專(zhuān)利名稱(chēng)：接觸孔生產(chǎn)的監(jiān)測(cè)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體器件制造和工藝控制，具體涉及半導(dǎo)體晶片上生產(chǎn)接觸孔的監(jiān)測(cè)。
背景技術(shù)：
接觸孔制作是半導(dǎo)體器件制造中的一個(gè)共同步驟。典型地，接觸孔應(yīng)用于使半導(dǎo)體層或金屬層通過(guò)一個(gè)疊置的非導(dǎo)電層諸如氧化物層實(shí)現(xiàn)電連接。為了制作接觸孔，在晶片表面上沉積一層光致抗蝕劑。用紫外輻射照射光致抗蝕劑，使之硬化和顯影，在晶片上形成一層“掩膜”，而接觸孔位置處則留有開(kāi)口。然后，將晶片輸送至蝕刻工位形成接觸孔，它穿過(guò)非導(dǎo)電層直至半導(dǎo)體層上。然后，去除光致抗蝕劑掩膜，在接觸孔內(nèi)填充金屬。在晶片表面可以用類(lèi)似的工藝制作溝槽或通路。
為了確保一致的器件性能，必須仔細(xì)控制接觸開(kāi)口的深度、寬度和底面。(本專(zhuān)利申請(qǐng)和權(quán)利要求中，名詞“接觸開(kāi)口”指上述類(lèi)型的所有開(kāi)口結(jié)構(gòu)，包括接觸孔、接觸通路和接觸溝槽。)接觸開(kāi)口尺寸上的偏差會(huì)導(dǎo)致接觸電阻的變動(dòng)。如果此種接觸電阻變動(dòng)太大，會(huì)影響器件性能，導(dǎo)致產(chǎn)量的損失。所以，必須仔細(xì)監(jiān)測(cè)和控制制造工藝，以便一旦檢知接觸開(kāi)口形成中發(fā)生偏差，可立即采取校正措施以避免加工中損失高價(jià)的晶片。
本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)周知，使用掃描式電子顯微鏡(SEM)來(lái)檢查接觸孔。SEM的原理及其在半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)微量分析中的應(yīng)用例如說(shuō)明于Yacobi；等人的著作“固體微量分析”(Plenum出版社，1994年，紐約)的第2章中，這里引入于此作為參考。由于接觸孔的深度一般遠(yuǎn)大于寬度，需應(yīng)用專(zhuān)門(mén)的高長(zhǎng)寬比(HAR)成像模式。穿過(guò)介質(zhì)層直至半導(dǎo)體下面的貫透孔在影像中呈現(xiàn)明亮像，而沒(méi)有完全使半導(dǎo)體層暴露的封閉孔則呈現(xiàn)暗淡像。
使用SEM的HAR技術(shù)在實(shí)施時(shí)既費(fèi)時(shí)又價(jià)貴，它還不能區(qū)分造成接觸孔封閉的不同類(lèi)型阻塞(例如，孔的蝕刻不到位，或是相反地在孔的底部沉積有殘?jiān)?。此外，HAR成像技術(shù)一般只能使用于當(dāng)光致抗蝕劑掩膜從晶片表面上清除掉之后。因此，如果檢查中發(fā)現(xiàn)接觸孔蝕刻不到位，那時(shí)已不可能繼續(xù)進(jìn)行蝕刻工藝。
接觸孔檢查的另一種方法說(shuō)明于Yamada等人的文章“應(yīng)用電子束感應(yīng)的襯底電流的有序工藝監(jiān)測(cè)法”中，見(jiàn)《微電子學(xué)—可靠性》期刊413(2001年3月)，455-459頁(yè)，它引入于此作為參考。電子束系統(tǒng)中的補(bǔ)償電流也稱(chēng)為試樣電流，定義為從一次電子束中經(jīng)由試樣(也即經(jīng)由晶片)流入地的吸收電流。換言之，試樣電流等于一次束電流與二次電子和反向散射電子引起的試樣總電子量之差。取決于一次電子束的能量處于試樣的正充電或負(fù)充電范圍，試樣電流可以為正或負(fù)。Yamada等人將電子束指引到疊置在硅襯底上的SiO2表層中單個(gè)孔和組群孔上，并測(cè)量產(chǎn)生的補(bǔ)償電流。他們發(fā)現(xiàn)，補(bǔ)償電流值是孔底氧化物厚度以及孔直徑的一個(gè)良好指示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明某些方面的一個(gè)目的，是提供改進(jìn)的方法和系統(tǒng)用以監(jiān)測(cè)接觸開(kāi)口的制作。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，在半導(dǎo)體晶片上形成一個(gè)測(cè)試圖案用于監(jiān)測(cè)接觸開(kāi)口的制作。測(cè)試圖案中包含一個(gè)接觸開(kāi)口(孔和/或溝槽)陣列，其尺寸和其他特性類(lèi)似于在晶片上制造微電子器件時(shí)所用的接觸孔和接觸通路?？扇〉?，測(cè)試圖案位于晶片的非功能區(qū)域，諸如位于切割線上。任選地，可以在晶片的不同位置上形成多個(gè)此類(lèi)測(cè)試圖案，包括或是相同類(lèi)型和大小的開(kāi)口，或是不同類(lèi)型和大小的開(kāi)口。
