專利名稱：半導(dǎo)體過壓保護裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體過壓保護器，尤其是指一種半導(dǎo)體過壓保護裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在通訊領(lǐng)域中，由于電感性和電容性瞬變、靜電放電、雷電等原因形成的意外電壓浪涌會造成整機系統(tǒng)的性能下降，出現(xiàn)誤動作甚至損壞，因此對電壓瞬變和浪涌的防護成為提高整機系統(tǒng)可靠性的一個重要組成部分。
現(xiàn)有技術(shù)中，采用幾個電壓瞬變和浪涌的保護器件的組合形式，構(gòu)成多極保護器件的方式得到較廣泛的利用，其中，構(gòu)成半導(dǎo)體保護器件最常用的過壓保護裝置是由封裝框架及設(shè)于其上的半導(dǎo)體保護芯片組成，半導(dǎo)體保護芯片與封裝框架的聯(lián)接，是將芯片用導(dǎo)電膠粘接在框架的底座上；此方式存在有由于粘接過程的擠壓，導(dǎo)電膠液被壓出，出現(xiàn)芯片正面，反面短路現(xiàn)象，成品率低，產(chǎn)品質(zhì)量不可靠。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)，使得半導(dǎo)體保護器件粘接生產(chǎn)過程中不會出現(xiàn)導(dǎo)電膠短路芯片正面及反面，結(jié)構(gòu)簡單，質(zhì)量穩(wěn)定可靠的半導(dǎo)體過壓保護裝置。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的一種半導(dǎo)體過壓保護裝置，包括有封裝框架及設(shè)于其載體上的半導(dǎo)體過壓保護芯片，在封裝框架的載體上設(shè)有與載體相互電連接的凸點座，凸點頭座上電聯(lián)接有半導(dǎo)體過壓保護芯片，保護芯片的正面用引線與封裝框架的引腳相連。
半導(dǎo)體過壓保護裝置中設(shè)于封裝框架底座上的凸點座是在框架載體上沖壓而成。也可以是，設(shè)于封裝框載體上的凸點座與載體是相互粘接或焊接而成。
半導(dǎo)體過壓保護裝置中設(shè)于封裝框架底座上的凸點座與半導(dǎo)體過壓保護芯片之間的連接通過焊接或粘接而成。
采用上述結(jié)構(gòu)后，由于過壓保護芯片設(shè)于導(dǎo)電凸點座上，不是傳統(tǒng)的壓在整個框架載體上，在用導(dǎo)電膠粘接過程中，不易出現(xiàn)導(dǎo)電膠使芯片正反面短路現(xiàn)象，使得工藝簡單，同時芯片的承受電流功率能力增大，由此可靠性提高，生產(chǎn)成本底。
以下結(jié)合附圖和具體的實施方式對本實用新型作進一步詳述。


圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
一種半導(dǎo)體過壓保護裝置，包括有封裝框架1及設(shè)于其上的半導(dǎo)體過壓保護芯片2，其特征在于，在封裝框架1的底座10上設(shè)有相互電連接的凸點3，凸點3上電聯(lián)接有半導(dǎo)體過壓保護芯片2。保護芯片2的正面及框架1的底座10上分別設(shè)有引腳20及11。在實際生產(chǎn)過程中，所述設(shè)于封裝框架載體上的凸點3是在底座10上沖壓而成。根據(jù)生產(chǎn)工藝，所述設(shè)于封裝框架載體上的凸點3也可以是與載體相互粘接或焊接而成。
半導(dǎo)體過壓保護裝置中設(shè)于封裝框架載體上的凸點座3與半導(dǎo)體過壓保護芯片2之間的連接通過焊接或粘接而成。
本結(jié)構(gòu)的過壓保護芯片2與凸點座3的連接為固定連接，可以有多種方式，較好的方式為焊接。
為了增加過壓保護芯片2與凸點座3導(dǎo)電性，過壓保護芯片2與凸點座3的焊接可以采用導(dǎo)電性好的金屬焊接，如銀、銅等。
凸點座3的形狀可以有多種形狀，如為半球形、柱形等。
半導(dǎo)體過壓保護裝置可以由采用本技術(shù)制作的一個器件構(gòu)成，也可以多個串聯(lián)、并聯(lián)、串并聯(lián)集成或組裝而成各種電路，半導(dǎo)體過壓保護裝置。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體過壓保護裝置，包括有半導(dǎo)體封裝框架及設(shè)于其上的半導(dǎo)體過壓保護芯片，其特征在于，在半導(dǎo)體框架的載體上設(shè)有與底座相互電連接的凸點座，在凸點座上連接半導(dǎo)體過壓保護芯片，保護芯片的正面用引線與半導(dǎo)體框架上的引腳相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體過壓保護裝置，其特征在于，所述設(shè)于半導(dǎo)體框架載體上的凸點座是在底座上沖壓而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體過壓保護裝置，其特征在于，所述設(shè)于半導(dǎo)體框架載體上的凸點座與載體直接相連或是相互粘接或焊接而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的半導(dǎo)體過壓保護裝置，其特征在于，所述設(shè)于半導(dǎo)體框架載體上的凸點座與半導(dǎo)體過壓保護芯片之間的連接通過焊接或粘接而成。
專利摘要一種半導(dǎo)體過壓保護裝置，涉及半導(dǎo)體過壓保護裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；本技術(shù)包括半導(dǎo)體封裝框架及設(shè)于其上的半導(dǎo)體過壓保護芯片，在半導(dǎo)體框架的底座上設(shè)有與底座相互電連接的凸頭座，凸頭座上電聯(lián)接有半導(dǎo)體過壓保護芯片，保護芯片的正面及半導(dǎo)體框架的底座上分別設(shè)有引腳。本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單，質(zhì)量穩(wěn)定可靠。
文檔編號H01L23/62GK2617037SQ0322586
公開日2004年5月19日 申請日期2003年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月30日
發(fā)明者喬長華 申請人:深圳市新達微電子有限公司