專利名稱：Cmos型圖像讀取傳感器芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種光電傳感器半導(dǎo)體芯片，詳細(xì)講是一種CMOS型圖像讀取傳感器芯片。
背景技術(shù)：
我們知道，現(xiàn)有的彩色接觸式圖像傳感器所采用的CMOS型圖像讀取傳感器芯片是讀取黑白圖像信息的CMOS型圖像讀取傳感器芯片，它構(gòu)成的彩色圖像讀取裝置的工作原理是，R、G、B三色光源在規(guī)定的點(diǎn)燈時(shí)間內(nèi)依次點(diǎn)燈，各色的點(diǎn)燈期間內(nèi)，把電荷積蓄于光電轉(zhuǎn)換傳感器素子內(nèi)，然后再從光電轉(zhuǎn)換傳感器素子讀取圖像信息。這種芯片，在副掃描方向，R的讀取領(lǐng)域與G的讀取領(lǐng)域產(chǎn)生1/3象素的偏差、G的讀取領(lǐng)域與B的讀取領(lǐng)域產(chǎn)生1/3象素的偏差，即，把讀取的、包含不同領(lǐng)域的R、G、B各色的圖像讀取信號(hào)作為一個(gè)象素的圖像信號(hào)進(jìn)行了再組合，存在色偏差，導(dǎo)致顏色的再現(xiàn)性差，不能準(zhǔn)確讀取彩色圖像信息；因?yàn)槿庠囱h(huán)導(dǎo)通，R、G、B光電轉(zhuǎn)換傳感器素子依次串行輸出圖像信息，所以讀取速度慢。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型解決技術(shù)的問題是，解決在副掃描方向，R的讀取領(lǐng)域與G的讀取領(lǐng)域產(chǎn)生1/3象素的偏差、G的讀取領(lǐng)域與B的讀取領(lǐng)域產(chǎn)生1/3象素的偏差，即，把讀取的、包含不同領(lǐng)域的R、G、B各色的圖像讀取信號(hào)作為一個(gè)象素的圖像信號(hào)進(jìn)行了再組合，存在色偏差，導(dǎo)致顏色的再現(xiàn)性差，不能準(zhǔn)確讀取彩色圖像信息；因?yàn)槿庠囱h(huán)導(dǎo)通，R、G、B光電轉(zhuǎn)換傳感器素子依次串行輸出圖像信息，所以讀取速度慢的問題。提供一種無色偏差，顏色的再現(xiàn)性好，能夠準(zhǔn)確、快速讀取彩色圖像信息；黑白圖像信息的讀取分辨率是彩色圖像信息的讀取分辨率的2倍的CMOS型圖像讀取傳感器芯片。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是，芯片上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，其主要結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，每四個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子為一個(gè)單元，每個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子上方設(shè)有一片濾光膜，分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子以2×2點(diǎn)陣的相同方式等間距重復(fù)排列；每個(gè)2×2點(diǎn)陣內(nèi)的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、B、G、G；或者分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子以2×2點(diǎn)陣的相同方式等間距重復(fù)排列；每個(gè)2×2點(diǎn)陣內(nèi)的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、G、G、B，其中R代表紅色光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，G代表綠光光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，B代表蘭光光電轉(zhuǎn)換傳感器素子。
作為光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，可以是光敏三極管也可以是光敏二極管。
本實(shí)用新型的有益效果是，使用時(shí)，主掃描方向多個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子組成光電轉(zhuǎn)換傳感器素子列，副掃描方向光電轉(zhuǎn)換傳感器素子列相互平行地配置2列，第一周期讀取的第二列的信息與第二周期讀取的第一列信息組合使用，可以使被讀取體上的R、G、B的讀取領(lǐng)域完全一致，就防止了因?yàn)樯疃斐傻纳佻F(xiàn)性劣化，無色偏差，顏色的再現(xiàn)性好，能夠準(zhǔn)確讀取圖像信息，黑白圖像信息的讀取分辨率是彩色圖像信息的讀取分辨率的2倍，并且讀取速度是現(xiàn)有技術(shù)3倍的CMOS型圖像讀取傳感器芯片。本實(shí)用新型適用于彩色接觸式圖像傳感器和黑白接觸式圖像傳感器。


圖1、圖2是本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式的示意圖，圖1是主視圖，圖2是圖1的俯視圖。圖1、圖3是本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的示意圖，圖3是圖1的俯視圖。
實(shí)施方式 從圖1、圖2中可以看出，芯片1上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換傳感器素子3，每四個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子3為一個(gè)單元，每個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子3上方設(shè)有一片濾光膜2，分別帶有R、G、B三色濾光膜2的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子以2×2點(diǎn)陣的相同方式等間距重復(fù)排列；每個(gè)2×2點(diǎn)陣內(nèi)的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、B、G、G，其中R代表紅色光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，G代表綠光光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，B代表蘭光光電轉(zhuǎn)換傳感器素子。光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，可以是光敏三極管也可以是光敏二極管。
從圖1、圖3中可以看出，芯片1上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換傳感器素子3，每四個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子3為一個(gè)單元，每個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子3上方設(shè)有一片濾光膜2，分別帶有R、G、B三色濾光膜2的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子以2×2點(diǎn)陣的相同方式等間距重復(fù)排列；每個(gè)2×2點(diǎn)陣內(nèi)的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、G、G、B，其中R代表紅色光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，G代表綠光光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，B代表蘭光光電轉(zhuǎn)換傳感器素子。光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，可以是光敏三極管也可以是光敏二極管。
權(quán)利要求1.一種CMOS型圖像讀取傳感器芯片，芯片上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，其特征是每四個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子為一個(gè)單元，每個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子上方設(shè)有一片濾光膜，分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子以2×2點(diǎn)陣的相同方式等間距重復(fù)排列；每個(gè)2×2點(diǎn)陣內(nèi)的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、B、G、G；或者分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子以2×2點(diǎn)陣的相同方式等間距重復(fù)排列；每個(gè)2×2點(diǎn)陣內(nèi)的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、G、G、B，其中R代表紅色光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，G代表綠光光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，B代表蘭光光電轉(zhuǎn)換傳感器素子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS型圖像讀取傳感器芯片，其特征是所說的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子是光敏三極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS型圖像讀取傳感器芯片，其特征是所說的是光敏二極管。
專利摘要一種CMOS型圖像讀取傳感器芯片，涉及一種光電傳感器半導(dǎo)體芯片，芯片上設(shè)有光電轉(zhuǎn)換傳感器素子，每四個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子為一個(gè)單元，每個(gè)光電轉(zhuǎn)換傳感器素子上方設(shè)有一片濾光膜，分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子以2×2點(diǎn)陣的相同方式等間距重復(fù)排列，每個(gè)2×2點(diǎn)陣內(nèi)的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、B、G、G；或者分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉(zhuǎn)換傳感器素子以2×2點(diǎn)陣的相同方式等間距重復(fù)排列，每個(gè)2×2點(diǎn)陣內(nèi)的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、G、G、B，適用于彩色接觸式圖像傳感器。
文檔編號(hào)H01L27/14GK2645237SQ0321724
公開日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2003年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月12日
發(fā)明者王翥, 細(xì)川信一郎 申請(qǐng)人:山東華菱電子有限公司