專利名稱：Ic片的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種IC片的生產(chǎn)方法，其中，可以防止晶片受損，能夠改善處理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度極度降低至約50μm，也能夠適當(dāng)?shù)貙⒕庸こ蒊C片。
背景技術(shù)：
將高純度單晶半導(dǎo)體切片以得到晶片后，用光致抗蝕劑在晶片表面上形成預(yù)定的電路圖，然后用拋光機(jī)將晶片的背面拋光，使晶片厚度減小到約100-600μm，最后將晶片切割成方塊，得到芯片，從而生產(chǎn)出傳統(tǒng)的半導(dǎo)體集成電路(IC片)。
在該工藝中，在進(jìn)行上述拋光時(shí)，在晶片的上表面上粘附粘結(jié)片等(拋光用膠帶)，以防止晶片受損，并且易于拋光，在進(jìn)行上述切塊時(shí)，在晶片的背面上粘附粘結(jié)片等(切塊膠帶)，以粘結(jié)和安全狀態(tài)切割晶片，通過用切塊膠帶的薄膜基底側(cè)的針上推的方式揀去形成的芯片，然后固定在壓料墊上。
近年來，隨著IC片應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)大，需要一種厚度約為50μm的極薄晶片，該晶片可用在IC卡等中，或者可以層狀形式使用。但是，與厚度約為100-600μm的傳統(tǒng)晶片相比，厚度約為50μm的晶片會(huì)用于壓力出現(xiàn)非常大的翹曲，且易于裂開，因此，在進(jìn)行生產(chǎn)傳統(tǒng)晶片的類似工藝的情況下，在易于受到壓力的拋光步驟中，在切塊步驟中，在IC片的電極上生產(chǎn)凸緣時(shí)，這種薄晶片易于受損，造成產(chǎn)率下降。因此，在用厚度約為50μm的晶片制造IC片的過程中，改善處理晶片的容易程度成為亟待解決的一個(gè)重要問題。
與此相反而提出的一種方法是用支撐膠帶將晶片粘結(jié)在支撐板上，將其固定在支撐板上的同時(shí)進(jìn)行拋光。用支撐板可以保證晶片強(qiáng)度和平整度的改善，用該方法可以改善處理晶片的容易程度。
但是，該方法存在的問題是厚度約為50μm的晶片的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度弱，因此，當(dāng)晶片從支撐板或支撐膠帶上分離時(shí)會(huì)由于負(fù)荷而受損或變形。另外，盡管厚度約為50μm的極薄晶片與厚度約為100-600μm的傳統(tǒng)晶片相比，其疊加層數(shù)更多，但是為了將這么多層疊加，要求這種極薄晶片有高度平整性。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種IC片的生產(chǎn)方法，其中，可以防止晶片受損，能夠改善處理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度極度降低至約50μm，也能夠適當(dāng)?shù)貙⒕庸こ蒊C片。
第一項(xiàng)發(fā)明是一種IC片的生產(chǎn)方法，其至少具有用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上的步驟，支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層；用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的時(shí)候?qū)⑺鼍瑨伖獾牟襟E；將切塊膠帶粘結(jié)在所述拋光晶片上的步驟；為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟；將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟；將所述晶片切塊的步驟，在用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的步驟中包括將所述包括粘結(jié)劑(A)的表面層粘結(jié)在所述晶片上和將所述包括粘結(jié)劑(B)的表面層粘結(jié)在所述支撐板上，在減壓下從其切塊膠帶側(cè)均勻抽吸整個(gè)所述晶片的同時(shí)提供所述刺激，然后在為所述粘結(jié)劑(A)層提供刺激的步驟中和在將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟中，將所述支撐膠帶從所述晶片上除去。
第二項(xiàng)發(fā)明是一種IC片的生產(chǎn)方法，其至少包括用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上的步驟，支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層；用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的時(shí)候?qū)⑺鼍瑨伖獾牟襟E；將切塊膠帶粘結(jié)在所述拋光晶片上的步驟；為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟；將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟；將所述晶片切塊的步驟，在用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的步驟中包括將所述包括粘結(jié)劑(A)的表面層粘結(jié)在所述晶片上和將所述包括粘結(jié)劑(B)的表面層粘結(jié)在所述支撐板上，所述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體壓力不會(huì)使所述切塊膠帶變形。
第三項(xiàng)發(fā)明是一種IC片的生產(chǎn)方法，其至少具有用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上的步驟，支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層；用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的時(shí)候?qū)⑺鼍瑨伖獾牟襟E；將切塊膠帶粘結(jié)在所述拋光晶片上的步驟；為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟；將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟；將所述晶片切塊的步驟，在用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的步驟中包括將所述包括粘結(jié)劑(A)的表面層粘結(jié)在所述晶片上和將所述包括粘結(jié)劑(B)的表面層粘結(jié)在所述支撐板上，在為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟中，在整個(gè)所述晶片上均勻施加負(fù)荷的同時(shí)提供所述刺激。
