專利名稱：氣體絕緣開關(guān)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)的變電領(lǐng)域所使用的氣體絕緣開關(guān)裝置，尤其涉及設(shè)置在斷路器部、接地開關(guān)部、導(dǎo)體連接部的電場衰減用屏蔽套。
背景技術(shù)：
圖9是傳統(tǒng)的氣體絕緣開關(guān)裝置的結(jié)構(gòu)圖，

圖10是其剖視圖。在該圖中，斷路器部2收納在封入有絕緣消弧性氣體的接地電位的金屬容器1內(nèi)，可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b分別由絕緣物制的隔離板3a、3b固定、支承。為了衰減極間附近的電場值，在可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b上分別安裝有金屬制的屏蔽套4a、4b，與斷路器部2相同軸心的可動觸頭5貫通它們的中心。該可動觸頭5分別由可動觸點6a、6b與可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b作電氣連接。
斷路器部2的下部設(shè)有接地開關(guān)部7，所述斷路器部2的可動側(cè)電極部2a與接地開關(guān)部7的固定側(cè)電極部7b構(gòu)成一體，與斷路器部2相同，在接地開關(guān)部7的可動側(cè)電極部7a及固定側(cè)電極7b上分別設(shè)有電場衰減用的金屬制屏蔽套8a、8b。與接地開關(guān)部7相同軸心的可動觸頭9貫通它們的中心。
圖11是圖10的主回路導(dǎo)體10與絕緣物制隔板3b的導(dǎo)體連接部11的放大圖。主回路導(dǎo)體10與可動觸點12接觸，該導(dǎo)體連接部11被金屬制屏蔽套13覆蓋，從而獲得電場值的衰減。
圖12例如是專利文獻1(日本專利特開平2-46113號公報(圖1及第2頁右上欄))的氣體絕緣斷路器部的結(jié)構(gòu)圖。該圖中，斷路器部2的可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b分別由絕緣物制的支柱22a、22b固定、支承?？蓜觽?cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b的極間方向前端形成有絕緣物屏蔽套23a、23b，從而衰減極間的電場。與斷路器部可動側(cè)2a、固定側(cè)2b相同軸心的可動觸頭5貫通它們的中心。該可動觸頭5分別由可動觸點6a、6b與可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b作電氣連接。
在上述的傳統(tǒng)氣體絕緣開關(guān)裝置中，為了將極間附近的電場值抑制在低值，而要設(shè)置金屬制屏蔽套4a、4b、8a、8b及大的曲率，從而使斷路器部2、接地開關(guān)部7及導(dǎo)體連接部11的尺寸大型化，因此，存在著難以使氣體絕緣開關(guān)裝置整體小型化的問題。
另外，為了將極間附近的電場值抑制在低值，而要確保一定程度的極間尺寸，存在著難以在軸向小型化的問題。
另外，如圖11所示，在將絕緣物用作屏蔽套的場合，絕緣物表面被保持成大的電場，有材料的劣變、破損之虞。
另外，在觸頭開閉時，產(chǎn)生電弧，也有其引起劣變之虞。
另外，在不改變金屬部的形狀、僅將絕緣物用作屏蔽套的場合，絕緣物表面的電場反而上升，無法得到電場衰減效果。因此，最終需要把極間尺寸作大、或使絕緣物更厚壁化，難以得到機器整體的小型化、縮小化的效果。
發(fā)明的概要本發(fā)明是為了解決上述問題而進行的，其目的在于，提供一種小型的氣體絕緣開關(guān)裝置，實現(xiàn)小型化帶來的經(jīng)濟性提高。
本發(fā)明的氣體絕緣開關(guān)裝置是，將斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了覆蓋斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的電極部，而在開口部前端附近的強電場部表面設(shè)有實施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特點是，斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的至少1個復(fù)合絕緣屏蔽套，是在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成電介質(zhì)包覆而成，所述電介質(zhì)具有與相對的電場衰減用屏蔽套或充電部之間的極間尺寸的大致30％以內(nèi)的厚度。
附圖的簡單說明圖1是表示本發(fā)明的實施形態(tài)1的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖。
圖2是表示對施加有電介質(zhì)包覆的屏蔽套間的電場值進行計算后的例子說明圖。
圖3是表示對于不均勻率不同時屏蔽套的電介質(zhì)膜厚與擊穿電壓之間關(guān)系的試驗結(jié)果的特性圖。
圖4是表示屏蔽套有無電介質(zhì)包覆的各個絕緣擊穿電場值的試驗結(jié)果的特性圖。
圖5是表示本發(fā)明的實施形態(tài)2的氣體絕緣開關(guān)裝置的接地開關(guān)部的剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明的實施形態(tài)3的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明的實施形態(tài)4的氣體絕緣開關(guān)裝置的導(dǎo)體連接部的剖視圖。
