專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件以及制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，更確切地說，涉及解決有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光缺陷的問題。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光顯示器(下文中也稱之為“有機(jī)EL顯示器”或“有機(jī)EL屏”)作為新的平板型顯示器具有很大的吸引力。特別是，具有薄膜晶體管(下文中也稱為“TFT”)作為開關(guān)元件的有源矩陣型有機(jī)EL顯示器被認(rèn)為在不久的將來會(huì)取代目前主流的液晶顯示器，并且正處于實(shí)際應(yīng)用的激烈開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)中。
圖1示意性地示出典型有機(jī)電致發(fā)光器件(下文中也稱之為“有機(jī)EL器件”)的剖面結(jié)構(gòu)。有機(jī)EL器件100的結(jié)構(gòu)具有依次層疊在基片10上的陽(yáng)極層20，有機(jī)發(fā)光元件層80，和陰極層60。有機(jī)發(fā)光元件層80包括起發(fā)光元件作用的有機(jī)層，諸如空穴傳輸層30，發(fā)光層40，以及電子傳輸層50，這些層依次層疊在陽(yáng)極層20上。當(dāng)電壓施加在陽(yáng)極層20和陰極層60的兩端時(shí)，從陽(yáng)極層20注入的空穴通過空穴傳輸層30傳輸?shù)桨l(fā)光層40。從陰極層60注入的電子通過電子傳輸層50傳輸?shù)桨l(fā)光層40。電子和空穴在發(fā)光層的界面或內(nèi)部進(jìn)行相互復(fù)合。所產(chǎn)生的能量激發(fā)發(fā)光層40有機(jī)分子中的電子。隨后，被激發(fā)的電子釋放出熒光輻射。陽(yáng)極層20和陰極層60中至少有一層是由透明或半透明材料制成的，這些材料可以透過可見光范圍中的光線。通過電極層從發(fā)光層40發(fā)出光。
如上所討論，與液晶顯示器不同，有機(jī)EL顯示器具有自發(fā)光器件。這就消除了對(duì)背光的需要，而背光對(duì)液晶顯示器來說是不可缺少的，這也使得整個(gè)裝置的外形更小以及重量更輕。然而，當(dāng)無論何種原因產(chǎn)生較差的發(fā)光時(shí)，在屏幕上就會(huì)出現(xiàn)熄滅的像素，從而使屏幕的可視性變差，有時(shí)還會(huì)對(duì)顯示功能形成障礙。因此，確定發(fā)光較差的原因并能有效地防止它，使得能夠以高的成品率制造出具有較少熄滅像素或根本沒有熄滅像素的有機(jī)EL顯示器已經(jīng)成為了巨大的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明已經(jīng)考慮了上述情況并且本發(fā)明的目的是提供一種能減少有機(jī)EL器件中產(chǎn)生較差發(fā)光的技術(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施例涉及一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。該方法是一種通過在基片上沉積有機(jī)層來制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。沉積有機(jī)層，以便基本上覆蓋粘結(jié)在基片表面上的異質(zhì)顆粒。有機(jī)層可包括含有有機(jī)材料的沉積層，例如，發(fā)光層，空穴傳輸層，和電子傳輸層。由于異質(zhì)顆?；旧媳挥袡C(jī)層所覆蓋著，這就有可能避免在陽(yáng)極和陰極之間的短路，從而減少了較差的發(fā)光。所有粘結(jié)的異質(zhì)顆粒最好能被有機(jī)層所覆蓋，反之也不是所有粘結(jié)著的異質(zhì)顆粒都一定會(huì)引起電極間短路。例如，在有機(jī)EL屏具有多個(gè)有機(jī)EL器件的情況下，僅需要覆蓋部分的異質(zhì)顆粒使得屏中的熄滅像素?cái)?shù)的上限滿足于產(chǎn)品，更具體地說，是不要超過屏中熄滅像素的上限?；旧?，所沉積的有機(jī)層要具有足以使由于電極間短路所引起的較差發(fā)光發(fā)生的數(shù)量抑制在所允許的范圍內(nèi)的厚度。