根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，可以在將切塊膠帶粘結(jié)在拋光晶片上的步驟和將支撐膠帶從晶片上除去的步驟之間包括從支撐膠帶上除去支撐板的步驟。
發(fā)明詳述下面詳述本發(fā)明。
根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，至少具有用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上的步驟，支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層。
上述支撐膠帶可以是任何類型的膠帶，只要具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層即可，如兩個(gè)表面上都有粘結(jié)劑層的無支撐體膠帶或在基底的兩個(gè)表面上都形成有粘結(jié)劑層的雙面膠帶。
在本發(fā)明的說明書中，無支撐體膠帶表示僅由粘結(jié)劑層不用基底制成的膠帶，可以只包括一個(gè)粘結(jié)劑層，也可以包括多個(gè)粘結(jié)劑層。
當(dāng)用上述基底且降低粘結(jié)劑(A)層粘結(jié)力的刺激是光刺激時(shí)，上述基底優(yōu)選使光能夠傳播或通過，可以提及的基底有包括透明樹脂如丙烯?；?、烯烴、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龍、尿烷或聚酰亞胺的薄板，具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的薄板和其中產(chǎn)生孔的薄板。
上述支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層。
作為上述的刺激，例如可以提及用光、熱、超聲波產(chǎn)生的刺激。特別優(yōu)選用光或熱產(chǎn)生的刺激。作為上述的光，可以提及紫外線光、可見光等。在用光刺激作為上述刺激的情況下，上述粘結(jié)劑(A)優(yōu)選使光能夠傳播或通過。
對(duì)由于上述刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑沒有特別限定，例如，優(yōu)選使用偶氮化合物、疊氮化合物等。
作為上述偶氮化合物，例如可以提及2，2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二{2-甲基-N-[1，1-二(羥甲基)-2-羥乙基]丙酰胺}、2，2’-偶氮二{2-甲基-N-[2-(1-羥丁基)]丙酰胺}、2，2’-偶氮二[2-甲基-N-(2-羥乙基)丙酰胺]、2，2’-偶氮二[N-(丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮二(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸氫鹽二水合物(dihydrolate)、2，2’-偶氮二[2-(3，4，5，6-四氫嘧啶-2-基)丙烷]二氫氯化物、2，2’-偶氮二{2-[1-(2-羥乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二氫氯化物、2，2’-偶氮二[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮二(2-甲基戊酮脒(propionamidine))二氫氯化物、2，2’-偶氮二(2-氨基丙烷)二氫氯化物、2，2’-偶氮二[N-(2-羧基?；?-2-甲基-戊酮脒]、2，2’-偶氮二{2-[N-(2-羧乙基)脒]丙烷}、2，2’-偶氮二(2-甲基戊酮偕胺肟)、二甲基-2，2’-偶氮二(丙酸2-甲酯)、二甲基-2，2’-偶氮二異丁酸酯、4，4’-偶氮二(4-氰基碳酸)、4，4’-偶氮二(4-氰基戊酸)、2，2’-偶氮二(2，4，4-三甲基戊烷)。
如果需要，IC片的生產(chǎn)方法包括高溫處理步驟，因此，在上述偶氮化合物中優(yōu)選2，2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)和2，2’-偶氮二(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰胺)。
這些偶氮化合物利用光、熱等的刺激產(chǎn)生氮?dú)狻?br> 作為上述疊氮化合物，可以提及3-疊氮基甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷(oxetane)、對(duì)苯二甲酸疊氮化合物、對(duì)叔丁基苯甲酰疊氮和具有疊氮基的聚合物如3-疊氮基甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷通過開環(huán)聚合得到的縮水甘油基疊氮聚合物。
這些疊氮化合物利用光、熱等的刺激產(chǎn)生氮?dú)狻?br> 在這些氣體發(fā)生劑中，上述疊氮化合物受到?jīng)_擊時(shí)易于分解，從而釋放出氮?dú)?，因此存在有?duì)其難以處理的問題。另外，上述疊氮化合物在分解開始時(shí)產(chǎn)生鏈反應(yīng)，以爆炸和不可控的方式釋放氮?dú)?，所以還存在以爆炸方式產(chǎn)生的氮?dú)饪赡軗p壞晶片的問題。盡管由于上述問題而對(duì)上述疊氮化合物的用量有所限制，但是用量有限時(shí)不能達(dá)到充分有效的效果。
相反，上述偶氮化合物與疊氮化合物不同，因?yàn)樗鼈儾粫?huì)由于沖擊而產(chǎn)生氣體，所以極易處理。另外，上述偶氮化合物不會(huì)以導(dǎo)致鏈反應(yīng)的爆炸方式產(chǎn)生氣體，所以不會(huì)損壞晶片，停止用光照射就可以停止生成氣體，其優(yōu)點(diǎn)是可以根據(jù)應(yīng)用進(jìn)行粘結(jié)控制。因此，更優(yōu)選用偶氮化合物作為上述氣體發(fā)生劑。
上述粘結(jié)劑(A)層含有上述氣體發(fā)生劑，因此，當(dāng)刺激上述粘結(jié)劑(A)層時(shí)，粘結(jié)劑(A)層中的氣體發(fā)生劑生成氣體，從而降低粘結(jié)力，易于除去粘附體。
盡管上述氣體發(fā)生劑可以分散在粘結(jié)劑(A)層中，但是存在的危險(xiǎn)是當(dāng)氣體發(fā)生劑可以分散在粘結(jié)劑(A)層中時(shí)，整個(gè)粘結(jié)劑(A)層成為泡沫，太柔軟而不能平滑地除去粘結(jié)劑(A)層。因此，優(yōu)選只使和支撐板接觸的粘結(jié)劑(A)層的表面層部分含有氣體發(fā)生劑。在只有表面層部分含有氣體發(fā)生劑的情況下，和支撐板接觸的粘結(jié)劑(A)層的表面層部分中的氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，另外，氣體至少從粘附體表面上除去至少一部分粘結(jié)劑，從而降低粘結(jié)力。
