。
圖11是第2吸附部的正面圖。
圖12是吸附膜基板的第2吸附部的底面圖。
圖13是說(shuō)明第2吸附部從操作臺(tái)接取膜基板的狀態(tài)的圖。
圖14是說(shuō)明第2吸附部從操作臺(tái)接取膜基板的狀態(tài)的圖。
圖15是說(shuō)明第2吸附部從操作臺(tái)接取膜基板的情況的圖。
圖16是第2吸附部從操作臺(tái)接取膜基板時(shí)的時(shí)序圖。
圖17是第1吸附部的另一例的正面圖。
圖18是第1吸附部的另一例的底面圖。
圖19是第2吸附部的另一例的正面圖。
圖20是第2吸附部的又一例的正面圖。
第21是第2吸附部的又一例的底面圖。
圖22是說(shuō)明第2吸附部從操作臺(tái)接取膜基板的情況的圖。
圖23是說(shuō)明第2吸附部從操作臺(tái)接取膜基板的情況的圖。
圖24是說(shuō)明第2吸附部從操作臺(tái)接取膜基板的情況的圖。
圖25是說(shuō)明用電流計(jì)代替圖6所示的電壓計(jì)的情況的圖。
圖26是膜基板從第1吸附部傳送至操作臺(tái)時(shí)的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
下面根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明。
圖1A是膜基板處理裝置的操作室，圖1B是說(shuō)明等離子處理的原理的圖。
本實(shí)施例的膜基板2是0.05-0.5mm厚的撓性絕緣膜，其上面有用金屬膜形成的布線圖。該絕緣膜是合成樹脂，例如PET、聚酰亞胺、PPS等。當(dāng)然，本發(fā)明不限于這樣的膜基板2乃自不待言。
首先，說(shuō)明本發(fā)明的等離子處理裝置的原理。在圖1A所示的操作室8內(nèi)設(shè)置具有電極的操作臺(tái)8b，將膜基板2等電路基板自動(dòng)搬入操作臺(tái)8b上。將操作室8內(nèi)的氣體排出并導(dǎo)入規(guī)定的反應(yīng)氣體，維持規(guī)定的減壓狀態(tài)，從高頻電源8c施加100-500W高頻電力(隨處理時(shí)間變化)，使操作室8內(nèi)產(chǎn)生氧等離子體。如圖1B所示，用產(chǎn)生的氧等離子體對(duì)保持在操作臺(tái)8b上的基板2的表面進(jìn)行等離子處理?；?表面上的有機(jī)物中的碳原子與離子化的氧反應(yīng)，成為二氧化碳的氣相，從下部的排氣口排出。由此，基板2表面的有機(jī)物被自動(dòng)除去。這樣，就可以使得基板電極等的用于將集成電路片、零部件等接合的接合部的表面活化，強(qiáng)化其接合力。
下面，具體說(shuō)明膜基板處理裝置。
如圖2所示，膜基板處理裝置具有將一對(duì)膜基板2保持、搬入膜基板處理裝置機(jī)身10內(nèi)的基板搬入滑動(dòng)器1，從基板搬入滑動(dòng)器1將一對(duì)膜基板2吸附保持并進(jìn)行移動(dòng)的一對(duì)搬運(yùn)臂裝置(搬入用保持部、搬出用保持部的一部分)3A、3B，將一對(duì)搬運(yùn)臂裝置3A、3B固定、支承并沿基板搬運(yùn)方向(圖2的左方向)F移動(dòng)的移動(dòng)裝置4，
具有對(duì)一對(duì)膜基板2進(jìn)行等離子處理的第1操作室8A和第2操作室8B的等離子操作室8，將一對(duì)膜基板2保持、從膜基板處理裝置機(jī)身10搬出的基板搬出滑動(dòng)器9。
上述基板搬入滑動(dòng)器1位于膜基板處理裝置機(jī)身10外的基板搬入準(zhǔn)備位置A與膜基板處理裝置機(jī)身10內(nèi)的基板搬入位置B之間，在將膜基板2吸附保持的同時(shí)，通過(guò)馬達(dá)或汽缸等驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行移動(dòng)。