有機(jī)層可以沉積到的厚度是通過獲得在用于沉積有機(jī)層的系統(tǒng)中的異質(zhì)顆粒的顆粒尺寸分布而確定的。從一個(gè)系統(tǒng)到另一個(gè)系統(tǒng)，異質(zhì)顆?？梢栽陬愋秃皖w粒尺寸上發(fā)生變化。例如，在新的系統(tǒng)開始使用時(shí)，可測(cè)量保持在系統(tǒng)中的異質(zhì)顆粒的尺寸，來確定有機(jī)層的厚度，諸如期望足以覆蓋這些異質(zhì)顆粒的厚度。有機(jī)層的厚度也可以通過每次系統(tǒng)使用時(shí)測(cè)量異質(zhì)顆粒的尺寸來確定?？梢栽谙到y(tǒng)中提供用于測(cè)量異質(zhì)顆粒的數(shù)量或尺寸的傳感器，以便于實(shí)時(shí)控制有機(jī)層的厚度。有機(jī)層的厚度可以通過測(cè)量所制造的有機(jī)EL屏中熄滅像素的數(shù)量來確定。有機(jī)層的厚度也可以采用這樣的方法來確定觀察在其上沉積有有機(jī)層的基片表面，以檢查異質(zhì)顆粒是否被充分地覆蓋；以及當(dāng)異質(zhì)顆粒沒有被充分覆蓋時(shí)，則有機(jī)層的厚度就進(jìn)一步增加。
有機(jī)層可包括插入在設(shè)置在基片上的陽(yáng)極層與發(fā)光層之間的空穴傳輸層。這里，沉積的空穴傳輸層覆蓋粘結(jié)在陽(yáng)極層上的顆粒，并且發(fā)光層沉積在其上面。采用發(fā)光層之下的層覆蓋異質(zhì)顆粒，能夠避免電極間短路?？昭▊鬏攲拥暮穸纫缶哂?300?；蛞陨?，最好是1700埃或以上。
根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例涉及有機(jī)電致發(fā)光器件。該有機(jī)電致發(fā)光器件包括插入在一對(duì)電極層之間的有機(jī)層。該有機(jī)層至少要包括發(fā)光層，且其厚度為1300?；蛏源笮Ａ硗?，有機(jī)層的厚度最好為1700?；蛏源笮?。從而，粘結(jié)在基片表面的異質(zhì)顆?？梢员挥袡C(jī)層充分覆蓋，以避免電極間短路。
值得注意的是，在方法，裝置和系統(tǒng)之間變化的上述結(jié)構(gòu)部件和描述的任何隨意組合或重新組合都是有效的，并且被本發(fā)明的實(shí)施例所包含。
此外，本發(fā)明的發(fā)明概述并沒有必要描述所有必要特征，使得本發(fā)明也可以是這些所述特征的子組合。


圖1是顯示典型有機(jī)EL器件的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是顯示在制造處理過程中異質(zhì)顆粒粘結(jié)在表面的狀態(tài)下有機(jī)EL器件的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3是顯示根據(jù)第一實(shí)施例的有機(jī)EL器件的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4是顯示根據(jù)第一實(shí)施例的有機(jī)EL器件的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖，其處于在制造處理過程中異質(zhì)顆粒粘結(jié)在空穴傳輸層的上表面的狀態(tài)下。
圖5A和5B顯示了在有機(jī)EL屏中熄滅像素的分布。
圖6顯示了在多個(gè)具有不同厚度的空穴傳輸層的有機(jī)EL屏中熄滅像素的數(shù)量測(cè)量圖表。
圖7是表示圖6所示測(cè)量的圖形表示，顯示了在空穴傳輸層的厚度和熄滅像素的數(shù)量之間的關(guān)系。
