專利名稱：一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法及其產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法及其產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
如圖1所示，這是采用現(xiàn)有技術(shù)一種半導(dǎo)體晶體管制造方法得到的NPN晶體管縱剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，在NPN晶體管中，襯底為P型<100>晶向硅單晶圓片1，集電區(qū)由N+埋層2，深磷6和N型外延4構(gòu)成；基區(qū)由基區(qū)8和P+7構(gòu)成，P+7作為接觸；發(fā)射區(qū)為N+9部分，三個(gè)電極均通過(guò)金屬一11作為電極引出，介質(zhì)層10用以隔離金屬一11和硅片1。
上述現(xiàn)有技術(shù)晶體管制造方法及其產(chǎn)品在實(shí)際制造和使用過(guò)程中存在的缺陷是1、p較低。由于現(xiàn)有技術(shù)晶體管制造方法中，p主要取決于發(fā)射區(qū)與基區(qū)方塊電阻的比值，和基區(qū)有效寬度Wb，并且由于基區(qū)濃度必須高于集電區(qū)濃度以保證耐壓和p的線性度，而發(fā)射區(qū)受最高摻雜濃度限制，因此發(fā)射區(qū)與基區(qū)方塊電阻的比值不可能得到很大的改善；而受工藝條件限制，使基區(qū)有效寬度Wb也不能過(guò)于減小，從而使得器件的體積不能降低到最低限度。
2、特征頻率較低。
3、C-E耐壓特性不好。由于現(xiàn)有技術(shù)晶體管制造方法中，集電極C和和發(fā)射極E都從同一平面引出，因此耐壓擊穿主要是發(fā)生在間距最近的表面，所以耐壓特性不能盡如人意；4.結(jié)深較大。由于現(xiàn)有技術(shù)晶體管制造方法中，發(fā)射區(qū)采用離子注入的方法形成，為了使注入的離子活化則必定進(jìn)行退火，因此限制了發(fā)射結(jié)結(jié)深的減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法及其產(chǎn)品，它采用多晶作為發(fā)射極，使半導(dǎo)體晶體管器件具有淺結(jié)和高特征的頻率。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特點(diǎn)是包括以下步驟步驟一，選擇適當(dāng)?shù)脑脊杵?；步驟二，在該原始硅片上實(shí)施半等平面工藝；步驟三，采用摻雜后的多晶作為形成發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散源和引出電極；步驟四，通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)間和溫度，利用完成多晶注入后的多晶硅一單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成淺結(jié)發(fā)射區(qū)。
在上述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，其中，在所述的步驟一中，所述的襯底采用P型晶向且電阻率在0.05-0.008歐姆厘米的硅單晶，在該襯底上形成3微米厚度的外延層2，襯底的電阻率為0.7-0.75歐姆厘米。
在上述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，其中，在所述的步驟二中，所述的在該高摻雜的襯底上實(shí)施半等平面工藝的具體步驟包括；1)在硅片襯底表面上形成一層約600的氧化層，2)在氧化層上通過(guò)淀積的方式生成一層氮化硅，該氨化硅N的厚度約650，用以作為選擇性氧化的掩蔽層；3)在氮化硅上涂敷一光致抗蝕劑層，并利用場(chǎng)區(qū)掩膜版進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露進(jìn)行場(chǎng)區(qū)氧化的部分，然后，將暴露的部分的氨化硅刻蝕掉；4)進(jìn)行去膠、清洗后，在高溫下進(jìn)行氧化，在無(wú)氮化硅掩蔽的部分，形成約11000的氧化層，即場(chǎng)區(qū)；5)通過(guò)腐蝕工藝，將先前生成的650的氮化硅和600的氧化層全部去掉；6)重新生長(zhǎng)一層約1100左右的氧化層。
在上述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，其中，在所述的步驟二的第4)中，所述的進(jìn)行高溫氧化的條件是，980℃的溫度下，氫氧混合氣體H2/O2的氣氛中，氧化約8個(gè)小時(shí)。
