專利名稱：電路裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路裝置的制造方法，特別是涉及使用了介由在蝕刻工序中形成阻擋層的第三導(dǎo)電膜層積的兩張導(dǎo)電膜的薄型電路裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，IC組件在移動設(shè)備或小型高密度安裝設(shè)備的采用正在發(fā)展，以往的IC組件及其安裝概念正在發(fā)生很大的變化。例如特開2000-133678號公報所公開的。其是有關(guān)作為絕緣樹脂板的一例采用撓性板即聚酰亞胺樹脂板的半導(dǎo)體裝置的技術(shù)。
圖15～圖17是將撓性板50用作插入式選擇(インタ一ポ一ザ)襯底的圖。另外，各圖中上面的圖為平面圖，下面的圖為A-A線剖面圖。
首先，在圖15所示的撓性板50之上面通過粘接劑粘合銅箔圖案51備用。該銅箔圖案51根據(jù)安裝的半導(dǎo)體元件為晶體管、IC其圖案不同，但是，通常形成有焊盤51A和島51B。符號52是用于將電極自撓性板50的背面取出的開口部，所述銅箔圖案51露出。
然后，該撓性板50被輸送到裝片機，如圖16所示，安裝半導(dǎo)體元件53。之后，該撓性板50被搬運到引線接合器，用金屬配線54電連接焊盤51A和半導(dǎo)體元件53的焊盤。
最后，如圖17(A)所示，在撓性板50的表面上設(shè)置密封樹脂55進行密封。在此，進行傳遞模模裝，覆蓋焊盤51A、島51B、半導(dǎo)體元件53和金屬配線54。
之后，如圖17(B)所示，設(shè)置焊錫或焊球等連接裝置56，使其通過焊錫反射爐，經(jīng)開口部52形成和焊盤51A熔接的球狀焊錫56。而且，由于在撓性板50上半導(dǎo)體元件53矩陣狀形成，故經(jīng)如圖16所示進行切割，而被一個個分離。
圖17(C)所示的剖面圖是在撓性板50的兩面形成有作為電極的51A和51D的圖。該撓性板50通常兩面制圖由廠家提供。
專利文獻1美國專利第5976912號說明書(第23欄第4行～第24欄第9行，圖22a～圖22g)。

發(fā)明內(nèi)容
由于使用上述撓性板50的半導(dǎo)體裝置不使用公知的金屬框，故具有可實現(xiàn)極小型且薄型的封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，但實質(zhì)上僅由設(shè)在撓性板50表面的一層銅箔圖案51進行配線。這由于撓性板很柔軟，故在導(dǎo)電膜的圖案形成前后會產(chǎn)生變形，層積的層間位置偏移大，存在不適于多層配線結(jié)構(gòu)的問題。
為了抑制板的變形，要提高支承強度，為此，需要使撓性板足夠厚，約為200μm，這有違薄型化。
另外，在制造方法中，在所述制造裝置例如裝片機、引線接合器、傳遞模裝置及反射爐中，撓性板50要被搬運安裝在稱作工作臺或桌子的部分。
但是，當(dāng)減薄作為撓性板50的基座的絕緣樹脂的厚度使其為50μm左右時，形成在表面上的銅箔圖案51的厚度也很薄為9～35μm，此時，如圖18所示，會因撓曲等而使搬運性非常不好，或向所述工作臺或桌子的安裝性能很差。這可以考慮因絕緣樹脂自身非常薄而導(dǎo)致的撓曲和銅箔圖案51與絕緣樹脂的熱膨脹系數(shù)之差引起的撓曲。
開口部52的部分在模裝時要自上方加壓，故會作用使焊盤51A的周邊向上撓曲的力，使焊盤51A的粘接性能惡化。
若構(gòu)成撓性板50的樹脂材料自身無撓性或為了提高導(dǎo)熱型而混入填充物，則變硬。在該狀態(tài)下，有時在由引線接合器進行接合時會在接合部產(chǎn)生裂紋。在傳遞模模裝時，有時在模型接觸的部分也會產(chǎn)生裂紋。如圖18所示在存在撓曲時，這一點會更明顯。