作為只使上述粘結(jié)劑(A)層的表面層部分中含有氣體發(fā)生劑的方法，例如可以提及將含氣體發(fā)生劑且厚度約為1-20μm的粘結(jié)劑(A)涂布在支撐膠帶的粘結(jié)劑(A)層上的方法和將含氣體發(fā)生劑的揮發(fā)性液體涂布或噴涂在預(yù)先制備的支撐膠帶的粘結(jié)劑(A)層表面上從而使氣體發(fā)生劑均勻粘附在粘結(jié)劑(A)層表面上的方法。
在氣體發(fā)生劑粘附在粘結(jié)劑(A)層表面上的情況下，優(yōu)選在粘結(jié)劑(A)層表面上粘附與粘結(jié)劑(A)有優(yōu)異相容性的氣體發(fā)生劑。即，當(dāng)大量氣體發(fā)生劑粘附在粘結(jié)劑表面上時(shí)，存在粘結(jié)力下降的危險(xiǎn)，在氣體發(fā)生劑與粘結(jié)劑相容且不致于降低粘結(jié)力的情況下，粘附的氣體發(fā)生劑可以被粘結(jié)劑層吸收。
在本申請(qǐng)中，上述表面層部分優(yōu)選是從粘結(jié)劑層表面至20μm深度的部分，這取決于粘結(jié)劑層的厚度。本申請(qǐng)中所稱的表面層部分包括氣體發(fā)生劑均勻附著在粘結(jié)劑層表面上的模式或已經(jīng)附著在粘結(jié)劑層表面上的氣體發(fā)生劑與粘結(jié)劑相容且被吸收在粘結(jié)劑層中的模式。
上述粘結(jié)劑(A)優(yōu)選具有由于刺激而增加的彈性模量。增加粘結(jié)劑(A)彈性模量的刺激與使上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體的刺激可以是相同類型的刺激，也可以是不同類型的刺激。
作為上述粘結(jié)劑(A)，例如可以提及光固化粘結(jié)劑和熱固性粘結(jié)劑，光固化粘結(jié)劑具有在分子內(nèi)有用于自由基聚合的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯類和/或甲基丙烯酸烷基酯類聚合物的主要組分和自由基聚合的多功能低聚物或單體的主要組分，如果需要還可以具有光聚合引發(fā)劑；熱固性粘結(jié)劑具有在分子內(nèi)有用于自由基聚合的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯類和/或甲基丙烯酸烷基酯類聚合物的主要組分和自由基聚合的多功能低聚物或單體的主要組分，還具有熱聚合引發(fā)劑。
這些均為后固化壓敏粘結(jié)劑的光固化粘結(jié)劑或熱固性粘結(jié)劑通過光照射或熱造成的交聯(lián)均勻而迅速地集合成整體粘結(jié)劑層，因此，作為通過聚合而固化的結(jié)果是其彈性模量大幅增加，其粘結(jié)力大幅下降。另外，當(dāng)在硬固化物質(zhì)中的氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體時(shí)，產(chǎn)生的大部分氣體釋放到外面，釋放的氣體至少從與粘結(jié)劑接觸的表面上除去一部分粘附體，從而降低粘結(jié)力。
例如，預(yù)先合成分子內(nèi)具有官能團(tuán)的(甲基)丙烯?；惥酆衔?下面稱為含官能團(tuán)的(甲基)丙烯?；惥酆衔?，然后和分子內(nèi)具有能夠與上述官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)及用于自由基聚合的不飽和鍵的化合物(下面稱為含官能團(tuán)的不飽和化合物)反應(yīng)，得到上述聚合物。
在本發(fā)明的說明書中，(甲基)丙烯酰基表示丙烯?；蚣谆；?。
制備烷基中的碳原子數(shù)一般是2-18的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯，將其作為主單體，用傳統(tǒng)方法使其與含官能團(tuán)的單體共聚，如果需要，為了改善可與上述單體共聚的性質(zhì)，還可以與其它類型的單體共聚，從而以與普通(甲基)丙烯?；惥酆衔锿瑯拥姆绞降玫阶鳛樵谑覝叵掠姓辰Y(jié)性的聚合物的上述含官能團(tuán)的(甲基)丙烯?；惥酆衔?。上述含官能團(tuán)的(甲基)丙烯?；惥酆衔锏钠骄肿恿客ǔＪ?00000-2000000。
作為上述含官能團(tuán)的單體，例如可以提及含羧基的單體，如丙烯酸、甲基丙烯酸等；含羥基的單體，如丙烯酸羥乙基、甲基丙烯酸羥乙基等；含環(huán)氧基團(tuán)的單體，如丙烯酸縮水甘油基、甲基丙烯酸縮水甘油基等；含異氰酸酯基的單體，如丙烯酸異氰酸乙基酯、甲基丙烯酸異氰酸乙基酯等；含氨基的單體，如丙烯酸氨基乙基、甲基丙烯酸氨基乙基等。
作為為改善質(zhì)量而能夠共聚的上述其它單體，例如可以提及用在普通(甲基)丙烯酰基類聚合物中的各種單體，如乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯。
根據(jù)上述含官能團(tuán)的5(甲基)丙烯?；惥酆衔锏墓倌軋F(tuán)，和上述相同類型的含官能團(tuán)的單體可以用作和上述含官能團(tuán)的(甲基)丙烯?；惥酆衔锓磻?yīng)的含官能團(tuán)的不飽和化合物。在上述含官能團(tuán)的(甲基)丙烯?；惥酆衔锏墓倌軋F(tuán)是羧基的情況下，例如可以使用含環(huán)氧基團(tuán)的單體或含異氰酸酯基的單體；在官能團(tuán)是羥基的情況下，使用含異氰酸酯基的單體；在官能團(tuán)是環(huán)氧基團(tuán)的情況下，使用含羧基的單體或含酰胺基的單體如丙烯酸酰胺；在官能團(tuán)是氨基的情況下，使用含環(huán)氧基團(tuán)的單體。
上述多功能低聚物或單體的分子量優(yōu)選是10000或更低，更優(yōu)選5000或更低，為了在熱或光照射條件下能夠有效進(jìn)行粘結(jié)劑層的三維交聯(lián)，該分子內(nèi)自由基聚合的不飽和鍵數(shù)目的下限是2，上限是20。作為上述更優(yōu)選的多功能低聚物或單體，例如可以提及三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇一羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、可商購的酯類低聚物丙烯酸酯和相同類型的上述甲基丙烯酸酯。該多功能低聚物或單體可以單獨(dú)使用，也可以兩種或多種同時(shí)使用。
例如，用250nm-800nm波長的光照射可以激活的光聚合引發(fā)劑可以用作上述光聚合引發(fā)劑，作為上述光聚合引發(fā)劑，例如可以提及苯乙酮衍生物化合物，如甲氧基苯乙酮；苯偶姻醚類化合物，如苯偶姻丙醚、苯偶姻異丁醚等；縮酮衍生物化合物，如芐基二甲基縮酮、苯乙酮二乙基縮酮等；氧化膦衍生物化合物；二(η5-環(huán)戊二烯基)二茂鐵(titanocene)衍生物化合物；光自由基聚合引發(fā)劑，如苯酮、米蚩(Michler)酮、氯噻噸酮、十二烷基(todecyl)噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥甲基苯基丙烷。這些光聚合引發(fā)劑可以單獨(dú)使用，也可以兩種或多種同時(shí)使用。