象制作正式功能孔和/或溝槽時(shí)一樣，以相同的工藝在晶片內(nèi)蝕刻測(cè)試圖案的開(kāi)口。當(dāng)確信蝕刻完成時(shí)，使一個(gè)電子束指向測(cè)試圖案檢查晶片，并測(cè)量產(chǎn)生的試樣電流。將試樣電流值與期望的開(kāi)口大小和使用的工藝參數(shù)上能夠預(yù)定的校準(zhǔn)基準(zhǔn)值進(jìn)行比較。相對(duì)校準(zhǔn)基準(zhǔn)測(cè)量到有電流偏差時(shí)表明，沒(méi)有正常地蝕刻接觸孔，從而可采取校正措施。可取地，試樣電流的測(cè)量是在晶片上去除蝕刻工藝時(shí)需用的光致抗蝕劑掩膜之前進(jìn)行的。因此，如果試樣電流指出開(kāi)口不夠深或不夠大，可繼續(xù)進(jìn)行蝕刻工藝，直至達(dá)到正確的接觸孔大小。
使用具有多個(gè)開(kāi)口的增廣的測(cè)試圖案時(shí)，有可能應(yīng)用分辨率相對(duì)低的簡(jiǎn)單的電子束源來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，而不需要本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)已知的在接觸孔監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中應(yīng)用的那樣大型和高分辨率的SEM。于是，實(shí)際上可以將實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的測(cè)試探頭與同一箱室或鄰接箱室內(nèi)的蝕刻器組合起來(lái)，因此能快速和方便地共同進(jìn)行接觸孔的蝕刻和測(cè)試。而不必將晶片移出到周?chē)諝庵?。本發(fā)明的某些優(yōu)選實(shí)施例中，孔的蝕刻箱和監(jiān)控測(cè)試箱做成一個(gè)設(shè)備集合內(nèi)的兩個(gè)工位。這樣地使接觸孔度量與實(shí)際制作步驟綜合起來(lái)，能縮短質(zhì)量控制反饋環(huán)路，因此當(dāng)發(fā)生工藝缺陷時(shí)可較迅速地檢知和校正，從而減少產(chǎn)量的損失。
所以，按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，提供出一種生產(chǎn)測(cè)試方法，包括接受一個(gè)包括有半導(dǎo)體襯底且襯底上形成有非導(dǎo)電層的晶片，隨后蝕刻出穿過(guò)非導(dǎo)電層直至襯底的接觸開(kāi)口，接觸開(kāi)口中包括一個(gè)接觸開(kāi)口陣列，它布置在晶片上測(cè)試區(qū)域中的預(yù)定測(cè)試圖案內(nèi)；指引一個(gè)電子束射擊測(cè)試區(qū)域；測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)而流過(guò)襯底的試樣電流；以及分析試樣電流，借以估計(jì)接觸開(kāi)口的尺度。
通常，接觸開(kāi)口包括接觸孔、接觸通路或接觸溝槽。
可選地，測(cè)量二次電子信號(hào)并連同試樣電流一起進(jìn)行分析。
最好，測(cè)試圖案的尺寸至少10×10μm，包括至少100個(gè)接觸開(kāi)口。最可取的做法是引導(dǎo)電子束時(shí)使之聚焦，使面積大致等于測(cè)試圖案大小。
優(yōu)選實(shí)施例中，接受晶片時(shí)包括收受下在非導(dǎo)電層上疊置有光致抗蝕劑層的晶片，該光致抗蝕劑層在蝕刻接觸開(kāi)口時(shí)一直應(yīng)用到，并且在測(cè)量試樣電流(包括用電子束射擊測(cè)試區(qū)域以確定試樣電流)之后，才去除光致抗蝕劑層。如果試樣電流指出，接觸開(kāi)口的尺寸低于預(yù)定界限。則在保持光致抗蝕劑層下可對(duì)非導(dǎo)電層進(jìn)一步蝕刻，能可取地增大接觸開(kāi)口尺度。
通常，至少某些接觸開(kāi)口不包括在屬于晶片上多個(gè)微電子電路的陣列中，這里，這些電路由一些切割線分隔開(kāi)，而測(cè)試區(qū)域最好位于劃割線之一上。