如上說明的撓性板50都是背面未形成電極的撓性板，但是如圖17(C)所示，有時在撓性板50的背面也形成電極51D。此時，電極51D會與所述制造裝置接觸，或與該制造裝置間的搬運裝置的搬運面接觸，故會損傷電極51D的背面。由于在帶有該損傷的狀態(tài)下直接構(gòu)成電極，故存在因之后的加熱等而在電極51D自身產(chǎn)生裂紋的問題或在向母板進行焊接時使焊劑浸潤性降低的問題。
在進行傳遞模模裝時，也會產(chǎn)生撓性板50及銅箔圖案51與絕緣樹脂的粘接性能變?nèi)?，不能實現(xiàn)充分密封結(jié)構(gòu)的問題。
本發(fā)明的發(fā)明者為了解決上述問題，提出了使用層積板的提案，該層積板是介由第三導(dǎo)電膜使薄的第一導(dǎo)電膜和厚的第二導(dǎo)電膜層積的層積板。
本發(fā)明的第一方面提供一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序準(zhǔn)備介由第三導(dǎo)電膜層積第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜形成的層積板；通過將所述第一導(dǎo)電膜蝕刻為所希望的圖案，形成導(dǎo)電圖案層；將所述導(dǎo)電圖案層用作掩模除去所述第三導(dǎo)電膜，形成所述第三導(dǎo)電膜比所述導(dǎo)電圖案層凹入內(nèi)側(cè)的錨固部；將半導(dǎo)體元件固定在所述導(dǎo)電圖案層上；將所述半導(dǎo)體元件的電極和規(guī)定的所述導(dǎo)電圖案層電連接；用密封樹脂層覆蓋所述半導(dǎo)體元件，將所述密封樹脂層填充在所述錨固部；除去所述第二導(dǎo)電膜，使所述密封樹脂層及所述第三導(dǎo)電膜在背面露出。尤其是在以所述導(dǎo)電圖案層為掩模除去第三導(dǎo)電膜形成錨固部并使其具有密封樹脂層的錨固效果這一點上具有特征。
本發(fā)明第二方面的特征在于，蝕刻所述第一導(dǎo)電膜時，將所述第三導(dǎo)電膜用作蝕刻的阻擋層。
本發(fā)明第三方面的特征在于，作為進行所述蝕刻的溶液使用包含氯化銅或氯化鐵的溶液。
本發(fā)明第四方面的特征在于，以所述導(dǎo)電圖案層為掩模，超量蝕刻所述第三導(dǎo)電膜形成所述錨固部。
本發(fā)明第五方面的特征在于，所述蝕刻溶液是碘系溶液。
本發(fā)明第六方面的特征在于，以所述導(dǎo)電圖案層為掩模，電解剝離所述第三導(dǎo)電膜，并超量剝離形成所述錨固部。
本發(fā)明第七方面的特征在于，整面蝕刻所述第二導(dǎo)電膜，使剩余的所述第三導(dǎo)電膜及所述錨固部的所述密封樹脂層露出。
本發(fā)明第八方面的特征在于，將焊劑附著在剩余的所述第三導(dǎo)電膜上，在背面形成球狀的外部電極。
本發(fā)明第九方面提供一種電路裝置的制造方法，其特征在于，準(zhǔn)備介由第三導(dǎo)電膜層積第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜形成的層積板；在所述第一導(dǎo)電膜上選擇性形成由第四導(dǎo)電膜構(gòu)成的焊盤；通過將所述第一導(dǎo)電膜蝕刻為所希望的圖案，形成導(dǎo)電圖案層；將所述導(dǎo)電圖案層用作掩模除去所述第三導(dǎo)電膜，形成所述第三導(dǎo)電膜比所述導(dǎo)電圖案層凹入內(nèi)側(cè)的錨固部；將半導(dǎo)體元件固定在所述導(dǎo)電圖案層上；將所述半導(dǎo)體元件的電極和規(guī)定的所述導(dǎo)電圖案層的所述焊盤電連接；用密封樹脂層覆蓋所述半導(dǎo)體元件，將所述密封樹脂層填充在所述錨固部；除去所述第二導(dǎo)電膜，使所述密封樹脂層及所述第三導(dǎo)電膜在背面露出。尤其是在在所述導(dǎo)電圖案層上選擇性設(shè)置焊盤和外部電極這一點上具有特征。
本發(fā)明第十方面的特征在于，蝕刻所述第一導(dǎo)電膜時，將所述第三導(dǎo)電膜用作蝕刻的阻擋層。
本發(fā)明第十一方面的特征在于，作為進行所述蝕刻的溶液使用包含氯化銅或氯化鐵的溶液。
