專利名稱：電光裝置和電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電光裝置和電子儀器。
在有機(jī)EL顯示裝置中，通過(guò)向發(fā)光元件供給電流，發(fā)光元件發(fā)光。這時(shí)，發(fā)光元件的亮度基本上由供給的電流的電流量決定。
如上所述，發(fā)光元件的亮度基本上由所供給的電流的電流量決定，所以有必要正確設(shè)定，使電流量變?yōu)樗璧闹怠?br> 另外，如果要確保充分的電流量，則用于供給電流的布線的寬度增大，框區(qū)域增大，有時(shí)在向各種電子儀器搭載時(shí)會(huì)引起障礙。
為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明采用了以下的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明之一的電光裝置是，多條發(fā)光用電源布線配置在襯底上的第一層中，把發(fā)光用電源布線連接于對(duì)應(yīng)的電極上的多條連接用布線，配置在與第一層電絕緣的第二層中，其特征在于，多條發(fā)光用電源布線中，位于最外側(cè)的發(fā)光用電源布線，設(shè)置在第一層和第二層兩方中。
位于最外側(cè)的發(fā)光用電源布線在平面上與連接用布線不重疊，所以也能設(shè)置在第二層中。由此，在本發(fā)明中，如果電連接設(shè)置在第一層和第二層中的發(fā)光用電源布線，則與只設(shè)置在一層中時(shí)相比，能減小各層中的發(fā)光用電源布線的寬度。因此，在本發(fā)明中，能減少相當(dāng)于發(fā)光用電源布線的寬度減少那一部分的面板的框。
在所述電光裝置中，理想的是，多條發(fā)光用電源布線中，至少與位于最內(nèi)側(cè)的發(fā)光用電源布線連接的連接用布線設(shè)置在第一層中。
因?yàn)榕c位于最內(nèi)側(cè)的發(fā)光用電源布線相連接的連接用布線，不與除該發(fā)光用電源布線以外的布線重疊，所以能設(shè)置在第一層中。
因此，在本發(fā)明中，該連接用布線的寬度部分能使設(shè)置在第二層中的其它連接用布線變粗，能使連接用布線的制造變得容易。另外，不需要最外側(cè)以及內(nèi)側(cè)的發(fā)光用電源布線和連接用布線的接點(diǎn)，能減小接點(diǎn)電阻的依賴性。
能采用，在電極上設(shè)置有空穴注入/輸送層和與該空穴注入/輸送層相鄰形成的由有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。
因此，在本發(fā)明中，得到了通過(guò)發(fā)光用電源布線和連接用布線，在電極上外加驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光的，小型、接點(diǎn)電阻依賴性小的面板。
本發(fā)明之二的電光裝置是，在第一電極在襯底上配置為矩陣狀的第一電極區(qū)域的周圍，配置有與所述第一電極連接的發(fā)光用電源布線和連接于與所述第一電極之間夾著功能層的第二電極上的第二電極用布線，其特征在于，所述發(fā)光用電源布線和所述第二電極用布線配置為，在平面視圖中至少一部分彼此重疊。
在所述的電光裝置中，理想的是，在所述發(fā)光用電源布線和第二電極用布線之間配置有層間絕緣層。由此，在所述的電光裝置中，發(fā)光用電源布線和第二電極用布線在俯視圖中重疊的部分，能減少基于這些布線的專有面積，能使面板的框變窄。另外，通過(guò)使發(fā)光用電源布線和第二電極用布線的至少一部分重疊，形成了靜電電容，使驅(qū)動(dòng)電流的電位變動(dòng)更小，而能穩(wěn)定進(jìn)行圖象顯示。
在所述的電光裝置中，理想的是，在發(fā)光用電源布線和第二電極用布線之間配置層間絕緣膜。由此，能使發(fā)光用電源布線和第二電極用布線絕緣。
在所述的電光裝置中，也能采用把發(fā)光用電源布線和第二電極用布線的任意一方配置在另一方占有的區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)。
由此，本發(fā)明中，在俯視圖中沒(méi)必要另外設(shè)置，配置發(fā)光用電源布線和第二電極用布線中的任意一方的區(qū)域，能進(jìn)一步有助于窄框化。
作為功能層，能采用設(shè)置空穴注入/輸送層和與該空穴注入/輸送層相鄰形成的由有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。
因此，在本發(fā)明中，能得到通過(guò)發(fā)光用電源布線，在第一電極上外加驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光的小型面板。
本發(fā)明之三的電光裝置的特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包括具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極相連的電極用布線；通過(guò)有源元件與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，所述電源線的至少一部分由通過(guò)層間絕緣膜隔開(kāi)的多個(gè)導(dǎo)電膜和把所述多個(gè)導(dǎo)電膜彼此電連接的導(dǎo)電材料形成。
本發(fā)明之四的電光裝置的特征在于包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包括具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件，與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，在所述有效區(qū)域的外側(cè)設(shè)置有多條所述電源線，所述電源線中，設(shè)置在最遠(yuǎn)離所述有效區(qū)域的位置的電源線的至少一部分由通過(guò)層間絕緣膜隔開(kāi)的多個(gè)導(dǎo)電膜和把所述多個(gè)導(dǎo)電膜彼此電連接的導(dǎo)電材料形成。
通過(guò)象所述電光裝置那樣，使電源線多層化，與只用一個(gè)布線層構(gòu)成電源線時(shí)相比，能減少一層的線寬。由此，不但能確保充分的電流，而且使窄框化成為可能。
本發(fā)明之五的電光裝置的特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件，與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，在所述有效區(qū)域的外側(cè)設(shè)置了多條所述電源線，所述電源線中，設(shè)置在最靠近所述有效區(qū)域的位置的電源線由只設(shè)置在一個(gè)布線層中的導(dǎo)電膜形成。
本發(fā)明之六的電光裝置的特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件，與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，所述連接用布線的線寬與該連接用布線連接的所述電源線的線寬不同。
在有效區(qū)域內(nèi)，有時(shí)有必要按照象素間隔使所述連接用布線的線寬變窄，但是有必要充分確保通過(guò)所述連接用布線提供給象素的電流量。因此，在所述電光裝置中，通過(guò)使所述電源線的線寬比所述連接用布線的線寬大，從而能對(duì)應(yīng)于象素間隔，并且能確保電流量。