利用熱分解產(chǎn)生用于引發(fā)聚合硬化的活性基團(tuán)的熱聚合引發(fā)劑可以用作上述熱聚合引發(fā)劑，具體來說，可以提及過氧化二枯基、過氧化二叔丁基、過氧化苯甲酸叔丁酯、過氧化氫叔丁基、過氧化苯甲?；umenhydroperoxide、過氧化氫二異丙苯、paramentane hydroperoxide、過氧化二叔丁基等。kumen hydroperoxide、paramentane hydroperoxide、過氧化二叔丁基等特別合適，因?yàn)樗鼈兙哂泻芨叩臒岱纸鉁囟?。在上述熱聚合引發(fā)劑中，對(duì)商購熱聚合引發(fā)劑沒有特別限定，例如Perbutyl D、PerbutylH、Perbutyl P、Permentane H(均為NOF CORPORATION生產(chǎn))是合適的。這些熱聚合引發(fā)劑可以單獨(dú)使用，也可以兩種或多種同時(shí)使用。
含上述組分的上述后固化壓敏粘結(jié)劑可以與各種多功能化合物如異氰酸酯化合物、蜜胺化合物、環(huán)氧化合物等適當(dāng)混合，如果需要還可以和普通粘結(jié)劑混合，其目的是調(diào)節(jié)粘結(jié)劑的共粘強(qiáng)度。其中還可以混入已知的添加劑，如增塑劑、樹脂、表面活性劑、蠟、填料微粒。
除包括粘結(jié)劑(A)的表面層外，上述支撐膠帶還具有包括粘結(jié)劑(B)的表面層。
在根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法中，在拋光步驟和切塊步驟之間，在將支撐膠帶從晶片上除去的步驟之前，在將支撐板預(yù)先從支撐膠帶上除去的情況下，對(duì)上述粘結(jié)劑(B)沒有特別限定，上述粘結(jié)劑(B)優(yōu)選具有通過刺激能夠降低粘結(jié)力的性能。分子內(nèi)具有用于自由基聚合的不飽和鍵的丙烯酸烷基酯類和/或甲基丙烯酸烷基酯類聚合物和含用于自由基聚合的多功能低聚物作為主要組分的后固化壓敏粘結(jié)劑可以用作粘結(jié)劑(B)，粘結(jié)劑(B)可以用于上述粘結(jié)劑(A)。
在將支撐膠帶從晶片上除去步驟之前，在將支撐板預(yù)先從支撐膠帶上除去的情況下，具有彈性的支撐膠帶與剝落的方式更易于從晶片上除去。
在這種情況下，上述粘結(jié)劑(B)還優(yōu)選含有由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑。因?yàn)檎辰Y(jié)劑(B)含有上述氣體發(fā)生劑，所以當(dāng)為上述粘結(jié)劑(B)層提供刺激時(shí)，粘結(jié)劑(B)層中的氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，因此，粘結(jié)力下降，粘附體更易于除去。
另外，在上述粘結(jié)劑(B)包括后固化類壓敏粘結(jié)劑等的情況下，在提供刺激前粘結(jié)劑(B)具有優(yōu)異的粘結(jié)性，并且進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)，通過提供刺激而使粘結(jié)劑(B)硬化，因此，在除去支撐膠帶前粘結(jié)劑(B)是粘結(jié)性優(yōu)異的粘結(jié)劑，當(dāng)除去支撐膠帶時(shí)，粘結(jié)劑(B)硬化。當(dāng)硬質(zhì)材料中的氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體時(shí)，產(chǎn)生的氣體大部分釋放到外面，因此，釋放的氣體從粘附體表面上至少除去一部分粘結(jié)劑，從而使粘結(jié)力下降。
盡管上述氣體發(fā)生劑可以分散在粘結(jié)劑(B)層中，但是因?yàn)闅怏w發(fā)生劑分散在粘結(jié)劑(B)層中，所以整個(gè)粘結(jié)劑(B)層成為太柔軟的泡沫，所以存在不能輕易除去粘結(jié)劑(B)層的危險(xiǎn)。因此，優(yōu)選只在和支撐板接觸的粘結(jié)劑(B)層的表面層部分中含有氣體發(fā)生劑。在只有表面層部分含有氣體發(fā)生劑的情況下，利用刺激可以使粘結(jié)劑(B)層充分軟化，當(dāng)和支撐板接觸的粘結(jié)劑層的表面層部分中的氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體時(shí)，界面的接觸面積減少，另外，氣體至少從粘附體表面上除去一部分粘結(jié)劑，從而降低粘結(jié)力。
作為只使上述粘結(jié)劑層的表面層部分中含有氣體發(fā)生劑的方法，例如可以提及在支撐膠帶的粘結(jié)劑(B)層上涂布厚度約為1-20μm的含氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(B)的方法和將含氣體發(fā)生劑的揮發(fā)性液體涂布或噴涂在預(yù)先制備的支撐膠帶的粘結(jié)劑(B)層上從而使氣體發(fā)生劑均勻粘附在粘結(jié)劑層表面上的方法。
在氣體發(fā)生劑粘附在粘結(jié)劑(B)層表面上的情況下，氣體發(fā)生劑優(yōu)選與粘結(jié)劑(B)高度相容。即，當(dāng)大量氣體發(fā)生劑粘附在粘結(jié)劑(B)層表面上時(shí)，盡管存在粘結(jié)力下降的危險(xiǎn)，但是在氣體發(fā)生劑與粘結(jié)劑相容的情況下，粘附的氣體發(fā)生劑被吸收在粘結(jié)劑層中使得粘結(jié)力不致于下降。
在本申請(qǐng)中，上述表面層部分優(yōu)選是從粘結(jié)劑表面至20μm深度的部分，這取決于粘結(jié)劑層的厚度。本申請(qǐng)中所稱的表面層部分包括氣體發(fā)生劑均勻附著在粘結(jié)劑層表面上的模式和已經(jīng)附著在粘結(jié)劑層表面上的氣體發(fā)生劑因?yàn)榕c粘結(jié)劑相容而被吸收在粘結(jié)劑層中的模式。
用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上，支撐膠帶具有上述包括粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層。
作為上述晶片，例如可以提及包括硅、鎵、砷等的高純度單晶半導(dǎo)體切片。盡管對(duì)上述晶片的厚度沒有特別限定，但是一般約為500μm-1mm。在本申請(qǐng)中，在將晶片固定在支撐板上之前在上述晶片表面上形成預(yù)定的電路圖。
盡管對(duì)上述支撐板沒有特別限定，但是在降低粘結(jié)劑(A)層粘結(jié)力的刺激是光刺激的情況下，支撐板優(yōu)選是透明的，例如，可以提及玻璃板和板狀樹脂體，如丙烯?；⑾N、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、PET、尼龍、尿烷、聚酰亞胺等。
上述支撐板厚度的下限優(yōu)選是500μm，上限優(yōu)選是3mm，下限更優(yōu)選是1mm，上限更優(yōu)選是2mm。上述支撐板的分散厚度還優(yōu)選是1％或更小。