本發(fā)明第十二方面的特征在于，以所述導(dǎo)電圖案層為掩模，超量蝕刻所述第三導(dǎo)電膜形成所述錨固部。
本發(fā)明第十三方面的特征在于，所述蝕刻溶液是碘系溶液。
本發(fā)明第十四方面的特征在于，以所述導(dǎo)電圖案層為掩模，電解剝離所述第三導(dǎo)電膜，并超量剝離形成所述錨固部。
本發(fā)明第十五方面的特征在于，整面蝕刻所述第二導(dǎo)電膜，使剩余的所述第三導(dǎo)電膜及所述錨固部的所述密封樹脂層露出。
本發(fā)明第十六方面的特征在于，將焊劑附著在剩余的所述第三導(dǎo)電膜上，在背面形成球狀外部電極。


圖1是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖2是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖3是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖4是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖5是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖6是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖7是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖8是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖9是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖10是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖11是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖12是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；
圖13是說明本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖14是說明由本發(fā)明制造的電路裝置的剖面圖；圖15是說明現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置制造方法的圖；圖16是說明現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置制造方法的圖；圖17是說明現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置制造方法的圖；圖18是說明現(xiàn)有撓性板的圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的電路裝置的制造方法包括下述工序準(zhǔn)備介由第三導(dǎo)電膜13層積第一導(dǎo)電膜11和第二導(dǎo)電膜12形成的層積板10；在所述第一導(dǎo)電膜11上選擇性形成由第四導(dǎo)電膜14構(gòu)成的焊盤14A；通過將所述第一導(dǎo)電膜11蝕刻為所希望的圖案，形成導(dǎo)電圖案層11A；將所述導(dǎo)電圖案層11A用作掩模除去所述第三導(dǎo)電膜13，形成所述第三導(dǎo)電膜13比所述導(dǎo)電圖案層11A凹入內(nèi)側(cè)的錨固部15；將半導(dǎo)體元件19固定在所述導(dǎo)電圖案層11A上，將所述半導(dǎo)體元件19的電極和規(guī)定的所述導(dǎo)電圖案層11A的所述焊盤14A電連接；用密封樹脂層22覆蓋所述半導(dǎo)體元件19，將所述密封樹脂層22填充在所述錨固部15；除去所述第二導(dǎo)電膜12，使所述密封樹脂層22及所述第三導(dǎo)電膜13在背面露出。下面說明上述各工序。