圖8是表示本發(fā)明的實施形態(tài)5的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的概要剖視圖。
圖9是傳統(tǒng)的氣體絕緣開關(guān)裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖10是傳統(tǒng)的氣體絕緣開關(guān)裝置的剖視圖。
圖11是圖10的主要部分的放大圖。
圖12是傳統(tǒng)的氣體絕緣開關(guān)裝置的主要部分結(jié)構(gòu)圖。
發(fā)明的最佳實施形態(tài)實施形態(tài)1以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施形態(tài)1作說明。圖1是本發(fā)明實施形態(tài)1的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖。
圖1中，將斷路器部2收納于封入有絕緣消弧性氣體的接地電位的金屬容器1內(nèi)。斷路器部2由可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b構(gòu)成，分別由絕緣物制的隔板固定支承于金屬容器1上。為了衰減極間附近的電場值，在斷路器部2的可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b上分別安裝有電場衰減用屏蔽套17a、17b。屏蔽套17a、17b，在金屬制屏蔽套的開口部前端附近的強電場部表面實施有電介質(zhì)包覆屏蔽套18a、18b，構(gòu)成金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套。與斷路器部2相同軸心的可動觸頭5貫通它們的中心。該可動觸頭5分別由可動觸點6a、6b與可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b作電氣連接。
圖2是表示對實施有電介質(zhì)包覆的屏蔽套間的電場值進行計算后例子的說明圖。上圖是屏蔽套極間模型，下圖是表示電場值的曲線圖，縱軸是電場強度，橫軸是屏蔽套間直線上的與可動側(cè)電極前端的距離。另外，實線表示有電介質(zhì)包覆、虛線表示無包覆時的計算結(jié)果。這里，設(shè)氣體空間的電容率為1.0，電介質(zhì)包覆的電容率為4.6。有電介質(zhì)包覆的場合與無電介質(zhì)包覆的場合相比，可知更接近均勻的電場分布，能減小最大電場。
另外，圖3是在作為本發(fā)明的復(fù)合絕緣屏蔽套而使用電介質(zhì)包覆前不均勻率為u＝0.2的金屬屏蔽套上施加了電介質(zhì)包覆的場合、和不改變傳統(tǒng)的金屬制屏蔽套的形狀而在電介質(zhì)包覆前不均勻率為u＝0.6的金屬屏蔽套上實施有電介質(zhì)包覆的場合下，將擊穿電壓值與電介質(zhì)膜厚之間關(guān)系的試驗結(jié)果進行比較所表示的特性圖。不均勻率是指將極間電場分布的平均值用最大值除后所得的值。這兩種情況下的擊穿電壓值與電介質(zhì)膜厚的關(guān)系如圖3所示。
從該結(jié)果可見，不均勻率越小，其擊穿電壓值因電介質(zhì)包覆而增大。即，通過特意加大金屬屏蔽套表面的電場強度而降低不均勻率，可實現(xiàn)電介質(zhì)包覆帶來的大幅度的絕緣性能的提高。
另外，降低不均勻率就是減小屏蔽套前端的曲率，這影響到屏蔽套尺寸、乃至開關(guān)裝置部整體的小型化。
另外，從圖3的不均勻率u＝0.2的結(jié)果可知，電介質(zhì)的厚度增加到一定程度以上后，電場強度趨向于某一值。盡可能減少包覆在屏蔽套上的電介質(zhì)的量，從降低零件成本的觀點出發(fā)，可以說電介質(zhì)的厚度相對于極間尺寸在大致30％以內(nèi)是有效的。
圖4是表示有電介質(zhì)包覆的電極相對于無電介質(zhì)包覆的電極、求得的實際絕緣擊穿電場值的試驗結(jié)果的特性圖。與無電介質(zhì)包覆的場合相比，有電介質(zhì)包覆的場合的擊穿電場值上升大致45％，可見絕緣強度得到了提高。
根據(jù)以上的試驗結(jié)果和啟示，本發(fā)明的實施形態(tài)1中，在將具有可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b的斷路器部2收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器1內(nèi)，為了覆蓋可動側(cè)電極部2a及固定側(cè)電極部2b，而在開口部前端附近的強電場部表面設(shè)置了實施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)為一體的復(fù)合絕緣屏蔽套17a、17b的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為復(fù)合絕緣屏蔽套17a、17b，使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的屏蔽套之間極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆18a、18b的結(jié)構(gòu)。
由此，屏蔽套直徑15及極間尺寸18縮小，另外，可抑制可動觸頭5沿面的電場值上升，實現(xiàn)使斷路器乃至氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化，可期望大幅度降低成本。