可取地，測(cè)試區(qū)域是晶片不同位置上多個(gè)此類(lèi)測(cè)試區(qū)域之一，并在引導(dǎo)電子束時(shí)至少定位好電子束和晶片之一，以便電子束依次射擊至少兩個(gè)測(cè)試區(qū)域中的每一個(gè)。
優(yōu)選實(shí)施例中，引導(dǎo)電子束時(shí)包括在預(yù)充電時(shí)期使電子束工作以預(yù)充電測(cè)試區(qū)域，然后在預(yù)充電時(shí)期之后的測(cè)試時(shí)期內(nèi)使電子束工作，同時(shí)測(cè)量試樣電流。最好，預(yù)充電時(shí)期使電子束工作時(shí)對(duì)測(cè)試區(qū)域表面施加負(fù)電荷。并在測(cè)試時(shí)期電子束工作時(shí)將電子束電流設(shè)定得足夠低，以便工作在穩(wěn)定情況下進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量，同時(shí)設(shè)定電子束能量，以便接觸開(kāi)口底部與介質(zhì)材料之間增強(qiáng)反差。
再一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，測(cè)量試樣電流中包括使一個(gè)導(dǎo)電接觸墊固定接觸到鄰近測(cè)試區(qū)域的晶片上，測(cè)量流過(guò)接觸墊的電流。另一個(gè)實(shí)施例中，引導(dǎo)電子束時(shí)包括形成脈沖式電子束射擊測(cè)試區(qū)域，并在測(cè)量試樣電流時(shí)包括測(cè)量經(jīng)電容耦合至晶片上的電流。
最好，分析試樣中電流時(shí)包括對(duì)接觸開(kāi)口中深度和寬度中的至少一個(gè)量值進(jìn)行估計(jì)。
優(yōu)選實(shí)施例中，分析試樣電流時(shí)包括檢測(cè)接觸開(kāi)口內(nèi)的殘?jiān)⑶曳椒ㄖ羞€包括用電子束射擊晶片以去除殘?jiān)?br> 按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，還提供一種生產(chǎn)微電子器件的方法，包括在穿過(guò)晶片上非導(dǎo)電層直至該非導(dǎo)電層上形成的半導(dǎo)體襯底間，蝕刻出諸接觸開(kāi)口，接觸開(kāi)口包括一個(gè)接觸開(kāi)口陣列，它布置在晶片測(cè)試區(qū)域上的預(yù)定測(cè)試圖案內(nèi)；指引一個(gè)電子束射擊測(cè)試區(qū)域；
測(cè)量出對(duì)電子束起反應(yīng)而流過(guò)襯底的試樣電流；以及分析試樣電流，借以估計(jì)接觸開(kāi)口的尺度。
按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，附加地提供晶片的生產(chǎn)測(cè)試裝置，晶片上包括半導(dǎo)體襯底及形成在襯底上的非導(dǎo)電層。隨后蝕刻出穿過(guò)非導(dǎo)電層直至襯底的接觸開(kāi)口，裝置內(nèi)包括有電子束源，適應(yīng)于指引電子束射擊晶片上的測(cè)試區(qū)域，測(cè)試區(qū)域中包括有按預(yù)定測(cè)試圖案布置的接觸開(kāi)口陣列；電流測(cè)量裝置，連接來(lái)測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)而流過(guò)襯底的試樣電流；以及控制器，根據(jù)測(cè)量的試樣電流適應(yīng)于估計(jì)接觸開(kāi)口的尺度。
可選地，還可連接一個(gè)二次電子檢測(cè)器，以測(cè)量在電子束射擊下的晶片上發(fā)射出的電子給出的信號(hào)。
按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，還提供半導(dǎo)體晶片，它包括半導(dǎo)體襯底；以及形成在襯底上的非導(dǎo)電層，并有著多個(gè)蝕刻出的穿過(guò)非導(dǎo)電層直至襯底的接觸開(kāi)口，接觸開(kāi)口中包括有在晶片測(cè)試區(qū)域內(nèi)按預(yù)定測(cè)試圖案布置的接觸開(kāi)口陣列。