在上述移動(dòng)裝置4中，一對(duì)搬運(yùn)臂裝置3A、3B固定、支承于移動(dòng)體4a上。移動(dòng)體4a可由輔助馬達(dá)4c等驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)，順著導(dǎo)向部件4沿基板搬運(yùn)方向F往復(fù)移動(dòng)。
一對(duì)搬運(yùn)臂裝置3A、3B各具有固定在移動(dòng)體4a上的馬達(dá)等臂部驅(qū)動(dòng)裝置6a和由該臂部驅(qū)動(dòng)裝置6a驅(qū)動(dòng)、在軸方向(與基板搬運(yùn)方向F垂直的方向)移動(dòng)的臂部6。搬運(yùn)臂裝置3A在臂部6的前端有一對(duì)第1吸附部7A，搬運(yùn)臂裝置3B在臂部6的前端有一對(duì)第2吸附部7B。第1吸附部7A和第2吸附部7B可借助吸附部升降裝置7a上下移動(dòng)。將第1吸附部7A和第2吸附部7B下降至下端位置，通過(guò)圖中未標(biāo)出的吸引裝置的驅(qū)動(dòng)，可同時(shí)將一對(duì)膜基板2吸附保持。此外，通過(guò)臂部驅(qū)動(dòng)裝置6a的驅(qū)動(dòng)，一對(duì)第1吸附部7A或第2吸附部7B可在位于移動(dòng)體4a近旁側(cè)的基板搬入滑動(dòng)器1或基板搬出滑動(dòng)器9與各操作室8之間移動(dòng)。這樣，一對(duì)膜基板2可同時(shí)在兩裝置之間進(jìn)行交接。
一方(圖2中，在右側(cè)，即，靠近基板搬入側(cè))的搬運(yùn)臂裝置3A是將膜基板2搬入操作室8A、8B的搬運(yùn)臂裝置。另一方(圖2中，在左側(cè)，即，靠近基板搬出側(cè))的搬運(yùn)臂裝置3B是將膜基板2從操作室8A、8B搬出的搬運(yùn)臂裝置。由此，各搬運(yùn)臂裝置一直吸附著等離子處理前的膜基板2或等離子處理后的膜基板2。由于等離子處理前后的膜基板2用不同的搬運(yùn)臂裝置吸附，因此，可消除由吸附引起的污染。
上述基板搬出滑動(dòng)器9在將一對(duì)膜基板2吸附保持的同時(shí)，通過(guò)馬達(dá)或汽缸等驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)，在膜基板處理裝置機(jī)身10內(nèi)的基板搬出位置C與裝置機(jī)身10外的基板搬出準(zhǔn)備位置D之間移動(dòng)。保持一對(duì)膜基板2的方法不限于吸附，也可采用其它手段，例如，可以用系縛部件等進(jìn)行保持。
第1操作室8A和第2操作室8B可各自獨(dú)立地進(jìn)行等離子處理。這樣，例如，在一方的操作室進(jìn)行等離子處理時(shí)，可將另一方操作室中作完了等離子體處理的膜基板2搬出、再搬入下一批膜基板2。膜基板2從操作室8的進(jìn)出在圖1(或后述的圖3)所示的蓋子8a打開的狀態(tài)下進(jìn)行。蓋子8a通過(guò)開蓋關(guān)蓋用的汽缸的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行開關(guān)。
