專利名稱：集成電路電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及集成電路電容器，更特別地，涉及金屬-絕緣體-金屬(MIM)集成電路電容器。
背景技術(shù)：
由于集成電路電容器用于各種各樣的集成電路器件中，所以就需要具有相對高的速度和/或相對大的電容量的集成電路電容器。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，集成電路電容器包括在集成電路襯底上的第一(下)和第二(上)電極、以及它們之間的電容電介質(zhì)。通常，通過減少電容器電極的電阻可降低頻率的依賴性以便獲得具有高速度的電容器。此外，可減少電容器電極之間的介電層的厚度、使用高介電材料作為介電層和/或增加電極的面積以便獲得相對大的電容量的電容器。
用在集成電路器件中的電容器可分為具有金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的電容器、具有pn結(jié)結(jié)構(gòu)的電容器、具有多晶硅-絕緣體-多晶硅(PIP)結(jié)構(gòu)的電容器以及具有金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)的電容器。在除了MIM結(jié)構(gòu)外的上述所有結(jié)構(gòu)的電容器中單晶硅或多晶硅可用作至少一個(gè)電極材料。然而，由于單晶硅或多晶硅的物理特性，對于減少電容器電極的電阻存在局限性。因此，可提供具有低電阻的金屬電容器電極的MIM電容器就可以應(yīng)用于期望高速度電容器。
圖1A示出常規(guī)MIM電容器。圖1B示出圖1A的MIM電容器的等效電路圖。
參考圖1A，MIM電容器10包括下金屬層11、介電層12和上金屬層13。介電層12布置在下金屬層11與上金屬層13之間。通常，上金屬層13可連接到用于提供具有預(yù)定電平的電壓V的電源端子，而下金屬層11可接地(連接到接地端子)。如圖1B所示，MIM電容器10具有預(yù)定的電容量C。理想地，電容量C將是與電壓V的變化無關(guān)的恒定值。
圖2示出說明圖1A的MIM電容器的電壓-電容量特性的示意圖。如圖2所示，實(shí)際上，常規(guī)MIM電容器10的電容量C可隨著電壓V的變化而變化。這種變化可分為兩種情況一種情況(21)是電容量C隨著電壓V的增加而增加，而一種情況(22)是電容量C隨著電壓V的增加而減少。
電容量C隨著電壓V的增加是增加或是減少可依賴于用于形成介電層12的材料。例如，當(dāng)MIM電容器10的介電層12是由氮化硅(SixNy)制成時(shí)，電容量C隨著電壓V的增加而減少。無論如何，這種電容量作為電壓函數(shù)的實(shí)質(zhì)性變化可以對其中使用MIM電容器的集成電路器件的性能能產(chǎn)生負(fù)面影響。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的金屬-絕緣體-金屬集成電路電容器包括在集成電路襯底上反并聯(lián)電連接的一對金屬-絕緣體-金屬電容器。在某些實(shí)施例中，成對的金屬-絕緣體-金屬電容器包括集成電路襯底上的第一金屬層的第一和第二部分、絕緣層的第一和第二部分以及第二金屬層的第一和第二部分，其中絕緣層的各個(gè)部分分別在第一金屬層的第一和第二部分的各個(gè)部分上，背對集成電路襯底，第二金屬層的各個(gè)部分分別在絕緣層的第一和第二部分的各個(gè)部分上，背對第一金屬層的第一和第二部分。第一金屬層的第一部分電連接到第二金屬層的第二部分，第一金屬層的第二部分電連接到第二金屬層的第一部分。在其它實(shí)施例中，成對的金屬-絕緣體-金屬電容器具有比該些金屬-絕緣體-金屬電容器中的任何一個(gè)都要小的電容量作為電壓函數(shù)的變化。
根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，金屬-絕緣體-金屬電容器包括第一電容器，其中第一下金屬層、第一介電層和第一上金屬層依次堆疊在集成電路襯底上。金屬-絕緣體-金屬電容器還包括第二電容器，其中第二下金屬層、第二介電層和第二上金屬層依次堆疊在集成電路襯底上。第二下金屬層電連接到第一上金屬層，第二上金屬層電連接到第一下金屬層。
在某些實(shí)施例中，第一電容器的第一上金屬層和第二電容器的第二下金屬層連接到電源端子，第一電容器的第一下金屬層和第二電容器的第二上金屬層連接到接地端子。在某些實(shí)施例中，第一介電層包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。在其它實(shí)施例中，第二介電層包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。