本發(fā)明之七的電光裝置的特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件，與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，所述連接用布線的第一部分的線寬和第二部分的線寬彼此不同。
在所述電光裝置中，所述第一部分是指，例如所述連接用布線中的所述連接用布線和所述電源線連接的接點(diǎn)部附近；所述第二部分是指，例如比所述第一部分更靠近所述有效區(qū)域，或位于所述有效區(qū)域的部分。這時(shí)，所述第一部分的線寬最好比所述第二部分的線寬大。這樣，通過(guò)在所述連接用布線那樣的同一布線上設(shè)置線寬彼此不同的部分，能緩和接點(diǎn)部等的線寬或材料的差異等引起的電壓下降或電阻增加等引起的供給電流量的電動(dòng)和不穩(wěn)定化。
本發(fā)明之八的電光裝置的特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件，與所述第一電極連接，并至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，設(shè)置了多條所述連接用布線，所述多條連接用布線中的至少一條是由設(shè)置在不同的多個(gè)各布線層中的導(dǎo)電膜和把所述導(dǎo)電膜彼此連接的導(dǎo)電材料構(gòu)成。
在所述有效區(qū)域上，最好所述連接用布線基本上都設(shè)置在同一層上。而在所述連接用布線的與所述電源線的接點(diǎn)部附近，存在多個(gè)接點(diǎn)部，所以至少在所述連接用布線的與所述電源線的接點(diǎn)部附近，把全部的所述連接用布線設(shè)置在同一層中，對(duì)于有效利用限定的空間是不利的。因此，象所述電光裝置那樣，通過(guò)利用不同的布線層構(gòu)成所述連接用布線中的至少一個(gè)，能滿足上述的兩個(gè)要求。
本發(fā)明之九的電光裝置的特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件，與所述第一電極連接，且至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，在構(gòu)成所述電極用布線的至少一部分的第一導(dǎo)電膜和所述襯底之間，形成了構(gòu)成所述電源線的至少一部分的第二導(dǎo)電膜；通過(guò)層間絕緣膜，彼此隔開(kāi)形成了所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜；重疊配置了所述第一導(dǎo)電膜的至少一部分和所述第二導(dǎo)電膜的至少一部分。
象所述電光裝置那樣，通過(guò)隔著層間絕緣膜層疊所述電源線和所述電極用布線，能減少框區(qū)域。并且，因?yàn)樵谒鲭娫淳€和所述電極用布線之間能形成電容，所以具有緩和電壓變動(dòng)的效果。
在所述電光裝置中，理想的是，所述第二導(dǎo)電膜通過(guò)設(shè)置在所述層間絕緣膜上的接觸部連接著所述連接用布線。
在所述電光裝置中，所述功能層可以由有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光材料構(gòu)成。
本發(fā)明的電子儀器的特征在于，具有所述電光裝置。
下面簡(jiǎn)要說(shuō)明附圖。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例的圖，即顯示裝置的布線構(gòu)造的平面模式圖。
圖2是實(shí)施例1的顯示裝置的平面模式圖。
圖3是圖2中的A-A’線剖視圖。
圖4是圖3所示的剖視圖的放大圖。
圖5是實(shí)施例1的電源線和連接了各電源線的連接用布線的放大圖。
圖6(a)～(d)是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的工序圖。
圖7(a)～(c)是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的工序圖。
圖8(a)～(c)是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的工序圖。
圖9(a)～(c)是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的工序圖。
圖10是實(shí)施例2的顯示裝置的平面模式圖。
圖11是圖10的A-A’線剖視圖。
圖12是實(shí)施例2的電源線和連接了各電源線的連接用布線的放大圖。
圖13是表示具有有機(jī)EL顯示裝置的電子儀器的一個(gè)例子的圖，(a)是移動(dòng)電話的立體圖，(b)是手表型電子儀器的立體圖，(c)是便攜式信息處理裝置的立體圖。
圖中，1-顯示裝置(有機(jī)EL顯示裝置、電光裝置)；2-襯底；2a-有效區(qū)域(顯示區(qū)域)；99R、99G、99B-連接用布線；103、103R、103G、103B-電源線(發(fā)光用電源布線)；110a-空穴注入/輸送層；110b-發(fā)光層；111-象素電極(電極)；135-第一布線層(第一層)；136-第二布線層(第二層)；144a-第一層間絕緣膜(絕緣層)。
圖1是表示本發(fā)明的電光裝置的布線構(gòu)造的平面模式圖。
如圖1所示，本實(shí)施例的顯示裝置(電光裝置)1具有分別配置了多條掃描線101、在與掃描線101交叉的方向延伸的多條數(shù)據(jù)線102、與數(shù)據(jù)線102并列延伸的多條連接用布線99的結(jié)構(gòu)，并且與掃描線101和掃描線101的交叉部對(duì)應(yīng)設(shè)置有象素區(qū)域A。
在數(shù)據(jù)線102上連接有，具有移位寄存器、電平移動(dòng)器、視頻線和模擬開(kāi)關(guān)等的數(shù)據(jù)一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路104。另外，在掃描線101上連接有具有移位寄存器和電平移動(dòng)器的掃描一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路105。在各象素區(qū)域A中設(shè)置有通過(guò)掃描線101等向柵極供給掃描信號(hào)的開(kāi)關(guān)用薄膜晶體管112；通過(guò)該開(kāi)關(guān)用薄膜晶體管112，保持從數(shù)據(jù)線102共有的象素信號(hào)的保持電容cap；把由該保持電容cap保持的象素信號(hào)作為電壓提供給柵極的驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管123；當(dāng)通過(guò)該驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管123和連接用布線99(99R、99G、99B)，與電源線(發(fā)光用電源布線)103電連接時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流從該電源線103流入的象素電極(電極)111；夾在該象素電極111和公共電極(陰極12)之間的功能層110。通過(guò)象素電極111、公共電極12和功能層110構(gòu)成了發(fā)光元件。