根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，在用上述支撐膠帶將上述晶片固定在上述支撐板上的步驟中包括將上述粘結(jié)劑(A)層和上述晶片相互粘結(jié)，而上述粘結(jié)劑(B)層和上述支撐板相互粘結(jié)。
用上述支撐膠帶將晶片固定在支撐板上，從而使晶片得以強(qiáng)化，處理的容易程度提高，即使是厚度約為50μm的極薄晶片，也能夠在不破碎或裂紋的情況下運(yùn)輸和加工，易于包裝在殼體等內(nèi)。在本申請(qǐng)中，在IC片生產(chǎn)方法的后續(xù)步驟完成后，通過提供刺激易于將上述支撐膠帶從IC片上除去。
根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，其至少具有在用上述支撐膠帶將晶片固定在上述支撐板上的條件下將上述晶片拋光的步驟。
對(duì)拋光后晶片的厚度沒有特別限定，在晶片加工和變薄的情況下易于得到防止損壞的效果，在拋光后晶片的厚度約為50μm，或者在如20-80μm范圍內(nèi)的情況下能夠得到優(yōu)異的防止損壞的效果。
根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，其至少具有將切塊膠帶粘結(jié)在上述拋光晶片上的步驟。
在根據(jù)第二項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法中，上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體壓力不會(huì)使上述切塊膠帶變形。對(duì)這樣的切塊膠帶沒有特別限定，可以提及用粘結(jié)劑將商購的切塊膠帶粘結(jié)在氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體壓力不會(huì)使之變形的強(qiáng)化板上得到的切塊膠帶及在氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體壓力不會(huì)使之變形的膠帶基底的一個(gè)表面上形成有粘結(jié)劑(C)層的切塊膠帶等。
對(duì)上述強(qiáng)化板或膠帶基底沒有特別限定，只要不會(huì)由于氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體壓力而變形即可，例如，可以提及玻璃板和板狀或厚膜狀物體，如丙烯?；?、烯烴、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、PET、尼龍、尿烷、聚酰亞胺等。
另外，對(duì)上述粘結(jié)劑(C)沒有特別限定，例如，已知的熱固性粘結(jié)劑等是合適的。
對(duì)上述商購的切塊膠帶沒有特別限定，可以提及的膠帶的例子有Furukawa Electric Co.，Ltd生產(chǎn)的Adwill(注冊(cè)商標(biāo))D系列和Nitto DenkoCorporation生產(chǎn)的Elep Holder(注冊(cè)商標(biāo))UE系列。
對(duì)在根據(jù)第一或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法中使用的上述切塊膠帶沒有特別限定，可以使用已知的光固化膠帶，如上述商購的切塊膠帶。
在本申請(qǐng)中，在粘結(jié)上述切塊膠帶前先在晶片上粘結(jié)一種聚酰亞胺膜作為絕緣體基底。當(dāng)上述聚酰亞胺膜粘結(jié)在晶片上時(shí)需要加熱。因此，當(dāng)利用熱刺激降低粘結(jié)劑(A)的粘結(jié)力且上述粘結(jié)劑(A)含有由于熱刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑時(shí)，必須選擇溫度，使粘結(jié)劑(A)的粘結(jié)力下降或產(chǎn)生氣體的溫度高于上述聚酰亞胺膜粘結(jié)在晶片上的溫度。
根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，其至少具有為上述粘結(jié)劑(A)層提供刺激的步驟和將上述支撐膠帶從上述晶片上除去的步驟。
為了將上述支撐膠帶從上述晶片上除去，在根據(jù)第一項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法的上述步驟中，在負(fù)壓下從上述切塊膠帶側(cè)均勻抽吸整個(gè)上述晶片的同時(shí)為上述粘結(jié)劑(A)層提供刺激。
具體來說，使用透氣性的固定平板和具有減壓裝置如真空泵的設(shè)備，粘結(jié)晶片的切塊膠帶置于透氣性的固定平板上，在減壓下從固定平板對(duì)側(cè)抽吸的同時(shí)為上述粘結(jié)劑(A)層提供刺激。
用上述方式為上述粘結(jié)劑(A)層提供刺激，粘結(jié)劑(A)層中含有的氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，由于產(chǎn)生的氣體壓力而降低晶片和粘結(jié)劑(A)層之間的粘結(jié)力，并且易于除去支撐膠帶。但是，與厚度約為100-600μm的傳統(tǒng)晶片相比，厚度約為50μm的極薄晶片的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度弱，當(dāng)由于氣體發(fā)生劑局部產(chǎn)生的氣體使很強(qiáng)的壓力施加在晶片部分上時(shí)，晶片可能變形或受損。因此，從切塊膠帶側(cè)對(duì)整個(gè)晶片均勻施加負(fù)壓抽吸以固定整個(gè)晶片，從而使晶片和固定板成為整體，而晶片得以強(qiáng)化，可以防止晶片由于局部產(chǎn)生的不均勻氣體而發(fā)生極度變形，可以防止受損。
另外，在將支撐膠帶從晶片上除去時(shí)，從切塊膠帶側(cè)對(duì)整個(gè)晶片均勻施加負(fù)壓抽吸以固定整個(gè)晶片和強(qiáng)化晶片，因此可以防止晶片由于除去支撐膠帶使用的力而發(fā)生變形，防止其受損。
作為上述透氣性的固定平板，例如可以提及其中產(chǎn)生有顯微通孔的包括樹脂等的板和包括多孔材料的板如陶瓷多孔板。為了保證晶片的平整度和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，上述透氣性的固定平板優(yōu)選盡可能平整，使得在抽吸時(shí)晶片不會(huì)變形。
上述通孔優(yōu)選在上述固定平板的整個(gè)表面上均勻產(chǎn)生，通孔直徑不能大到負(fù)壓抽吸將降低晶片平整度的程度，通孔直徑又必須大到足以在負(fù)壓下平滑抽吸，不會(huì)降低膠帶晶片的生產(chǎn)率或平整度的程度。
根據(jù)第二項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，在為上述粘結(jié)劑(A)層提供刺激的步驟中降低粘結(jié)劑(A)的粘結(jié)力。
氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，產(chǎn)生的氣體至少從粘附體表面上除去一部分粘結(jié)劑，從而降低粘結(jié)力。此時(shí)，與厚度約為100-600μm的傳統(tǒng)晶片相比，厚度約為50μm的極薄晶片的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度弱，易于翹曲，因此，局部產(chǎn)生的氣體會(huì)在部分晶片上施加很強(qiáng)的壓力，結(jié)果將使晶片變形或受損。根據(jù)第二項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，預(yù)先在晶片上粘結(jié)上述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體壓力不會(huì)使之變形的切塊膠帶，從而不會(huì)發(fā)生這樣的晶片變形或損壞。即，晶片和氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體壓力不會(huì)使之變形的切塊膠帶固定和集合在一起，從而使晶片得以強(qiáng)化，局部和不均勻產(chǎn)生的氣體不會(huì)使晶片極度變形或受損。
另外，當(dāng)將支撐膠帶從晶片上除去時(shí)，切塊膠帶均勻固定和強(qiáng)化整個(gè)晶片，因此，即使在晶片上施加除去支撐膠帶的力，也能防止晶片極度變形或受損。
根據(jù)第三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，在為上述粘結(jié)劑(A)層提供刺激的步驟中在整個(gè)晶片上均勻施加刺激和負(fù)荷。
用上述方式為上述粘結(jié)劑(A)層提供刺激，因此，氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，產(chǎn)生的氣體至少從粘附體表面上除去一部分粘結(jié)劑，從而降低粘結(jié)力。產(chǎn)生的氣體至少從粘附體表面上除去一部分粘結(jié)劑，從而降低粘結(jié)力。此時(shí)，在傳統(tǒng)條件下，產(chǎn)生的氣體集合在一起產(chǎn)生較大的氣泡，這些大氣泡至少從粘附體表面上除去一部分粘結(jié)劑。這些大氣泡的產(chǎn)生在整個(gè)晶片中不均勻，根據(jù)粘結(jié)條件和提供刺激的方式，氣泡可能會(huì)分散。與厚度約為100-600μm的傳統(tǒng)晶片相比，厚度約為50μm的極薄晶片的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度弱，易于翹曲，因此，大氣泡產(chǎn)生的不均勻壓力將使晶片變形或受損。
在提供上述刺激時(shí)，在整個(gè)晶片上均勻施加負(fù)荷。從而可以防止發(fā)生大氣泡的不均勻性。即，由于不均勻施加的負(fù)荷產(chǎn)生的壓力將難以形成大氣泡，另外，產(chǎn)生的氣體在粘結(jié)劑表面上難以自由移動(dòng)，因此，氣體不能集合在一起形成大氣泡。因此，產(chǎn)生的氣體形成均勻分布在整個(gè)粘結(jié)劑表面上的顯微氣泡，因此在整個(gè)晶片上均勻施加氣體壓力，從而防止晶片變形或受損。
盡管對(duì)在上述整個(gè)晶片上均勻施加負(fù)荷的方法沒有特別限定，但是利用合適的重塊施加負(fù)荷的方法是合適的。盡管對(duì)此時(shí)的負(fù)荷重量沒有特別限定，但是，重量不能大到損壞IC片的程度。
另外，盡管對(duì)制成上述重塊的材料沒有特別限定，但是在用于產(chǎn)生上述氣體的刺激是光的情況下，該材料優(yōu)選是透明的。具體來說，厚度約為1-2cm的玻璃板是合適的。
然后將支撐膠帶從晶片上除去。此時(shí)，利用刺激降低粘結(jié)劑(A)的粘結(jié)力，因此，支撐膠帶易于從晶片上除去。
此時(shí)，為粘結(jié)劑(B)層提供刺激，從而使粘結(jié)劑(B)層中的氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，從而降低粘結(jié)力，然后，根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，在用含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑作為上述粘結(jié)劑(B)的情況下，在將支撐膠帶從晶片上除去前，將支撐膠帶從硬支撐板上除去，因此，彈性支撐板以剝落的方式從晶片上除去，從而可以簡化除去支撐膠帶的方式，從而可以有效防止晶片受損和變形。在用其表面上形成有易碎電路的晶片生產(chǎn)IC晶片的情況下，優(yōu)選使用上述生產(chǎn)方法，因?yàn)椴襟E數(shù)目增加了。
根據(jù)第一、二或三項(xiàng)發(fā)明的IC片的生產(chǎn)方法，其至少具有將晶片切塊的步驟。在該步驟中用玻璃割刀將其表面上形成有電路的晶片分成片。其形狀通常為正方形，其邊長是幾百微米至幾十毫米。
本發(fā)明的最佳實(shí)施方式下面參考實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明，但是這些實(shí)施例不能限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
(實(shí)施例1)<制備粘結(jié)劑>
為了得到重均分子量為700000的丙烯?；簿畚铮瑢⑾率龌衔锶芙庠谝宜嵋阴ブ?，通過紫外線照射的方法進(jìn)行聚合。
丙烯酸丁酯 79重量份丙烯酸乙酯 15重量份丙烯酸 1重量份丙烯酸2-羥乙酯 5重量份光聚合引發(fā)劑(Irgacure 651，50％ 0.2重量份的乙酸乙酯溶液)月桂硫醇 0.02重量份在含有得到的丙烯酸共聚物的乙酸乙酯溶液中(樹脂的固體含量為100重量份)加入3.5重量份的甲基丙烯酸2-異氰酸乙酯，然后將20重量份的季戊四醇三丙烯酸酯、0.5重量份的光聚合引發(fā)劑(Irgacure 651，50％的乙酸乙酯溶液)和1.5重量份的聚異氰酸酯和反應(yīng)后得到的乙酸乙酯溶液(樹脂的固體含量為100重量份)混合，從而制成粘結(jié)劑(1)的乙酸乙酯溶液。
另外，將100重量份的2，2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)與粘結(jié)劑(1)的乙酸乙酯溶液(樹脂的固體含量為100重量份)混合，從而制成含有氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(2)。
<制備支撐膠帶>
在厚度為100μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)透明膜的一側(cè)上用手術(shù)刀涂布粘結(jié)劑(1)的乙酸乙酯溶液，在膜的兩側(cè)上進(jìn)行電暈處理，使干燥后的涂膜厚度約為15μm，將涂覆液在110℃下加熱5分鐘干燥。然后，將其上進(jìn)行脫模處理的PET膜粘結(jié)在粘結(jié)劑(1)層的表面上。
