專利名稱：倒裝芯片封裝的凸塊工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種倒裝芯片封裝工藝，且特別有關(guān)一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其主要是應(yīng)用于將凸塊(bump)及底膠層(underfill layer)制作至芯片(die)的有源表面(active surface)。
背景技術(shù)：
芯片倒裝焊技術(shù)(Flip Chip Bonding Technology，簡(jiǎn)稱FC)是一種將芯片(die)連接至承載器(carrier)的封裝技術(shù)，其主要是利用面陣列(areaarray)的方式，將多個(gè)芯片墊(die pad)配置于芯片的有源表面(active surface)上，并在芯片墊上形成凸塊(bump)，接著將芯片翻面(flip)之后，再經(jīng)由這些凸塊，將芯片的這些芯片墊分別電(electrically)及結(jié)構(gòu)性(structurally)連接至承載器上的接點(diǎn)(contact)，使得芯片可經(jīng)由凸塊而電連接至承載器，再經(jīng)由承載器的內(nèi)部線路而電連接至外界的電子裝置。由于芯片倒裝焊技術(shù)(FC)可適用于高腳數(shù)(High Pin Count)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，并同時(shí)具有縮小芯片封裝面積及縮短信號(hào)傳輸路徑等諸多優(yōu)點(diǎn)，使得芯片倒裝焊技術(shù)目前已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于高階的芯片封裝領(lǐng)域。
請(qǐng)參考圖1A～1H，其示出現(xiàn)有的一種倒裝芯片封裝工藝的流程剖面圖。首先，如圖1A所示，芯片102的有源表面104配置有多個(gè)芯片墊106。此外，保護(hù)層(passivation layer)108配置于芯片102的有源表面104，并暴露出這些芯片墊106的至少局部表面。另外，多個(gè)凸塊底金屬層(UnderBump Metallurgy，UBM)110分別配置于這些芯片墊106上。并且，應(yīng)力緩沖層(Stress Buffer Layer，SBL)112配置于保護(hù)層108上，并暴露出這些凸塊底金屬層110，其中應(yīng)力緩沖層112的材料例如為苯(并)環(huán)丁烯(BenzoCycloButene，BCB)。
如圖1B所示，接著形成一光致抗蝕劑層(Photo Resist，PR)114于芯片102的有源表面104。之后，如圖1C所示，例如以曝光(exposing)及顯影(developing)的方式，在光致抗蝕劑層114上形成多個(gè)開口116，而這些開口116分別暴露出這些凸塊底金屬層110，并個(gè)別地經(jīng)由這些凸塊底金屬層110，而間接地暴露出這些芯片墊106。
如圖1D所示，接著例如以印刷(printing)的方式，填入導(dǎo)電材料于這些開口116內(nèi)，并回焊(reflow)導(dǎo)電材料，用以固化容納于這些開口116內(nèi)的導(dǎo)電材料，因而形成多個(gè)短柱狀的凸塊118。然后，去除光致抗蝕劑層114，而暴露出這些凸塊118的側(cè)緣，如圖1E所示。接著，再回焊這些短柱狀的凸塊118，使得這些凸塊118的形狀變成為類似球狀的凸塊118，如圖1F所示。值得注意的是，由于芯片102可經(jīng)由切割一晶片(wafer)來(lái)獲得，故可在切割晶片來(lái)獲得芯片102之前，即預(yù)先執(zhí)行上述的步驟，且在形成這些凸塊118之后，才切割晶片而形成多個(gè)芯片102。
如圖1G所示，接著再將芯片102翻面以后，將這些凸塊118分別連接至基板10的表面12的凸塊墊14，使得芯片102可經(jīng)由這些凸塊118，而電性及結(jié)構(gòu)性連接至基板10。最后，如圖1H圖所示，填入底膠材料(underfillmaterial)至芯片102及基板10之間，接著固化底膠材料，而形成一底膠層20，其中底膠層20的作用在于緩沖芯片102與基板10之間所產(chǎn)生的熱應(yīng)力，用以預(yù)防凸塊118與芯片102或基板10的接合處發(fā)生斷裂。