在上述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，其中，在所述的步驟三中，所述的采用多晶作為發(fā)射區(qū)進(jìn)行引出電極的具體步驟包括，1)利用基區(qū)(本征基區(qū))、P+(非本征基區(qū))掩膜版，分別進(jìn)行基區(qū)門)、P+區(qū)光刻構(gòu)圖和硼離子注入；2)進(jìn)行去膠、清洗后，在所形成的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上淀積一約1100氮化硅層(Si3N4)；3)在氮化硅層門(Si3N4)上涂敷一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露接觸孔區(qū)，并通過(guò)干法刻蝕將暴露的氮化硅層完全去除；4)去除光致抗蝕劑層，重新涂敷一光致抗蝕劑層，用發(fā)射區(qū)掩膜版將發(fā)射區(qū)上的氧化硅刻蝕掉，然后，去膠后整片(包括發(fā)射區(qū))淀積一層約2000左右的多晶硅并進(jìn)行砷離子注入；5)在高溫和氫氧混合氣體N2/O2的氣氛中推進(jìn)，通過(guò)完成多晶注入后的多晶硅和單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成發(fā)射區(qū)(11)；6)在發(fā)射區(qū)(11)上涂敷一光致抗蝕劑層，利用多晶掩膜版進(jìn)行多晶層構(gòu)圖后進(jìn)行干法刻蝕；7)在高溫度和氮?dú)釴2的氣氛中推進(jìn)，并水整片對(duì)氧化硅層(9)進(jìn)行干法刻蝕，利用干法刻蝕對(duì)硅和氧化硅的刻蝕速率差，形成接觸孔(12)。
在上述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，其中，在所述的步驟三的5)中，所述的高溫和氫氧混合氣體N2/O2的氣氛中推進(jìn)的條件是，900℃的溫度和氫氧混合氣體N2/O2的氣氛中推進(jìn)約50分鐘。
在上述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，其中，在所述的步驟三的7)中，所述的高溫度和氮?dú)釴2的氣氛中推進(jìn)的條件是，950℃的溫度和純氮?dú)釴2的氣氛中推進(jìn)約10分鐘。
在上述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，其中，在所述的步驟四中，所述的通過(guò)多晶注入后的多晶硅一單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成淺結(jié)發(fā)射區(qū)的具體步驟包括，1)在包括接觸孔內(nèi)的整個(gè)結(jié)構(gòu)上濺射一金屬鋁層；2)通過(guò)第一鋁掩模版形成第一金屬構(gòu)圖，并對(duì)其進(jìn)行干法刻蝕，形成第一金屬布線圖形；3)進(jìn)行去膠和清洗后，在整個(gè)表面上淀積一層約7500的氯化硅層作為鈍化層(14)；4)通過(guò)壓點(diǎn)掩模版刻去壓點(diǎn)處的鈍化層，形成器件的可焊接區(qū)(pad)；5)對(duì)全片進(jìn)行覆蓋合金，以保證接觸孔處第一金屬與硅片的接觸良好。
一種用上述半導(dǎo)體晶體管的制造方法所制成的產(chǎn)品，包括作為襯底的原始硅片，它是一P型晶向硅單晶，原始硅片上依次是N型外延和氧化層，其特點(diǎn)是基區(qū)由基區(qū)、P+構(gòu)成，并且P+用于作基區(qū)的引出端；氮化硅和氧化層作為電極與硅片之間的介質(zhì)層；多晶作為發(fā)射區(qū)的引出電極。
本發(fā)明一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法及其產(chǎn)品，由于采用了上述的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果1.本發(fā)明由于采用多晶發(fā)射極工藝，在發(fā)射區(qū)的多晶硅一單晶硅界面之間存在著自然氧化層，通過(guò)多晶硅一單晶硅界面自然氧化層的隧穿，多晶硅中的低遷移率和熱離子發(fā)射，使電流增益，也就是p，得到極大的改善；2.特征頻率得到極大的提高；3.同時(shí)，由于采用LOCOS工藝，集電極背面引出，因此C-E擊穿特性也比傳統(tǒng)的工藝要好。
4.因?qū)嵤\結(jié)工藝，使發(fā)射結(jié)結(jié)深程度的減小。


通過(guò)以下對(duì)本發(fā)明一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法及其產(chǎn)品的一實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解本發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為圖1是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體晶體管制造方法得到的NPN晶體管縱剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中原始硅片的示意圖；圖3是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中進(jìn)行初氧和氮化硅淀積的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