第1操作室8A和第2操作室8B為同一結(jié)構(gòu)，操作室8如圖3所示。在圖3中，8a為在上下方向上滑動(dòng)、開關(guān)的操作室8的蓋子，8e為配置在操作室8側(cè)壁內(nèi)面的石英覆層，8g為使基板靜電吸附用的DC電極與施加了高頻電力的操作臺(tái)8b絕緣的絕緣材料，8h為使操作臺(tái)8b冷卻的冷卻水流路，8I為向冷卻水流路供應(yīng)冷卻水的冷卻水管，8k為用于使操作臺(tái)8b與操作室8絕緣的由氧化鋁等構(gòu)成的絕緣體，8m為由不銹鋼SUS304等構(gòu)成的操作室8的側(cè)壁，8n為由不銹鋼SUS304等構(gòu)成的操作室8的基座，8p為與基板靜電吸附用的DC電源8t連接的基板靜電吸附用的DC電極，8q為用于形成操作臺(tái)8b的冷卻水流路的由SUS304等構(gòu)成的水冷卻套，8r為與高頻電源8c連接的高頻施加電極。
操作室8的側(cè)壁8m、基座8n、蓋子8a接地。因此，將膜基板2放置在各操作室8內(nèi)的操作臺(tái)8b上后，DC電壓從基板靜電吸附用的DC電源8t施加到基板靜電吸附用的DC電極8p上，膜基板2由于靜電吸附作用而吸附在操作臺(tái)8b上。等離子處理中，膜基板2就這樣以被靜電吸附的狀態(tài)保持著。等離子處理結(jié)束后取出時(shí)，使DC電壓停止施加在基板靜電吸附用的DC電極8p上或使電壓作用于反方向上，使膜基板2容易地從操作臺(tái)8b上取出。
圖4和圖5是操作室8為一個(gè)(第1操作室8A或第2操作室8B)的情況下的膜基板處理裝置的操作流程圖。
首先，保持著一對(duì)膜基板2的基板搬入滑動(dòng)器1從基板搬入準(zhǔn)備位置A移向基板搬入位置B(參見圖2)。移動(dòng)裝置4將搬運(yùn)臂裝置3A的一對(duì)第1吸附部7A移至膜基板2的上方。吸附部升降裝置7a使第1吸附部7A下降，與膜基板2接觸，通過(guò)形成于第1吸附部7A的吸引孔進(jìn)行吸引。由此，各第1吸附部7A將膜基板2從被處理面例吸引吸附。
接著，吸附部升降裝置7a提升第1吸附部7A，同時(shí)，臂部驅(qū)動(dòng)裝置6a將臂部6移向操作室8側(cè)，在從被處理面?zhèn)缺３帜せ?的同時(shí)將膜基板2搬入操作室8內(nèi)(步驟S11)。吸附部升降裝置7a使一對(duì)第1吸附部7A在操作室8內(nèi)下降，膜基板2被傳送至操作臺(tái)8b(步驟S12～S16)。
下面，就膜基板2從第1吸附部7A傳送至操作臺(tái)8b的情況作更詳細(xì)的說(shuō)明。
圖6顯示第1吸附部7A的結(jié)構(gòu)和在第1吸附部7A與操作臺(tái)8b之間交接膜基板2之前的情況，圖7是吸附了膜基板2的第1吸附部7A的底面圖。在第1吸附部7A上裝有在機(jī)身塊體71的下表面上有吸引孔的用彈性體制成的吸附墊72，沿著膜基板2的縱向裝有2個(gè)擠壓部件73。擠壓部件73例如用不銹鋼制成。吸附墊72的下端從擠壓部件73的下表面向下略微突出，在吸附墊72吸附膜基板2的狀態(tài)下，在膜基板2與擠壓部件73的下表面之間存在微小的間隙。
吸附墊72的吸引孔經(jīng)過(guò)機(jī)身塊體71內(nèi)的流路與2根管線連接，一根管線通過(guò)閥511與空氣供給部512連接，另一根管線通過(guò)閥521與排氣部522連接。2個(gè)閥511、521由總體控制部53進(jìn)行電動(dòng)開關(guān)控制。由于用操作臺(tái)8b進(jìn)行靜電吸引，因此，總體控制部53也控制與操作臺(tái)8b連接的DC電源8t，由DC電源8t施加在操作臺(tái)8b上的電壓用電壓計(jì)55測(cè)定，測(cè)定值輸入總體控制部53。
圖8和圖9顯示第1吸附部7A從圖7所示狀態(tài)將膜基板2放置到操作臺(tái)8b上的情況，圖10是此時(shí)的運(yùn)作時(shí)序圖。在第1吸附部7A從被處理面?zhèn)葘⒛せ?保持并將其放置到操作臺(tái)8b上時(shí)，如圖8所示，吸附墊72碰撞操作臺(tái)8b，發(fā)生彈性變形。由此，膜基板2與擠壓部件73下表面之間的間隙消失，擠壓部件73將膜基板2的縱向端部朝操作臺(tái)8b側(cè)擠壓(圖4步驟S12)。