然而，現(xiàn)有的倒裝芯片封裝工藝仍具有下列缺點(diǎn)(1)由于現(xiàn)有的倒裝芯片封裝工藝采用光刻工藝(photolithographyprocess)，即上述的形成圖案化的光致抗蝕劑層于芯片的有源表面的工藝，如此將大幅浪費(fèi)倒裝芯片封裝工藝的成本。
(2)由于現(xiàn)有的倒裝芯片封裝工藝采用印刷法來(lái)制作凸塊，極易在凸塊的底部產(chǎn)生空孔(void)，如此將會(huì)沖擊到芯片于倒裝芯片封裝之后的可靠度。
(3)現(xiàn)有的倒裝芯片封裝工藝所采用的底膠填充工藝(underfilldispensing process)已經(jīng)面臨到瓶頸，不良的底膠填充工藝將會(huì)在底膠層中產(chǎn)生空孔，因而導(dǎo)致芯片與基板之間產(chǎn)生剝離(delamination)的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝，適用于制作凸塊球及底膠層于芯片的有源表面，并可提升倒裝芯片封裝的可靠度(reliability)，以及降低倒裝芯片封裝的整體成本。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提出一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝，適用于制作至少一凸塊及一底膠層于一芯片的一有源表面，其中芯片具有至少一芯片墊，其配置于芯片的有源表面，此凸塊工藝至少包括下列步驟(a)形成一黏著層于芯片墊的表面；(b)散布多個(gè)凸塊球于芯片的有源表面；(c)震動(dòng)這些凸塊球，使得黏著層黏住這些凸塊球之一；(d)去除其余未黏著至黏著層的這些凸塊球；(e)形成底膠層于芯片的該有源表面上，并環(huán)繞于凸塊球的側(cè)緣；以及(f)去除局部的底膠層，而暴露出凸塊球的頂緣。
基于上述，本發(fā)明的倒裝芯片封裝的凸塊工藝乃是適用于制作凸塊及底膠層于芯片的有源表面。首先，在芯片的有源表面的芯片墊上分別形成一黏著層，并散布多個(gè)凸塊球至芯片的有源表面，且震動(dòng)這些凸塊球，使得每一黏著層均黏住單一凸塊球。然后，去除其余未黏住至黏著層的凸塊球，并形成一底膠層于芯片的有源表面，且環(huán)繞于這些凸塊球的側(cè)緣，并暴露出這些凸塊球的頂緣。因此，本發(fā)明的倒裝芯片封裝的凸塊工藝將可提高倒裝芯片封裝的可靠度，并降低倒裝芯片封裝的整體成本。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下，其中圖1A～1H示出現(xiàn)有的一種倒裝芯片封裝工藝的流程剖面圖；圖2A～2H示出依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的第一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝的流程剖面圖；圖3A～3H示出依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的第二種倒裝芯片封裝的凸塊工藝的流程剖面圖；圖4示出圖2H的具有凸塊球的芯片，其倒裝焊至一基板的剖面示意圖；以及圖5示出圖3H的具有凸塊球的芯片，其倒裝焊至一基板的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參考圖2A～2H，其示出依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的第一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝的流程剖面圖。如圖2A所示，芯片202(或晶片)的有源表面204配置有多個(gè)芯片墊206。此外，保護(hù)層208配置于芯片202的有源表面204，并暴露出這些芯片墊206的至少局部表面。另外，多個(gè)凸塊底金屬層(UBM)(未示出)可選擇性地分別配置于芯片202的有源表面204的這些芯片墊206。同樣地，應(yīng)力緩沖層(SBL)(未示出)亦可選擇性地配置于保護(hù)層208上，并暴露出這些芯片墊206的至少局部表面。以上有關(guān)于凸塊底金屬層及應(yīng)力緩沖層的相關(guān)說(shuō)明，可參考圖1A及其相關(guān)說(shuō)明，于此不再重復(fù)贅述。