根據(jù)有關(guān)結(jié)構(gòu)，如果掃描線101被驅(qū)動(dòng)，開(kāi)關(guān)用薄膜晶體管112變?yōu)閷?dǎo)通，則這時(shí)數(shù)據(jù)線102的電位保持在保持電容cap，在該保持電容cap中按照狀態(tài)，決定驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管123的導(dǎo)通狀態(tài)。而且，通過(guò)驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管123的溝道，電流從電源線103通過(guò)連接用布線99和薄膜晶體管123流向象素電極111，電流再通過(guò)功能層110流向公共電極12。功能層110按照流過(guò)它的電流量發(fā)光。
在圖2中表示本實(shí)施例的電光裝置的平面模式圖。
襯底2是例如玻璃等透明襯底，劃分為，位于襯底2的中央的顯示區(qū)域(電極區(qū)域)2a和位于襯底2的周圍并配置在有效區(qū)域2a的外側(cè)的非有效區(qū)域2b。有效區(qū)域2a是由具有配置為矩陣狀的發(fā)光元件的象素R、象素G、象素B形成的區(qū)域，是實(shí)際對(duì)顯示有貢獻(xiàn)的顯示區(qū)域。象素R、象素G、象素B分別對(duì)應(yīng)于紅、綠、藍(lán)的象素。
與公共電極12連接的公共電極用布線12a，形成包圍構(gòu)成有效區(qū)域2a外周的4邊中的3邊的コ字。
電源線103設(shè)置在有效區(qū)域2a和公共電極用布線12a之間。電源線103R、電源線103G以及電源線103B，分別通過(guò)圖1所示的連接用布線99R、99G、99B，向象素R、象素G、象素B供給電源電壓。
電源線103R、103G、103B中位于離開(kāi)有效區(qū)域2a最遠(yuǎn)的位置的電源線103B，具有2重布線構(gòu)造，并且為了進(jìn)行上下導(dǎo)通而設(shè)置了接觸孔103B3。
在電源線103中最靠近有效區(qū)域2a的電源線103R和有效區(qū)域2a之間設(shè)置有檢查電路106。在制造過(guò)程和出廠時(shí)，為了進(jìn)行對(duì)顯示裝置的質(zhì)量、缺陷等的檢查，使用該檢查電路106。
在對(duì)于有效區(qū)域2a，檢查電路106的相反一側(cè)的襯底2的一邊側(cè)安裝有具有驅(qū)動(dòng)IC6的柔性襯底5。上述的公共電極用布線12a和電源線103都通過(guò)布線5a連接著驅(qū)動(dòng)IC6。
從襯底2的安裝有柔性襯底5的一邊側(cè)開(kāi)始，在襯底2的與該邊相對(duì)的方向上，在有效區(qū)域2a和電源線103R之間的區(qū)域、有效區(qū)域2a和電源線103G之間的區(qū)域上分別設(shè)置有掃描線驅(qū)動(dòng)電路105。在掃描線驅(qū)動(dòng)電路105和電源線103R之間的區(qū)域、掃描線驅(qū)動(dòng)電路105和電源線103G之間的區(qū)域中，設(shè)置有用于向掃描線驅(qū)動(dòng)電路105供給控制信號(hào)和電源電壓的控制驅(qū)動(dòng)電路用控制信號(hào)布線105a和驅(qū)動(dòng)電路用電源布線105b。
圖3是圖2中的A-A’截面模式圖。如圖3所示，在對(duì)應(yīng)于有效區(qū)域2a而設(shè)置的由發(fā)光元件和隔壁(bank)部構(gòu)成的發(fā)光元件部11和襯底2之間，設(shè)置了有源元件層14，在該源元件層14中設(shè)置有所述的掃描線、數(shù)據(jù)線、保持電容、開(kāi)關(guān)用薄膜晶體管112和驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管123等。
另外，與有源元件層14的非有效區(qū)域2b對(duì)應(yīng)，配置有所述電源線103(103R、103G、103B)。把非有效區(qū)域2b的一部分作為虛設(shè)區(qū)域2d使用。虛設(shè)區(qū)域2d主要是在使用噴墨工藝形成發(fā)光元件110之前，用于使形成發(fā)光元件的材料的噴出量穩(wěn)定化的區(qū)域，可以說(shuō)是用于試噴的區(qū)域。
在虛設(shè)區(qū)域2d的下方的有源元件層14內(nèi)設(shè)置了，所述掃描一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路105、驅(qū)動(dòng)電路用控制信號(hào)布線105a和驅(qū)動(dòng)電路用電源布線105b。在圖3中雖然未圖示，但是可以在檢查電路106的上方設(shè)置虛設(shè)區(qū)域2d。
使用設(shè)置在第一布線層135中的導(dǎo)電膜形成了電源線103R。同樣，使用設(shè)置在第一布線層135中的導(dǎo)電膜形成了電源線103G。而如上所述，電源線103B具有2重布線構(gòu)造。具體而言，由設(shè)置在第一布線層135中的導(dǎo)電膜和設(shè)置在第二布線層136中的導(dǎo)電膜構(gòu)成。在所述兩個(gè)導(dǎo)電膜之間，設(shè)置有第一層間絕緣膜144a，并且通過(guò)設(shè)置在第一層間絕緣膜144a上的接觸孔(與圖2所示的接觸孔103B3對(duì)應(yīng))，電連接了所述兩個(gè)導(dǎo)電膜。
具體而言，公共電極用布線12a是由設(shè)置在第一布線層135中的導(dǎo)電膜和設(shè)置在第二布線層136中的導(dǎo)電膜構(gòu)成。
通過(guò)密封部3覆蓋了發(fā)光元件部11上方。該密封部3是由設(shè)置在有源元件層14上的密封樹(shù)脂603和密封襯底604構(gòu)成。密封樹(shù)脂603是由熱固化樹(shù)脂或紫外線固化樹(shù)脂等構(gòu)成，特別希望是由作為熱固化樹(shù)脂的一種的環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。該密封樹(shù)脂603是沿著襯底的外周而配置的，它例如由微分配器等形成。該密封樹(shù)脂603接合有源元件層14和密封襯底604，所以防止水或氧從有源元件層14和密封襯底604之間向由發(fā)光元件部11形成的空間侵入，防止在公共電極12或發(fā)光元件部11內(nèi)形成的省略圖示的發(fā)光層的劣化。
密封襯底604由例如玻璃、塑料、金屬等構(gòu)成，在其內(nèi)側(cè)設(shè)置有容納發(fā)光元件部11的凹部604a。另外，在凹部604a中配置有吸收氧等的吸氣劑605，能吸收侵入到由密封襯底604和發(fā)光元件部11形成的空間中的水或氧。須指出的是，也可以省略吸氣劑605。
形成公共電極12的鋁使從發(fā)光層110b發(fā)出的光反射到襯底2一側(cè)，除了Al膜，最好由Ag膜、Al和Ag的層疊膜等構(gòu)成。另外，它的厚度最好例如是100～1000nm的范圍，特別理想的是200nm左右。
在鋁上，還可以設(shè)置由SiO、SiO2、SiN等構(gòu)成的用于保護(hù)公共電極12的保護(hù)層15。
保護(hù)層15覆蓋公共電極12，并且保護(hù)公共電極用布線12a和公共電極12的連接部。另外，保護(hù)層15延伸到密封樹(shù)脂603的下方，存在于密封樹(shù)脂603和有源元件層14之間。