圖8是顯示根據(jù)第二實(shí)施例的有機(jī)EL器件剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖9是顯示根據(jù)第三實(shí)施例的有機(jī)EL器件剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖10是顯示根據(jù)第四實(shí)施例的有機(jī)EL器件剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖11是表示紅色色度和有機(jī)EL器件中的空穴傳輸層的厚度之間關(guān)系的圖形表示。
圖12是表示紅光的相對(duì)強(qiáng)度和有機(jī)EL器件中的空穴傳輸層的厚度之間關(guān)系的圖形表示。
圖13是表示綠色色度和有機(jī)EL器件中的空穴傳輸層的厚度之間關(guān)系的圖形表示。
圖14是表示綠光的相對(duì)強(qiáng)度和有機(jī)EL器件中的空穴傳輸層的厚度之間關(guān)系的圖形表示。
圖15是表示藍(lán)色色度和有機(jī)EL器件中的空穴傳輸層的厚度之間關(guān)系的圖形表示。
圖16是表示藍(lán)光的相對(duì)強(qiáng)度和有機(jī)EL器件中的空穴傳輸層的厚度之間關(guān)系的圖形表示。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在根據(jù)較佳實(shí)施例來討論本發(fā)明，這些實(shí)施例并不限制本發(fā)明的范圍而只是用于解釋本發(fā)明。實(shí)施例中所描述的所有特征及其組合并不都是本發(fā)明所必須的。
在根據(jù)實(shí)施例制造有機(jī)EL器件的方法中，可以沉積較厚的有機(jī)層。從而，即使在沉積諸如發(fā)光層之類的有機(jī)層的過程中，異質(zhì)顆粒粘結(jié)在基片的表面上，有機(jī)層仍能基本覆蓋異質(zhì)顆粒，以避免在電極之間的電接觸。
圖2是顯示在制造的處理過程中異質(zhì)顆粒粘結(jié)在基片表面上的情況下的有機(jī)EL器件的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。順便說說，該圖表只是希望能給出異質(zhì)顆粒的粘結(jié)的平面示意圖，而不是要顯示在基片、各個(gè)電極層和有機(jī)層的實(shí)際厚度與異質(zhì)顆粒的尺寸之間的關(guān)系。陽(yáng)極層20層疊在基片10上。隨后，將基片引入到用于蒸發(fā)有機(jī)層的系統(tǒng)中，在這時(shí)在系統(tǒng)中剩余的異質(zhì)顆粒70就會(huì)粘結(jié)到陽(yáng)極層20的表面。當(dāng)在其表面上粘結(jié)了異質(zhì)顆粒70的陽(yáng)極層20上蒸發(fā)有機(jī)發(fā)光元件層80時(shí)，在異質(zhì)顆粒70的下面和其周圍的區(qū)域只蒸發(fā)了少量的有機(jī)物質(zhì)。從而有機(jī)發(fā)光元件層80就不能覆蓋異質(zhì)顆粒70，可能在異質(zhì)顆粒70的周圍留下間隙。陰極層60隨后層疊在有機(jī)發(fā)光元件層80上。這里，如果陰極材料進(jìn)入間隙，則陽(yáng)極層20和陰極層60就會(huì)在該部分產(chǎn)生接觸，引起短路。
隨著陽(yáng)極層20和陰極層60短路，當(dāng)電壓施加在陽(yáng)極層20和陰極層60之間時(shí)，就會(huì)在該短路部分流過很大的電流。這在發(fā)光層40中產(chǎn)生電流，會(huì)產(chǎn)生不發(fā)光的像素，該不發(fā)光的像素會(huì)引起整個(gè)像素不發(fā)光。含有若干具有這種缺陷的有機(jī)EL器件的有機(jī)EL屏就不能夠裝配成產(chǎn)品。這就意味著低的產(chǎn)品率。第一實(shí)施例圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)EL器件剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。在本實(shí)施例中，增加了空穴傳輸層30的厚度，使得異質(zhì)顆粒70被空穴傳輸層30充分覆蓋。
基片10是由諸如玻璃的絕緣材料制成的。例如，在有源矩陣型有機(jī)EL屏中，基片10具有結(jié)構(gòu)，其中包含諸如TFT之類的開關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)電路形成在絕緣基片上，并且在其上形成平面薄膜等。正如在該說明中所采用的，基片10也將包括這類驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)。
