專(zhuān)利名稱:雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種電阻裝置,特別是一種雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置??晒?yīng)用于高頻電路的低電感電阻,并可平面化或積層化,以供各種高頻電路選擇應(yīng)用。
背景技術(shù):
傳統(tǒng)制作低電感電阻裝置的方法,是以絕緣材料構(gòu)成圓筒型核心或其他筒形核心,并在其上將電阻材料作雙向逆繞構(gòu)成,其缺點(diǎn)為(1)占用空間大;(2)無(wú)法薄膜化以供制成積層電路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,而提供一種占用空間小,可薄膜化以供制成積層電路的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置。
本發(fā)明所提供的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置是由如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
一種雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是為單層或多層呈互逆螺旋布設(shè)的電阻體,包括由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬材料卷繞式的電阻材料,呈雙向阿基米德螺旋布設(shè)或逆向彎折布設(shè),并可依需要制成單層或多層結(jié)構(gòu),使其磁力線互相抵消,降低電阻器的電感提供高頻電路需求,其電阻為藉由涂布層或薄膜狀或陶瓷式或金屬材料卷繞式的電阻材料,包括一般電阻性材料或正溫度系數(shù)電阻材料,或負(fù)溫度系數(shù)電阻材料,而呈雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置彎折布設(shè),并可依需要制成單層或多層的結(jié)構(gòu),以使其磁力線互相抵消,大幅降低電阻器的電感;其主要包含絕緣載體[101]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成的絕緣膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102];呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成的涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑設(shè)置于絕緣載體[101]的表面,電阻體路徑中具有中間反向折返點(diǎn)[103],而電阻體路徑起點(diǎn)[104]與電阻體路徑終點(diǎn)[105],作為此項(xiàng)雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置的對(duì)外連接介面;藉著上述呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體,使其磁力線互相抵消,以降低電阻器的電感值。
除上述必要技術(shù)特征外,在具體實(shí)施過(guò)程中,還可補(bǔ)充如下技術(shù)內(nèi)容進(jìn)一步為多層化全結(jié)構(gòu),包括兩層或三層或三層以上的多層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成,其兩層積層結(jié)構(gòu)的主要構(gòu)成如下絕緣載體[101]、[201]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成的絕緣膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]、[202];呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]、[202]為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成全涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷線式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)于絕緣載體[101]、[201]的表面,其中呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的第一層電阻體[102]的電阻體路徑起點(diǎn)[104],與呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的第二層電阻體[202]的電阻體路徑起點(diǎn)[204]相連接導(dǎo)通,電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[103]、第二層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[203],而由第一層電阻體路徑終點(diǎn)[105]及第二層電阻體路徑終點(diǎn)[205]構(gòu)成對(duì)外的連接介面。
其三層(奇數(shù))積層結(jié)構(gòu)的主要構(gòu)成如下絕緣載體[101]、[201]、[301]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成的絕緣膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[103]、[202]、[302];呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]、[202]、[302]為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成的涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)于絕緣載體[101]、[201]、[301]的表面,其中第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102],其電阻體路徑起點(diǎn)[104]與第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[202]的電阻體路徑起點(diǎn)[204]相連接導(dǎo)通,而第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[202],其電阻體路徑終點(diǎn)[205]與第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[302]的電阻體路徑終點(diǎn)[305]連接導(dǎo)通;電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[103]、第二層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[203]、第三層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[303],而以第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]的電阻體路徑終點(diǎn)[105]及第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[302]的電阻體路徑起點(diǎn)[304]對(duì)外的連接介面。