根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例的金屬-絕緣體-金屬集成電路電容器結(jié)構(gòu)包括集成電路襯底上的第一介電層以及第一介電層中的第一金屬層的第一和第二隔離開的部分。第二介電層設(shè)置在第一介電層上。電容器介電層的第一和第二隔離開的部分設(shè)置在第二介電層中，其中的各個(gè)部分分別在第一金屬層的第一和第二隔離開的部分的各個(gè)部分上。同樣設(shè)置第二介電層的第一和第二隔離開的部分，其中的各個(gè)部分分別在電容器介電層的第一和第二隔離開的部分的各個(gè)部分上。在某些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電接觸穿過第二介電層將第一金屬層的第一部分電連接到第二金屬層的第二部分。在其它實(shí)施例中，第二導(dǎo)電接觸穿過第二介電層將第一金屬層的第二部分電連接到第二金屬層的第一部分。在又一些實(shí)施例中，第三導(dǎo)電接觸穿過第一和第二介電層將第二金屬層的第二部分電連接到集成電路襯底上。在再一些實(shí)施例中，第四導(dǎo)電接觸將第一金屬層的第二部分電連接到集成電路襯底上。
根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，集成電路器件包括集成電路襯底、集成電路襯底上的第一層間介電(ILD)層以及第一ILD層表面處的第一級上的第一下金屬層和第二下金屬層，第一下金屬層和第二下金屬層通過第二ILD層彼此互相隔離。第一介電層在第一下金屬層上，第二介電層在第二下金屬層上。第三介電層使第一介電層和第二介電層彼此相隔離。同樣設(shè)置第一上金屬層和第二上金屬層，其中的各個(gè)層分別在第一介電層和第二介電層的各個(gè)層上，并且在第一介電層和第二介電層的表面上的第二級上彼此隔離開。
在某些實(shí)施例中，第一介電層包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。在其它實(shí)施例中，第二介電層包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。
在某些實(shí)施例中，集成電路器件還包括穿過第一ILD層、第二ILD層和第三ILD層并將集成電路襯底的有源區(qū)連接到第二上金屬層的第一導(dǎo)電接觸。在另一些實(shí)施例中，集成電路器件還包括穿過第一ILD層并將集成電路襯底的有源區(qū)連接到第二下金屬層的第二導(dǎo)電接觸。在又一些實(shí)施例中，集成電路器件還包括穿過第三ILD層并將第二上金屬層連接到第一下金屬層的第三導(dǎo)電接觸。在再一些實(shí)施例中，集成電路器件還包括穿過第三ILD層并將第一上金屬層連接到第二下金屬層的第四導(dǎo)電接觸。


圖1A示出常規(guī)金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器；圖1B示出圖1A的MIM電容器的等效電路圖；圖2示出說明圖1A的MIM電容器的電壓-電容特性的曲線圖；圖3A示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器；圖3B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3A的MIM電容器的等效電路圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3A的MIM電容器的布線圖；圖5A示出沿根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖4的線A-A′截取的集成電路器件的截面圖；圖5B示出沿根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖4的線B-B′截取的集成電路器件的截面圖；以及圖6示出說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3A的MIM電容器的電壓-電容特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下文將參考其中示出了本發(fā)明實(shí)施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以用許多不同的形式實(shí)施，并不應(yīng)當(dāng)局限于這里展示的實(shí)施例。當(dāng)然，提供這些實(shí)施例以便使本公開徹底和完整，并且將發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見可以放大層和區(qū)域的厚度。此外，這里描述和舉例說明的每一個(gè)實(shí)施例也包括其互補(bǔ)導(dǎo)電類型的實(shí)施例。相同附圖標(biāo)記始終指示相同的元件。