在基片10上形成陽(yáng)極層20。陽(yáng)極層20由以下材料制成，如，氧化銦錫(ITO)，氧化錫(SnO2)，或氧化銦(In2O3)。典型的是使用ITO，因?yàn)樗目昭ㄗ⑷胄矢吆捅砻骐娮璧?。由于ITO對(duì)可見光具有高的透明性，所以通過ITO陽(yáng)極層20從發(fā)光層40發(fā)出光。如果需要，則額外的平面薄膜可以沉積在陽(yáng)極層20上。
在陽(yáng)極層20上形成包括空穴傳輸層30，發(fā)光層40，以及電子傳輸層50的有機(jī)發(fā)光元件層80。一般，通過在具有多個(gè)形成腔室的多腔室型制造系統(tǒng)中的真空蒸發(fā)方法來形成這些有機(jī)層。在把基片引入到系統(tǒng)中之前，基片的表面要進(jìn)行清洗，但未去掉的異質(zhì)顆粒還會(huì)留在該表面。此外，諸如已剝離前一次制造的有機(jī)EL器件的無機(jī)或有機(jī)物質(zhì)，以及沒有蒸發(fā)到基片上的有機(jī)物質(zhì)之類的物質(zhì)可能會(huì)留下來且粘結(jié)在新引入的基片的表面。對(duì)由于粘結(jié)的異質(zhì)顆粒而引起的電極之間的電接觸的有效防止只需要將有機(jī)層沉積到足以充分覆蓋異質(zhì)顆粒的厚度。
空穴傳輸層30可由諸如，N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(下文中稱為“材料1”)，4，4’，4”-三(3-甲基苯苯氨基)三苯氨(MTDATA)，或N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲苯基)-1，1’-二苯基-4，4’-二胺之類的材料制成。發(fā)光層40可由諸如含有喹吖酮衍生物的鋁喹啉配合物(Alq3)或(10-羥基苯并[h]喹啉合)鈹(Bebq2)之類的材料制成。電子傳輸層50可由諸如Alq3或Bebq2之類的材料制成。
陰極層60形成在電子傳輸層50上。陰極層60可由諸如含有微量鋰的鋁合金、鎂銦合金、或鎂銀合金之類的材料制成。陰極層60可以具有雙層結(jié)構(gòu)，該雙層結(jié)構(gòu)從電子傳輸層50依次具有鋰氟化物(LiF)層和鋁(Al)層。
在本實(shí)施例中，空穴傳輸層30覆蓋了異質(zhì)顆粒70，如圖3所示。從而，可防止在陽(yáng)極層20和陰極層60之間的電接觸，以有效地避免由短路所引起的整個(gè)像素的較差發(fā)光。而且，由于位于陽(yáng)極層20和發(fā)光層40之間的空穴傳輸層30覆蓋了異質(zhì)顆粒70，就有可能防止發(fā)光層40的材料，即有機(jī)物質(zhì)，不受較差的蒸發(fā)，使得能夠沒有間隙地均勻蒸發(fā)發(fā)光層40。于是，有效地避免了在異質(zhì)顆粒周圍的較差發(fā)光。
圖4是顯示在制造過程中異質(zhì)顆粒粘結(jié)在空穴傳輸層上表面的狀態(tài)時(shí)根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)EL器件的剖面示意圖。在圖4中，異質(zhì)顆粒70粘結(jié)在空穴傳輸層30上。發(fā)光層40和電子傳輸層50在異質(zhì)顆粒70的周圍不蒸發(fā)，且陰極層60進(jìn)入到間隙中。這里，如果空穴傳輸層30較薄，則陽(yáng)極層20和陰極層60就可能會(huì)短路，阻礙發(fā)光層40中的電流，使得整個(gè)像素成為熄滅像素。在本實(shí)施例的有機(jī)EL器件200中，空穴傳輸層30厚度的增加能夠防止陽(yáng)極層20和陰極層60之間的短路。
圖5A和5B是顯示有機(jī)EL屏中的熄滅像素的分布的圖。可通過在顯微鏡等下檢查有機(jī)EL屏的透光性來測(cè)量熄滅像素的分布。圖5A顯示了由具有圖2所示薄的有機(jī)層的有機(jī)EL器件構(gòu)成的有機(jī)EL屏中的熄滅像素的分布。該有機(jī)EL屏具有太多的熄滅像素，以至于不能充當(dāng)顯示器。圖5B顯示了由具有圖3所示厚的有機(jī)層的有機(jī)EL器件構(gòu)成的有機(jī)EL屏中的熄滅像素的分布。在該有機(jī)EL屏中的熄滅像素的數(shù)量顯著少于圖5A所示的有機(jī)EL屏中的熄滅像素的數(shù)量。顯然，增加有機(jī)層的厚度可以大大減少熄滅像素的出現(xiàn)。