第1吸附部7A(嘴部)充分下降后，如圖10所示，用于靜電吸附(靜電吸持)的電壓(2kV～3kV)從DC電源8t施加到操作臺(tái)8b上(步驟S13)。經(jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間T1(0.1-0.3秒)后，根據(jù)圖6所示的電壓計(jì)55的檢測(cè)值確認(rèn)電壓穩(wěn)定(步驟S14)，然后，閥521關(guān)閉，第1吸附部7A的吸引吸附停止，膜基板2的保持(holding)被解除(步驟S15)。接著，閥511打開，來(lái)自空氣供給部512的壓縮空氣從吸附墊72噴出，向膜基板2吹氣。在吹氣時(shí)間T2(0.1-0.5秒)期間維持吹氣，在吹氣臨結(jié)束前，第1吸附部7A處于下限位置的下限維持時(shí)間T3(通常，T3＝T1+T2)經(jīng)過(guò)，如圖9所示，第1吸附部7A將膜基板2留在操作臺(tái)8b上，向上升起(步驟S16)。
如上面所描述的，在膜基板2傳送至操作臺(tái)8b時(shí)，膜基板2的端部區(qū)域被擠壓部件73從被處理面?zhèn)葦D壓，并同時(shí)被放置到操作臺(tái)8b上，操作臺(tái)8b通過(guò)靜電力將與被處理面相反側(cè)的表面穩(wěn)穩(wěn)保持，由此，不用向膜基板2施加強(qiáng)力，就可平穩(wěn)地將膜基板2從第1吸附部7A傳送至操作臺(tái)8b。由于第1吸附部7A吸引吸附膜基板2，因此，可容易地在大氣壓下將膜基板2搬入操作室8內(nèi)。
膜基板2傳送至操作臺(tái)8b后，一對(duì)第1吸附部7A由圖2所示的臂部驅(qū)動(dòng)裝置6a傳送至操作室8的外面作準(zhǔn)備，操作室8的蓋子8a關(guān)閉(步驟S17)。操作室8內(nèi)的空氣被排出、減壓(約0.1-1P)，氬氣、氧氣等反應(yīng)氣體以5-20cc/min的速率導(dǎo)入(步驟S18)，在操作臺(tái)8b上施加100-500W高頻電力5-30秒，操作室8內(nèi)產(chǎn)生等離子體(步驟S19)。操作室8內(nèi)的壓力為1-50P。以這樣的方式，用等離子體對(duì)各膜基板2的被處理面進(jìn)行清洗、改性等處理。
等離子處理結(jié)束后，操作室8內(nèi)恢復(fù)至大氣壓，操作室8的蓋子8a打開(步驟S20、S21)，搬運(yùn)臂裝置3B的第2吸附部7B由臂部驅(qū)動(dòng)裝置6a驅(qū)動(dòng)，進(jìn)入操作室8內(nèi)。然后，在操作臺(tái)8b與第2吸附部7B之間進(jìn)行膜基板2的交接(圖5步驟S31～S36)。
圖11是第2吸附部7B結(jié)構(gòu)的正面圖，圖12是吸附了膜基板2的第2吸附部7B的底面圖。第2吸附部7B的機(jī)身塊體74的下表面的縱向兩端部上固定有吸附墊75a。在下表面的中心附近，吸附墊75b裝在可上下移動(dòng)的軸桿761的前端。上述吸附墊75a、75b用金屬或合成樹脂制成。軸桿761由于彈簧762而具有向下的能量，在沒有力作用于吸附墊75b的狀態(tài)下，吸附墊75b的下端處于比吸附墊75a的下端略低的位置。各吸附墊75a、75b的吸引孔與圖6所示的第1吸附部7A同樣，通過(guò)閥與空氣供給部512和排氣部522連接，吸引和吹氣由總體控制部53控制。
圖13至圖15顯示從圖11所示狀態(tài)開始，第2吸附部7B將膜基板2從操作臺(tái)8b接取的情況。圖16是此時(shí)的運(yùn)作時(shí)序圖。
首先，第2吸附部7B下降，吸附墊75B與膜基板2的中心附近接觸，彈簧762被壓縮后，吸附墊75a如圖13所示，與膜基板2的端部區(qū)域接觸(步驟S31)。