圖4表示放大了顯示裝置的顯示區(qū)域的截面構(gòu)造的圖。在該圖4中，圖示了3個(gè)象素區(qū)域A。該顯示裝置1的結(jié)構(gòu)為，在襯底2上依次層疊了形成有TFT等電路的有源元件層14和形成有功能層110的發(fā)光元件部11。
在該顯示裝置1中，從功能層110向襯底2一側(cè)發(fā)出的光，透過(guò)有源元件層14和襯底2，射出到襯底2的下方(觀察者一側(cè))，并且從功能層110向襯底2的相反一側(cè)發(fā)出的光由公共電極12反射，透過(guò)有源元件層14和襯底2，出射到襯底2的下方(觀察者一側(cè))。須指出的是，通過(guò)使用透明材料作為公共電極12，能使從公共電極一側(cè)發(fā)出的光射出。作為透明材料，例如能使用ITO、Pt、Ir、Ni或Pd。作為膜厚，理想的是75nm左右的膜厚，更理想的是比該膜厚還薄。
在有源元件層14中，在襯底2上形成了由氧化硅薄膜等構(gòu)成的底層保護(hù)膜2c，在該底層保護(hù)膜2c上形成了由多晶硅構(gòu)成的島狀的半導(dǎo)體膜141。須指出的是，通過(guò)注入高濃度B離子，在半導(dǎo)體膜141上形成有漏區(qū)域141a和源區(qū)域141b。須指出的是，未導(dǎo)入B的部分變?yōu)闇系绤^(qū)域141c。
在有源元件層14中，形成了覆蓋底層保護(hù)膜2c和半導(dǎo)體膜141的透明的柵絕緣膜142，在柵絕緣膜142上形成有由Al、Mo、Ta、Ti、W等構(gòu)成的柵極143(掃描線101)，在柵極143和柵絕緣膜142形成有透明的第一層間絕緣膜144a和第二層間絕緣膜144b。柵極143設(shè)置在半導(dǎo)體膜141的與溝道區(qū)域141c對(duì)應(yīng)的位置。
另外，貫通第一、第二層間絕緣膜144a、144b，形成有分別連接著半導(dǎo)體膜141的漏、源區(qū)域141a、141b的接觸孔145、146。而且，在第二層間絕緣膜144b上，由ITO等構(gòu)成的透明的象素電極111構(gòu)圖形成給定的形狀，漏區(qū)域141a通過(guò)接觸孔145，與象素電極111連接。另外，源區(qū)域141b，通過(guò)接觸孔146與連接用布線99連接。這樣，在有源元件層14中，形成了連接各象素電極111的驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管123。須指出的是，在有源元件層14，形成有所述的保持電容cap和開(kāi)關(guān)用薄膜晶體管112，但是在圖4中省略了它們的圖示。
接著，如圖4所示，發(fā)光元件部11以分別層疊在多個(gè)象素電極111上的功能層110、劃分各功能層110的隔壁部112、形成在功能層110上的公共電極12為主體構(gòu)成。由這些象素電極111、功能層110和公共電極12構(gòu)成了發(fā)光元件。這里，象素電極111例如由ITO形成，構(gòu)圖形成為從俯視圖看近矩形。該象素電極111的厚度，理想的是50～200nm的范圍，特別理想的是150nm左右。隔壁部112由位于襯底2一側(cè)的無(wú)機(jī)物隔壁層112a和遠(yuǎn)離襯底2的有機(jī)物隔壁層112b層疊構(gòu)成。
形成了無(wú)機(jī)物隔壁層112a、有機(jī)物隔壁層112b，使其位于象素電極111的周邊部上。在平面上，成為象素電極111的周圍與無(wú)機(jī)物隔壁層112a配置為平面重疊的構(gòu)造。另外，有機(jī)物隔壁層112b也同樣，配置為與象素電極111的一部分在平面上重疊。另外，無(wú)機(jī)物隔壁層112a形成在比有機(jī)物隔壁層112b更靠象素電極111的中央一側(cè)。這樣，通過(guò)在象素電極111的內(nèi)側(cè)形成無(wú)機(jī)物隔壁層112a的各第一層疊部112e，設(shè)置有與象素電極111的形成位置對(duì)應(yīng)的下部開(kāi)口部112c。
另外，在有機(jī)物隔壁層112b中形成有上部開(kāi)口部112d。
該上部開(kāi)口部112d設(shè)置為，與象素電極111的形成位置以及下部開(kāi)口部112c對(duì)應(yīng)。如圖4所示，上部開(kāi)口部112d形成為比下部開(kāi)口部112c更寬，比象素電極111更窄。另外，有時(shí)形成為上部開(kāi)口部112d的上部位置與象素電極111的端部幾乎變?yōu)橄嗤恢?。這時(shí)，如圖4所示，有機(jī)物隔壁層112b的上部開(kāi)口部112d的截面變?yōu)閮A斜形狀。
另外，無(wú)機(jī)物隔壁層112a最好由SiO2、TiO2等無(wú)機(jī)材料形成。該無(wú)機(jī)物隔壁層112a的膜厚，理想的是50～200nm，特別理想的是150nm。
有機(jī)物隔壁層112b由丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂等具有耐熱性、耐溶劑性的材料形成。該有機(jī)物隔壁層112b的厚度，理想的是在0.1～3.5μm的范圍。如果有機(jī)物隔壁層112b的厚度為2μm以上，則能使數(shù)據(jù)線102或掃描線101等供給信號(hào)的信號(hào)布線與公共電極12充分地分離，所以能減小在信號(hào)布線和公共電極12之間產(chǎn)生的寄生電容，從而能減輕信號(hào)的延遲、鈍化等問(wèn)題。
另外，在隔壁部112中形成有表現(xiàn)親液性的區(qū)域和表現(xiàn)疏液性的區(qū)域。表現(xiàn)親液性的區(qū)域是無(wú)機(jī)物隔壁層112a的第一層疊部112e和象素電極111的電極面111a，這些區(qū)域通過(guò)把氧作為處理氣體的等離子體處理，表面被處理成為親液性。表現(xiàn)疏液性的區(qū)域是上部開(kāi)口部112d的壁面和有機(jī)物隔壁層112的上表面112f，這些區(qū)域通過(guò)以四氟化甲烷為前體的等離子體處理，表面被氟化處理(處理為疏液性)。須指出的是，有機(jī)物隔壁層可以由包含氟聚合物的材料形成。
功能層110是由層疊在象素電極111上的空穴注入/輸送層110a和在空穴注入/輸送層110a上相鄰形成的由有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層110b構(gòu)成。須指出的是，還可以與發(fā)光層110b相鄰形成具有電子注入輸送層等功能的其他功能層。
空穴注入/輸送層110a具有把空穴注入發(fā)光層110b中的功能，并且具有在空穴注入/輸送層110a內(nèi)部輸送空穴的功能。通過(guò)在象素電極111和發(fā)光層110b之間設(shè)置這樣的空穴注入/輸送層110a，發(fā)光層110b的發(fā)光效率、壽命等元件特性提高。另外，在發(fā)光層110b中，從空穴注入/輸送層110a注入的空穴和從公共電極12注入的電子在發(fā)光層中再結(jié)合，實(shí)現(xiàn)發(fā)光。
空穴注入/輸送層110a由位于下部開(kāi)口部112c內(nèi)并且形成在象素電極面111a上的平坦部110a1、位于上部開(kāi)口部112d內(nèi)并且形成在無(wú)機(jī)物隔壁層112的第一層疊部112e上的周邊部110a2構(gòu)成。另外，空穴注入/輸送層110a根據(jù)構(gòu)造，只形成在象素電極111上，且在無(wú)機(jī)物隔壁層110a之間(下部開(kāi)口部110c)(也有只形成在所述的平坦部上的形態(tài))。該平坦部110a1的厚度一定，例如在50～70nm的范圍中形成。