中進(jìn)行光刻構(gòu)圖并進(jìn)行場(chǎng)區(qū)刻蝕的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中進(jìn)行場(chǎng)氧化并完成三層腐蝕的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中進(jìn)行光刻構(gòu)圖、基區(qū)注入的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中淀積Si3N4、刻蝕接觸孔的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中進(jìn)行光刻構(gòu)圖、發(fā)射區(qū)刻蝕、多晶淀積以及多晶注入的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中形成發(fā)射極的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是發(fā)明制造方法和產(chǎn)品中形成金屬布線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參見(jiàn)圖2至圖10所示，它們是本發(fā)明制造方法各步驟及其產(chǎn)品晶體管縱剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
本發(fā)明，一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法及其產(chǎn)品，是采用多晶作為發(fā)射極、通過(guò)固一固擴(kuò)散形成發(fā)射區(qū)、同時(shí)采用半等平面工藝、并且特征線寬在1.2um等半導(dǎo)體晶體管制造方法及其所制成的產(chǎn)品。
本發(fā)明的制造方法，包括以下步驟步驟一，選擇適當(dāng)?shù)脑脊杵?作為的襯底；該原始硅片1采用P型(111)晶向且電阻率在0.055-0.008歐姆厘米的硅單晶，在原始硅片1上形成3微米厚度的外延層2，原始硅片1的電阻率為0.74-0.75歐姆厘米；步驟二，在該原始硅片1上實(shí)施半等平面工藝(請(qǐng)參見(jiàn)圖3至圖5所示)，具體步驟包括，1)如圖3所示，先在硅片表面形成一層約600的氧化層3；2)再通過(guò)淀積的方式，在氧化層3上生成一層氮化硅4，該氮化硅4的厚度約650，用以作為選擇性氧化的掩蔽層；3)如圖4所示，在氮化硅4上涂敷一光致抗蝕劑層100，然后，如本領(lǐng)域內(nèi)所公知的，利用場(chǎng)區(qū)掩膜版(未示出)進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露進(jìn)行場(chǎng)區(qū)氧化的部分，然后，將暴露的部分的氮化硅刻蝕掉；4)然后，如圖5所示，經(jīng)過(guò)去膠、清洗等工藝后，在高溫下進(jìn)行氧化，在本實(shí)施例中，是在980℃的溫度下，H2/O2的氣氛中，氧化約8個(gè)小時(shí)，從而在無(wú)氮化硅掩蔽的部分，形成約11000的氧化層，即場(chǎng)區(qū)5；5)再通過(guò)腐蝕工藝，將先前生成的650的氮化硅4和600的氧化層3全部去掉；6)重新生長(zhǎng)一層約1100左右的氧化層6。
步驟三，采用多晶作為發(fā)射區(qū)擴(kuò)散源和引出電極(請(qǐng)參見(jiàn)圖6至圖9所示)，具體步驟包括，1)如圖6所示，利用基區(qū)(本征基區(qū))、P+(非本征基區(qū))掩膜版(未示出)，分別進(jìn)行基區(qū)7、P+區(qū)8光刻構(gòu)圖和硼離子注入，在本實(shí)施例中，該硼離子采用的是型號(hào)為B″的硼離子進(jìn)行注入；2)如圖7所示，經(jīng)過(guò)去膠、清洗工藝后，在所形成的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上淀積一約1100厚的氮化硅(Si3N4)層9；3)在氮化硅層(Si3N4)9上涂敷一光致抗蝕劑層200，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露接觸孔區(qū)，并通過(guò)干法刻蝕將暴露的氮化硅層9完全去除。
4)如圖8所示，去除光致抗蝕劑層200，并重新涂敷一光致抗蝕劑層(未示出)，利用公知的發(fā)射區(qū)掩膜版(未示出)將發(fā)射區(qū)上的氧化硅9刻蝕掉，然后，去膠后整片(包括發(fā)射區(qū))淀積一層約2000左右的多晶硅10并進(jìn)行砷離子注入；5)如圖9所示，在高溫和氫氧混合氣體N2/O2的氣氛中推進(jìn)，在本實(shí)施例中，是在900℃的溫度和氫氧混合氣體N2/O2的氣氛中推進(jìn)約50分鐘，并通過(guò)完成多晶注入后的多晶硅和單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成發(fā)射區(qū)11；6)在發(fā)射區(qū)(11)上涂敷一光致抗蝕劑層，利用公知的多晶掩膜版(未示出)，進(jìn)行多晶層構(gòu)圖，并對(duì)其進(jìn)行干法刻蝕；7)然后，在高溫度和氮?dú)釴2的氣氛中推進(jìn)，在本實(shí)施例中，是在950℃的溫度和純氮?dú)釴的氣氛中推進(jìn)約10分鐘，接著，整片對(duì)氧化硅層9進(jìn)行干法刻蝕，利用干法刻蝕對(duì)硅和氧化硅的刻蝕速率差，形成接觸孔12。