其多層式結(jié)構(gòu)中,多層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)的電阻間的關(guān)系包括各層雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)的電阻的疊積位置為呈同形狀或不同形狀,或呈同尺寸或不同尺寸,或呈同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的同相位布設(shè)關(guān)系,或呈同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的逆相位布設(shè)關(guān)系,或呈同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的不同相位布設(shè)關(guān)系。
其多層式結(jié)構(gòu)中,各層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)的電阻間的關(guān)系包括多層積層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體為設(shè)置于絕緣載體的兩面,或由多層絕緣載體各別布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體再疊積為積層結(jié)構(gòu),各積層與積層間為預(yù)留間隙以供作通風(fēng)冷卻的考慮,或?yàn)闊o(wú)間隙的密接或封裝結(jié)構(gòu),以供作結(jié)構(gòu)的選擇。
其結(jié)構(gòu)進(jìn)一步為單面單彎折單層布設(shè),除含有絕緣載體[101]、及由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其中電阻體[102],為呈U形布設(shè)于絕緣載體的單邊,兩呈條形電阻體為以U型的彎折為折返點(diǎn)[103],而兩條狀電阻體并呈緊密靠近,使其磁力線互相抵消以減少電感;而兩條狀電阻體的接腳 、 則供作對(duì)外連接介面。
其結(jié)構(gòu)進(jìn)一步為單層單彎折雙面布設(shè),除含有絕緣載體[101]、及由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其中電阻體[102],為呈U形布設(shè)于單層絕緣載體[101]的雙面,而其折返點(diǎn)[103]為位于絕緣載體兩面電阻體同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);而兩電阻體的接腳 、 則供作對(duì)外連接介面。
其結(jié)構(gòu)進(jìn)一步為多層結(jié)構(gòu)多彎折疊設(shè),除含有多層絕緣載體及由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料所構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其中第一層電阻體[102]為呈U型布設(shè)于絕緣載體[101]的兩邊,而其折返點(diǎn)[103]為位于絕緣載體[101]兩面所設(shè)電阻體[102]同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);其第二層電阻體[202]為呈U型布設(shè)于絕緣載體[201]的兩邊,而其折返點(diǎn)[203]為位于絕載體[201]兩面所設(shè)電阻體[202]同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);其多層結(jié)構(gòu)中各層相疊的電阻體間設(shè)有絕緣體[106],而疊合時(shí)相鄰電阻體的接腳 、 為呈串接而外側(cè)的電阻體接腳 及 則供作對(duì)外連接介面。
其結(jié)構(gòu)進(jìn)一步為電阻體兩面具撓性絕緣載體而呈卷繞式結(jié)構(gòu),為呈薄片或薄膜狀的撓性電阻體[102]兩邊設(shè)有撓性的絕緣載體[101],而電阻體[102]于絕緣載體[101]上呈雙向阿基米德螺旋狀的布設(shè),而以其核心為折返點(diǎn)[103],其兩外側(cè)接腳 、 則供作對(duì)外連接的介面。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明藉由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬材料卷繞式的電阻材料,包括一般電阻性材料或正溫度系數(shù)(PTC)電阻材料,或負(fù)溫度孫數(shù)(NTC)電阻材料,而呈雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置彎折布設(shè),并可依需要制成單層或多層的結(jié)構(gòu),以使其磁力線互相抵消,大幅降低電阻器的電感。
以下配合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的特征及優(yōu)點(diǎn)
圖1為本發(fā)明具方形分布電阻體路徑單層實(shí)施例示意圖。
圖2為本發(fā)明具圓型分布電阻體路徑單層實(shí)施例示意圖。
圖3為本發(fā)明的三角型路徑單層實(shí)施例示意圖。
圖4為以圖1實(shí)施例為基礎(chǔ)的兩層積層結(jié)構(gòu)實(shí)施例示意圖。
圖5為以圖1實(shí)施例為基礎(chǔ)的三層積層結(jié)構(gòu)實(shí)施例示意圖。
圖6為本發(fā)明電阻體呈同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊全同相位布設(shè)關(guān)系結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7為本發(fā)明電阻體呈同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的逆相位布設(shè)關(guān)系結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8為本發(fā)明電阻體呈90°電機(jī)角差布設(shè)例結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9為本發(fā)明單面單彎折單層布設(shè)實(shí)施例示意圖。
圖10為本發(fā)明單層單彎折雙面布設(shè)實(shí)施例。
圖11為本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)多彎折疊布設(shè)實(shí)施例。
圖12為本發(fā)明電阻體兩面具撓性絕緣載體而呈卷繞式結(jié)構(gòu)實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式
此項(xiàng)雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其雙向阿基米德螺旋的布設(shè)路徑,可為方形、或圓形、或三角形、或其他幾何形狀。
如圖1、圖2及圖3所示實(shí)施例,其主要構(gòu)成含絕緣載體101為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成的絕緣膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體102
呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體102為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成的涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑設(shè)置于絕緣載體101的表面,電阻體路徑中具有中間反向折返點(diǎn)103,而電阻體路徑起點(diǎn)104與電阻體路徑終點(diǎn)105,作為此項(xiàng)雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置的對(duì)外連接介面藉著上述呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體,使其磁力線互相抵消,以降低電阻器的電感值。
此項(xiàng)雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置進(jìn)一步可為多層化的結(jié)構(gòu),包括兩層、或三層、或三層以上全多層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成,以兩層代表雙數(shù)層,三層代表奇數(shù)多數(shù)層為例,說(shuō)明如下圖4為以圖1實(shí)施例為基礎(chǔ)的兩層積層結(jié)構(gòu)實(shí)施例示意圖。
圖4的實(shí)施例的主要構(gòu)成如下一一絕緣載體101、201;為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成全絕緣膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體102、202一一呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體102、202為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成的涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷饒式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)于絕緣載體101、201的表面,其中呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的第一層電阻體102的電阻體路徑起點(diǎn)104,與呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的第二層電阻體202的電阻體路徑起點(diǎn)204相連接導(dǎo)通,電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)103、第二層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)203,而由第一層電阻體路徑終點(diǎn)105及第二層電阻體路徑終點(diǎn)205構(gòu)成對(duì)外的連接介面。
如圖5實(shí)施例,其主要構(gòu)成如下
一一絕緣載體101、201、301為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成的膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體102、202、302;一一呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體102、202、302為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成的涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)于絕緣載體101、201、301的表面,其中第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體102,其電阻體路徑起點(diǎn)104與第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體202的電阻體路徑起點(diǎn)204相連接導(dǎo)通,而第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體202,其電阻體路徑終點(diǎn)205與第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體302的電阻體路徑終點(diǎn)305連接導(dǎo)通;電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)103、第二層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)203、第三層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)303,而以第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體102的電阻體路徑終點(diǎn)105及第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體302的電阻體路徑起點(diǎn)304為對(duì)外的連接介面。
圖4及圖5所述的多層式結(jié)構(gòu)中,多層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)的電阻間的關(guān)系包括(1)同形狀或不同形狀;(2)同尺寸或不同尺寸(3)同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的同相位布設(shè)關(guān)系,如圖6所示;(4)同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的逆相位布設(shè)關(guān)系,如圖7所示;(5)同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的不同相位布設(shè)關(guān)系,如圖8所示為其呈90°電機(jī)角差布設(shè)例結(jié)構(gòu)示意圖,其他電機(jī)角差關(guān)系可依此類(lèi)推;(6)多層積層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體可為設(shè)置于絕緣載體的兩面,或由多層絕緣載體各別布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體再疊積為積層結(jié)構(gòu),各積層與積層間可預(yù)留間隙以作通風(fēng)冷卻的考慮,或?yàn)闊o(wú)間隙的密接或封裝結(jié)構(gòu),以作結(jié)構(gòu)的選擇。
圖9所示為本發(fā)明單面單彎折單層布設(shè)實(shí)施例示意圖,除含有絕緣載體101、及由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其特征為電阻體102,為呈U形布設(shè)于絕緣載體的單邊,兩呈條形電阻體為以U型的彎折為折返點(diǎn)103,而兩條狀電阻體并呈緊密靠近,使其磁力線互相抵消以減少電感。而兩條狀電阻體的接腳1040、1050則供作對(duì)外連接介面。