應(yīng)理解，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或襯底被稱為在另一個(gè)元件“上(on)”時(shí)，它可以直接在其它元件上或也可以存在插入的元件?？梢岳斫馊绻囊徊糠?，例如導(dǎo)線的表面被稱為“外部(outer)”時(shí)，是指比元件的其它部分更靠近集成電路的外側(cè)。此外，相關(guān)術(shù)語例如“在下方(beneath)”此處可用于描述圖中所示的一個(gè)層或區(qū)域相對于襯底或底層的其它層或區(qū)域的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解這些術(shù)語是用來包含器件的除附圖中描述的取向外的不同取向。最后，術(shù)語“直接(directly)”意味著沒有插入的元件。
圖3A示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器，而圖3B示出圖3A的MIM電容器的等效電路圖。
參考圖3A和3B，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器包括反并聯(lián)(antiparallel)電連接的第一電容器310和第二電容器320。第一電容器310包括第一下金屬層311、第一介電層312和第一上金屬層313。第一介電層312布置在第一下金屬層311與第一上金屬層313之間。第二電容器320包括第二下金屬層321、第二介電層322和第二上金屬層323。第二介電層322布置在第二下金屬層321與第二上金屬層323之間。如下所示，第一和第二下金屬層在諸如半導(dǎo)體襯底的集成電路襯底上。
在某些實(shí)施例中，第一下金屬層311、第一上金屬層313、第二下金屬層321和第二上金屬層323由具有低電阻的金屬層組成。第一介電層312可包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。類似地，第二介電層322可包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。
第一電容器310和第二電容器320彼此反并聯(lián)電連接。因此，在某些實(shí)施例中，第一電容器310的第一下金屬層311電連接到第二電容器320的第二上金屬層323。第一電容器310的第一上金屬層313電連接到第二電容器320的第二下金屬層321。在某些實(shí)施例中，通過連接第一電容器310的第一上金屬層313和第二電容器320的第二下金屬層321到電壓端子，將電壓V施加到這些層上。在某些實(shí)施例中，通過連接第一電容器310的第一下金屬層311和第二電容器320的第二上金屬層323到接地端子而使這些層接地。
這樣，其中第一電容器310和第二電容器320彼此反并聯(lián)連接的MIM電容器的總電容量CT是第一電容器310的第一電容量C1和第二電容器320的第二電容量C2的和。第一電容器310的第一電容量C1隨著電壓V的增加而變化。類似地，第二電容器320的電容量C2也隨著電壓V的增加而變化。
圖6示出說明圖3A的MIM電容器的電壓-電容特性的曲線圖。如圖6所示，反并聯(lián)電連接的成對的MIM電容器具有比該些MIM電容器中任何一個(gè)單獨(dú)的都要小的電容量作為電壓函數(shù)的變化。
參考附圖6，更具體地說，隨著電壓V增加，第一電容器310的第一電容量C1和第二電容器320的第二電容量C2相反地變化。在某些實(shí)施例中，隨著電壓V的增加，第一電容器310的第一電容量C1逐漸減少，而第二電容器320的第二電容量C2逐漸增加。這是因?yàn)榉謩e施加到第一電容器310和第二電容器320的電壓V的方向是相反的。也就是說，對于第一電容器310，電壓V施加到第一上金屬層313上，而對于第二電容器320，電壓V施加到第二下金屬層321上。類似地，對于第一電容器310，第一下金屬層311接地，而對于第二電容器320，第二上金屬層323接地。