在其上已經(jīng)進(jìn)行脫模處理的PET膜上用手術(shù)刀涂布粘結(jié)劑(1)的乙酸乙酯溶液，使干燥后的涂膜厚度約為15μm，為了將涂覆液干燥，通過在110℃下加熱5分鐘使溶劑揮發(fā)。干燥后的粘結(jié)劑(1)層在干燥條件下具有粘結(jié)性。
然后，已經(jīng)提供粘結(jié)劑(1)層且已經(jīng)進(jìn)行了電暈處理的PET膜的沒有粘結(jié)劑(1)層的表面和已經(jīng)提供粘結(jié)劑(1)層且已經(jīng)進(jìn)行了電暈處理的PET膜的粘結(jié)劑(1)層的表面相互粘結(jié)。因此，支撐膠帶1的兩側(cè)上都有粘結(jié)劑層，其表面受到進(jìn)行了脫模處理的PET膜的保護(hù)。
另一方面，在PET表面上已經(jīng)進(jìn)行了脫模處理的PET膜上用手術(shù)刀涂布粘結(jié)劑(2)的乙酸乙酯溶液，使干燥后的涂膜厚度約為10μm，為了將涂覆液干燥，通過在110℃下加熱5分鐘使溶劑揮發(fā)。干燥后的粘結(jié)劑(2)層在干燥條件下具有粘結(jié)性。
已經(jīng)進(jìn)行了脫模處理的PET膜從受到保護(hù)的支撐膠帶1的一側(cè)的粘結(jié)劑(1)層的表面上脫除，其上已經(jīng)形成有粘結(jié)劑(2)層的表面粘結(jié)在已經(jīng)進(jìn)行了脫模處理的PET膜的粘結(jié)劑(2)層上。然后使產(chǎn)品在40℃下靜置3天。
因此，得到的支撐膠帶2一側(cè)上有粘結(jié)劑(1)層，另一側(cè)上有包括粘結(jié)劑(2)的底涂層，這是粘結(jié)劑(1)層的表面層部分，其中，粘結(jié)劑層受到其表面已經(jīng)進(jìn)行了脫模處理的PET膜的保護(hù)。
(拋光步驟)將保護(hù)支撐膠帶2的粘結(jié)劑(2)層的PET膜剝落，將支撐膠帶粘結(jié)在直徑為20.4cm、厚度約為750μm的硅片上，然后將保護(hù)粘結(jié)劑(1)層的PET膜剝落，在負(fù)壓環(huán)境下將支撐膠帶粘結(jié)在直徑為20.4cm的玻璃板上。已經(jīng)用支撐膠帶2粘結(jié)在硅片上的玻璃板附著在拋光單元上，然后進(jìn)行拋光，直到硅片厚度約為50μm。拋光步驟完成后，將粘結(jié)在硅片上的玻璃板從拋光單元上移開，然后將切塊膠帶粘結(jié)在硅片表面上。
(晶片的除去步驟)用包括陶瓷多孔板(平均孔徑是40μm)的固定板和真空泵裝備紫外線照射單元，使得整個(gè)晶片能夠通過真空泵的抽吸而固定，用紫外線照射單元將支撐膠帶2從硅片上除去，方法是在負(fù)壓抽吸的同時(shí)用玻璃板那一側(cè)上的超高壓汞燈以玻璃板表面上的照明強(qiáng)度已調(diào)節(jié)至40mW/cm2的365nm的紫外線照射其上粘結(jié)有處在陶瓷多孔板上的硅片的切塊膠帶2分鐘。然后，在負(fù)壓抽吸的同時(shí)垂直提升玻璃板。
(切塊步驟)然后將已被切塊膠帶強(qiáng)化的硅片附著在切塊單元上，用刀片將硅片切成IC片，從晶片側(cè)邊開始切割。然后將切塊膠帶剝落，從而得到IC片。
用支撐膠帶2可以高粘結(jié)強(qiáng)度地使IC片和支撐板相互粘結(jié)，在IC片和支撐板相互粘結(jié)的條件下通過將晶片拋光可以在不損壞晶片的前提下將晶片拋光，使其厚度約為50μm。拋光后，用紫外線照射晶片，使氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，從而使支撐膠帶的粘結(jié)力大幅降低，能夠易于除去晶片。另外，此時(shí)從切塊膠帶側(cè)在整個(gè)晶片上均勻進(jìn)行負(fù)壓抽吸，從而使晶片不會(huì)因產(chǎn)生的氣體壓力而受損或變形。
(實(shí)施例2)(拋光步驟)將實(shí)施例1中已經(jīng)制備的保護(hù)支撐膠帶2的粘結(jié)劑(2)層的PET膜剝落，將支撐膠帶粘結(jié)在直徑為20.4cm、厚度約為750μm的硅片上，然后將保護(hù)粘結(jié)劑(1)層的PET膜剝落，在負(fù)壓環(huán)境下將硅片粘結(jié)在直徑為20.4cm的玻璃板上。已經(jīng)用支撐膠帶2粘結(jié)在硅片上的玻璃板附著在拋光單元上，然后進(jìn)行拋光，直到硅片厚度約為50μm。拋光步驟完成后，將粘結(jié)在硅片上的玻璃板從拋光單元上移開，然后將包括PET且厚度為250μm的切塊膠帶粘結(jié)在硅片表面上。
(晶片的除去步驟)用玻璃板側(cè)上的超高壓汞燈以玻璃板表面上的照明強(qiáng)度已調(diào)節(jié)至40mW/cm2的365nm的紫外線照射硅片2分鐘。然后，垂直提升玻璃板，使支撐膠帶2從硅片上剝落。
(切塊步驟)然后將已被切塊膠帶強(qiáng)化的硅片附著在切塊單元上，用刀片將硅片切成IC片，從晶片側(cè)邊開始切割。然后將切塊膠帶剝落，從而得到IC片。
用支撐膠帶2可以高粘結(jié)強(qiáng)度地使IC片和支撐板相互粘結(jié)，在IC片和支撐板相互粘結(jié)的條件下通過將晶片拋光可以在不損壞晶片的前提下將晶片拋光，使其厚度約為50μm。拋光后，用紫外線照射晶片，使氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，從而使支撐膠帶的粘結(jié)力大幅降低，能夠易于除去晶片。另外，此時(shí)用包括PET且厚度為250μm的切塊膠帶將整個(gè)晶片均勻固定，從而使晶片不會(huì)因產(chǎn)生的氣體壓力而受損或變形。
(實(shí)施例3)(拋光步驟)將實(shí)施例1中已經(jīng)制備的保護(hù)支撐膠帶2的粘結(jié)劑(2)層的PET膜剝落，將支撐膠帶粘結(jié)在直徑為20.4cm、厚度約為750μm的硅片上，然后將保護(hù)粘結(jié)劑(1)層的PET膜剝落，在負(fù)壓環(huán)境下將硅片粘結(jié)在直徑為20.4cm的玻璃板上。已經(jīng)用支撐膠帶2粘結(jié)在硅片上的玻璃板附著在拋光單元上，然后進(jìn)行拋光，直到硅片厚度約為50μm。拋光步驟完成后，將粘結(jié)在硅片上的玻璃板從拋光單元上移開，然后將切塊膠帶粘結(jié)在硅片表面上。
(晶片的除去步驟)用切塊膠帶將已經(jīng)粘結(jié)有切塊膠帶的硅片放置在支撐板底面上，直徑為20cm、厚度為1cm的玻璃板精心地置放在支撐板頂面上。在這種條件下，用玻璃板一側(cè)上的超高壓汞燈以玻璃板表面上的照明強(qiáng)度已調(diào)節(jié)至40mW/cm2的365nm的紫外線照射硅片2分鐘。玻璃板被除去后，支撐板和支撐膠帶2從硅片上除去。
(切塊步驟)然后將已被切塊膠帶強(qiáng)化的硅片附著在切塊單元上，用刀片將硅片切成IC片，從晶片側(cè)邊開始切割。然后將切塊膠帶剝落，從而得到IC片。
用支撐膠帶2可以高粘結(jié)強(qiáng)度地使IC片和支撐板相互粘結(jié)，在IC片和支撐板相互粘結(jié)的條件下通過將晶片拋光可以在不損壞晶片的前提下將晶片拋光，使其厚度約為50μm。拋光后，用紫外線照射晶片，使氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體，從而使支撐膠帶的粘結(jié)力大幅降低，能夠易于除去晶片。另外，在氣體發(fā)生劑產(chǎn)生氣體時(shí)通過在晶片上置放玻璃板在整個(gè)晶片上均勻施加負(fù)荷，從而可以防止生成的氣體集合在一起形成大氣泡，因此，晶片不會(huì)因產(chǎn)生的氣體壓力而受損或變形。