如圖1所示，本發(fā)明的第一工序是準(zhǔn)備介由第三導(dǎo)電膜13層積第一導(dǎo)電膜11和第二導(dǎo)電膜12構(gòu)成的層積板10。
層積板10的表面實質(zhì)上在整個區(qū)域形成第一導(dǎo)電膜11，介由第三導(dǎo)電膜13，在背面實質(zhì)上在整個區(qū)域形成第二導(dǎo)電膜12。第一導(dǎo)電膜11及第二導(dǎo)電膜12理想的是由以銅為主材的材料或公知的引線架材料構(gòu)成。第一導(dǎo)電膜11、第二導(dǎo)電膜12及第三導(dǎo)電膜13可由鍍敷法、蒸鍍法或濺射法形成，或粘貼由壓延法或鍍敷法形成的金屬箔。另外，作為第一導(dǎo)電膜11及第二導(dǎo)電膜12也可以是鋁、鐵、鐵鎳合金及公知的引線架材料等。
第三導(dǎo)電膜13的材料采用不被除去第一導(dǎo)電膜11及第二導(dǎo)電膜12時使用的蝕刻液蝕刻的材料。另外，由于在第三導(dǎo)電膜背面形成由焊錫等構(gòu)成的外部電極24，故也要考慮外部電極24的粘接性能。具體地說，作為第三導(dǎo)電膜13的材料可采用金、銀、鈀構(gòu)成的導(dǎo)電材料。
第一導(dǎo)電膜的厚度在形成微細的圖案時形成得很薄，其厚度為5～35μm左右，在形成通常的圖案時其厚度為35μm～100μm左右。第二導(dǎo)電圖案由于要機械支承整體，故形成得較厚，其厚度是35～150μm左右。第三導(dǎo)電膜13在蝕刻第一導(dǎo)電膜11及第二導(dǎo)電膜12時起阻擋層的作用，其厚度是2～20μm左右。
因此，通過較厚地形成第二導(dǎo)電膜12，可維持層積板10的平坦性，可提高后道工序的操作性。
另外，第二導(dǎo)電膜12由于要經(jīng)過各個工序，故會產(chǎn)生損傷。但是由于厚的第二導(dǎo)電膜12要在后道工序除去，故可防止作為成品的電路裝置產(chǎn)生損傷。由于可維持平坦性并硬化密封樹脂，故也可使封裝的背面平坦，形成于層積板10背面的外部電極也可平整地配置。因此，可使安裝襯底上的電極和層積板10背面的電極接觸，可防止焊劑缺陷。
下面說明上述層積板10的具體制造方法。層積板10可通過電鍍進行的層積或壓延接合進行制造。在由電鍍制造層積板10時，首先要準(zhǔn)備第二導(dǎo)電膜12。然后，在第二導(dǎo)電膜12的背面設(shè)置電極，利用電鍍法層積第三導(dǎo)電膜。之后，同樣利用電鍍法在第三導(dǎo)電膜上層積第一導(dǎo)電膜。在利用壓延制造層積板時，用壓輥等施加壓力接合準(zhǔn)備成板狀的第一導(dǎo)電膜11、第二導(dǎo)電膜12及第三導(dǎo)電膜13。
如圖2～圖4所示，本發(fā)明的第二工序在于，在第一導(dǎo)電膜11上選擇性形成由第四導(dǎo)電膜14構(gòu)成的焊盤14A。
在本工序中，如圖2所示，利用電鍍在第一導(dǎo)電膜11上整面形成第四導(dǎo)電膜14。作為第四導(dǎo)電膜為了和第一導(dǎo)電膜在蝕刻上具有選擇性，適用了銀鍍敷，然后形成固定接合引線的焊盤。然后，用光致抗蝕劑PR覆蓋第四導(dǎo)電膜14上的預(yù)定構(gòu)成焊盤的區(qū)域。
接著，如圖3所示，以光致抗蝕劑PR為掩模，用碘系溶液蝕刻露出的第四導(dǎo)電膜14，形成焊盤14A。此時，由于第一導(dǎo)電膜11用銅形成，故不會被碘系溶液蝕刻。
然后，如圖4所示，除去光致抗蝕劑PR，露出焊盤14A。
另外，作為焊盤14A的形成方法可以是使預(yù)定的焊盤區(qū)域露出，將剩余部分用光致抗蝕劑覆蓋，對預(yù)定的焊盤區(qū)域選擇性進行金鍍敷等形成焊盤的方法。
如圖5及圖6所示，本發(fā)明的第三工序在于，通過將所述第一導(dǎo)電膜11蝕刻為所希望的圖案，形成導(dǎo)電圖案層11A。
