專利名稱：半導(dǎo)體芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及按給定大小將半導(dǎo)體單晶片切塊制成半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片制造方法。
背景技術(shù)：
按已有半導(dǎo)體芯片制造工序，在切塊工序(dicing process)中，半導(dǎo)體芯片制造裝置的圓盤狀切刀(dicing blade切割刀片)邊旋轉(zhuǎn)邊縱橫移動，將形成有許多半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體單晶片切塊，制成許多半導(dǎo)體芯片。通常，被切制成的半導(dǎo)體芯片呈方盒狀。
然而，根據(jù)上述已有半導(dǎo)體芯片制造方法，由于半導(dǎo)體芯片制造裝置的切割刀片是通過縱橫移動來切割半導(dǎo)體單晶片的，所以半導(dǎo)體單晶片上形成的半導(dǎo)體芯片數(shù)量越多，切割次數(shù)也越多，耗費(fèi)加工時間。
又，在切塊工序使用切割刀片時，為確保切割刀片通路，半導(dǎo)體芯片間間隔(切割線寬)一定要大于等于切割刀片寬(一般為50μm左右)，這不利于半導(dǎo)體單晶片上高密度形成半導(dǎo)體芯片。另外，近年來半導(dǎo)體單晶片薄型化加速，甚至出現(xiàn)了厚度僅有50μm左右的半導(dǎo)體單晶片。若以切割刀片進(jìn)行切割，這種薄型半導(dǎo)體單晶片就顯得脆弱，易弄出豁口。
再者，由于切制成的半導(dǎo)體芯片呈方盒狀，所以在搬運(yùn)中緣部易弄出豁口，致使成品率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的就在于提供一種可避免上述弊端的新穎而實(shí)用的半導(dǎo)體芯片及其制造方法。
具體而言，本發(fā)明目的在于提供一種使制造時間縮短、集成度及成品率提高的半導(dǎo)體芯片制造方法以及按該方法制造出的半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體芯片制造方法，從半導(dǎo)體單晶片切制半導(dǎo)體芯片，該芯片具有支持半導(dǎo)體元件的第1面以及該第1面之反面的第2面，其中，該方法包括如下步驟等向蝕刻——從上述第1面與上述第2面當(dāng)中某一面或兩面，至少部分地等向蝕刻上述半導(dǎo)體單晶片的切掉部分；以及異向蝕刻——從上述第1面與上述第2面當(dāng)中某一面或兩面，異向蝕刻上述半導(dǎo)體單晶片的切掉部分之剩余部分，以切掉上述半導(dǎo)體單晶片的切掉部分。
上述本發(fā)明方法，具體還可包括如是步驟從上述第1面等向蝕刻上述切掉部分時，在上述第1面上形成能使上述第1面上切掉部分露出的光阻。
上述本發(fā)明方法中，上述光阻最好被倒角。
上述本發(fā)明方法中，還可包括如是步驟從上述第2面等向蝕刻上述切掉部分時，在上述第2面上形成能使上述第2面上切掉部分露出的光阻。
上述本發(fā)明方法中，上述光阻最好被倒角。
本發(fā)明目的還是這樣實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體芯片，是從半導(dǎo)體單晶片切制而成的，包括支持半導(dǎo)體元件的第1面和該第1面之反面的第2面，其中，上述第1面與上述第2面當(dāng)中至少一面上的外緣部被倒角。
上述本發(fā)明半導(dǎo)體芯片，還可帶有凹側(cè)面。
本發(fā)明目的還可這樣實(shí)現(xiàn)一種半導(dǎo)體芯片，是從半導(dǎo)體單晶片切制而成的，其中，多拐角部被倒角。
若此，在將半導(dǎo)體單晶片切塊之際，可以利用等向蝕刻及異向蝕刻一次性地對整半導(dǎo)體單晶片進(jìn)行蝕刻，故可縮短半導(dǎo)體芯片制造時間。況且，不必象使用切割刀片切割半導(dǎo)體單晶片時那樣要確保相當(dāng)于切割刀片寬的切割線寬，可使切割線寬變窄。故，有助于高集成度地在半導(dǎo)體單晶片上形成半導(dǎo)體芯片。進(jìn)一步，由于通過對上述半導(dǎo)體單晶片的形成有半導(dǎo)體元件的第1面上的切掉部分和該第1面之反面的第2面上的切掉部分當(dāng)中至少一者進(jìn)行等向蝕刻，可使該第1面與第2面當(dāng)中至少一面上的外緣部被倒角而不呈直角形，所以可防止搬運(yùn)時該外緣部弄出豁口，有助于提高成品率。
