專利名稱：半導體裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體裝置，其特征為在探測片和激光修整部等處，在晶片檢查時對保護膜有損壞之虞的部分的布線。
背景技術：
形成于半導體裝置上的半導體元件和布線等，其表面被稱為鈍化膜的保護膜覆蓋，以防止水分的進入以及免受外部環(huán)境的影響(例如，參照日本特開2001-332623號公報)。
圖5所示的是用于進行半導體裝置是否良好的判斷檢查的探測片部100的簡要結(jié)構(gòu)。探測片102位于方形的鈍化開口部101附近，與該探測片102連接的鋁布線103被引出到構(gòu)成內(nèi)部線路的未圖示的半導體元件上。
圖6所示的是激光修整部的簡要結(jié)構(gòu)。本例中作為修整對象的多晶硅保險絲112顯露于鈍化開口部111，其與電阻元件多晶硅電阻113連接。與多晶硅保險絲112連接的布線114，以及連接多晶硅保險絲112和多晶硅電阻113的布線115一般用的是電阻比較低的鋁布線。
在上述探測片部和激光修整部，在晶片檢查等時有因探頭按壓及激光的高溫引起鈍化膜損壞之虞，從而在可靠性方面存在很大的問題。
一旦受到上述的損壞，在如上述圖5所示的探測片部100中，因如探頭的按壓而在沿鈍化膜的開口邊緣部分產(chǎn)生裂縫等，因水分從那里進入而導致鋁布線103的腐蝕，從而發(fā)生斷線等故障。同樣，在上述圖6所示的激光修整部，也因激光的高溫而導致?lián)p傷，如鋁布線產(chǎn)生熱膨脹而引起鋁布線和多晶硅的連接部116等處鈍化膜產(chǎn)生裂縫而因水分的進入而導致腐蝕。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是消除這些原有的半導體裝置所具有的缺點。即，本發(fā)明的目的是提供一種半導體裝置，在晶片檢查及激光修整時因受到損傷而導致水分進入時也能夠抑制腐蝕、從而能夠確保高可靠性。
為了達成上述目的，本發(fā)明的半導體裝置的特征在于用多晶硅布線做從探測片及激光修整片引出的布線。
探測片及激光修整等處，當在晶片檢查階段表面保護膜(鈍化膜)受到損傷時，水分就會從此處進入，從而腐蝕鋁布線。在本發(fā)明的半導體裝置中，對有可能受到腐蝕的從探測片及激光修整片引出的布線，不使用鋁布線而采用耐腐蝕性的多晶硅布線。因此，即使進入了水分布線也不會腐蝕，從而大幅度地抑制了斷線等故障的發(fā)生。
還有，雖然多晶硅布線與鋁布線相比電阻要略高些，但該問題可以通過在不損壞線路特性的條件下向用作布線的多晶硅中擴散高濃度的磷從而盡可能地降低電阻值來解決。


圖1是表示采用了本發(fā)明的探測片部的一個例子的簡要平面圖。
圖2是表示探測片部的簡要剖面圖。
圖3是表示將鋁片做成2層的例子的簡要剖面圖。
圖4是表示激光修整部的一個例子的簡要平面圖。
圖5是表示原有的探測片部的一個例子的簡要平面圖。
圖6是表示原有的激光修整部的一個例子的簡要平面圖。
具體實施例方式
以下就采用本發(fā)明的半導體裝置參照附圖進行詳細說明。
圖1是表示探測片部的一個例子的平面圖，圖2是其剖面圖。在探測片部的底板1上設置有晶片檢查時與檢測用探頭接觸的方形的探測片2，與該探測片2相應在鈍化膜3上設置有開口部3A。
該探測片2必須與構(gòu)成內(nèi)部線路的未圖示的半導體元件等連接，因此，從探測片2的下部引出多晶硅布線4。該多晶硅布線4由探測片對應部4A及引出布線部4B組成，通過比上述開口部3A小一圈的連接部5而在探測片對應部4 A處與鋁制的探測片2連接。
在這里，用作引出布線的多晶硅布線4與鋁布線相比電阻值要略高。因此，用作布線的多晶硅布線4最好在不損壞電路特性的條件下擴散高濃度的磷，以盡可能降低電阻值。另外，可以只在鈍化膜3有可能因探頭而受到損傷的地方采用多晶硅布線4，而其它部分、例如在探頭接觸區(qū)域之外的布線可以采用鋁布線。
上述結(jié)構(gòu)的探測片部的結(jié)構(gòu)是，底板1的表面上形成由SiO2等所組成的氧化膜6作為絕緣膜，另外在多晶硅布線4上也形成有由SiO2等所組成的層間絕緣膜7，以防止不小心短路等。