用所希望的圖案的光致抗蝕劑PR覆蓋在第一導(dǎo)電膜11上，利用化學(xué)蝕刻形成形成配線的導(dǎo)電圖案層11A。由于第一導(dǎo)電膜11是以銅為主材的，故蝕刻液使用氯化鐵或氯化銅即可。由于蝕刻第一導(dǎo)電膜11，第三導(dǎo)電膜13也會和蝕刻液接觸，但是由于第三導(dǎo)電膜13的材料是不會被氯化鐵或氯化銅蝕刻的材料，故蝕刻在第三導(dǎo)電膜13的表面停止。這樣，在第一導(dǎo)電膜11形成5～35μm左右的厚度時，導(dǎo)電圖案層11A可形成50μm以下的精細圖案。另外，第二導(dǎo)電膜12的背面由光致抗蝕劑PR或罩膜覆蓋，防止在進行導(dǎo)電圖案層11A的化學(xué)蝕刻時受蝕刻液影響。
本工序的特征在于，蝕刻第一導(dǎo)電膜11時由第三導(dǎo)電膜13使蝕刻停止。由此，第一導(dǎo)電膜11的蝕刻可整片進行，故具有可實現(xiàn)穩(wěn)定的蝕刻的優(yōu)點。在本工序中，被蝕刻的第一導(dǎo)電膜11主要由銅構(gòu)成，作為選擇性除去銅的蝕刻液適用氯化鐵或氯化銅。與此相對，第三導(dǎo)電膜13由不會被氯化鐵及氯化銅蝕刻的導(dǎo)電性材料形成，故蝕刻在第三導(dǎo)電膜13的表面停止。第三導(dǎo)電膜13的材料可采用金、銀及鈀。
如圖7及圖8所示，本發(fā)明的第四工序在于，將導(dǎo)電圖案層11A作為掩模使用，除去第三導(dǎo)電膜13，形成第三導(dǎo)電膜13凹入導(dǎo)電圖案層11A內(nèi)的錨固部15。
將在前工序中形成的第一導(dǎo)電膜11構(gòu)成的導(dǎo)電圖案層11A用作掩模，選擇性除去第三導(dǎo)電膜13。作為選擇性除去第三導(dǎo)電膜13的方法可采用兩種方法。第一種方法是用僅除去第三導(dǎo)電膜13的液體進行蝕刻的方法。第二種方法是利用電解剝離僅除去第三導(dǎo)電膜13的方法。
下面說明利用第一種方法的蝕刻局部除去第三導(dǎo)電膜13的方法。該方法中使用的蝕刻液使用蝕刻第三導(dǎo)電膜13且不會蝕刻導(dǎo)電圖案層11A及第二導(dǎo)電膜12的蝕刻液。例如，在導(dǎo)電圖案層11A及第二導(dǎo)電膜12主要由銅形成且第三導(dǎo)電膜13由銀膜形成的情況下，可通過使用碘系蝕刻液僅除去第三導(dǎo)電膜13。通過蝕刻第三導(dǎo)電膜13第二導(dǎo)電膜12雖然會與碘系蝕刻液接觸，但是，例如由銅構(gòu)成的第二導(dǎo)電膜12不會被碘系蝕刻液蝕刻。因此，這里的蝕刻在第二導(dǎo)電膜12的表面停止。在進行該蝕刻時，通過進行超量蝕刻，第三導(dǎo)電膜13被超量蝕刻，而自導(dǎo)電圖案層11A的周端凹入內(nèi)側(cè)，形成凹入的錨固部15。
下面說明利用第二種方法即電解剝離僅除去第三導(dǎo)電膜13的方法。首先，使包含金屬離子的溶液與第三導(dǎo)電膜13接觸。然后，在溶液側(cè)設(shè)置正電極，在層積板10設(shè)置負電極，接通直流電流。這樣，利用和利用電解法形成鍍膜相反的原理僅除去第三導(dǎo)電膜13。這里使用的溶液是用于鍍敷處理構(gòu)成第三導(dǎo)電膜13的材料時使用的溶液。因此，該方法僅剝離第三導(dǎo)電膜13。在進行該電解剝離時進行超量剝離使第三導(dǎo)電膜13剝離而自導(dǎo)電圖案層11A的周端凹入內(nèi)側(cè)，形成凹的錨固部15。
本工序的特征在于，通過該超量蝕刻或超量剝離有意地形成錨固部15。由于錨固部15以導(dǎo)電圖案層11為掩模而形成，故通過自調(diào)節(jié)效應(yīng)以均勻的凹入量形成于導(dǎo)電圖案層11A的周邊。
如圖9所示，本發(fā)明的第五工序在于，將半導(dǎo)體元件19固定在導(dǎo)電圖案層11A上，將半導(dǎo)體元件19的電極和規(guī)定的導(dǎo)電圖案層11A的焊盤14A電連接。
半導(dǎo)體元件19以裸片狀態(tài)用導(dǎo)電性或絕緣性粘接樹脂接合在導(dǎo)電圖案層11A上。半導(dǎo)體元件19的發(fā)熱自其下的導(dǎo)電圖案層11A散熱至外部。