這樣，隨著電壓V變化，第一電容器310的第一電容量C1和第二電容器320的第一電容量C2反向地變化，并且變化函數(shù)也是同樣的。如圖3B所示，并如前面所描述地，第一電容器310和第二電容器320彼此反并聯(lián)連接，于是，總電容量CT是第一電容量C1和第二電容量C2的和。從而，第一電容量C1的減少和第二電容量C2的增加至少部分彼此補(bǔ)償。這樣，即使電壓V增加，總電容量CT保持在相對穩(wěn)定的水平或作為電壓的函數(shù)緩慢變化。更具體地說，反并聯(lián)電連接的成對的金屬-絕緣體-金屬電容器具有比該些MIM電容器中任何一個(gè)單獨(dú)的都要小的電容量作為電壓函數(shù)的變化。
再參考附圖3A，可以理解，第一下金屬層311和第二下金屬層321可以由集成電路襯底上的第一金屬層的第一和第二隔離開的部分構(gòu)成。此外，第一介電層312和第二介電層322可以由絕緣層的第一和第二部分構(gòu)成，其中的各個(gè)部分分別在第一金屬層的第一和第二部分的各個(gè)部分上，背對集成電路襯底。最后，第一上金屬層313和第二上金屬層323可以由第二金屬層的第一和第二部分構(gòu)成，其中的各個(gè)部分分別在絕緣層的第一和第二部分的各個(gè)部分上，背對第一金屬層的第一和第二部分。
圖4示出當(dāng)根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的MIM電容器用于集成電路時(shí)的電極引線的布線圖。圖5A和5B分別示出沿根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的圖4的線A-A′和線B-B′截取的集成電路的截面圖。
參考圖4，首先布置第一電容器310的第一下金屬層311，并在第一下金屬層311的上方布置第一上金屬層313。盡管沒有在圖4中示出，第一介電層布置在第一下金屬層311與第一上金屬層313之間。與第一電容器310的結(jié)構(gòu)類似，首先布置第二電容器320的第二下金屬層321，并在第二下金屬層321的上方布置第二上金屬層323。盡管沒有顯示，第二介電層布置在第二下金屬層321與第二上金屬層323之間。
在圖4布線圖的上部中，第一上金屬層313突出第一下金屬層311之外，并且類似地，第二下金屬層321突出第二上金屬層323之外。第一上金屬層313的突出部分和第二下金屬層321的突出部分彼此交疊并通過接觸區(qū)524′彼此接觸。在圖4布圖的下部中，第一下金屬層311突出第一上金屬層313之外，并且類似地，第二上金屬層323突出第二下金屬層321之外。第一下金屬層311的突出部分和第二上金屬層323的突出部分彼此交疊并通過接觸區(qū)523′彼此接觸。
第二電容器320的第二下金屬層321和第二上金屬層323包括不同區(qū)域中的突出部分。接觸區(qū)521′存在于第二上金屬層323的突出部分中，并且例如在接觸區(qū)521′中，第二上金屬層323接觸襯底。類似地，接觸區(qū)522′也存在于第二下金屬層321的突出部分中，并且例如在接觸區(qū)522′中，第二下金屬層321接觸襯底。
將參考圖5A和5B更詳細(xì)地描述上述的接觸結(jié)構(gòu)。第一層間介電(ILD)層511形成在諸如半導(dǎo)體襯底500的集成電路襯底上。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知的，在半導(dǎo)體襯底500中可包括雜質(zhì)區(qū)，半導(dǎo)體襯底500與第一ILD層511之間可插入不同的層或區(qū)域。隔離開的金屬層圖形形成在第一級L1上，其設(shè)置在第一ILD層511的表面上。隔離開的金屬層圖形分別地形成第一下金屬層311和第二下金屬層321。第二ILD層512布置在第一下金屬層311與第二下金屬層321之間，因此，第一下金屬層311和第二下金屬層321彼此電絕緣。
隔離開的介電層圖形形成在第一下金屬層311、第二下金屬層321和第二ILD層512上。隔離開的介電層圖形分別形成第一介電層312和第二介電層322。在某些實(shí)施例中，不同于第一介電層312和第二介電層322的第三ILD層513布置在第一介電層312與第二介電層322之間。這樣，第一介電層312和第二介電層322彼此電絕緣。第一介電層312可包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。類似地，第二介電層322可包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。
隔離開的金屬層圖形同樣形成在第二級L2上，其設(shè)置在第一介電層312、第二介電層322和第三ILD層513的表面上。隔離開的金屬層圖形分別地形成第一上金屬層313和第二上金屬層323上。第一上金屬層313和第二上金屬層323彼此電絕緣。