如圖2B所示，接著分別形成一黏著層(sticky film/layer)210于這些芯片墊206的表面，而黏著層210的材料例如為在常溫下即具有黏性的材料，例如有機(jī)材料(organic material)或助焊劑(flux)等。
如圖2C所示，接著例如以丟撒(scattering)的方式，全面性地散布多顆凸塊球212于芯片202的有源表面204，并提供足夠數(shù)量的凸塊球212，使得這些凸塊球212大致均勻分布于芯片202的有源表面204，而在本實(shí)施例中，這些凸塊球212的材料例如是焊料(solder)。
如圖2D所示，接著以機(jī)械震動(dòng)(Mechanical Vibration)的方式，例如以超聲波震動(dòng)(Ultra Sonic Vibration)的方式，震動(dòng)這些凸塊球212，使得這些凸塊球212可隨意地滾動(dòng)于芯片202的有源表面204，因此，當(dāng)凸塊球212滾動(dòng)至黏著層210之上時(shí)，每一黏著層210將僅能黏住一凸塊球212的底緣，此乃由于黏著層210的尺寸是設(shè)計(jì)配合單一凸塊球212的尺寸。
如圖2E所示，接著例如以真空吸取(vacuum)的方式，去除其余未黏著至這些黏著層210的凸塊球212，但仍保留這些已分別黏著至黏著層210的凸塊球212，而這些黏著至黏著層210的凸塊球212于最終將可作為芯片倒裝焊用的凸塊。
如2F圖所示，在本實(shí)施例中，當(dāng)黏著層210的材料為有機(jī)材料或助焊劑時(shí)，且凸塊球212的材料為焊料時(shí)，可對(duì)這些黏著層210及這些凸塊球212進(jìn)行回焊，使得這些凸塊球212分別固接至這些芯片墊206。此外，這些凸塊球212在經(jīng)過(guò)回焊之后，將不再呈現(xiàn)原先的正圓球狀，且經(jīng)熔融之后，些凸塊球212的表面將呈現(xiàn)較為扁平的圓球狀。另外，更可再施以壓平(coining)的步驟至這些凸塊球212的頂緣，用以取得良好的共面性。
如圖2G所示，接著例如以旋涂(spin coating)的方式，全面性地形成一底膠材料于芯片202的有源表面204，且環(huán)繞于這些凸塊球212的側(cè)緣，接著半固化(semi-curing)底膠材料，用以形成底膠層214。
如圖2H所示，當(dāng)?shù)啄z層214完全包覆這些凸塊球212時(shí)，為了暴露出凸塊球212的頂端，可例如以研磨(polish)的方式，去除底膠層214的較遠(yuǎn)離芯片202的局部表層，因而暴露出這些凸塊球212的頂緣。此外，為了提供較大的接合面積，可在研磨去除底膠層214的局部表層時(shí)，同時(shí)研磨去除這些凸塊球212的頂面，使得凸塊球212的頂端具有一較大面積的平坦面與優(yōu)選的共平面性表面。同樣地，為了提供較大的接合面積，如先前的圖2F所示，可在對(duì)這些凸塊球212進(jìn)行回焊的過(guò)程中，同時(shí)壓平凸塊球212的頂緣，使得凸塊球212的頂端具有一較大面積的平坦面，最后僅需研磨去除底膠層214的表層，直到暴露出這些凸塊球212的頂端為止。另外，更可于研磨之后，清除殘留于這些凸塊球212的頂端的底膠層214，用以這些凸塊球212具有確保良好的金屬接合面。同時(shí)，更可選擇性地形成助焊劑于這些凸塊球212的表面，用以保護(hù)這些凸塊球212的表面，并有助于凸塊球212的接合性。
如圖2H所示，由于芯片202可經(jīng)由切割一晶片來(lái)獲得，故可在切割晶片來(lái)獲得芯片202之前，即預(yù)先執(zhí)行上述的步驟，并在形成這些凸塊球212及底膠層214之后，才切割晶片而形成多個(gè)芯片202。