半導(dǎo)體元件19的各電極焊盤用接合引線20與設(shè)于周邊的導(dǎo)電圖案層11A的規(guī)定部位的焊盤14A連接。半導(dǎo)體元件19也可以面朝下安裝。這種情況下，要在半導(dǎo)體元件19的各電極焊盤表面設(shè)置焊球或補片，在層積板10的表面，在與焊球位置對應(yīng)的部分設(shè)置與由導(dǎo)電圖案層11A構(gòu)成的焊盤同樣的電極。
下面說明進行引線接合時使用層積板10的優(yōu)點。通常，在進行金線的引線接合時，要加熱到200℃～300℃。此時，若第二導(dǎo)電膜12很薄，層積板10就會撓曲，當(dāng)在該狀態(tài)下，通過焊接頭對層積板10加壓時，就有可能使層積板10損傷。但是，通過較厚地形成第二導(dǎo)電膜12自身，可以解決這些問題。
如圖10所示，本發(fā)明的第六工序在于，用密封樹脂層22覆蓋半導(dǎo)體元件19，并向錨固部15填充密封樹脂層22。
層積板10被設(shè)置在模裝裝置上進行樹脂模裝。模裝方法可使用傳遞模模裝、注射模模裝、涂敷、罐封等進行。但是考慮到批量生產(chǎn)，則適用傳遞模模裝、注射模模裝。
在本工序中具有下述優(yōu)點，在用密封樹脂層22進行模裝時，要將密封樹脂層22填充到形成于第二導(dǎo)電膜12表面的第三導(dǎo)電膜13的凹部形成的錨固部15，密封樹脂層22和導(dǎo)電圖案層11A的結(jié)合因錨固效應(yīng)而更牢固。
在本工序中，層積板10必須平整地接觸模腔的下模，厚的第二導(dǎo)電膜12起該作用。而且，自模腔取出后，直至密封樹脂層22的收縮結(jié)束，也會由第二導(dǎo)電膜12維持封裝的平坦性。也就是說，本工序之前層積板10的機械支承作用由第二導(dǎo)電膜12承擔(dān)。
如圖11所示，本發(fā)明的第七工序在于，除去第二導(dǎo)電膜12使密封樹脂層22及第三導(dǎo)電膜13露出背面。
在本工序中，通過不用掩模進行蝕刻，將第二導(dǎo)電膜12整面除去。該蝕刻可以是使用氯化鐵或氯化銅的化學(xué)蝕刻，第二導(dǎo)電膜12被整面除去。這樣，通過整面除去第二導(dǎo)電膜12，使第三導(dǎo)電膜13自絕緣層15露出。如上所述，第三導(dǎo)電膜13由在蝕刻第二導(dǎo)電膜12的溶液中不被蝕刻的材料形成，故在本工序中第三導(dǎo)電膜13不被蝕刻。
本工序的特征在于，在通過蝕刻除去第二導(dǎo)電膜12時，即使不用掩模第三導(dǎo)電膜13也會作為阻擋層起作用，并使密封樹脂層22及第三導(dǎo)電膜13構(gòu)成的背面平坦地形成。第二導(dǎo)電膜12由于通過蝕刻被整面除去，故在蝕刻的最終階段，第三導(dǎo)電膜13也會接觸蝕刻液。如上所述，第三導(dǎo)電膜13由下述材料構(gòu)成，這種材料是不會被蝕刻由銅構(gòu)成的第二導(dǎo)電膜12的氯化鐵及氯化銅蝕刻的材料。因此，在第三導(dǎo)電膜13的下面蝕刻停止，故第三導(dǎo)電膜13具有作為蝕刻的阻擋層的功能。另外，在本工序之后，整體由密封樹脂層22機械支承。
如圖12～圖14所示，本發(fā)明的最終工序在于形成島柵陣列結(jié)構(gòu)(LandGrid Arrey)或焊球陣列(Ball Grid Arrey)結(jié)構(gòu)。
在島柵陣列結(jié)構(gòu)的情況下，自整面除去第二導(dǎo)電膜12的前工序起除去構(gòu)成外部電極24的部分，用外敷樹脂23覆蓋第三導(dǎo)電膜13，然后，如圖12所示，切割密封樹脂層22及外敷樹脂23，將它們分離為一個個電路裝置。
另外，在銀的遷移被視為問題的環(huán)境下使用時，在用外敷樹脂覆蓋導(dǎo)電膜13之前，最好選擇性蝕刻除去第三導(dǎo)電膜13。