第二上金屬層323通過穿過第一ILD層511、第二ILD層512和第三ILD層513的第一導(dǎo)電接觸521接觸半導(dǎo)體襯底500，例如其有源區(qū)。第二下金屬層321通過穿過第一ILD層511的第二導(dǎo)電接觸522接觸半導(dǎo)體襯底500，例如其有源區(qū)。第二上金屬層323和第一下金屬層311通過穿過第三ILD層513的第三導(dǎo)電接觸523彼此連接。此外，第一上金屬層313和第二下金屬層312通過穿過第三ILD層513的第四導(dǎo)電接觸524彼此連接。
因此，圖4、5A和5B同樣描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中第一介電層512設(shè)置在集成電路襯底上，并且第一金屬層的第一和第二隔離開的部分311和321設(shè)置在第一介電層512中。第二介電層513設(shè)置在第一介電層512上。電容器介電層的第一和第二隔離開的部分312和322設(shè)置在第二介電層513中，其中的各個(gè)部分分別在第一金屬層的第一和第二隔離開的部分311和321的各個(gè)部分上。同樣設(shè)置第二金屬層的第一和第二隔離開的部分313和323，其中的各個(gè)部分分別在電容器介電層的第一和第二隔離開的部分312、322的各個(gè)部分上。第一導(dǎo)電接觸523穿過第二介電層513將第一金屬層的第一部分311電連接到第二金屬層的第二部分323上。第二導(dǎo)電接觸524穿過第二介電層513將第一金屬層的第二部分321電連接到第二金屬層第一部分313上。第三導(dǎo)電接觸穿過第一和第二介電層512和513將第二金屬層的第二部分323電連接到集成電路襯底500上。第四導(dǎo)電接觸522將第一金屬層的第二部分321電連接到集成電路襯底500上。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的MIM電容器中，第一電容器的下電極和上電極分別連接到第二電容器的上電極和下電極上。因此，由施加到電容器兩端的電壓的變化引起地電容量的變化至少部分地通過第一電容器和第二電容器補(bǔ)償，并且能獲得作為電壓函數(shù)的更加恒定的電容量。此外，即使包括MIM電容器的半導(dǎo)體器件用于精確的應(yīng)用中，也可以有由電壓的變化引起的很小的電容量變化或沒有變化，這可以提高集成電路的穩(wěn)定性。
在附圖和說明書中，盡管使用特定的術(shù)語公開了本發(fā)明的實(shí)施例，但它們僅用于一般的或描述的意思而不是以限定為目的，本發(fā)明的范圍闡明于所附的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種金屬-絕緣體-金屬集成電路電容器，包括第一電容器，其中第一下金屬層、第一介電層和第一上金屬層依次堆疊在集成電路襯底上；以及第二電容器，其中第二下金屬層、第二介電層和第二上金屬層依次堆疊在集成電路襯底上，第二下金屬層電連接到第一上金屬層，而第二上金屬層電連接到第一下金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電容器，其中第一電容器的第一上金屬層和第二電容器的第二下金屬層連接到電源端子上，而第一電容器的第一下金屬層和第二電容器的第二上金屬層連接到接地端子上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的電容器，其中第一介電層包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的電容器，其中第二介電層包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。
5.一種金屬-絕緣體-金屬集成電路電容器，包括集成電路襯底上反并聯(lián)電連接的一對金屬-絕緣體-金屬電容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的電容器，其中該對金屬-絕緣體-金屬電容器包括集成電路襯底上的第一金屬層的第一和第二部分；絕緣層的第一和第二部分，其中的各個(gè)部分分別在第一金屬層的第一和第二部分的各個(gè)部分上，背對集成電路襯底；以及第二金屬層的第一和第二部分，其中的各個(gè)部分分別在絕緣層的第一和第二部分的各個(gè)部分上，背對第一金屬層的第一和第二部分，其中第一金屬層的第一部分電連接到第二金屬層的第二部分，并且其中第一金屬層的第二部分電連接到第二金屬層的第一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的電容器，其中反并聯(lián)電連接的該對金屬-絕緣體-金屬電容器具有比該些金屬-絕緣體電容器中的任何一個(gè)都要小的電容量作為電壓函數(shù)的變化。