另外，因在細直徑的金屬制屏蔽套上實施電介質(zhì)包覆的結(jié)構(gòu)，故與僅使用電介質(zhì)的屏蔽套相比，在電介質(zhì)表面、內(nèi)部及金屬部表面能得到更大的電場減小效果，不僅在斷路器的軸向，而且在徑向也能大幅度地小型化。
實施形態(tài)2以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施形態(tài)2作說明。圖5是表示本發(fā)明的實施形態(tài)2的氣體絕緣開關(guān)裝置的接地開關(guān)部的剖視圖。
圖5中，接地開關(guān)部7被收納于封入有絕緣消弧性氣體的接地電位的金屬容器1內(nèi)。接地開關(guān)部7由可動側(cè)電極部7a及固定側(cè)電極部7b構(gòu)成，分別由絕緣物制的隔板固定支承于金屬容器1上。為了衰減極間附近的電場值，在接地開關(guān)部7的可動側(cè)電極部7a及固定側(cè)電極部7b上分別安裝有屏蔽套19a、19b。屏蔽套19a、19b，在其開口部前端附近的強電場部表面實施體有電介質(zhì)包覆20a、20b，構(gòu)成金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套。這些復(fù)合絕緣屏蔽套，是在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的屏蔽套之間極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆20a、20b的結(jié)構(gòu)。而且，與接地開關(guān)部7相同軸心的可動觸頭9貫通它們的中心。該可動觸頭9分別由可動觸點與可動側(cè)電極部7a及固定側(cè)電極部7b作電氣連接。
在將具有可動側(cè)電極部7a和固定側(cè)電極部7b的接地開關(guān)部7收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器1內(nèi)、為了覆蓋可動側(cè)電極部7a和固定側(cè)電極部7b而在開口部前端附近的強電場部表面設(shè)有實施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套19a、19b的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為這些復(fù)合絕緣屏蔽套19a、19b，通過使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆20a、20b的結(jié)構(gòu)，便可與實施形態(tài)1的斷路器部相同，使屏蔽套直徑及極間尺寸縮小，另外，可抑制可動觸頭9沿面的電場值上升，實現(xiàn)接地開關(guān)部整體的小型化。
實施形態(tài)3以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施形態(tài)3作說明。圖6是本發(fā)明實施形態(tài)3的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖。
圖6中，在可動側(cè)電極部2a的屏蔽套17a上實施有與上述實施形態(tài)1相同的電介質(zhì)包覆18，以抑制屏蔽套17a前端及側(cè)面的強電場，但固定側(cè)電極部2b的屏蔽套21的表面由金屬表面或1mm以下厚度的電介質(zhì)包覆構(gòu)成。
由此，在例如產(chǎn)生電弧等嚴酷的使用條件下，不必使用易損傷的電介質(zhì)，能得到與實施形態(tài)1或2相同的設(shè)備小型化、小型化的優(yōu)點。
另外，上述結(jié)構(gòu)并不局限于斷路器，也可適用于接地開關(guān)部的屏蔽套。
實施形態(tài)4以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實施形態(tài)4作說明。圖7是本發(fā)明實施形態(tài)4的氣體絕緣開關(guān)裝置的導(dǎo)體連接部的剖視圖。
圖7中，導(dǎo)體連接部11被收納于封入有絕緣消弧性氣體的接地電位的金屬容器1內(nèi)。導(dǎo)體連接部11中，主回路導(dǎo)體10利用可動觸頭12而被電氣連接，該導(dǎo)體連接部11的可動觸頭側(cè)由電場衰減用屏蔽套13覆蓋，從而抑制在低電場值。另外，屏蔽套13，在其開口部前端附近的強電場部表面實施有電介質(zhì)包覆14，構(gòu)成金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套。這些復(fù)合絕緣屏蔽套，是在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的屏蔽套之間極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆14的結(jié)構(gòu)。