在焊球陣列結(jié)構(gòu)的情況下，第三導(dǎo)電膜13使形成外部電極24的部分露出，對由溶劑溶解的環(huán)氧樹脂等進行網(wǎng)印，用外敷樹脂23覆蓋大部分。然后，如圖13所示，利用乳酪焊劑的網(wǎng)印及焊劑的回流在該露出部分形成外部電極24。接著，如圖14所示，在層積板10矩陣狀形成多個電路裝置，切割密封樹脂層22及外敷樹脂層23，將它們分離為一個個電路裝置。
在本工序中，由于可通過切割密封樹脂層22及外敷樹脂層23，分離為一個個電路裝置，故可減少進行切割的切割機的磨損。
根據(jù)本發(fā)明，通過在形成導(dǎo)電圖案層的工序中，作為阻擋層設(shè)置第三導(dǎo)電膜13，可整面蝕刻第一導(dǎo)電膜，故具有可容易地進行導(dǎo)電圖案層的蝕刻并且不會不必要地蝕刻其他導(dǎo)電膜的優(yōu)點。
通過以導(dǎo)電圖案層為掩模超量蝕刻或超量剝離第三導(dǎo)電膜，可由凹入導(dǎo)電圖案層周圍的第三導(dǎo)電膜自調(diào)節(jié)形成錨固部，并在其后由密封樹脂層覆蓋時，充填該錨固部，故密封樹脂層和導(dǎo)電圖案層的咬合更加牢固，具有可實現(xiàn)良好的密封狀態(tài)的優(yōu)點。
并且，第三導(dǎo)電膜在整面除去第二導(dǎo)電膜時與密封樹脂層一起作為蝕刻阻擋層起作用，故具有可無掩模地除去第二導(dǎo)電膜的優(yōu)點。
另外，由于第三導(dǎo)電膜和密封樹脂層形成平坦的背面，故無論島柵陣列結(jié)構(gòu)還是焊球陣列結(jié)構(gòu)均可采用，具有剩余的第三導(dǎo)電膜自身可構(gòu)成外部電極的全部或局部的優(yōu)點。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序準(zhǔn)備介由第三導(dǎo)電膜層積第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜形成的層積板；通過將所述第一導(dǎo)電膜蝕刻為所希望的圖案，形成導(dǎo)電圖案層；將所述導(dǎo)電圖案層用作掩模除去所述第三導(dǎo)電膜，形成所述第三導(dǎo)電膜比所述導(dǎo)電圖案層凹入內(nèi)側(cè)的錨固部；將半導(dǎo)體元件固定在所述導(dǎo)電圖案層上；將所述半導(dǎo)體元件的電極和規(guī)定的所述導(dǎo)電圖案層電連接；用密封樹脂層覆蓋所述半導(dǎo)體元件，將所述密封樹脂層填充在所述錨固部；除去所述第二導(dǎo)電膜，使所述密封樹脂層及所述第三導(dǎo)電膜在背面露出。
2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，蝕刻所述第一導(dǎo)電膜時，將所述第三導(dǎo)電膜用作蝕刻的阻擋層。
3.如權(quán)利要求2所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，作為進行所述蝕刻的溶液使用包含氯化銅或氯化鐵的溶液。
4.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，以所述導(dǎo)電圖案層為掩模，超量蝕刻所述第三導(dǎo)電膜形成所述錨固部。
5.如權(quán)利要求4所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述蝕刻溶液是碘系溶液。
6.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，以所述導(dǎo)電圖案層為掩模，電解剝離所述第三導(dǎo)電膜，并超量剝離形成所述錨固部。
7.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，整面蝕刻所述第二導(dǎo)電膜，使剩余的所述第三導(dǎo)電膜及所述錨固部的所述密封樹脂層露出。
8.如權(quán)利要求7所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，將焊劑附著在剩余的所述第三導(dǎo)電膜上形成外部電極。
