專利名稱：字符線交接點布局結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基本電氣元件領(lǐng)域半導體器件中半導體組件的布局結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種應用于內(nèi)存組件的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)(Word LineStrap Layout Structure)。
背景技術(shù)：
在一個高儲存容量的的內(nèi)存組件中，其內(nèi)存數(shù)組(memory array)通常藉由場氧化層(field oxide，F(xiàn)OX)劃分成數(shù)個內(nèi)存區(qū)域(memory area)，其中每一個內(nèi)存區(qū)域的資料容量例如是8兆位(Mbits)、32兆位、或是64兆位。內(nèi)存數(shù)組中的多晶硅(polysilicon)或多晶硅化金屬(polysilicon silicide，polycide)字符線(word line)是橫跨過數(shù)個不同的內(nèi)存區(qū)域與其間的場氧化層。為了降低字符線的阻值，可以藉由接觸窗將位于內(nèi)存區(qū)域之間(即位于場氧化層上)的字符線電性連接至上層金屬線，以形成字符線交接點布局結(jié)構(gòu)。由于金屬材料的阻值遠低于多晶硅(或多晶硅化金屬)的阻值，因此，該布局方式可以大幅減少內(nèi)存組件的電阻電容遲滯效應(RC delay)。
請參閱圖1A、圖1B所示，圖1A是現(xiàn)有習知字符線交接點布局結(jié)構(gòu)的簡要俯視示意圖，圖1B是圖1A中現(xiàn)有習知字符線交接點布局結(jié)構(gòu)的I-I’剖面的剖面圖。另外，請參閱圖2所示，是表示在內(nèi)存組件中，采用現(xiàn)有習知字符線交接點布局結(jié)構(gòu)時所產(chǎn)生的缺點的示意圖。
請同時參閱圖1A以及圖1B所示，多晶硅字符線104橫跨過位于基底100上的場氧化層102，其是位于二個內(nèi)存區(qū)域10之間，另外，字符線104藉由接觸窗106與金屬線108電性連接，以形成一個字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中上述的接觸窗106是位于場氧化層102上。在高操作電壓的使用考量下，場氧化層102的厚度通常高達5000-6000埃，所以場氧化層102與相鄰的內(nèi)存區(qū)域10之間會有一個很大的階梯高度(step height)。
請參閱圖2所示，由于場氧化層102的高度及寬度都相當大，所以在靠近內(nèi)存區(qū)域10邊緣的地方，用來定義位線(圖中未繪示)的光阻圖案110的關(guān)鍵尺寸(critical dimension)會受到場氧化層102的影響，使得位于內(nèi)存區(qū)域10邊緣的位線的關(guān)鍵尺寸不在可接受的范圍內(nèi)，另外，由于這些位線的電性與其它位線不同，所以只能作為假位線(dummy bit lines)，如此將使內(nèi)存數(shù)組的積集度(integration)下降。
由此可見，上述現(xiàn)有的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)仍存在有諸多缺陷，而亟待加以進一步改進。
為了解決上述現(xiàn)有的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但是長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，經(jīng)過不斷研究、設計，并經(jīng)反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服上述現(xiàn)有的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，所要解決的主要技術(shù)問題是借由這種布局方式，使得鄰近場氧化層的位線其關(guān)鍵尺寸不再受到場氧化層的影響，而可解決現(xiàn)有習知技術(shù)所存在的問題。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，所要解決的主要技術(shù)問題是借由本發(fā)明的布局結(jié)構(gòu)方式，可以省去假位線，進而可以增加內(nèi)存數(shù)組的積集度，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其包括一隔離島，位于二內(nèi)存區(qū)域之間的一基底上；一字符線，橫跨過該基底以及該隔離島；一接觸窗，位于該隔離島上方的該字符線上；以及一金屬線，位于該基底的上方，且藉由該接觸窗與該字符線電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進一步實現(xiàn)。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的隔離島與接觸窗尺寸相近。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的隔離島包括一場氧化層。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的二內(nèi)存區(qū)域包括二個快閃式內(nèi)存區(qū)域。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的二內(nèi)存區(qū)域包括二個動態(tài)隨機存取內(nèi)存區(qū)域。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的字符線的材質(zhì)為多晶硅與多晶硅化金屬其中之一。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的接觸窗的材質(zhì)為多晶硅。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬線的材質(zhì)為鋁與銅其中之一。