在形成有周邊部110a2時(shí)，周邊部110a2位于第一層疊部112e上，與上部開(kāi)口部112d的壁面即有機(jī)物隔壁層112b緊貼。另外，周邊部110a2的厚度在靠近電極面111a一側(cè)薄，沿著離開(kāi)電極面111a的方向增大，在上部開(kāi)口部112d的壁面附近變?yōu)樽詈瘛?br> 作為周邊部110a2表現(xiàn)所述形狀的理由，是因?yàn)榭昭ㄗ⑷?輸送層110a是向開(kāi)口部112內(nèi)噴出包含空穴注入/輸送層的形成材料和極性溶劑的第一組成物后，除去極性溶劑而形成的，并且極性溶劑的揮發(fā)主要發(fā)生在無(wú)機(jī)物隔壁層的第一層疊部112e上，空穴注入/輸送層的形成材料在該第一層疊部112e上集中地濃縮、析出。
另外，跨空穴注入/輸送層110a的平坦部110a1和周邊部110a2上形成了發(fā)光層110b，在平坦部110a1上的厚度為50～80nm的范圍。發(fā)光層110b具有發(fā)紅光(R)的紅色發(fā)光層110b1、發(fā)綠光(G)的綠色發(fā)光層110b2、發(fā)藍(lán)光(B)的藍(lán)發(fā)光層110b3等三種，各發(fā)光層110b1～110b3為條紋配置。須指出的是，作為空穴注入/輸送層的形成材料，例如能使用聚乙烯二氧噻吩等聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸等的混合物。另外，作為發(fā)光層110b的材料，能使用聚芴衍生物、聚苯撐衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物或在這些它們的高分子材料中可以摻雜二萘嵌苯類色素、香豆素類色素、若丹明類色素，例如紅熒烯、二萘嵌苯、9、10-聯(lián)苯蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖酮等而使用。
公共電極12形成在發(fā)光元件部11的整個(gè)面上，與象素電極111成對(duì)，完成使電流流過(guò)功能層110的任務(wù)。當(dāng)該公共電極12是陰極時(shí)，例如可以是鈣層或鋁層等金屬層層疊而成。這時(shí)，最好對(duì)靠近發(fā)光層的一側(cè)的陰極設(shè)置功函數(shù)低的，特別是在本形態(tài)中，直接挨著發(fā)光層110b，完成把電子注入發(fā)光層110b中的任務(wù)。另外，氟化鋰根據(jù)發(fā)光層的材料，能高效地發(fā)光，所以有時(shí)在發(fā)光層110和公共電極12之間形成LiF。
須指出的是，對(duì)于紅色和綠色的發(fā)光層110b1、110b2并不局限于氟化鋰，也可以使用其它材料。因此，這時(shí)，只對(duì)藍(lán)色(B)發(fā)光層110b3形成由氟化鋰構(gòu)成的層，對(duì)其它的紅色和綠色的發(fā)光層110b1、110b2可以層疊氟化鋰以外的材料。另外，在紅色和綠色的發(fā)光層110b1、110b2上不形成氟化鋰，可以只形成鈣。須指出的是，氟化鋰的厚度例如理想的是2～5nm的范圍，特別理想的是2nm左右。另外，鈣的厚度例如理想的是2～50nm的范圍，特別理想的是20nm左右。
圖5是有效區(qū)域2a的上方區(qū)域中的電源線103R、103G、103B和與各電源線連接的連接用布線99R、99G、99B的放大圖。利用形成在第一布線層135和第二布線層136中的導(dǎo)電膜構(gòu)成了連接用布線99R、99G、99B，在本實(shí)施例中，與位于最靠近有效區(qū)域2a的位置的電源線103R連接的連接用布線99R是，由設(shè)置在第一布線層135上的導(dǎo)電膜構(gòu)成，與位于最遠(yuǎn)離有效區(qū)域2a的位置的電源線103B連接的連接用布線99B是，利用設(shè)置在第二布線層136上的導(dǎo)電膜形成。與夾在電源線103R和電源線103B之間的電源線103G連接的連接用布線99G用貫穿第一層間絕緣膜114a的接點(diǎn)100G連接了電源線103G。在該接點(diǎn)100G，確保了設(shè)置在第一布線層135中的導(dǎo)電膜和設(shè)置在第二布線層136中的導(dǎo)電膜的導(dǎo)通。
在本實(shí)施例中，利用第一布線層135和第二布線層136形成了連接用布線99R、99G、99B，所以能盡可能不設(shè)置100G那樣的接點(diǎn)部。這樣，通過(guò)減少接點(diǎn)部，能減少斷線等問(wèn)題。
連接用布線99R、99G、99B向著有效區(qū)域2a近平行地延伸，連接用布線99R、99G、99B的各自的至少一部分的寬度不同。這是因?yàn)闉榱朔€(wěn)定地供給電源電壓，在確保連接用布線99R、99G、99B、電源線103R、103G、103B的充分線寬的同時(shí)，與有效區(qū)域2a的象素間隔相適應(yīng)，使連接用布線99R、99G、99B的各線寬變窄。
須指出的是，如圖3所示，理想的是，在有效區(qū)域2a內(nèi)，連接用布線99R、99G、99B基本上都利用位于同一布線層中的導(dǎo)電膜形成，在本實(shí)施例中，利用設(shè)置在第二布線層136中的導(dǎo)電膜形成。而連接用布線99R在與電源線103R的接點(diǎn)部附近，如圖5所示，是利用第一布線層135被形成，所以連接用布線99R在從所述的接點(diǎn)部到有效區(qū)域2a之間的區(qū)域中，有必要進(jìn)行從設(shè)置在第一布線層135上的導(dǎo)電膜到設(shè)置在第二布線層136上的導(dǎo)電膜的連接。
下面，參照附圖，說(shuō)明本實(shí)施例的顯示裝置的制造方法。
首先，參照?qǐng)D6～圖8，說(shuō)明在襯底2上形成有源元件層14的方法。須指出的是，圖6～圖8所示的各剖視圖對(duì)應(yīng)于沿著圖2中的A-A’線的截面。須指出的是，在以下的說(shuō)明中，雜質(zhì)濃度都是表示為活性化退火后的雜質(zhì)。
首先，如圖6(a)所示，在襯底2上形成由氧化硅薄膜等構(gòu)成的底層保護(hù)膜2c。接著，使用ICVD法、等離子體CVD法等形成非晶體硅層后，通過(guò)激光退火法或急速加熱法使結(jié)晶粒成長(zhǎng)，作為多晶硅層501。
接著，如圖6(b)所示，通過(guò)光刻法對(duì)多晶硅層501構(gòu)圖，形成島狀的硅層241、251和261，再形成由氧化硅薄膜構(gòu)成的柵絕緣膜142。
硅層241形成在與有效區(qū)域2a對(duì)應(yīng)的位置，構(gòu)成連接了象素電極111的薄膜晶體管123(以下，有時(shí)稱作“象素用TFT”)，硅層251、261分別構(gòu)成掃描線驅(qū)動(dòng)電路105內(nèi)的P溝道型和N溝道型的薄膜晶體管(以下，有時(shí)稱作“驅(qū)動(dòng)電路用TFT”)。
通過(guò)等離子體CVD法、熱氧化法等，形成覆蓋各硅層241、251、261和底層保護(hù)膜2c的厚度約30nm～200nm的氧化硅薄膜，從而形成柵絕緣層142。這里，當(dāng)利用熱氧化法形成柵絕緣層142時(shí)，也進(jìn)行硅層241、251、261的結(jié)晶化，能使這些硅層成為多晶硅層。在進(jìn)行溝道摻雜時(shí)，例如在這時(shí)，以約1×1012cm-2的劑量注入硼離子。其結(jié)果，硅層241、251、261成為雜質(zhì)濃度約1×1017cm-3的低濃度P型的硅層。