步驟四，通過(guò)多晶注入后的多晶硅一單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成淺結(jié)發(fā)射區(qū)(請(qǐng)參見(jiàn)圖10所示)，具體步驟包括，1)如圖10所示，在整個(gè)結(jié)構(gòu)(包括接觸孔內(nèi))上濺射一金屬鋁層13；
2)然后通過(guò)公知的第一鋁掩模版(未示出)，形成第一金屬構(gòu)圖，并對(duì)其進(jìn)行干法刻蝕，形成第一金屬布線圖形；3)進(jìn)行去膠，清洗后，在整個(gè)表面上淀積一層約7500的氮化硅層Si3N4鈍化層14；4)通過(guò)壓點(diǎn)掩模版(未示出)刻去壓點(diǎn)處的鈍化層14，形成器件的可焊接區(qū)(pad)15；5)最后，對(duì)全片進(jìn)行覆蓋合金，以保證接觸孔處第一金屬與硅片的接觸良好。
請(qǐng)?jiān)賲⒁?jiàn)圖10所示，這是根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體晶體管的制造方法所制成的產(chǎn)品，包括作為襯底的原始硅片1，該原始硅片1是一P型<111>晶向硅單晶，原始硅片1上依次是N型外延2和氧化層3，基區(qū)由基區(qū)7、P+<8>構(gòu)成，且P+<8>用于作基區(qū)的引出端；氮化硅4和氧化層3作為電極與硅片之間的介質(zhì)層；多晶10作為發(fā)射區(qū)的引出電極。
綜上所述，本發(fā)明由于采用多晶作為發(fā)射極，通過(guò)固一固擴(kuò)散形成發(fā)射區(qū)，同時(shí)采用半等平面工藝和特征線寬在1.2um等手段，使電流增益，p得到極大的改善；同時(shí)特征頻率得到極大的提高；并且由于采用LOCOS工藝，集電極背面引出，使C-E擊穿特性改善；另外，因?qū)嵤\結(jié)工藝，使發(fā)射結(jié)結(jié)深程度的減??；因此極為實(shí)用。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于包括以下步驟步驟一，選擇適當(dāng)?shù)脑脊杵?1)；步驟二，在該原始硅片(1)上實(shí)施半等平面工藝；步驟三，采用摻雜后的多晶作為形成發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散源和引出電極；步驟四，通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)間和溫度，利用完成多晶注入后的多晶硅一單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成淺結(jié)發(fā)射區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于在所述的步驟一中，所述的襯底(1)采用P型(111)晶向且電阻率在0.05-0.008歐姆厘米的硅單晶，在該襯底(1)上形成3微米厚度的外延層(2)，襯底(1)的電阻率為0.7-0.75歐姆厘米。
3.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于在所述的步驟二中，所述的在該高摻雜的襯底(1)上實(shí)施半等平面工藝的具體步驟包括；1)在硅片襯底(1)表面上形成一層約600的氧化層(3)，2)在氧化層(3)上通過(guò)淀積的方式生成一層氮化硅(4)，該氨化硅(4)的厚度約650，用以作為選擇性氧化的掩蔽層；3)在氮化硅(4)上涂敷一光致抗蝕劑層(100)，并利用場(chǎng)區(qū)掩膜版進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露進(jìn)行場(chǎng)區(qū)氧化的部分，然后，將暴露的部分的氨化硅刻蝕掉；4)進(jìn)行去膠、清洗后，在高溫下進(jìn)行氧化，在無(wú)氮化硅掩蔽的部分，形成約11000的氧化層(5)，即場(chǎng)區(qū)(5)；5)通過(guò)腐蝕工藝，將先前生成的650的氮化硅(4)和600的氧化層(3)全部去掉；6)重新生長(zhǎng)一層約1100左右的氧化層(6)。
4.如權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于在所述的步驟二的第4)中，所述的進(jìn)行高溫氧化的條件是，980℃的溫度下，氫氧混合氣體的氣氛中，氧化約8個(gè)小時(shí)。