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其包括復數(shù)個隔離島，位于二內(nèi)存區(qū)域之間的一基底上；復數(shù)條字符線，其是橫跨過該基底，其中每一條字符線橫跨過至少一個隔離島；復數(shù)個接觸窗，配置于該些字符線上，其中每一個接觸窗位于一隔離島上方的一字符線上；以及復數(shù)條金屬線，配置于該基底上方，其中每一條金屬線藉由至少一個接觸窗與一條字符線電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可以采用以下技術(shù)措施來進一步實現(xiàn)。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的復數(shù)個隔離島是以之字形的方式配置。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的復數(shù)個隔離島包括復數(shù)個場氧化層。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的二內(nèi)存區(qū)域包括二個快閃式內(nèi)存區(qū)域。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的二內(nèi)存區(qū)域包括二個動態(tài)隨機存取內(nèi)存區(qū)域。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的復數(shù)條字符線的材質(zhì)為多晶硅與多晶硅化金屬其中之一。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的復數(shù)個接觸窗的材質(zhì)為多晶硅。
前述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其中所述的復數(shù)條金屬線的材質(zhì)為鋁與銅其中之一。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明提出的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，是包括一隔離島(isolationpost)、一字符線、一接觸窗以及一金屬線。其中，隔離島位于二個內(nèi)存區(qū)域間的基底上，且該隔離島可為藉由區(qū)域氧化法(local oxidation，LOCOS)所形成的場氧化層。另外，字符線橫跨過基底與隔離島，且接觸窗位于隔離島上方的字符線上，其中該隔離島與接觸窗的尺寸相近。另外，金屬線位于基底上，且藉由接觸窗與字符線電性連接。
在本發(fā)明的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)中，由于隔離島和接觸窗一樣小，因此，在定義位線的光阻圖案時，靠近內(nèi)存區(qū)域邊緣的關(guān)鍵尺寸將不會受到隔離島的影響。也就是說，位于記憶區(qū)邊緣的位線可作為具有功用的位線，而不再是假位線，且內(nèi)存數(shù)組的積集度亦可因此提升。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，主要包括一隔離島、一字符線、一接觸窗以及一金屬線，其中，該隔離島位于兩個內(nèi)存區(qū)域之間的基底上，字符線橫跨過基底與隔離島，且接觸窗位于隔離島上方的字符線上，其中隔離島與接觸窗的尺寸相近。另外，金屬線位于基底上，且藉由接觸窗與字符線電性連接。借由這種布局方式，使得鄰近場氧化層的位線其關(guān)鍵尺寸不再受到場氧化層的影響，而可解決現(xiàn)有習知技術(shù)所存在的問題，可以省去假位線，進而可以增加內(nèi)存數(shù)組的積集度，從而更加適于實用。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，且在同類產(chǎn)品中均未見有類似的結(jié)構(gòu)設計公開發(fā)表或使用，其不論在結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大改進，且在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，而確實具有增進的功效，從而更加適于實用，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
圖1A是現(xiàn)有習知的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)的簡要俯視示意圖。
圖1B是圖1A中現(xiàn)有習知的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)I-I’剖面的剖面圖。
圖2是表示在內(nèi)存組件中，采用現(xiàn)有習知字符線交接點布局結(jié)構(gòu)時所產(chǎn)生的缺點的示意圖。
圖3是本發(fā)明較佳實施例的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖4是圖3中字符線交接點布局結(jié)構(gòu)的局部區(qū)域310的局部放大圖。
圖5是圖4中所示局部結(jié)構(gòu)的IV-IV’剖面的剖面圖。
10 內(nèi)存區(qū)域 30 內(nèi)存區(qū)域100基底 300基底102場氧化層 104字符線106接觸窗 108金屬線110光阻圖形 302隔離島304字符線 306接觸窗308金屬線 310局部區(qū)域312寬廣區(qū)具體實施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
請參閱圖3、圖4、圖5所示，繪示出依照本發(fā)明一較佳實施例的一種字符線交接點布局結(jié)構(gòu)。其中，圖3是本發(fā)明較佳實施例的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖4是圖3中字符線交接點布局結(jié)構(gòu)的局部區(qū)域310的局部放大圖，圖5是圖4中所示局部結(jié)構(gòu)的IV-IV’剖面的剖面圖。
本發(fā)明字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，是配置于二個內(nèi)存區(qū)域30間的基底300上。本發(fā)明的布局結(jié)構(gòu)，其包括數(shù)個隔離島302、數(shù)條字符線304、數(shù)個接觸窗306以及數(shù)條金屬線308。其中，這些隔離島302是形成于二個內(nèi)存區(qū)域30間的基底300上(如圖3所示)，這些內(nèi)存區(qū)域30例如是快閃式內(nèi)存(flashmemory)區(qū)域，或是動態(tài)隨機存取內(nèi)存(dynamic random accessmemory，DRAM)區(qū)域，且該隔離島302可以為藉由區(qū)域氧化法所產(chǎn)生的場氧化層。