在上述結(jié)構(gòu)的探測片部，晶片的檢查是通過將連接在檢查線路上的檢測用探頭與探測片2接觸來進行的。這時，為了使檢測用探頭與探測片2之間的接觸電阻盡可能小，需要施加某種程度的力使其接觸。因此，例如在檢測用探頭產(chǎn)生位置偏差等時，開口部3A周邊的鈍化膜3就有可能受到損傷。一旦鈍化膜3受到損傷，水分就會進入引出布線，如引出布線為鋁布線時就會進行腐蝕。本例中引出布線為多晶硅布線4，即使進入了水分也不會導致腐蝕。
探測片部的結(jié)構(gòu)并不僅限于此，也可以將用鋁做的探測片做成兩層結(jié)構(gòu)。圖3是表示將用2層的鋁探測片構(gòu)成探測片的例子。其基本構(gòu)造與圖1和圖2所示相同，不同點在于用鋁做的探測片由第1探測片2A和第2探測片2B兩層組成。
這些第1探測片2A和第2探測片2B，通過如通孔而實現(xiàn)電連接，第1探測片2A和多晶硅布線4是通過設置接頭而導通。還有，由于將探測片做成2層，因而追加1層層間絕緣膜8。該層間絕緣膜8也由SiO2等做成。
這樣將探測片做成2層時，通過用多晶硅布線4作引出布線，可防止腐蝕。
以下就激光修整部的一例加以說明。圖4是表示作為激光修整對象的形成于鈍化開口部11的多晶硅保險絲的例子。
在本例中，在鈍化開口部11作為修整對象的多晶硅保險絲12顯露出來，并與電阻元件多晶硅電阻13連接。通過用激光修整緊挨鈍化開口部11內(nèi)的多晶硅保險絲12，就能夠調(diào)節(jié)未圖示的內(nèi)部線路的電阻值。
但是，在激光修整之際，如因激光損壞鈍化膜，在多晶硅保險絲附近的鋁布線上的鈍化膜上產(chǎn)生裂縫時，就會有水分從這些地方進入而引起該鋁布線的腐蝕。因此，在本例中，將連接在多晶硅保險絲上的布線15、以及連接多晶硅保險絲12和多晶硅電阻13的布線14做成多晶硅布線，在連接部不配置鋁布線。這樣一來，和前面的例子一樣也能夠防止腐蝕。
還有，在本例中，希望所使用的多晶硅布線在不損壞線路特性的條件下擴散高濃度的磷，盡可能降低其電阻值。另外，可以只在鈍化膜有受損傷之虞的地方做成多晶硅布線，其他部分還可以用鋁布線。
從以上說明可知，在本發(fā)明的半導體裝置中，由于把在探測片和激光修整等處，在晶片檢查時保護膜有受損之虞的部分的布線做成多晶硅布線，即使水分進入也能夠抑制因腐蝕而斷線等，從而能夠確保高度的可靠性。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置，其特征在于，以多晶硅布線作為從探測片及激光修整片引出的布線。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述多晶硅布線擴散進了高濃度的磷而降低其電阻值。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述探測片由鋁制成，上述多晶硅布線與此探測片連接而被引出。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述探測片由1層或2層鋁膜構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于上述激光修整片上配置了調(diào)節(jié)電阻用的多晶硅保險絲。
6.如權(quán)利要求5所述的半導體裝置，其特征在于多晶硅制的電阻元件與上述多晶硅保險絲連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導體裝置，其特征為在探測片和激光修整部等處，在晶片檢查時對保護膜有損壞之虞的部分的布線。本發(fā)明的目的在于抑制保護膜開口部附近布線的腐蝕以確保高可靠性。它是在探測片部(2)和激光修整部等處，在晶片檢查的階段有保護膜(鈍化膜(3))受損之虞的部分，用多晶硅布線(4)做從保護膜開口部(3A)附近引出的布線。多晶硅布線(4)即使在水分進入的情況下也不會因被腐蝕而斷線。由于多晶硅布線(4)與鋁布線相比電阻值要高，在不損害線路特性的條件下擴散高濃度的磷以盡可能降低電阻值。
文檔編號H01L21/70GK1489208SQ0315635
公開日2004年4月14日 申請日期2003年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月26日
發(fā)明者石川泰久, 鈴木雅之, 之 申請人:三美電機株式會社