第2吸附部7B(嘴部)充分下降后，通過(guò)吸附墊75a、75b的吸引開始(步驟S32)，用于靜電吸持的電壓被解除(步驟S33)。此時(shí)，如圖16所示，在很短的時(shí)間T4(0.5-1秒)期間，施加反電壓V1(-1kV～-2kV)。電壓解除根據(jù)電壓計(jì)55的檢測(cè)值測(cè)出(步驟S34)，并且，在第2吸附部7B的位置穩(wěn)定于下限的下限穩(wěn)定時(shí)間T5(1-1.5秒)經(jīng)過(guò)后，第2吸附部7B借助搬運(yùn)臂裝置3B的吸附部升降裝置7a離開操作臺(tái)8b。
由于吸附墊75b可上下移動(dòng)并由于彈簧762而具有向下的能量，因此，如圖14所示，首先，吸附墊75a離開操作臺(tái)8b，僅膜基板2的端部被舉起(步驟S35)。然后，第2吸附部7B進(jìn)一步上升，吸附墊75b離開操作臺(tái)8b，如圖15所示，膜基板2整體與操作臺(tái)8b分離(步驟S36)。
通過(guò)上述交接操作，即使在膜基板2緊密附著于操作臺(tái)8b的情況下，也不用施加強(qiáng)力就可使膜基板2從端部開始剝離、將其傳送至第2吸附部7B。此外，由于在操作臺(tái)8b上施加反電壓后用于靜電吸持的電壓解除，因此，可妥善地除去膜基板2的電荷，并得以在膜基板2與操作臺(tái)8b分離時(shí)進(jìn)一步減小作用于膜基板2上的力。通過(guò)第2吸附部7B以靜電力吸引吸附膜基板2，可以在大氣壓下容易地將膜基板2從操作室8搬出。
一對(duì)第2吸附部7B與膜基板2一起通過(guò)臂部驅(qū)動(dòng)裝置6a的驅(qū)動(dòng)，傳送至操作室8的外面作準(zhǔn)備，進(jìn)行膜基板2的搬出(步驟S37)。第2吸附部7B通過(guò)吸附部升降裝置7a降下，使膜基板2與位于基板搬出準(zhǔn)備位置C的基板搬出滑動(dòng)器9接觸，從吸附墊75a、75b吹氣，傳送至上方作準(zhǔn)備，將膜基板2移至基板搬出滑動(dòng)器9上?；灏岢龌瑒?dòng)器9從基板搬出準(zhǔn)備位置C移向基板搬出位置D，經(jīng)過(guò)處理的膜基板2被搬出膜基板處理裝置。
如上所述，在等離子處理裝置中，在減壓的操作室8內(nèi)，膜基板2通過(guò)靜電吸持加以保持，而在操作室8外，通過(guò)吸引吸附加以保持，由此，可穩(wěn)妥地搬運(yùn)和處理膜基板2。此外，由于第1吸附部7A邊將膜基板2朝操作臺(tái)8b側(cè)擠壓、邊交接膜基板2，因此，即使對(duì)象物具有撓性，也可使對(duì)象物緊密附著于操作臺(tái)8b(靜電吸持器)上，穩(wěn)妥地保持對(duì)象物。另一方面，在從操作臺(tái)8b接取時(shí)，第2吸附部7B也是先將膜基板2的兩端部從操作臺(tái)8b舉起，然后使膜基板2整體與操作臺(tái)8b分離，由此可穩(wěn)妥地接取具有撓性的對(duì)象物。
圖17是第1吸附部7A的另一例的正面圖，圖18是吸附了膜基板2的第1吸附部7A的底面圖。圖17和圖18所示的第1吸附部7A，其機(jī)身塊體71a的底面712a為經(jīng)過(guò)鏡面加工的平面，比膜基板2的尺寸大。多個(gè)吸引孔711直接形成在機(jī)身塊體71a的底面712a上。通過(guò)第1吸附部7A將膜基板2放置到操作臺(tái)8b上時(shí)，由于機(jī)身塊體71a的底面712a將膜基板2的至少整個(gè)邊緣部朝操作臺(tái)8b側(cè)擠壓，因此，可穩(wěn)穩(wěn)地將膜基板2保持在操作臺(tái)8b上。