另外，字符線304橫跨過基底300，其中每一條字符線304橫跨過至少一個隔離島302，而這些字符線304的材質(zhì)例如可以是多晶硅或是多晶硅化金屬。此外，接觸窗306是配置于字符線304上，其中每一個接觸窗306都位于一個絕緣島302上方的字符線304上，且接觸窗306的材質(zhì)例如是多晶硅之類的導電材質(zhì)。另外，金屬線308是位于基底300上方，且金屬線308的材質(zhì)例如是鋁或銅，其中，每一條金屬線308藉由至少一個接觸窗306與字符線304電性連接。由于金屬材質(zhì)的阻值遠低于多晶硅或是多晶硅化金屬，所以內(nèi)存組件的RC遲滯效應可以減小。
此外，如圖3、圖4所示，位于相鄰二字符線304下方的二個隔離島302彼此并未對齊，亦即位于鄰近二字符線304上方的二個接觸窗306，以及位于該二接觸窗312周圍的該二個鄰近字符線的二個寬廣區(qū)312(broadenedportion)也未對齊。因此，字符線304之間的間距可以減小，以增加內(nèi)存組件的積集度。除此之外，這些隔離島302的配置方式并不僅限于圖3所示的“之字形(zigzag form)”配置方式，只要任兩相鄰字符線304下的二個隔離島302彼此之間未對齊即可。此外，在二個內(nèi)存區(qū)域之間，每一條字符線上下亦可配置復數(shù)對的接觸窗以及隔離島，以降低字符線與相對應的金屬線間的阻值。
在本發(fā)明的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)中，由于上述的隔離島與接觸窗一樣小，因此在定義位線的光阻圖案時，靠近內(nèi)存區(qū)域邊緣的關(guān)鍵尺寸將不會受到隔離島的影響。換言之，靠近內(nèi)存區(qū)域邊緣的位線可作為具有功用的位線，不再是假位線，且內(nèi)存數(shù)組的積集度亦可因此提升。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一隔離島，位于二內(nèi)存區(qū)域之間的一基底上；一字符線，橫跨過該基底以及該隔離島；一接觸窗，位于該隔離島上方的該字符線上；以及一金屬線，位于該基底的上方，且藉由該接觸窗與該字符線電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的隔離島與接觸窗尺寸相近。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的隔離島包括一場氧化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的二內(nèi)存區(qū)域包括二個快閃式內(nèi)存區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的二內(nèi)存區(qū)域包括二個動態(tài)隨機存取內(nèi)存區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的字符線的材質(zhì)為多晶硅與多晶硅化金屬其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的接觸窗的材質(zhì)為多晶硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬線的材質(zhì)為鋁與銅其中之一。
9.一種字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括復數(shù)個隔離島，位于二內(nèi)存區(qū)域之間的一基底上；復數(shù)條字符線，其是橫跨過該基底，其中每一條字符線橫跨過至少一個隔離島；復數(shù)個接觸窗，配置于該些字符線上，其中每一個接觸窗位于一隔離島上方的一字符線上；以及復數(shù)條金屬線，配置于該基底上方，其中每一條金屬線藉由至少一個接觸窗與一條字符線電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的復數(shù)個隔離島是以之字形的方式配置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的復數(shù)個隔離島包括復數(shù)個場氧化層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的二內(nèi)存區(qū)域包括二個快閃式內(nèi)存區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的二內(nèi)存區(qū)域包括二個動態(tài)隨機存取內(nèi)存區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的復數(shù)條字符線的材質(zhì)為多晶硅與多晶硅化金屬其中之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的復數(shù)個接觸窗的材質(zhì)為多晶硅。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的復數(shù)條金屬線的材質(zhì)為鋁與銅其中之一。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種字符線交接點布局結(jié)構(gòu)，其包括一隔離島，位于二內(nèi)存區(qū)域之間的一基底上；一字符線，橫跨過該基底以及該隔離島；一接觸窗，位于該隔離島上方的該字符線上，其中隔離島與接觸窗的尺寸相近；以及一金屬線，位于基底的上方，且藉由該接觸窗與該字符線電性連接。由于隔離島和接觸窗一樣小，因此在定義位線的光阻圖案時，靠近內(nèi)存區(qū)域邊緣的關(guān)鍵尺寸將不會受到隔離島的影響，即，位于記憶區(qū)邊緣的位線可作為具有功用的位線，而不再是假位線，借由這種布局方式，使得鄰近場氧化層的位線其關(guān)鍵尺寸不再受到場氧化層的影響，而可省去假位線，進而可以增加內(nèi)存數(shù)組的積集度，從而更加適于實用。
文檔編號H01L21/70GK1549342SQ0313064
公開日2004年11月24日 申請日期2003年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月6日
發(fā)明者劉振欽, 陳耕暉, 黃蘭婷 申請人:旺宏電子股份有限公司