由此，實施形態(tài)4中，在將具有與主回路導(dǎo)體10連接的可動觸頭12的導(dǎo)體連接部11收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器1內(nèi)、在上述導(dǎo)體連接部11的可動觸頭12側(cè)設(shè)置了在開口部前端附近的強電場部表面實施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為復(fù)合絕緣屏蔽套，通過使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的充電部的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆14的結(jié)構(gòu)，就能進一步減小屏蔽板前端的電場值，由此使屏蔽套直徑15及壓力容器直徑16進一步減小，進一步實現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化，可期望大幅度地降低成本。
實施形態(tài)5圖8是表示本發(fā)明實施形態(tài)5的氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部的剖視圖，是分別由第1及第2絕緣支承筒24、25包圍使用了本發(fā)明的復(fù)合絕緣屏蔽套的斷路器部2和接地開關(guān)部7而將其支承于接地金屬容器1內(nèi)而成的。
即，在將可動側(cè)電極部及固定側(cè)電極部由第1及第2絕緣支承筒24、25支承的斷路器部2及接地開關(guān)部7收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器1內(nèi)、為了在各絕緣支承筒24、25內(nèi)覆蓋各可動側(cè)電極部而在其開口部前端附近的強電場部表面設(shè)置有實施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為復(fù)合絕緣屏蔽套，通過使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的固定側(cè)電極部的電場衰減用屏蔽套的極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆的結(jié)構(gòu)，從而可將由絕緣支承筒24、25一體構(gòu)成的斷路器部2及接地開關(guān)部7進一步小型化，同時，可實現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化。
上述實施形態(tài)1～5中說明的電介質(zhì)包覆例如也可為環(huán)氧樹脂，與上述金屬制的屏蔽套一體注塑而成。
另外，上述絕緣氣體，也可是單體的SF6、干燥空氣、N2、CO2、O2、C-C4F8，也可是上述2種或2種以上的混合氣體。
另外，實施形態(tài)1～5中說明的斷路器部2、接地開關(guān)部7及導(dǎo)體連接部11，也可是在接地金屬容器1內(nèi)僅由1相的設(shè)備構(gòu)成的單相結(jié)構(gòu)，或在接地金屬容器1內(nèi)由三相的設(shè)備構(gòu)成的三相整體結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明，在將斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)、為了覆蓋斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的電極部而在開口部前端附近的強電場部表面設(shè)置有實施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套的氣體絕緣開關(guān)裝置中，作為斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的至少1個復(fù)合絕緣屏蔽套，使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的電場衰減用屏蔽套或充電部的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆的結(jié)構(gòu)，從而能有效地減小斷路器、接地開關(guān)部、導(dǎo)體連接部的極間附近的電場值，可實現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化、以及小型化帶來的經(jīng)濟性提高。
權(quán)利要求
1.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了覆蓋所述斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的電極部，在開口部前端附近的強電場部表面設(shè)置實施有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述斷路器部、接地開關(guān)部及導(dǎo)體連接部的至少1個復(fù)合絕緣屏蔽套，形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的電場衰減用屏蔽套或充電部的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度。
2.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將具有可動側(cè)電極部和固定側(cè)電極部的斷路器部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了覆蓋所述可動側(cè)電極部，在開口部前端附近的強電場部表面設(shè)有實施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述復(fù)合絕緣屏蔽套，形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有所述固定側(cè)電極部的電場衰減用屏蔽套的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度。