接著，如圖6(c)所示，在硅層241、261的一部分上形成離子注入選擇掩模M1，并在該狀態(tài)下，以約1×1015cm-2的劑量，離子注入磷離子。其結(jié)果，對(duì)于離子注入選擇掩模M1，自動(dòng)調(diào)整(self align)地導(dǎo)入了高濃度雜質(zhì)，在硅層241、261中形成了高濃度源區(qū)域241S和261S以及高濃度漏區(qū)域241D和261D。
接著，如圖6(d)所示，在除去離子注入選擇掩模M1后，在柵絕緣膜142上，作為第一布線層135形成摻雜硅、硅化物膜、或鋁膜和鉻膜、鉭膜等厚度約500nm左右的金屬膜，再通過(guò)對(duì)該金屬膜構(gòu)圖，形成P溝道型的驅(qū)動(dòng)電路用TFT的柵極252、象素用TFT的柵極242、N溝道型的驅(qū)動(dòng)電路用TFT的柵極262。另外，通過(guò)所述構(gòu)圖，同時(shí)形成掃描線驅(qū)動(dòng)電路用控制信號(hào)布線105a、電源線103R、103G、103B、連接用布線99R、公共電極用布線12a的一部分。
把柵極242、252、262作為掩模，以約4×1013cm-2的摻雜量對(duì)硅層241、251、261進(jìn)行離子注入。其結(jié)果，對(duì)柵極242、252、262自動(dòng)調(diào)整地導(dǎo)入了低濃度雜質(zhì)，如圖6(d)所示，在硅層241和261中形成低濃度源區(qū)域241b和261b以及低濃度漏區(qū)域241c和261c。另外，在硅層251中形成了低濃度雜質(zhì)區(qū)域251S和251D。
接著如圖7(a)所示，在除了柵極252周邊的整個(gè)面上形成離子注入選擇掩模M2。使用該離子注入選擇掩模M2，以1.5×1015cm-2的摻雜量對(duì)硅層251進(jìn)行離子注入。作為結(jié)果，柵極252也作為掩模起作用，在硅層252中自動(dòng)調(diào)整地?fù)诫s了高濃度雜質(zhì)。由此，251S和251D被反摻雜(counter dope)，成為P溝道型的驅(qū)動(dòng)電錄用TFT的源區(qū)域和漏區(qū)域。
接著，如圖7(b)所示，在除去了離子注入選擇掩模M2后，在襯底2的整個(gè)面上形成第一層間絕緣膜144a，再通過(guò)光刻法對(duì)第一層間絕緣膜144a構(gòu)圖，在與各TFT的源極和漏極以及公共電極用布線12a對(duì)應(yīng)的位置上設(shè)置用于形成接觸孔的孔H1。
如圖7(c)所示，通過(guò)覆蓋第一層間絕緣膜144a形成由鋁、鉻、鉭等金屬構(gòu)成的厚度約200nm～800nm的導(dǎo)電層504，在之前形成的孔H1中嵌入這些金屬，形成接觸孔。另外，在導(dǎo)電層504上形成構(gòu)圖用掩模M3。
接著，如圖8(a)所示，通過(guò)構(gòu)圖用掩模M3對(duì)導(dǎo)電層504構(gòu)圖，形成各TFT的源極243、253、263，漏極244和254，電源線103B，連接用布線99G、99B，掃描線電路用電源布線105b和公共電極用布線12a作為第二布線層136。
接著，如圖8(b)所示，通過(guò)例如丙烯酸類等的樹(shù)脂材料形成覆蓋第一層間絕緣膜144a的第二層間絕緣膜144b。該第二層間絕緣膜144b最好形成約1～2μm左右的厚度。
接著，如圖8(c)所示，通過(guò)蝕刻除去第二層間絕緣膜144b中，與象素用TFT的漏極244對(duì)應(yīng)的部分，形成用于形成接觸孔的孔H2。這時(shí)，同時(shí)也除去公共電極用布線12a上的第二層間絕緣膜144b。這樣，在襯底2上形成了有源元件層14。
下面，參照?qǐng)D9，說(shuō)明通過(guò)在有源元件層14上形成發(fā)光元件部11，得到顯示裝置1的步驟。圖9所示的剖視圖對(duì)應(yīng)于沿著圖2中的A-A’線剖開(kāi)的截面。
首先，如圖9(a)所示，覆蓋襯底2的整個(gè)面形成由ITO等透明電極材料構(gòu)成的薄膜，通過(guò)對(duì)該薄膜構(gòu)圖，嵌入設(shè)置在第二層間絕緣膜144b中的孔H2，形成接觸孔111a，并且形成象素電極111和虛設(shè)象素電極111’。象素電極111只形成在薄膜晶體管123的形成部分上，通過(guò)接觸孔111a連接了電流薄膜晶體管123(開(kāi)關(guān)元件)。須指出的是，虛設(shè)電極111’配置為島狀。
然后，如圖9(b)所示，在第二層間絕緣膜144b、象素電極111和虛設(shè)電極111’上形成無(wú)機(jī)物隔壁(bank)層112a和虛設(shè)無(wú)機(jī)物隔壁層212a。無(wú)機(jī)物隔壁層112a以象素電極111的一部分開(kāi)口的形態(tài)形成，完全覆蓋虛設(shè)象素電極111’而形成虛設(shè)無(wú)機(jī)物隔壁層212a。例如通過(guò)CVD法、TEOS法、濺射法、蒸鍍法等，在第二層間絕緣膜144b和象素電極111的整個(gè)面上形成SiO2、TiO2、SiN等的無(wú)機(jī)物質(zhì)膜后，通過(guò)對(duì)該無(wú)機(jī)物質(zhì)膜構(gòu)圖而形成無(wú)機(jī)物隔壁層112a和虛設(shè)無(wú)機(jī)物隔壁層212a。
如圖9(b)所示，在無(wú)機(jī)物隔壁層112a和虛設(shè)無(wú)機(jī)物隔壁層212a上形成有機(jī)物隔壁層112b和虛設(shè)有機(jī)物隔壁層212b。以隔著無(wú)機(jī)物隔壁層112a，象素電極111的一部分開(kāi)口的形態(tài)，形成有機(jī)物隔壁層112b，以虛設(shè)無(wú)機(jī)物隔壁層212a的一部分開(kāi)口的形態(tài)，形成虛設(shè)有機(jī)物隔壁層212b。這樣，在第二層間絕緣膜144b上形成隔壁112。
接著，在隔壁112的表面形成表現(xiàn)親液性的區(qū)域和表現(xiàn)疏液性的區(qū)域。在本實(shí)施例中，通過(guò)等離子體處理工序，形成各區(qū)域。具體而言，該等離子體處理工序至少具有，使象素電極111、無(wú)機(jī)物隔壁層112a和虛設(shè)無(wú)機(jī)物隔壁層212a成為親液性的親液化工序和使有機(jī)物隔壁層112b和虛設(shè)有機(jī)物隔壁層212b成為疏液性的疏液化步驟。
即把隔壁112加熱到給定溫度(例如70～80℃左右)，接著，作為親液化工序，在大氣環(huán)境中，進(jìn)行以氧為反應(yīng)氣體的等離子體處理(O2等離子體處理)。然后，作為疏液化步驟，在大氣環(huán)境中，進(jìn)行以四氟化甲烷為反應(yīng)氣體的等離子體處理(CF4等離子體處理)，把為了等離子體處理而加熱的隔壁112冷卻到室溫，從而對(duì)給定位置付與了親液性和疏液性。
在象素電極111上和無(wú)機(jī)物隔壁層212a上分別通過(guò)噴墨法形成功能層110和虛設(shè)功能層210。在噴出包含空穴注入/輸送層材料的組合物墨水并使其干燥后，通過(guò)噴出包含發(fā)光層材料的組合物墨水并使其干燥，而形成了功能層110和虛設(shè)功能層210。須指出的是，在該功能層110和虛設(shè)功能層210的形成工序以后，為了防止空穴注入/輸送層和發(fā)光層的氧化，理想的是在氮?dú)鈿夥?、氬氣氣氛等惰性氣體氣氛中進(jìn)行。