請(qǐng)參考圖4，其示出圖2H的具有凸塊球的芯片，其倒裝焊至一基板的剖面示意圖。由于芯片202的有源表面204已經(jīng)具有底膠層214，所以翻面后的芯片202將可經(jīng)由這些凸塊球212，而連接至基板10的表面12的多個(gè)接合墊14。此外，更同時(shí)固化(curing)底膠層214，使得底膠層214將完全地填充于芯片202、基板10及這些凸塊球212所圍成的空間，而無(wú)須額外地進(jìn)行現(xiàn)有的底膠填充工藝，如此將有助于大幅降低在底膠層214中產(chǎn)生空孔的機(jī)率，進(jìn)而可有效提高芯片202于倒裝芯片封裝后的可靠度。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例除了提供上述的第一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝以外，還提出第二種倒裝芯片封裝的凸塊工藝。
請(qǐng)參考圖3A～3H，其示出依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的第二種倒裝芯片封裝的凸塊工藝的流程剖面圖。如圖3A所示，芯片302的有源表面304配置有多個(gè)芯片墊306。此外，保護(hù)層308配置于芯片302的有源表面304，并暴露出這些芯片墊306的至少局部表面。另外，多個(gè)凸塊底金屬層(UBM)(未示出)可選擇性地分別配置于芯片302的有源表面304的這些芯片墊306。同樣地，應(yīng)力緩沖層(SBL)(未示出)亦可選擇性地配置于保護(hù)層308之上，并暴露出這些芯片墊306的至少局部表面。同樣地，以上有關(guān)于凸塊底金屬層及應(yīng)力緩沖層的相關(guān)說(shuō)明，可參考圖1A及其相關(guān)說(shuō)明，于此不再重復(fù)贅述。
如圖3B所示，接著分別形成一黏著層(sticky film/layer)310于這些芯片墊306的表面，在本實(shí)施例中，黏著層310的材料特性例如為焊料，或是低熔點(diǎn)金屬或低熔點(diǎn)合金。
如圖3C所示，接著例如以丟撒的方式，全面性地散布多顆凸塊球312于芯片302的有源表面304，并提供足夠數(shù)量的凸塊球312，使得這些凸塊球312大致均勻分布于芯片302的有源表面304，在本實(shí)施例中，這些凸塊球312的材料例如是高熔點(diǎn)金屬或高熔點(diǎn)合金等，其中這些凸塊球312的材料的熔點(diǎn)相對(duì)高于這些黏著層310的材料的熔點(diǎn)。
如圖3D所示，接著以機(jī)械震動(dòng)的方式，例如以超聲波震動(dòng)的方式，震動(dòng)這些凸塊球312，使得這些凸塊球312可隨意地滾動(dòng)于芯片302的有源表面304。此外，更在震動(dòng)這些凸塊球312的同時(shí)，回焊這些黏著層310，使得這些黏著層310在焊接溫度下將呈現(xiàn)熔融狀態(tài)，但這些凸塊球312仍然保持為固態(tài)。由于這些熔融的黏著層310將具有黏性，此乃相對(duì)于這些凸塊球312而言，因此，在回焊這些黏著層310之后，每一黏著層310將會(huì)黏住一凸塊球312的底緣，換句話說(shuō)，這些凸塊球312將分別經(jīng)由這些黏著層310，而連接至這些芯片墊306。
如圖3E所示，接著例如以真空吸取的方式，去除其余未黏著至黏著層310的凸塊球312，但仍保留這些已分別黏著至黏著層310的凸塊球312，而這些黏著至黏著層310的凸塊球312最終將可作為芯片倒裝焊用的凸塊。
如3F圖所示，接著例如以旋涂的方式，全面性地形成一底膠材料于芯片302的有源表面304，且環(huán)繞于這些凸塊球312的側(cè)緣，接著半固化(semi-curing)底膠材料，用以形成底膠層314。
如圖3G所示，當(dāng)?shù)啄z層314完全包覆這些凸塊球312時(shí)，為了暴露出凸塊球312的頂端，可例如以研磨的方式，去除底膠層314的較遠(yuǎn)離芯片302的局部表層，因而暴露出這些凸塊球312的頂緣。此外，為了提供較大的接合面積，可在研磨去除底膠層314的局部表層時(shí)，同時(shí)研磨去除這些凸塊球312的頂面，使得凸塊球312的頂端具有一較大面積的平坦面。