圖10所示為本發(fā)明單層單彎折雙面布設(shè)實(shí)施例,除含有絕緣載體101、及由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其特征為電阻體102,為呈U形布設(shè)于單層絕緣載體101的雙面,而其折返點(diǎn)103為位于絕緣載體兩面電阻體同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);而兩電阻體的接腳1040、1050則供作對(duì)外連接介面。
圖11所示為本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)多彎折疊布設(shè)實(shí)施例,除含有多層絕緣載體及由涂飾層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料所構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其特征為第一層電阻體102為呈U型布設(shè)于絕緣載體101的兩邊,而其折返點(diǎn)103為位于絕緣載體101兩面所設(shè)電阻體102同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);其第二層電阻體202為呈U型布設(shè)于絕緣載體201的兩邊,而其折返點(diǎn)203為位于絕緣載體201兩面所設(shè)電阻體202同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);其多層結(jié)構(gòu)中各層相疊的電阻體間設(shè)有絕緣體106,而疊合時(shí)相鄰電阻體的接腳1050、2040為呈串接;而外側(cè)的電阻體接腳1040及2050則供作對(duì)外連接介面。
圖12所示為本發(fā)明電阻體兩面具撓性絕緣載體而呈卷繞式結(jié)構(gòu)實(shí)施例示意圖;為呈薄片或薄膜狀的撓性電阻體102兩邊設(shè)有撓性的絕緣載體101,而電阻體102于絕緣載體101上呈雙向阿基米德螺旋狀的布設(shè),而以其核心為折返點(diǎn)103,其兩外側(cè)接腳1040、1050則供作對(duì)外連接的介面。
綜合上述,此項(xiàng)雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的低感電阻裝置,首創(chuàng)以雙向阿基米德螺旋的路徑布設(shè)電阻材料,使高頻低電感電阻平面化及可積層化為其進(jìn)步性所在,創(chuàng)意新穎,功能確切,爰提專(zhuān)利申請(qǐng),請(qǐng)依法核審為祈。
權(quán)利要求
1.一種雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是為單層或多層呈互逆螺旋布設(shè)的電阻體,包括由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬材料卷繞式的電阻材料,呈雙向阿基米德螺旋布設(shè)或逆向彎折布設(shè),并可依需要制成單層或多層結(jié)構(gòu),使其磁力線互相抵消,降低電阻器的電感提供高頻電路需求,其電阻為藉由涂布層或薄膜狀或陶瓷式或金屬材料卷繞式的電阻材料,包括一般電阻性材料或正溫度系數(shù)電阻材料,或負(fù)溫度系數(shù)電阻材料,而呈雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置彎折布設(shè),并可依需要制成單層或多層的結(jié)構(gòu),以使其磁力線互相抵消,大幅降低電阻器的電感;其主要包含絕緣載體[101]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成的絕緣膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102];呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成的涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑設(shè)置于絕緣載體[101]的表面,電阻體路徑中具有中間反向折返點(diǎn)[103],而電阻體路徑起點(diǎn)[104]與電阻體路徑終點(diǎn)[105],作為此項(xiàng)雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置的對(duì)外連接介面;藉著上述呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體,使其磁力線互相抵消,以降低電阻器的電感值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是進(jìn)一步為多層化全結(jié)構(gòu),包括兩層或三層或三層以上的多層結(jié)構(gòu)所構(gòu)成,其兩層積層結(jié)構(gòu)的主要構(gòu)成如下絕緣載體[101]、[201]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成的絕緣膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]、[202];呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]、[202]為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成全涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷線式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)于絕緣載體[101]、[201]的表面,其中呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的第一層電阻體[102]的電阻體路徑起點(diǎn)[104],與呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的第二層電阻體[202]的電阻體路徑起點(diǎn)[204]相連接導(dǎo)通,電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[103]、第二層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[203],而由第一層電阻體路徑終點(diǎn)[105]及第二層電阻體路徑終點(diǎn)[205]構(gòu)成對(duì)外的連接介面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是其三層積層結(jié)構(gòu)的主要構(gòu)成如下絕緣載體[101]、[201]、[301]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構(gòu)成的絕緣膜或基板狀,或其他結(jié)構(gòu)形態(tài)以供布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[103]、[202]、[302];呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]、[202]、[302]為由