接著，如圖9(c)所示，形成覆蓋隔壁112、功能層110和虛設(shè)功能210的公共電極12。通過(guò)在隔壁112、功能層110和虛設(shè)功能210上形成第一公共電極層12b后，覆蓋第一公共電極層12b而形成與襯底2上的公共電極用布線12a連接的第二公共電極層12c，從而得到公共電極12。
最后，在襯底2上涂敷環(huán)氧樹(shù)脂等的密封樹(shù)脂603，通過(guò)該密封樹(shù)脂603在襯底2上接合密封襯底604。這樣，就得到了圖1～圖3所示的顯示裝置1。
這樣，對(duì)于有效區(qū)域2a在最外側(cè)的電源線103B，因?yàn)榕c連接其它的電源線103R、103G的連接用布線99R、99G在平面上不重疊，所以能在第一布線層135和第二布線層136的雙方上設(shè)置。因此，在本實(shí)施例中，比在第一布線層135和第二布線層136中的任意一方的層中設(shè)置了電源線103B時(shí)相比，能以近一半的寬度形成，并且電源線103B的寬度減少的部分能減小面板的框。
另外，與對(duì)于有效區(qū)域2a在最內(nèi)側(cè)的電源線103R相連接的連接用布線99R，與其它的電源線103G、103B在平面上不重疊，所以能在第一布線層135上形成。因此，在本實(shí)施例中，能使設(shè)置在第二布線層136上的連接用布線99G、99B的寬度變粗相當(dāng)于連接用布線99R的寬度那一部分，能使掩模的制作等顯示裝置的制造變得容易。在本實(shí)施例中，用于電連接電源線和連接用布線的接點(diǎn)只有100G一個(gè)地方，所以能減少接點(diǎn)電阻的依存性。[實(shí)施例2]下面，說(shuō)明實(shí)施例2。圖10所示的實(shí)施例2的顯示裝置的布局與圖2所示的實(shí)施例1的布局的主要不同點(diǎn)在于公共電極用布線12a的至少一部分與設(shè)置在有效區(qū)域2a的周圍的電源線103R、103G、103B中的至少一部分在俯視圖中重疊。公共電極用布線12a，從安裝有柔性襯底5的一邊側(cè)向著與該邊相對(duì)的邊延伸，分別設(shè)置在構(gòu)成襯底2的外周的4邊中彼此相對(duì)的2邊和有效區(qū)域2a之間，一方的公共電極用布線12a與電源線103R重疊配置，另一方的公共電極用布線12a與103G、103B的至少一部分重疊配置。
圖11表示了與此對(duì)應(yīng)的剖視圖。公共電極用布線12a由設(shè)置在第二布線層136上的導(dǎo)電膜構(gòu)成，與公共電極12連接。
通過(guò)設(shè)置在第二布線層136下方的第一布線層135上的導(dǎo)電膜形成了電源線103R、103G、103B。公共電極用布線12a和電源線103R、103G、103B由第一層間絕緣膜144a隔開(kāi)，電絕緣。在公共電極用布線12a和公共電極12的連接中，夾雜由ITO等構(gòu)成的導(dǎo)電層12d。
如上所述，公共電極用布線12a形成為與電源線103R、103G、103B的至少一部分重疊，由此，公共電極用布線12a和電源線103R、103G、103B之間形成了電容，緩和了電源電壓的變動(dòng)，使電光元件的穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)成為可能。
電源線103R、103G、103B在有效區(qū)域2a和與安裝了柔性襯底的邊相對(duì)的邊之間的區(qū)域中，如圖12所示，分別通過(guò)接點(diǎn)100R、100G、100B連接著連接用布線99R、99G、99B。在接點(diǎn)100R、100G、100B中，連接著設(shè)置在第一布線層135上的導(dǎo)電膜和設(shè)置在第二布線層136上的導(dǎo)電膜。使用設(shè)置在第二布線層136上的導(dǎo)電膜構(gòu)成了連接用布線99R、99G、99B。連接用布線99R、99G、99B的線寬比對(duì)應(yīng)的電源線103R、103G、103B的線寬小。
須指出的是，如上所述，理想的是，在有效區(qū)域2a內(nèi)，連接用布線99R、99G、99B基本上利用全部位于同一布線層中的導(dǎo)電膜而形成，在本實(shí)施例中，利用設(shè)置在第二布線層136上的導(dǎo)電膜形成。而利用設(shè)置在第二布線層136上的導(dǎo)電膜形成連接用布線99R、99G、99B。因此，與圖5所示的情形不同，在從接點(diǎn)部到有效區(qū)域2a之間的區(qū)域中，連接用布線99R、99G、99B沒(méi)必要進(jìn)行從設(shè)置在第一布線層135上的導(dǎo)電膜到設(shè)置在第二布線層136上的導(dǎo)電膜的連接。
下面，說(shuō)明具有所述實(shí)施例的顯示裝置1的電子儀器的例子。
圖13(a)是表示移動(dòng)電話的一個(gè)例子的立體圖。圖10(a)中，符號(hào)1000表示移動(dòng)電話主體，符號(hào)1001表示使用所述有機(jī)EL裝置1的顯示部。
圖13(b)是表示手表型電子儀器的一個(gè)例子的立體圖。在圖10(b)中，符號(hào)1100表示手表主體，符號(hào)1101表示使用所述有機(jī)EL裝置1的顯示部。
圖13(c)是表示文字處理器、個(gè)人電腦等便攜式信息處理裝置的一個(gè)例子的立體圖。在圖13(c)中，符號(hào)1200表示信息處理裝置，符號(hào)1202表示鍵盤等的輸入部，符號(hào)1204表示信息處理裝置主體，符號(hào)1206表示使用所述有機(jī)EL裝置1的顯示部。
須指出的是，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于所述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍中，能做各種變更。
例如，在所述實(shí)施例中，電源線103B為二層構(gòu)造，如果是對(duì)于有效區(qū)域2a配置在最外側(cè)的電源線，就可以是其他電源線。另外，可以為把設(shè)置在第一布線層135和第二布線層136上的電源線、連接用布線等配置為相反的結(jié)構(gòu)。
另外，在所述實(shí)施例中，作為發(fā)光元件部11的結(jié)構(gòu)，以從襯底2一側(cè)開(kāi)始按象素電極111、空穴注入/輸送層110a、發(fā)光層110b、公共電極12的順序形成，但是并不局限于此，也能采用以相反的順序配置的結(jié)構(gòu)。在所述實(shí)施例中，使用發(fā)光元件部11的發(fā)光通過(guò)透明襯底2，射出到外面一側(cè)的形式的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但也可適用發(fā)光元件部11的發(fā)光從與透明襯底2相反一側(cè)，通過(guò)密封部3射出的形式。這時(shí)，設(shè)置具有上述的優(yōu)異光透射性(透明性)的公共電極和密封層，就可以了。
另外，在所述實(shí)施例中，說(shuō)明了把R、G、B的各發(fā)光層進(jìn)行條紋配置時(shí)的情形，但是本發(fā)明并不局限于此，可以采用各種配置構(gòu)造。例如，除了條紋配置，也能是鑲嵌配置和三角配置。