如圖3H所示，更可選擇性地分別形成一表面加工層(surface finish)316在這些凸塊球312的暴露于底膠層314的表面。上述的表面加工層316例如為一鎳金層(Ni/Au layer)，用以提升這些凸塊球312其連接至外界的接點(diǎn)的接合性。此外，上述的表面加工層316亦可為一焊料層，同樣可提升這些凸塊球312其連接至外界的接點(diǎn)的接合性。另外，上述表面加工層316亦可為一有機(jī)表面保護(hù)層(Organic Surface Preservation layer，OSPlayer)，用以防止這些凸塊球312的表面發(fā)生氧化。
如圖3H所示，由于芯片302可經(jīng)由切割一晶片來(lái)獲得，故可在切割晶片來(lái)獲得芯片302之前，即預(yù)先執(zhí)行上述的步驟，且在形成這些凸塊球312及底膠層314之后，才切割晶片而形成多個(gè)芯片302。
請(qǐng)參考圖5，其示出圖3H的具有凸塊球的芯片，其倒裝焊至一基板的剖面示意圖。由于芯片302的有源表面304已經(jīng)具有底膠層314，所以翻面后的芯片302將可經(jīng)由這些凸塊球312，而連接至基板10的表面12的多個(gè)接合墊14。此外，更同時(shí)加熱軟化底膠層314，使得底膠層314將完全地填充于芯片302、基板10及這些凸塊球312所圍成的空間，接著固化(curing)底膠層314，故無(wú)須額外地進(jìn)行現(xiàn)有的底膠填充工藝，如此將有助于大幅降低在底膠層314中產(chǎn)生空孔的機(jī)率，進(jìn)而可有效提高芯片302于倒裝芯片封裝后的可靠度。
基于上述，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的第一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝乃是應(yīng)用于制作凸塊及底膠層于芯片的有源表面，且利用由焊料所制成的凸塊球來(lái)作為芯片倒裝焊用的凸塊，并利用在常溫下即具有黏性的材料(例如助焊劑)作為黏著層，故在正常溫度的下，黏著層可黏住凸塊球，并將凸塊球定位于芯片墊的上方。最后，更形成一底膠層于芯片的有源表面及這些凸塊球的側(cè)緣，并暴露出這些凸塊球的頂緣。
除此之外，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的第二種倒裝芯片封裝的凸塊工藝乃是應(yīng)用于制作凸塊及底膠層于芯片的有源表面，且利用由高熔點(diǎn)金屬(或高熔點(diǎn)合金)所制成的凸塊球來(lái)作為芯片倒裝焊用的凸塊，并利用在焊接溫度下才具有黏性的材料(例如焊料)作為黏著層，故在特定的焊接溫度下，熔融的黏著層將可黏住凸塊球，并將凸塊球定位于芯片墊的上方。接著，更形成一底膠層于芯片的有源表面及這些凸塊球的側(cè)緣，并暴露出這些凸塊球的頂緣。
綜上所述，本發(fā)明的倒裝芯片封裝的凸塊工藝具有下列優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明乃是使用凸塊球作為芯片倒裝焊用的凸塊，由于凸塊球的與芯片墊接合的底部并不會(huì)產(chǎn)生空孔，如此將有助于提升倒裝芯片封裝的可靠度。
(2)本發(fā)明乃是利用簡(jiǎn)單的機(jī)械震動(dòng)工藝，并配合黏著層來(lái)定位凸塊球，故可取代現(xiàn)有的浪費(fèi)成本且步驟復(fù)雜的光刻工藝，因而有效地降低倒裝芯片封裝的整體成本。
(3)本發(fā)明乃是預(yù)先將底膠層形成于芯片的有源表面，且環(huán)繞于這些凸塊球的側(cè)緣，使得芯片在倒裝焊至芯片載板(或主機(jī)板)時(shí)，可直接利用此底膠層來(lái)填充于芯片與芯片載板所圍成的空間，而無(wú)須進(jìn)行現(xiàn)有的底膠填充工藝，如此將有助于提高倒裝芯片封裝的可靠度。