8.一種金屬-絕緣體-金屬集成電路電容器，包括一對金屬-絕緣體-金屬電容器，在集成電路襯底上彼此電連接，使得該對電容器具有比該些金屬-絕緣體電容器中的任何一個(gè)都要小的電容量作為電壓函數(shù)的變化。
9.一種集成電路器件，包括集成電路襯底；集成電路襯底上的第一層間介電(ILD)層；第一ILD層表面上的第一級上的第一下金屬層和第二下金屬層，并且第一下金屬層和第二下金屬層通過第二ILD層彼此隔離開；第一下金屬層上的第一介電層；第二下金屬層上的第二介電層；使第一介電層和第二介電層彼此隔離開的第三介電層；以及第一上金屬層和第二上金屬層，其中的各個(gè)層分別在第一介電層和第二介電層的各個(gè)層上，并且在第一介電層和第二介電層的表面上的第二級上彼此隔離開。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的集成電路器件，其中第一介電層包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的集成電路器件，其中第二介電層包括SiO2層、SixNy層、SixOyFz層、SixOyNz層和/或SixOyHz層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的集成電路器件，還包括穿過第一ILD層、第二ILD層和第三ILD層并且將集成電路襯底的有源區(qū)連接到第二上金屬層的第一導(dǎo)電接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的集成電路器件，還包括穿過第一ILD層并且將集成電路襯底的有源區(qū)連接到第二金屬層的第二導(dǎo)電接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求9的集成電路器件，還包括穿過第三ILD層并且將第二上金屬層連接到第一下金屬層的第三導(dǎo)電接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求9的集成電路器件，還包括穿過第三ILD層并且將第一上金屬層連接到第二下金屬層的第四導(dǎo)電接觸。
16.一種金屬-絕緣體-金屬集成電路電容器結(jié)構(gòu)，包括集成電路襯底上的第一介電層；第一介電層中的第一金屬層的第一和第二隔離開的部分；第一介電層上的第二介電層；第二介電層中的電容器介電層的第一和第二隔離開的部分，其中的各個(gè)部分分別在第一金屬層的第一和第二隔離開的部分的各個(gè)部分上；以及第二金屬層的第一和第二隔離開的部分，其中的各個(gè)部分分別在電容器介電層的第一和第二隔離開的部分的各個(gè)部分上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的電容器，還包括穿過第二介電層將第一金屬層的第一部分電連接到第二金屬層的第二部分的第一導(dǎo)電接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的電容器，還包括穿過第二介電層將第一金屬層的第二部分電連接到第二金屬層的第一部分的第二導(dǎo)電接觸。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的電容器，還包括穿過第一和第二介電層將第二金屬層的第二部分電連接到集成電路襯底的第三導(dǎo)電接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的電容器，還包括將第一金屬層的第二部分電連接到集成電路襯底上的第四導(dǎo)電接觸。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種反并聯(lián)連接的成對的電容器形成的集成電路金屬－絕緣體－金屬電容器。該金屬－絕緣體－金屬集成電路電容器包括集成電路襯底上反并聯(lián)電連接的成對的金屬－絕緣體－金屬電容器。反并聯(lián)電連接的成對的金屬－絕緣體－金屬電容器具有比該些金屬－絕緣體－金屬電容器中的任一個(gè)都小的電容量作為電壓函數(shù)的變化。
文檔編號H01L27/00GK1489213SQ0315973
公開日2004年4月14日 申請日期2003年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月19日
發(fā)明者李受哲, 張東烈 申請人:三星電子株式會(huì)社