另外，本發(fā)明其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)可通過以下結(jié)合附圖對細(xì)節(jié)的描述得以清楚理解。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的第1制造工序示意圖。
圖2是根據(jù)本實(shí)施例的第1制造工序中所用光阻的俯視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的第2制造工序示意圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的第3制造工序示意圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的第4制造工序示意圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的第5制造工序示意圖。
圖7是根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的立體示意圖。
圖8是根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的側(cè)視截面圖。
圖9是根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的俯視截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例作以說明。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的第1制造工序。在圖1所示第1制造工序中，半導(dǎo)體芯片制造裝置將硅材質(zhì)的半導(dǎo)體單晶片100的非元件形成面貼在膠帶200上，以固定半導(dǎo)體單晶片100。這里，半導(dǎo)體單晶片100包括兩個面形成有半導(dǎo)體元件102的元件形成面(圖1中上面)；以及該元件形成面之反面的非元件形成面(圖1中下面)。
進(jìn)一步，半導(dǎo)體芯片制造裝置在元件形成面形成光阻(resist)膜，再通過曝光除去半導(dǎo)體單晶片100的切掉部分上部的光阻膜。具體而言，若光阻膜為陽性，則半導(dǎo)體芯片制造裝置在光阻膜上面罩上掩膜一其上帶有可使光阻膜的應(yīng)留下部分露出的孔；然后從上方照射光，溶解光阻膜的非照射部分。若光阻膜為陰性，則半導(dǎo)體芯片制造裝置在光阻膜上面罩上另一種掩膜——其可使光阻膜的應(yīng)除去部分露出；然后從上方照射光，溶解光阻膜的照射部分。
這樣，通過除去半導(dǎo)體單晶片100的切掉部分上部的光阻膜，在半導(dǎo)體單晶片100上部形成可使半導(dǎo)體單晶片100的切掉部分露出的光阻300。
圖2為光阻300的俯視圖。如該圖2所示，光阻300的四角被倒角。光阻膜為陽性時，將掩膜上所形成孔的四角設(shè)成曲線形，這樣即可使光阻300的四角被倒角。光阻膜為陰性時，將掩膜的四角設(shè)成曲線形，以便使光阻300的四角被倒角。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的第2制造工序。在圖3所示第2制造工序中，半導(dǎo)體芯片制造裝置對半導(dǎo)體單晶片100的露出部分即半導(dǎo)體單晶片100切掉部分進(jìn)行等向蝕刻。具體而言，半導(dǎo)體芯片制造裝置將半導(dǎo)體單晶片100置于反應(yīng)氣體環(huán)境下。