圖19是簡(jiǎn)化了的第2吸附部7B之一例的正面圖。圖19所示的第2吸附部7B只有一個(gè)吸附墊75c，吸附墊75c吸引吸附膜基板2的端部。這樣，第2吸附部7B上升時(shí)，首先，膜基板2的端部如圖19所示，被從操作臺(tái)8b舉起，隨著第2吸附部7B進(jìn)一步上升，膜基板2整體與操作臺(tái)8b分離。
圖20是第2吸附部7B的又一例的正面圖，圖21是底面圖。圖20和圖21所示的第2吸附部7B，其機(jī)身塊體71b的底面712b為具有與操作臺(tái)8b平行的中心軸(在圖20中，為與紙面垂直的線)的圓弧面，底面712b的一側(cè)端部有吸引孔711a，另一側(cè)端部有吸引孔711b。機(jī)身塊體71的上表面裝有轉(zhuǎn)動(dòng)臂721，轉(zhuǎn)動(dòng)臂721能夠以接頭722為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。接頭722裝在固定于圖2所示的臂部6的固定臂723上。機(jī)身塊體71的底面(圓弧面)712b的中心軸位于接頭722。
第2吸附部7B接取膜基板2時(shí)，首先，第2吸附部7B整體下降，機(jī)身塊體71b與膜基板2接觸，如圖22所示，固定臂723朝膜基板2的端部(向圖21所示的吸引孔711a側(cè))移動(dòng)。此時(shí)，機(jī)身塊體71b以接頭722為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，吸引孔711a與膜基板2接觸。由于接頭722位于底面(圓弧面)712b的中心軸上，因此，無(wú)需使固定臂723上下移動(dòng)。
接著，在圖22所示的狀態(tài)下，吸引孔711a開始吸引，固定臂723朝膜基板2的另一方端部(向吸引孔711b側(cè))移動(dòng)。由此，被吸引孔711a吸引吸附的膜基板2的端部被從操作臺(tái)8b舉起，不久，膜基板2整體沿底面712b與操作臺(tái)8b分離，變成圖23所示的狀態(tài)。并且，吸引孔711b開始吸引，膜基板2整體被底面712b吸引吸附。
然后，固定臂723向圖23的左橫方向移動(dòng)，在固定臂723與轉(zhuǎn)動(dòng)臂721成一直線之際，固定臂723上升，由此，如圖24所示，膜基板2整體與操作室8b分離，膜基板2完全傳送到第2吸附部7B上。
在膜基板2從第2吸附部7B向圖2所示的基板搬出滑動(dòng)器9傳送時(shí)，在底面712b的中心就要與基板搬出滑動(dòng)器9接觸之前的狀態(tài)下，從吸引孔711b中最靠邊的一個(gè)至另一端的吸引孔711a依次進(jìn)行吹氣。這樣，膜基板2可不受吹氣的影響，從吸引孔711b側(cè)穩(wěn)穩(wěn)地放置到基板搬出滑動(dòng)器9上的規(guī)定位置。此外，也可以在第2吸附部7B底面712b的中心將膜基板2夾持、與基板搬出滑動(dòng)器9接觸的狀態(tài)下從所有的吸引孔711a、711b同時(shí)吹氣。
圖25顯示用電流計(jì)55a代替圖6所示的電壓計(jì)55的情況，圖26是膜基板2從第1吸附部7A傳送至操作臺(tái)8b時(shí)的運(yùn)作時(shí)序圖。
使用電流計(jì)55a時(shí)，第1吸附部7A下降、DC電源8t處于ON的狀態(tài)后，如圖26所示，電流短時(shí)間地(0.1-0.2秒)流向操作臺(tái)8b。電流計(jì)55a測(cè)出此電流，將數(shù)值輸入總體控制部53?？傮w控制部53測(cè)出電流值充分下降后，解除第1吸附部7A的吸附，開始吹氣。即，在圖4所示的步驟S14中，代替電壓，對(duì)電流進(jìn)行確認(rèn)，由此，可穩(wěn)妥地通過(guò)操作臺(tái)8b加以保持。