圖6顯示了在多個(gè)具有不同厚度的空穴傳輸層30的有機(jī)EL屏中熄滅像素?cái)?shù)量的測(cè)量結(jié)果。制造了多個(gè)具有由以材料1規(guī)定的二胺衍生物制成的空穴傳輸層的有機(jī)EL屏，且對(duì)熄滅像素的數(shù)量進(jìn)行了測(cè)量。
圖7是表示圖6所示測(cè)量結(jié)果的圖形表示，顯示了在空穴傳輸層厚度和熄滅像素?cái)?shù)量之間的關(guān)系。厚度為1100埃的有機(jī)EL屏包括一個(gè)熄滅像素?cái)?shù)量超過18的屏，于是，該屏不適合作為產(chǎn)品?？梢钥吹剑?300埃的厚度減少了熄滅像素?cái)?shù)，提高了產(chǎn)品率。厚度越厚，則相應(yīng)的熄滅像素的數(shù)量越少。厚度為1700埃的有機(jī)EL屏，熄滅像素的數(shù)量可減少至與厚度為2400埃的相同水平。熄滅像素的可能起因可包括除了電極之間的短路之外的其他原因。于是，在厚度為1700埃或稍大些時(shí)，由電極間短路所引起的熄滅像素的發(fā)生被認(rèn)為是有效地得到了抑制。根據(jù)上述結(jié)果，希望空穴傳輸層30的厚度為1300埃或以上，最好是1700?；蛞陨??？昭▊鬏攲?0厚度的上限只要求設(shè)計(jì)成對(duì)有機(jī)EL器件的特性沒有太大的影響。例如，它可以是5000埃或稍小些，最好為4000埃或稍小些。
從一個(gè)系統(tǒng)到另一個(gè)系統(tǒng)，余留在用于沉積有機(jī)層的系統(tǒng)中的異質(zhì)顆?？梢栽陬w粒尺寸分布中變化。在圖6和圖7所示的例子中，已知的是系統(tǒng)中許多異質(zhì)顆粒的尺寸為3000埃左右。這顯示出空穴傳輸層30的厚度最好能具有異質(zhì)顆粒的顆粒尺寸的至少一半左右。按照如此方法，可以事先獲得在用于沉積有機(jī)層的系統(tǒng)中的異質(zhì)顆粒的顆粒尺寸分布，使得根據(jù)該尺寸來確定有機(jī)層的厚度。例如，在使用新的系統(tǒng)開始時(shí)，可以測(cè)量余留在系統(tǒng)中的異質(zhì)顆粒尺寸來確定有機(jī)層的厚度，該厚度諸如能充分覆蓋這些異質(zhì)顆粒。另一種選擇方法是，每一次使用系統(tǒng)時(shí)，可以測(cè)量異質(zhì)顆粒的尺寸來確定有機(jī)層的厚度。這樣就有可能逐系統(tǒng)地確定合適的厚度。因此，就能用有機(jī)層來確實(shí)覆蓋異質(zhì)顆粒，以避免電極間的短路。系統(tǒng)中可以提供用于測(cè)量異質(zhì)顆粒的數(shù)量或尺寸的傳感器，以便于實(shí)時(shí)控制有機(jī)層的厚度?？梢酝ㄟ^測(cè)量所制造的有機(jī)EL屏中熄滅像素的數(shù)量來確定有機(jī)層的厚度。還可以這樣的方法確定有機(jī)層厚度觀察在其上沉積有有機(jī)層的基片表面，以檢查異質(zhì)顆粒是否被充分地覆蓋，以及當(dāng)異質(zhì)顆粒沒有被充分覆蓋時(shí)，則有機(jī)層的厚度就進(jìn)一步增加。第二實(shí)施例圖8顯示了根據(jù)第二實(shí)施例的有機(jī)EL器件的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。在該實(shí)施例中，增加電子傳輸層50的厚度，使得異質(zhì)顆粒70被電子傳輸層50充分覆蓋。