3.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將具有可動側(cè)電極部和固定側(cè)電極部的接地開關(guān)部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了覆蓋所述可動側(cè)電極部，在開口部前端附近的強電場部表面設(shè)有實施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述復(fù)合絕緣屏蔽套，形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有所述固定側(cè)電極部的電場衰減用屏蔽套的極間尺寸的大致30％以內(nèi)的厚度。
4.如權(quán)利要求2或3所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于，所述固定側(cè)電極部的電場衰減用屏蔽套，是形成有電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有所述可動側(cè)電極部的電場衰減用屏蔽套的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度。
5.如權(quán)利要求2或3所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于，所述固定側(cè)電極部的電場衰減用屏蔽套的開口部前端附近的強電場部表面由金屬表面或1mm以下厚度的電介質(zhì)包覆構(gòu)成。
6.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將具有與主回路導(dǎo)體連接的可動觸頭的導(dǎo)體連接部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，在所述導(dǎo)體連接部的可動觸頭側(cè)設(shè)置有在開口部前端附近的強電場部表面實施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述復(fù)合絕緣屏蔽套，形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的充電部的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度。
7.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，將可動側(cè)電極部及固定側(cè)電極部由第1絕緣支承筒支承的斷路器部、及可動側(cè)電極部及固定側(cè)電極部由第2絕緣支承筒支承的接地開關(guān)部收納于封入有絕緣氣體的接地金屬容器內(nèi)，為了在所述各絕緣支承筒內(nèi)覆蓋所述各可動側(cè)電極部，在其開口部前端附近的強電場部表面設(shè)置有實施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套，其特征在于，所述復(fù)合絕緣屏蔽套形成有電介質(zhì)包覆，該電介質(zhì)包覆具有在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的固定側(cè)電極部的電場衰減用屏蔽套的極間尺寸大約30％以內(nèi)的厚度。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于，所述電介質(zhì)包覆由環(huán)氧樹脂、與所述電場衰減用屏蔽套一體注塑而成。
9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于，所述絕緣氣體是單體的SF6、干燥空氣、N2、CO2、O2、C-C4F8或所述氣體的2種或2種以上的混合氣體。
全文摘要
一種氣體絕緣開關(guān)裝置，為覆蓋斷路器部(2)的可動側(cè)電極部(2a)及固定側(cè)電極部(2b)，在開口部前端附近的強電場部表面設(shè)置實施了電介質(zhì)包覆的金屬、電介質(zhì)一體的復(fù)合絕緣屏蔽套(17a、17b)，作為這些復(fù)合絕緣屏蔽套(17a、17b)，通過使用在電介質(zhì)包覆前的不均勻率小于0.6的金屬屏蔽套上形成具有相對的極間尺寸大致30％以內(nèi)的厚度的電介質(zhì)包覆(18a、18b)，可減小屏蔽套前端部的電場值，且通過減小屏蔽套直徑(15)及極間尺寸(18)，實現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化。通過使應(yīng)用于氣體絕緣開關(guān)裝置的斷路器部、接地開關(guān)部、或?qū)w連接部小型化，可實現(xiàn)氣體絕緣開關(guān)裝置整體的小型化，帶來的經(jīng)濟性的提高。
文檔編號H01H33/24GK1503417SQ0315936
公開日2004年6月9日 申請日期2003年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月19日
發(fā)明者青木寬英, 羽馬洋之, 大冢卓彌, 大住光一, 清水芳則, 井波潔, 一, 之, 則, 彌 申請人:Tmt&D株式會社