除了用電流檢測(cè)代替電壓檢測(cè)之外，也可同時(shí)對(duì)電壓、電流進(jìn)行檢測(cè)。此時(shí)，不但可更穩(wěn)妥地用電壓和電流控制交接時(shí)機(jī)，而且，只要電壓和電流中有任何一個(gè)出現(xiàn)異常時(shí)，就能檢測(cè)出來(lái)。
上面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可以進(jìn)行各種變化。
例如，只要第1吸附部7A和第2吸附部7B的結(jié)構(gòu)具有同等功能，就可進(jìn)行適當(dāng)變化。第1吸附部7A可以使膜基板2的方向彼此相反的端部區(qū)域和其它區(qū)域產(chǎn)生朝向操作臺(tái)8b的能量，第2吸附部7B也可以采用將膜基板2的端部舉起后使其整體與操作臺(tái)8b分離的其它結(jié)構(gòu)。此外，還可以用吸引吸附以外的方法保持膜基板2。
另外，在操作室8對(duì)膜基板2進(jìn)行的處理不限于等離子處理，也可以用電子束、紫外線、高速原子束等進(jìn)行處理。
權(quán)利要求
1.一種膜基板處理裝置，它具有用靜電力將膜基板的與被處理面相反側(cè)的背面進(jìn)行保持的操作臺(tái)，內(nèi)部配置有上述操作臺(tái)的操作室，在上述操作室被減壓的狀態(tài)下對(duì)上述用操作臺(tái)加以保持的膜基板的被處理面進(jìn)行規(guī)定處理的處理部，從被處理面?zhèn)缺３帜せ濉⑦M(jìn)行搬運(yùn)、邊從上述被處理面?zhèn)冗M(jìn)行擠壓邊將膜基板放置至上述操作臺(tái)上的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)具有通過(guò)吸引吸附來(lái)保持膜基板的搬入用保持部。
3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述搬入用保持部具有將膜基板的至少端部區(qū)域朝上述操作臺(tái)擠壓的擠壓部件。
4.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述搬入用保持部具有將膜基板的整個(gè)邊緣部朝上述操作臺(tái)擠壓的擠壓面。
5.一種膜基板的處理方法，它具有通過(guò)搬入用保持部從被處理面將膜基板保持、進(jìn)行搬運(yùn)的搬運(yùn)工序，上述搬入用保持部邊從被處理面?zhèn)葦D壓膜基板邊將膜基板放置到操作臺(tái)上的放置工序，上述操作臺(tái)通過(guò)靜電力對(duì)與上述被處理面相反側(cè)的膜基板的背面進(jìn)行保持的操作臺(tái)保持工序，將上述操作臺(tái)周圍減壓的減壓工序，對(duì)上述膜基板的被處理面進(jìn)行規(guī)定處理的處理工序。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述放置工序中，所述搬入用保持部將膜基板的的至少端部朝操作臺(tái)擠壓。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述放置工序中，所述搬入用保持部將膜基板的整個(gè)邊緣部朝操作臺(tái)擠壓。
8.如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述操作臺(tái)保持工序包括施加電壓于操作臺(tái)，在上述電壓變化后，解除搬入用保持部對(duì)膜基板的保持。
9.如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述操作臺(tái)保持工序包括施加電壓于操作臺(tái)，對(duì)流向操作臺(tái)的電流和施加電壓后的電流下降進(jìn)行檢測(cè)，在檢測(cè)出上述電流下降后解除搬入用保持部對(duì)膜基板的保持。