如圖8所示，即使空穴傳輸層30和發(fā)光層40不能覆蓋粘結(jié)在陽(yáng)極層20上的異質(zhì)顆粒70，但是沉積較厚的電子傳輸層50也能充分覆蓋異質(zhì)顆粒70，以避免在陽(yáng)極和陰極之間的電接觸。這里，如同第一實(shí)施例中的空穴傳輸層30的厚度一樣，希望電子傳輸層50的厚度為1300?；蚋撸^佳的為1700?；蛞陨?。電子傳輸層50的厚度上限只需要設(shè)計(jì)成不對(duì)有機(jī)EL器件的特性產(chǎn)生太大的影響。例如，可以是5000?；蛐⌒?，以及較佳的為4000埃或小些。第三實(shí)施例圖9是顯示根據(jù)第三實(shí)施例的有機(jī)EL器件的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。本實(shí)施例的有機(jī)EL器件具有的電極層與第一和第二實(shí)施例中有機(jī)EL器件的電極層位置相反?；?0采用陰極層60覆蓋，在陰極層上依次層疊電子傳輸層50，發(fā)光層40，空穴傳輸層30，以及陽(yáng)極層20。如圖9所示，電子傳輸層50直接在陰極層60上能充分覆蓋粘結(jié)在陰極層60上的異質(zhì)顆粒70，從而防止電極間短路以及避免發(fā)光層40的差的蒸發(fā)。
這里，如同第一實(shí)施例中空穴傳輸層30的厚度一樣，電子傳輸層50厚度希望為1300埃或稍大些，較佳的為1700?；蛞陨?。電子傳輸層50的厚度上限只需要設(shè)計(jì)成不對(duì)有機(jī)EL器件的特性產(chǎn)生太大的影響。例如，5000?；蛐⌒?，以及較佳為4000?；蛐⌒５谒膶?shí)施例圖10是顯示根據(jù)第四實(shí)施例的有機(jī)EL器件的剖面結(jié)構(gòu)的示意圖。不同于第三實(shí)施例的有機(jī)EL器件，本實(shí)施例的有機(jī)EL器件增加了空穴傳輸層30的厚度。如圖10所示，即使電子傳輸層50和發(fā)光層40不能覆蓋粘結(jié)在陰極層60上的異質(zhì)顆粒，但沉積得較厚的空穴傳輸層30也能夠充分覆蓋異質(zhì)顆粒70，以避免在陽(yáng)極和陰極之間的電接觸。
這里，如同第一實(shí)施例的空穴傳輸層30的厚度一樣，空穴傳輸層30厚度希望為1300?；蛏源笮?，較佳的為1700埃或以上?？昭▊鬏攲?0的厚度上限只需要設(shè)計(jì)成不對(duì)有機(jī)EL器件的特性產(chǎn)生太大的影響。例如，5000?；蛐⌒?，以及較佳為4000?；蛐⌒?。與其他有機(jī)層相比，空穴傳輸層30的優(yōu)點(diǎn)可增加它的厚度，而對(duì)有機(jī)EL器件的特性的影響較小。
可以進(jìn)一步考慮有機(jī)EL屏的色度和發(fā)光強(qiáng)度來確定空穴傳輸層30的厚度?；鹊臉?biāo)準(zhǔn)由美國(guó)國(guó)家電視系統(tǒng)委員會(huì)(NTSC)制定如下RCIEx＝0.67，CIEy＝0.33GCIEx＝0.21，CIEy＝0.71BCIEx＝0.14，CIEy＝0.08因?yàn)橛袡C(jī)EL屏的色度可隨空穴傳輸層30的厚度而變化，所以希望控制空穴傳輸層30的厚度，使得色度能夠接近上述標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值。由于有機(jī)EL屏的發(fā)光強(qiáng)度可隨空穴傳輸層30的厚度而變化，所以還希望控制空穴傳輸層30的厚度，使得發(fā)光的強(qiáng)度能盡可能的高。下文中按照上述來檢查空穴傳輸層30的希望厚度。圖11至16中，示出了以材料1規(guī)定的二胺衍生物制成的空穴傳輸層的例子。
圖11是在紅色色度和有機(jī)EL器件的空穴傳輸層30的厚度之間的關(guān)系的圖形表示。曲線顯示出與厚度相關(guān)的紅色CIEx和CIEy，并且線是最小乘方線。如圖11所示，在色度比最小乘方線更接近于標(biāo)準(zhǔn)值的地方的厚度范圍，關(guān)于CIEx是1200-2000埃以及2800-3900埃，而關(guān)于CIEy是1200-2000埃以及2800-3900埃。
圖12是顯示在紅光的相對(duì)強(qiáng)度和有機(jī)EL器件的空穴傳輸層30的厚度之間關(guān)系的圖形表示。曲線顯示出與厚度相關(guān)的紅光的相對(duì)強(qiáng)度，并且線是最小乘方線。如圖12所示，強(qiáng)度高于最小乘方線的厚度范圍為700-1500埃和3000-4500埃。
圖13是在綠色色度和有機(jī)EL器件空穴傳輸層30的厚度之間關(guān)系的圖形表示。曲線顯示出與厚度相關(guān)的綠色CIEx和CIEy，并且線是最小乘方線。如圖13所示，在色度比最小乘方線更接近于標(biāo)準(zhǔn)值之處的厚度范圍，關(guān)于CIEx是1400-2300埃以及3000-3800埃，而關(guān)于CIEy是700-1000埃，1800-2500埃以及3200-4000埃。