反應(yīng)氣體附著于半導(dǎo)體單晶片100露出部分，同該露出部分的硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，而且反應(yīng)氣體同硅的化學(xué)反應(yīng)在所有方向上都以相同速度進(jìn)行。由于化學(xué)反應(yīng)所生成的物質(zhì)為揮發(fā)性，故露出部分的硅連同光阻300下面的部分硅均按所有方向皆相等的速度被除去。因此，在半導(dǎo)體單晶片100上形成溝110，其側(cè)視截面形狀若盤碟，詳見圖3。溝110達(dá)到了給定截面形狀后，接著進(jìn)行第3制造工序。
圖4示出了半導(dǎo)體芯片第3制造工序。在圖4所示第3制造工序中，半導(dǎo)體芯片制造裝置對半導(dǎo)體單晶片100露出部分即半導(dǎo)體單晶片100切掉部分進(jìn)行異向蝕刻。
具體而言，半導(dǎo)體芯片制造裝置從上方對著半導(dǎo)體單晶片100露出部分高速地注入離子或等離子體。露出部分的硅受注入的離子或等離子體轟擊，被除去。離子或等離子體的注入方向?yàn)樽陨戏街赶虬雽?dǎo)體單晶片100露出部分的方向。故，硅的除去是沿著自半導(dǎo)體單晶片100上部至其下部的方向進(jìn)行，可形成異向蝕刻溝120。該溝120的俯視截面呈環(huán)繞光阻300外緣的形狀，見圖4。即，溝120形狀要確保各切成的半導(dǎo)體芯片的拐角被倒角。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的第4制造工序。在圖5所示第4制造工序中，半導(dǎo)體芯片制造裝置除去半導(dǎo)體單晶片100元件形成面上所形成光阻300，然后將半導(dǎo)體單晶片100翻過來。接著，半導(dǎo)體芯片制造裝置將變成半導(dǎo)體單晶片100下面的元件形成面貼在膠帶200上，以固定半導(dǎo)體單晶片100。
進(jìn)一步，同第1制造工序一樣，半導(dǎo)體芯片制造裝置在上面即非元件形成面形成光阻膜，再通過曝光除去半導(dǎo)體單晶片100切掉部分上部的光阻膜。通過除去半導(dǎo)體單晶片100切掉部分上部的光阻膜，形成光阻301。光阻301同圖2所示光阻300一樣，其四角被倒角。
圖6示出了半導(dǎo)體芯片的第5制造工序。在圖6所示第5制造工序中，半導(dǎo)體芯片制造裝置對半導(dǎo)體單晶片100的露出部分即半導(dǎo)體單晶片100切掉部分進(jìn)行等向蝕刻。具體步驟同圖3所示第2制造工序的一樣。這樣，露出部分的硅連同光阻301下面的部分硅均按所有方向皆相等的速度被除去，形成等向蝕刻溝130，其側(cè)視截面形狀若盤碟。通過形成溝110、溝120及130，半導(dǎo)體單晶片100被切塊，制成半導(dǎo)體芯片。
圖7為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片500的立體圖，圖8為其側(cè)視截面圖，圖9為其俯視截面圖。從這些圖可見，半導(dǎo)體芯片500外緣部被倒角而不呈直角形。
進(jìn)行上述異向蝕刻或等向蝕刻時，譬如可以SF6為反應(yīng)氣體，進(jìn)行等離子體蝕刻或?yàn)R射蝕刻等等向或異向干蝕刻，通過改變反應(yīng)氣體壓力或電極外加電壓條件，可以獲取所期望蝕刻形狀。
若此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片制造方法，由于可采用等向蝕刻及異向蝕刻一次性地對整個半導(dǎo)體單晶片100進(jìn)行蝕刻，故可縮短半導(dǎo)體單晶片100切塊時間，即縮短半導(dǎo)體芯片500制造時間。況且，不必象使用切割刀片切割半導(dǎo)體單晶片100時那樣要確保相當(dāng)于切割刀片寬的切割線寬，可使切割線寬變窄。故，有助于高集成度地在半導(dǎo)體單晶片100上形成半導(dǎo)體芯片500。進(jìn)一步，通過對半導(dǎo)體單晶片100的元件形成面及非元件形成面上的切掉部分進(jìn)行等向蝕刻，可以使切制成的半導(dǎo)體芯片500的元件形成面及非元件形成面上外緣部被倒角而不呈直角形。借此，可以防止搬運(yùn)半導(dǎo)體芯片500時其外緣部弄出豁口，有助于提高其成品率。再者，由于是在半導(dǎo)體單晶片100元件形成面上所形成光阻300以及非元件形成面上所形成光阻301的四角均被倒角的情況下，進(jìn)行異向蝕刻，所以可以使半導(dǎo)體芯片500側(cè)面上外緣部被倒角，不呈直角形。故此，可以防止搬運(yùn)半導(dǎo)體芯片500時其外緣部弄出豁口，有助于提高成品率。