10.一種膜基板處理裝置，它具有將膜基板從通過(guò)靜電力將膜基板保持的操作臺(tái)搬出的搬出用保持部，其特征在于，所述搬出用保持部具有將膜基板端部保持、從操作臺(tái)舉起的端部舉起部和將膜基板的其它部位保持、使膜基板整體與操作臺(tái)分離的整體分離部。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述端部舉起部為與膜基板接觸并進(jìn)行吸附的圓弧面的一側(cè)部位，而所述整體分離部為圓弧面的其它部位。
12.一種膜基板的搬出方法，它將膜基板從保持膜基板的操作臺(tái)搬出，它具有端部舉起部將操作臺(tái)上的膜基板的端部保持、整體分離部將其它部位保持的保持工序，端部舉起部離開操作臺(tái)、將膜基板端部從操作臺(tái)舉起的端部舉起工序，整體分離部離開操作臺(tái)、使膜基板整體與操作臺(tái)分離的整體分離工序。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，操作臺(tái)通過(guò)靜電力將膜基板保持，在端部舉起工序之前，還具有將施加在操作臺(tái)上的電壓解除的電壓解除工序和檢測(cè)操作臺(tái)電壓變化的電壓檢測(cè)工序。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在電壓解除工序之前，還具有施加反電壓于操作臺(tái)的反電壓施加工序。
15.一種膜基板處理裝置，它具有搬運(yùn)膜基板的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)、用靜電力保持膜基板的與被處理面相反側(cè)的背面的操作臺(tái)、內(nèi)部配置有上述操作臺(tái)的操作室、在上述操作室處于減壓狀態(tài)下對(duì)由操作臺(tái)保持的膜基板的被處理面進(jìn)行規(guī)定處理的處理部，其特征在于，所述搬運(yùn)機(jī)構(gòu)具有保持膜基板、進(jìn)行搬運(yùn)、在從上述被處理面?zhèn)葦D壓的同時(shí)將膜基板放置到操作臺(tái)上的搬入用保持部和從用靜電力保持膜基板的操作臺(tái)將膜基板搬出的搬出用保持部。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述搬出用保持部通過(guò)吸引吸附將膜基板保持、將膜基板的端部區(qū)域朝操作臺(tái)擠壓。
17.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述搬出用保持部先將膜基板的端部保持，然后將膜基板整體從操作臺(tái)舉起。
全文摘要
提供一種將膜基板穩(wěn)妥地放置到靜電吸附式操作臺(tái)上的膜基板處理裝置。在該膜基板處理裝置中，其將膜基板放置到靜電吸附式操作臺(tái)上的第1吸附部上設(shè)有吸附墊和將膜基板的端部區(qū)域朝操作臺(tái)擠壓的擠壓部件。由此，可穩(wěn)穩(wěn)地將膜基板吸附于操作臺(tái)上，在減壓氣氛下穩(wěn)妥地對(duì)膜基板進(jìn)行處理。
文檔編號(hào)H01L21/683GK1449234SQ0310773
公開日2003年10月15日 申請(qǐng)日期2003年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月2日
發(fā)明者笹岡達(dá)雄, 鈴木直樹, 米澤隆弘, 堀江聰 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社