工業(yè)應(yīng)用性因?yàn)楸景l(fā)明由上述特征構(gòu)成，所以能夠提供一種IC片的生產(chǎn)方法，其中，可以防止晶片受損，能夠改善處理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度極度降低至約50μm，也能夠適當(dāng)?shù)貙⒕庸こ蒊C片。
權(quán)利要求
1.一種IC片的生產(chǎn)方法，其至少包括用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上的步驟，支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層；用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的時(shí)候?qū)⑺鼍瑨伖獾牟襟E；將切塊膠帶粘結(jié)在所述拋光晶片上的步驟；為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟；將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟；和將所述晶片切塊的步驟，其在用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的步驟中包括將所述包括粘結(jié)劑(A)的表面層粘結(jié)在所述晶片上和將所述包括粘結(jié)劑(B)的表面層粘結(jié)在所述支撐板上，在負(fù)壓下從其切塊膠帶側(cè)均勻抽吸整個(gè)所述晶片的同時(shí)提供所述刺激，然后在為所述粘結(jié)劑(A)層提供刺激的步驟中和在將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟中，將所述支撐膠帶從所述晶片上除去。
2.一種IC片的生產(chǎn)方法，其至少包括用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上的步驟，支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層；用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的時(shí)候?qū)⑺鼍瑨伖獾牟襟E；將切塊膠帶粘結(jié)在所述拋光晶片上的步驟；為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟；將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟；和將所述晶片切塊的步驟，其在用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的步驟中包括將所述包括粘結(jié)劑(A)的表面層粘結(jié)在所述晶片上和將所述包括粘結(jié)劑(B)的表面層粘結(jié)在所述支撐板上，和所述氣體發(fā)生劑產(chǎn)生的氣體壓力不會(huì)使所述切塊膠帶變形。
3.一種IC片的生產(chǎn)方法，其至少具有用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上的步驟，支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層；用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的時(shí)候?qū)⑺鼍瑨伖獾牟襟E；將切塊膠帶粘結(jié)在所述拋光晶片上的步驟；為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟；將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟；和將所述晶片切塊的步驟，其在用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的步驟中包括將所述包括粘結(jié)劑(A)的表面層粘結(jié)在所述晶片上和將所述包括粘結(jié)劑(B)的表面層粘結(jié)在所述支撐板上，和在為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟中，在整個(gè)所述晶片上均勻施加負(fù)荷的同時(shí)提供所述刺激。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的IC片的生產(chǎn)方法，在將切塊膠帶粘結(jié)在拋光晶片上的步驟和將支撐膠帶從晶片上除去的步驟之間包括從支撐膠帶上除去支撐板的步驟。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種IC片的生產(chǎn)方法，其中，可以防止晶片受損，能夠改善處理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度極度降低至約50μm，也能夠適當(dāng)?shù)貙⒕庸こ蒊C片。本發(fā)明提供一種IC片的生產(chǎn)方法，其至少包括用支撐膠帶將晶片固定在支撐板上的步驟，支撐膠帶具有包括含由于刺激而生成氣體的氣體發(fā)生劑的粘結(jié)劑(A)的表面層和包括粘結(jié)劑(B)的表面層；用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的時(shí)候?qū)⑺鼍瑨伖獾牟襟E；將切塊膠帶粘結(jié)在所述拋光晶片上的步驟；為所述粘結(jié)劑(A)層提供所述刺激的步驟；將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟；將所述晶片切塊的步驟，在用所述支撐膠帶將所述晶片固定在所述支撐板上的步驟中包括將所述包括粘結(jié)劑(A)的表面層粘結(jié)在所述晶片上和將所述包括粘結(jié)劑(B)的表面層粘結(jié)在所述支撐板上，在負(fù)壓下從其切塊膠帶側(cè)均勻抽吸整個(gè)所述晶片的同時(shí)提供所述刺激，然后在為所述粘結(jié)劑(A)層提供刺激的步驟中和在將所述支撐膠帶從所述晶片上除去的步驟中，將所述支撐膠帶從所述晶片上除去。
文檔編號(hào)H01L21/78GK1507651SQ0380023
公開日2004年6月23日 申請(qǐng)日期2003年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月15日
發(fā)明者福岡正輝, 大山康彥, 畠井宗宏, 林聰史, 檀上滋, 北村政彥, 矢嵨興一, 一, 宏, 彥 申請(qǐng)人:積水化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社, 株式會(huì)社迪思科