5.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于在所述的步驟三中，所述的采用多晶作為發(fā)射區(qū)進(jìn)行引出電極的具體步驟包括，1)利用基區(qū)、P+掩膜版，分別進(jìn)行基區(qū)門(7)、P+區(qū)(8)光刻構(gòu)圖和硼離子注入；2)進(jìn)行去膠、清洗后，在所形成的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上淀積一約1100氮化硅層(9)；3)在氮化硅層門(9)上涂敷一光致抗蝕劑層(200)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露接觸孔區(qū)，并通過(guò)干法刻蝕將暴露的氮化硅層(9)完全去除；4)去除光致抗蝕劑層(200)，重新涂敷一光致抗蝕劑層，用發(fā)射區(qū)掩膜版將發(fā)射區(qū)上的氧化硅(9)刻蝕掉，然后，去膠后整片(包括發(fā)射區(qū))淀積一層約2000左右的多晶硅(10)并進(jìn)行砷離子注入；5)在高溫和氫氧混合氣體N2/O2的氣氛中推進(jìn)，通過(guò)完成多晶注入后的多晶硅和單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成發(fā)射區(qū)(11)；6)在發(fā)射區(qū)(11)上涂敷一光致抗蝕劑層，利用多晶掩膜版進(jìn)行多晶層構(gòu)圖后進(jìn)行干法刻蝕；7)在高溫度和氮?dú)釴2的氣氛中推進(jìn)，并水整片對(duì)氧化硅層(9)進(jìn)行干法刻蝕，利用干法刻蝕對(duì)硅和氧化硅的刻蝕速率差，形成接觸孔(12)。
6.如權(quán)利要求5所述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于在所述的步驟三的5)中，所述的高溫和氫氧混合氣體N2/O2的氣氛中推進(jìn)的條件是，900℃的溫度和氫氧混合氣體N2/O2的氣氛中推進(jìn)約50分鐘。
7.如權(quán)利要求5所述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于在所述的步驟三的7)中，所述的高溫度和氮?dú)釴2的氣氛中推進(jìn)的條件是，950℃的溫度和純氮?dú)釴2的氣氛中推進(jìn)約10分鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于在所述的步驟四中，所述的通過(guò)多晶注入后的多晶硅一單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成淺結(jié)發(fā)射區(qū)的具體步驟包括，1)在包括接觸孔內(nèi)的整個(gè)結(jié)構(gòu)上濺射一金屬鋁層(13)；2)通過(guò)第一鋁掩模版形成第一金屬構(gòu)圖，并對(duì)其進(jìn)行干法刻蝕，形成第一金屬布線圖形；3)進(jìn)行去膠和清洗后，在整個(gè)表面上淀積一層約7500的氯化硅層作為鈍化層(14)；4)通過(guò)壓點(diǎn)掩模版刻去壓點(diǎn)處的鈍化層(14)，形成器件的可焊接區(qū)(pad)15；5)對(duì)全片進(jìn)行覆蓋合金，以保證接觸孔處第一金屬與硅片的接觸良好。
9.一種用上述半導(dǎo)體晶體管的制造方法所制成的產(chǎn)品，包括作為襯底的原始硅片(1)，它是一P型(111)晶向硅單晶，原始硅片(1)上依次是N型外延(2)和氧化層(3)，其特征在于基區(qū)由基區(qū)(7)、P+(8)構(gòu)成，并且P+(8)用于作基區(qū)的引出端；氮化硅(4)和氧化層(3)作為電極與硅片之間的介質(zhì)層；多晶(10)作為發(fā)射區(qū)的引出電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法及其產(chǎn)品，制造方法的特點(diǎn)是包括以下步驟一、選擇適當(dāng)?shù)脑脊杵?；二、在該原始硅片上?shí)施半等平面工藝；三、采用摻雜后的多晶作為形成發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散源和引出電極；四、通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)間和溫度，利用完成多晶注入后的多晶硅一單晶硅之間的固一固擴(kuò)散形成淺結(jié)發(fā)射區(qū)；上述方法所制成的產(chǎn)品的特點(diǎn)是包括作為襯底的原始硅片，它是一P型晶向硅單晶，原始硅片上依次是N型外延和氧化層，其中，基區(qū)由基區(qū)、P+構(gòu)成，并且P+用于作基區(qū)的引出端；氮化硅和氧化層作為電極與硅片之間的介質(zhì)層；多晶作為發(fā)射區(qū)的引出電極。由此本發(fā)明的特征頻率得到極大的提高，改善了C－E擊穿特性，并使發(fā)射結(jié)結(jié)深程度減小。
文檔編號(hào)H01L29/66GK1542928SQ0311671
公開(kāi)日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2003年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月30日
發(fā)明者陳康民, 姚曉燕, 諸聞聞 申請(qǐng)人:上海貝嶺股份有限公司