須指出的是，雖然在上述實(shí)施例中是對半導(dǎo)體單晶片100的元件形成面和非元件形成面上切掉部分均進(jìn)行等向蝕刻，但是也可僅對元件形成面和非元件形成面當(dāng)中某一面上的切掉部分進(jìn)行等向蝕刻。此時，可在圖4所示第3制造工序中，將異向蝕刻一直進(jìn)行到半導(dǎo)體單晶片100切塊完畢為止。那么，以半導(dǎo)體芯片制造裝置抓取工具抓舉半導(dǎo)體芯片500時，令其抓取進(jìn)行了等向蝕刻而外緣被倒角的面，這樣可以防止搬運(yùn)時該外緣部弄出豁口。由于僅對元件形成面和非元件形成面當(dāng)中某一面上的切掉部分進(jìn)行等向蝕刻，所以可進(jìn)一步縮短半導(dǎo)體單晶片100切塊時間。
本發(fā)明并非僅限于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明總的構(gòu)思情況下可以有變形和修改。
本申請是基于2002年9月2日于日本提出的申請?zhí)枮?002-256767號的在先申請，在此參照了其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1一種半導(dǎo)體芯片制造方法，從半導(dǎo)體單晶片(100)切制半導(dǎo)體芯片(500)，該芯片(100)具有支持半導(dǎo)體元件(102)的第1面以及該第1面之反面的第2面，其中，該方法包括如下步驟等向蝕刻——從上述第1面與上述第2面當(dāng)中某一面或兩面，至少部分地等向蝕刻上述半導(dǎo)體單晶片的切掉部分；以及異向蝕刻——從上述第1面與上述第2面當(dāng)中某一面或兩面，異向蝕刻上述半導(dǎo)體單晶片的切掉部分之剩余部分，以切掉上述半導(dǎo)體單晶片的切掉部分。
2按權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括如是步驟從上述第1面等向蝕刻上述切掉部分時，在上述第1面上形成能使上述第1面上切掉部分露出的光阻(300)。
3按權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，還包括如是步驟從上述第2面等向蝕刻上述切掉部分時，在上述第2面上形成能使上述第2面上切掉部分露出的光阻(301)。
4按權(quán)利要求2或3所述的方法，其中，上述光阻(300，301)被倒角。
5一種半導(dǎo)體芯片(500)，是從半導(dǎo)體單晶片(100)切制而成的，包括支持半導(dǎo)體元件(102)的第1面和該第1面之反面的第2面，其中，上述第1面與上述第2面當(dāng)中至少一面上的外緣部被倒角。
6按權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片(500)，其中，帶有凹側(cè)面。
7一種半導(dǎo)體芯片(500)，是從半導(dǎo)體單晶片(100)切制而成的，其中，多拐角部被倒角。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片(500)及其制造方法。按本制造方法，對半導(dǎo)體單晶片(100)的切掉部分進(jìn)行等向蝕刻及異向蝕刻，在半導(dǎo)體單晶片中形成溝(110，120，130)?？窟@些溝，半導(dǎo)體單晶片被切塊，無須使用任何切割刀片。而且可形成其緣部及拐角被倒角的半導(dǎo)體芯片。根據(jù)本制造方法，可縮短制造時間，而且可提高集成度及半導(dǎo)體芯片成品率。
文檔編號H01L23/34GK1489186SQ0315578
公開日2004年4月14日 申請日期2003年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月2日
發(fā)明者小泉直幸 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社