(4)本發(fā)明可輕易地應(yīng)用于晶片級(jí)芯片尺寸封裝(Chip Scale Package，CSP)，使得芯片可經(jīng)由這些凸塊球，且以直接芯片接合(Direct Chip Attach，DCA)的方式，而連接至系統(tǒng)電路板(例如主機(jī)板等)。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例公開如上，但是其并非用以限定本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以所附權(quán)利要求所確定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝，適用于制作至少一凸塊及一底膠層于一芯片的一有源表面，其中該芯片具有至少一芯片墊，其配置于該芯片的該有源表面，該凸塊工藝至少包括下列步驟(a)形成一黏著層于該芯片墊的表面；(b)散布多個(gè)凸塊球于該芯片的該有源表面；(c)震動(dòng)該些凸塊球，使得該黏著層僅黏住該些凸塊球之一；(d)去除其余未黏著至該黏著層的該些凸塊球；(e)形成該底膠層于該芯片的該有源表面之上，并環(huán)繞于該凸塊球的側(cè)緣；以及(f)去除局部的該底膠層，而暴露出該凸塊球的頂緣。
2.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中于步驟(c)時(shí)，震動(dòng)該些凸塊球的方法包括超聲波震動(dòng)。
3.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中當(dāng)該些凸塊球的材料包括焊料時(shí)，在步驟(d)之后，且于步驟(e)之前，更包括回焊黏著至該黏著層的該凸塊球，使得該凸塊球固接至該芯片墊。
4.如權(quán)利要求3所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中該黏著層的材料包括助焊劑。
5.如權(quán)利要求3所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中在回焊黏著至該黏著層的該凸塊球的同時(shí)，還包括壓平該凸塊球的頂端。
6.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中當(dāng)該黏著層的材料包括焊料時(shí)，且該些凸塊球的材料的熔點(diǎn)高于該黏著層的材料的熔點(diǎn)時(shí)，于步驟(c)時(shí)，還包括回焊該黏著層，使得該黏著層能夠黏住該些凸塊球之一。
7.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中于步驟(d)時(shí)，去除其余的該些凸塊球的方法包括真空吸取。
8.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中于步驟(e)時(shí)，形成該底膠層的方法包括旋涂法。
9.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中于步驟(f)時(shí)，還包括同時(shí)去除局部的該凸塊球的頂緣，使得該凸塊球的頂緣的表面共面于該底膠層的頂面。
10.如權(quán)利要求9所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，其中于步驟(f)時(shí)，去除局部的該底膠層及局部的該凸塊球的方式包括研磨。
11.如權(quán)利要求1所述的倒裝芯片封裝的凸塊工藝，還包括步驟(g)形成一表面加工層在該凸塊球的暴露于該底膠層的表面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種倒裝芯片封裝的凸塊工藝，適用于制作凸塊及底膠層于芯片的有源表面。首先，在芯片的有源表面的芯片墊上分別形成一黏著層，并散布多個(gè)凸塊球至芯片的有源表面，且震動(dòng)這些凸塊球，使得每一黏著層均黏住單一凸塊球。然后，去除其余未黏住至黏著層的凸塊球，并形成一底膠層于芯片的有源表面，且環(huán)繞于這些凸塊球的側(cè)緣，并暴露出這些凸塊球的頂緣。因此，此倒裝芯片封裝的凸塊工藝將可提高倒裝芯片封裝的可靠度，并降低倒裝芯片封裝的整體成本。
文檔編號(hào)H01L21/28GK1479349SQ0314234
公開日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2003年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月13日
發(fā)明者何昆耀, 宮振越 申請(qǐng)人:威盛電子股份有限公司