9.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括下述工序準(zhǔn)備介由第三導(dǎo)電膜層積第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜形成的層積板；在所述第一導(dǎo)電膜上選擇性形成由第四導(dǎo)電膜構(gòu)成的焊盤；通過將所述第一導(dǎo)電膜蝕刻為所希望的圖案，形成導(dǎo)電圖案層；將所述導(dǎo)電圖案層用作掩模除去所述第三導(dǎo)電膜，形成所述第三導(dǎo)電膜比所述導(dǎo)電圖案層凹入內(nèi)側(cè)的錨固部；將半導(dǎo)體元件固定在所述導(dǎo)電圖案層上；將所述半導(dǎo)體元件的電極和規(guī)定的所述導(dǎo)電圖案層的所述焊盤電連接；用密封樹脂層覆蓋所述半導(dǎo)體元件，將所述密封樹脂層填充在所述錨固部；除去所述第二導(dǎo)電膜，使所述密封樹脂層及所述第三導(dǎo)電膜在背面露出。
10.如權(quán)利要求9所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，蝕刻所述第一導(dǎo)電膜時，將所述第三導(dǎo)電膜用作蝕刻的阻擋層。
11.如權(quán)利要求10所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，作為進行所述蝕刻的溶液使用包含氯化銅或氯化鐵的溶液。
12.如權(quán)利要求9所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，以所述導(dǎo)電圖案層為掩模，超量蝕刻所述第三導(dǎo)電膜形成所述錨固部。
13.如權(quán)利要求12所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述蝕刻溶液是碘系溶液。
14.如權(quán)利要求9所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，以所述導(dǎo)電圖案層為掩模，電解剝離所述第三導(dǎo)電膜，并超量剝離形成所述錨固部。
15.如權(quán)利要求9所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，整面蝕刻所述第二導(dǎo)電膜，使剩余的所述第三導(dǎo)電膜及所述錨固部的所述密封樹脂層露出。
16.如權(quán)利要求15所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，將焊劑附著在剩余的所述第三導(dǎo)電膜上形成外部電極。
全文摘要
一種電路裝置的制造方法，目前開發(fā)了以具有導(dǎo)電圖案的撓性板為支承襯底、在其上安裝半導(dǎo)體元件并進行整體模裝的半導(dǎo)體裝置。這種情況下，會產(chǎn)生不能形成多層配線結(jié)構(gòu)的問題及制造工序中絕緣樹脂板的撓曲明顯的問題。本發(fā)明的電路裝置的制造方法中，采用介由第三導(dǎo)電膜13層積第一導(dǎo)電膜11和第二導(dǎo)電膜12構(gòu)成的層積板10。通過蝕刻第一導(dǎo)電膜11形成導(dǎo)電圖案層11A，之后，以導(dǎo)電圖案層11A為掩模超量蝕刻第三導(dǎo)電膜13制作錨固部15，使密封樹脂層22咬入錨固部15，加強密封樹脂層22和導(dǎo)電圖案層11A的結(jié)合。
文檔編號H01L23/50GK1497687SQ0316033
公開日2004年5月19日 申請日期2003年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月26日
發(fā)明者五十嵐優(yōu)助, 樹, 水原秀樹, 坂本則明, 明 申請人:三洋電機株式會社, 關(guān)東三洋半導(dǎo)體股份有限公司