圖14是顯示在綠光的相對(duì)強(qiáng)度和有機(jī)EL器件空穴傳輸層30厚度之間關(guān)系的圖形表示。曲線顯示出與厚度相關(guān)的綠光的相對(duì)強(qiáng)度，并且線是最小乘方線。如圖14所示，強(qiáng)度高于最小乘方線的厚度范圍為700-1100埃，1800-2600埃和3200-4300埃。
圖15是藍(lán)色色度和有機(jī)EL器件空穴傳輸層30厚度之間關(guān)系的圖形表示。曲線顯示出與厚度相關(guān)的藍(lán)色CIEx和CIEy，并且線是最小乘方線。如圖15所示，色度比最小乘方線更接近于標(biāo)準(zhǔn)值的地方的厚度范圍，關(guān)于CIEx是800-1700埃，2900-3100埃以及3700-4300埃，而關(guān)于CIEy是1200-1900埃，2500-3200埃以及3800-4600埃。
圖16是顯示藍(lán)光的相對(duì)強(qiáng)度和有機(jī)EL器件空穴傳輸層30厚度之間關(guān)系的圖形表示。曲線顯示出與厚度相關(guān)的藍(lán)光的相對(duì)強(qiáng)度，并且線是最小乘方線。如圖16所示，強(qiáng)度高于最小乘方線的厚度范圍為500-1100埃，1800-2600埃，3200-3800埃和4800-5000埃。
空穴傳輸層30的厚度不一定都要滿足上述提及的條件?？梢钥紤]空穴傳輸層30、發(fā)光層40，或其它有機(jī)層等的材料并參照以上所提及的厚度范圍來確定空穴傳輸層30的厚度。
如上所述，根據(jù)諸實(shí)施例，可有效地減少有機(jī)EL器件的缺陷，如由短路引起的整個(gè)像素的差的發(fā)光，由有機(jī)發(fā)光元件層80的差的蒸發(fā)引起的異質(zhì)顆粒周圍的差的蒸發(fā)。
已基于示例性的實(shí)施例討論了本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，存在對(duì)上述各部件和過程的組合的各種其他修改，并且這些修改都在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。以下將討論這些修改。
在上述的實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光元件層80包括空穴傳輸層30、發(fā)光層40、以及電子傳輸層50。然而，可根據(jù)有機(jī)EL器件的特性來提供空穴傳輸層30和電子傳輸層50。也可以提供多個(gè)空穴傳輸層30或電子傳輸層50。與有機(jī)發(fā)光元件層80的結(jié)構(gòu)無關(guān)，有機(jī)發(fā)光元件層80所包括的任何有機(jī)層都可以增加厚度以充分覆蓋異質(zhì)顆粒。這里，希望覆蓋異質(zhì)顆粒的有機(jī)層厚度為1300?；蛏源笮?，較佳的為1700?；蛏源笮?。
在上述實(shí)施例中，空穴傳輸層30或電子傳輸層50在厚度上增加了。然而，發(fā)光層40可以增加厚度。而且，有機(jī)發(fā)光元件層80中所包括的各個(gè)有機(jī)層也可以增加小量的厚度，以整體達(dá)到所希望的厚度。即使在這樣的情況下，希望有機(jī)發(fā)光元件層80的總體厚度為1300?；蛏源笮^佳的為1700?；蛏源笮Ｒ虼耍辰Y(jié)在基片表面上的異質(zhì)顆粒能被充分覆蓋，以避免電極間的短路。有機(jī)發(fā)光元件層的總的厚度的上限值只要求考慮有機(jī)發(fā)光元件層80中所含有的有機(jī)的材料的種類，設(shè)計(jì)成對(duì)有機(jī)EL器件特性沒有太大的影響。例如，或讀可以為5000埃或稍小些，較佳的為4000?；蛏孕⌒?。
雖然已經(jīng)通過示例性的實(shí)施例討論了本發(fā)明，但應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以在不脫離附屬權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)一步作出變化和替換。