如上所述，在本發(fā)明中能得到實(shí)現(xiàn)了窄框化的小型、并且制造容易的高質(zhì)量電光裝置和電子儀器。
須指出的是，上述的本實(shí)施例表示了本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)，并不限定本發(fā)明，在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，能任意變更。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，多條發(fā)光用電源布線配置在襯底上的第一層中，把所述發(fā)光用電源布線與對(duì)應(yīng)的電極相連接的多條連接用布線配置在與所述第一層電絕緣的第二層中，其特征在于，所述多條發(fā)光用電源布線中，位于最外側(cè)的發(fā)光用電源布線設(shè)置在所述第一層和所述第二層兩方中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，與所述多條發(fā)光用電源布線中的位于最內(nèi)側(cè)的發(fā)光用電源布線相連接的所述連接用布線，設(shè)置在所述第一層中。
3.一種電光裝置，在第一電極在襯底上配置為矩陣狀的第一電極區(qū)域的周圍，配置有與所述第一電極相連接的發(fā)光用電源布線和連接了與所述第一電極之間夾著功能層的第二電極的第二電極用布線，其特征在于，所述發(fā)光用電源布線和所述第二電極用布線配置為，在平面視圖中至少一部分彼此重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征在于，在所述發(fā)光用電源布線和第二電極用布線之間配置有層間絕緣膜。
5.一種電光裝置，其特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極相連接的電極用布線；通過(guò)有源元件與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，所述電源線的至少一部分是由通過(guò)層間絕緣膜隔開(kāi)的多個(gè)導(dǎo)電膜和把所述多個(gè)導(dǎo)電膜彼此電連接的導(dǎo)電材料形成。
6.一種電光裝置，其特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極相連接的電極用布線；通過(guò)有源元件與所述第一電極相連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，在所述有效區(qū)域的外側(cè)設(shè)置有多條所述電源線，所述電源線中，設(shè)置在最遠(yuǎn)離所述有效區(qū)域的位置的電源線的至少一部分是由通過(guò)層間絕緣膜隔開(kāi)的多個(gè)導(dǎo)電膜和把所述多個(gè)導(dǎo)電膜彼此電連接的導(dǎo)電材料形成。
7.一種電光裝置，其特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極相連接的電極用布線；通過(guò)有源元件與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，在所述有效區(qū)域的外側(cè)設(shè)置有多條所述電源線，所述電源線中，設(shè)置在最靠近所述有效區(qū)域的位置的電源線由只設(shè)置在一個(gè)布線層中的導(dǎo)電膜形成。
8.一種電光裝置，其特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包括具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極相連接的電極用布線；通過(guò)有源元件與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，所述連接用布線的線寬與該連接用布線連接的所述電源線的線寬不同。
9.一種電光裝置，其特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包含具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，所述連接用布線的第一部分的線寬和第二部分的線寬彼此不同。
10.一種電光裝置，其特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包括具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，設(shè)置有多條所述連接用布線，所述多條連接用布線中的至少一條是由分別設(shè)置在不同的多個(gè)布線層中的導(dǎo)電膜和把所述導(dǎo)電膜彼此連接的導(dǎo)電材料構(gòu)成。
11.一種電光裝置，其特征在于，包括設(shè)置在襯底上的有效區(qū)域中的、包括具有夾在第一電極和第二電極之間的功能層的電光元件的多個(gè)象素；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述第二電極連接的電極用布線；通過(guò)有源元件與所述第一電極連接，至少設(shè)置在所述有效區(qū)域上的連接用布線；在所述有效區(qū)域的外側(cè)與所述連接用布線相連的電源線；并且，在構(gòu)成所述電極用布線的至少一部分的第一導(dǎo)電膜和所述襯底之間，形成有構(gòu)成所述電源線的至少一部分的第二導(dǎo)電膜；通過(guò)層間絕緣膜，彼此隔開(kāi)形成了所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜；重疊配置了所述第一導(dǎo)電膜的至少一部分和所述第二導(dǎo)電膜的至少一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電膜通過(guò)設(shè)置在所述層間絕緣膜上的接觸部，與所述連接用布線連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求5～12中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于，所述功能層由有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光材料構(gòu)成。
14.一種電子儀器，其特征在于，具有權(quán)利要求1～13中的任意一項(xiàng)所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種適合于窄框化的電光裝置，通過(guò)由設(shè)置在第一布線層(135)上的導(dǎo)電膜和設(shè)置在第二布線層(136)上的導(dǎo)電膜構(gòu)成多條電源線(103R)、(103G)、(103B)中的至少一條電源線的至少一部分，使電源線的線寬變窄。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1468040SQ0314093
公開(kāi)日2004年1月14日 申請(qǐng)日期2003年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月7日
發(fā)明者青木幸司 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社