具電阻性質(zhì)材料構(gòu)成的涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻,而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)于絕緣載體[101]、[201]、[301]的表面,其中第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102],其電阻體路徑起點(diǎn)[104]與第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[202]的電阻體路徑起點(diǎn)[204]相連接導(dǎo)通,而第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[202],其電阻體路徑終點(diǎn)[205]與第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[302]的電阻體路徑終點(diǎn)[305]連接導(dǎo)通;電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[103]、第二層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[203]、第三層電阻體具有中間反向折返點(diǎn)[303],而以第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[102]的電阻體路徑終點(diǎn)[105]及第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體[302]的電阻體路徑起點(diǎn)[304]對(duì)外的連接介面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是其多層式結(jié)構(gòu)中,多層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)的電阻間的關(guān)系包括各層雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)的電阻的疊積位置為呈同形狀或不同形狀,或呈同尺寸或不同尺寸,或呈同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的同相位布設(shè)關(guān)系,或呈同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的逆相位布設(shè)關(guān)系,或呈同形狀、同尺寸,呈完全同位置重疊的不同相位布設(shè)關(guān)系。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是其多層式結(jié)構(gòu)中,各層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設(shè)的電阻間的關(guān)系包括多層積層呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體為設(shè)置于絕緣載體的兩面,或由多層絕緣載體各別布設(shè)呈雙向阿基米德螺旋狀布設(shè)的電阻體再疊積為積層結(jié)構(gòu),各積層與積層間為預(yù)留間隙以供作通風(fēng)冷卻的考慮,或?yàn)闊o(wú)間隙的密接或封裝結(jié)構(gòu),以供作結(jié)構(gòu)的選擇。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是其結(jié)構(gòu)進(jìn)一步為單面單彎折單層布設(shè),除含有絕緣載體[101]、及由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其中電阻體[102],為呈U形布設(shè)于絕緣載體的單邊,兩呈條形電阻體為以U型的彎折為折返點(diǎn)[103],而兩條狀電阻體并呈緊密靠近,使其磁力線互相抵消以減少電感;而兩條狀電阻體的接腳[1040]、[1050]則供作對(duì)外連接介面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是其結(jié)構(gòu)進(jìn)一步為單層單彎折雙面布設(shè),除含有絕緣載體[101]、及由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其中電阻體[102],為呈U形布設(shè)于單層絕緣載體[101]的雙面,而其折返點(diǎn)[103]為位于絕緣載體兩面電阻體同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);而兩電阻體的接腳[1040]、[1050]則供作對(duì)外連接介面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是其結(jié)構(gòu)進(jìn)一步為多層結(jié)構(gòu)多彎折疊設(shè),除含有多層絕緣載體及由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料所構(gòu)成的電阻體及連接介面所構(gòu)成,其中第一層電阻體[102]為呈U型布設(shè)于絕緣載體[101]的兩邊,而其折返點(diǎn)[103]為位于絕緣載體[101]兩面所設(shè)電阻體[102]同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);其第二層電阻體[202]為呈U型布設(shè)于絕緣載體[201]的兩邊,而其折返點(diǎn)[203]為位于絕載體[201]兩面所設(shè)電阻體[202]同側(cè)端的串聯(lián)連接點(diǎn);其多層結(jié)構(gòu)中各層相疊的電阻體間設(shè)有絕緣體[106],而疊合時(shí)相鄰電阻體的接腳[1050]、[2040]為呈串接而外側(cè)的電阻體接腳[1040]及[2050]則供作對(duì)外連接介面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,其特征是其結(jié)構(gòu)進(jìn)一步為電阻體兩面具撓性絕緣載體而呈卷繞式結(jié)構(gòu),為呈薄片或薄膜狀的撓性電阻體[102]兩邊設(shè)有撓性的絕緣載體[101],而電阻體[102]于絕緣載體[101]上呈雙向阿基米德螺旋狀的布設(shè),而以其核心為折返點(diǎn)[103],其兩外側(cè)接腳[1040]、[1050]則供作對(duì)外連接的介面。
全文摘要
一種雙向阿基米德螺旋布設(shè)的低感電阻裝置,為揭示一種以單層或多層呈互逆螺旋布設(shè)的電阻體,包括由涂布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬材料卷繞式的電阻材料,呈雙向阿基米德螺旋布設(shè)或逆向彎折布設(shè),并可依需要制成單層或多層結(jié)構(gòu),使其磁力線互相抵消,降低電阻器的電感提供高頻電路需求。
文檔編號(hào)H01C7/00GK1538466SQ0312197
公開(kāi)日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2003年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月18日
發(fā)明者楊泰和 申請(qǐng)人:楊泰和