權(quán)利要求
1.一種通過在基片上沉積有機(jī)層來制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，沉積的有機(jī)層充分覆蓋了粘結(jié)在基片表面上的異質(zhì)顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，有機(jī)層沉積的厚度是通過獲得處于用于沉積有機(jī)層的系統(tǒng)中的異質(zhì)顆粒的顆粒尺寸分布來確定的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，有機(jī)層沉積的厚度是通過測(cè)量所制造的有機(jī)電致發(fā)光屏的熄滅像素的數(shù)量來確定的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于有機(jī)層包括了插入于設(shè)置在基片上的陽(yáng)極層與發(fā)光層之間的空穴傳輸層；以及，沉積空穴傳輸層，以便充分覆蓋粘結(jié)在陽(yáng)極層上的異質(zhì)顆粒，并在該層上沉積發(fā)光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于有機(jī)層包括插入在設(shè)置于基片上的陽(yáng)極層和發(fā)光層之間的空穴傳輸層；以及，沉積空穴傳輸層，以便充分覆蓋粘結(jié)在陽(yáng)極層上的異質(zhì)顆粒，并在該層上沉積發(fā)光層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，有機(jī)層包括插入在設(shè)置于基片上的陽(yáng)極層和發(fā)光層之間的空穴傳輸層；以及，沉積空穴傳輸層，以便充分覆蓋粘結(jié)在陽(yáng)極層上的異質(zhì)顆粒，并在該層上沉積發(fā)光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，空穴傳輸層的厚度為1300埃或以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，空穴傳輸層的厚度為1300?；蛞陨稀?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，空穴傳輸層的厚度為1300?；蛞陨?。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，空穴傳輸層的厚度為1700?；蛞陨稀?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，空穴傳輸層的厚度為1700?；蛞陨?。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其特征在于，空穴傳輸層的厚度為1700?；蛞陨?。
13.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于包括一對(duì)電極層，以及插入在該對(duì)電極層之間的有機(jī)層，有機(jī)層至少包括發(fā)光層，其中，有機(jī)層的厚度為1300?；蛞陨?。
全文摘要
采用新穎方法來制造有機(jī)EL器件，以減少在有機(jī)EL器件中的差發(fā)光的發(fā)生。在基片上依次層疊陽(yáng)極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、以及陰極層，以形成有機(jī)EL器件。在有機(jī)EL器件中，增加空穴傳輸層的厚度，使得用空穴傳輸層充分覆蓋粘結(jié)在陽(yáng)極層上的異質(zhì)顆粒。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1443029SQ03120229
公開日2003年9月17日 申請(qǐng)日期2003年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月5日
發(fā)明者松本寬, 西尾佳高 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社