按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并又提供一個(gè)設(shè)備集合用于生產(chǎn)微電子器件，包括蝕刻工位，適應(yīng)對(duì)包括有半導(dǎo)體襯底以及在襯底上形成有非導(dǎo)電層的晶片進(jìn)行蝕刻，以便制作出穿過(guò)非導(dǎo)電層直至襯底的接觸開(kāi)口，接觸開(kāi)口中包括有在晶片預(yù)定測(cè)試區(qū)域內(nèi)按預(yù)定測(cè)試圖案布置的接觸開(kāi)口陣列；測(cè)試工位，包括電子束源，適應(yīng)于指引電子束射擊晶片上的測(cè)試區(qū)域；以及電流測(cè)量裝置，連接來(lái)測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)而流過(guò)襯底的試樣電流；以及控制器，適應(yīng)于根據(jù)測(cè)量的試樣電流估計(jì)接觸開(kāi)口的尺度，并根據(jù)估計(jì)的尺度調(diào)整蝕刻工序的工作參數(shù)。
可取地，工序中包括一個(gè)機(jī)器人，適應(yīng)于在晶片保持于真空下將晶片從蝕刻工序輸送到測(cè)試工序上。
更可取地，控制器是自適應(yīng)的，如果試樣電流指出，接觸開(kāi)口的尺度低于預(yù)定界限值，便將晶片返送到蝕刻工位上進(jìn)一步蝕刻非導(dǎo)電層，以便增大接觸開(kāi)口尺度。


從下面結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中，將更充分地理解本發(fā)明，附圖中圖1A是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例其上面形成有測(cè)試圖案的半導(dǎo)體晶片的概略頂視圖；圖1B是沿圖1A上測(cè)試圖案的1B-1B線的概圖剖面圖；圖2A-2F是半導(dǎo)體晶片上一個(gè)區(qū)域的概略剖面示例，示明在不同工藝條件下晶片內(nèi)蝕刻出的接觸孔情況；圖3是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的方框圖，概略示明用于測(cè)試接觸孔制作的裝置；圖4是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的設(shè)備集合概略頂視圖，其中包括接觸孔測(cè)試部分；以及圖5是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的流程圖，概略示明接觸孔制作和測(cè)試的方法。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，參考圖1A和1B，按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，它們概略示明半導(dǎo)體晶片20以及在其上面形成的測(cè)試圖案22的細(xì)節(jié)。圖1A是晶片的頂視圖，在插圖上示出放大的測(cè)試圖案。圖1B是沿圖1A上1B-1B線的測(cè)試圖案斷面放大圖。圖1A上盡管只示明單個(gè)測(cè)試圖案，但也可以在晶片20表面上分布多個(gè)測(cè)試圖案。最好，各測(cè)試圖案位于晶片20上相鄰小片之間的劃割線處，以使得晶片上有用空間的損失最小。
可取地，測(cè)試圖案22中包含接觸孔陣列26。通常，接觸孔設(shè)計(jì)成直徑大約100nm，相互之間間隔大致0.5μm至1μm。整個(gè)測(cè)試圖案通常包羅至少10×10μm面積，最好包羅約30×30μm面積。接觸孔和測(cè)試圖案的尺度和間隔雖由上述數(shù)字例子來(lái)示明，但是，其他的尺度和間隔也是可以的。所說(shuō)明的接觸孔26其制作的尺度和方法是十分緊密地依照晶片20上實(shí)用接觸孔制作的尺度和方法的。雖然，圖中示明的全部接觸孔26有相同的尺度，但需要時(shí)也可以在晶片20上同一測(cè)試圖案位置或不同的位置處采用不一樣尺寸和形狀的接觸孔。測(cè)試圖案中最好包含大數(shù)目的接觸孔，最可取的是至少100個(gè)接觸孔。以便如下所述地測(cè)試晶片20時(shí)能給出大的試樣電流。測(cè)試圖案中也可以包括其他類(lèi)型的接觸開(kāi)口(未示出)，諸如溝槽和通路。
典型應(yīng)用中，非導(dǎo)電氧化物層30形成在硅襯底層28上，光致抗蝕劑32沉積于氧化物層上。預(yù)定要測(cè)試的測(cè)試圖案22上接觸孔26的材料沉積、平板照相印刷和蝕刻，完全象測(cè)試圖案22所在晶片上的功能電路制作工藝一樣。在接觸孔26內(nèi)，襯底層28暴露的程度與它在晶片功能區(qū)域內(nèi)接觸孔蝕刻給出的暴露程度相同。對(duì)電子束射擊測(cè)試圖案22時(shí)產(chǎn)生的試樣電流的測(cè)量，可指明在接觸孔內(nèi)暴露的襯底層28的暴露程度。為便于這種測(cè)量，可以在測(cè)試圖案22之下的晶片20底側(cè)形成導(dǎo)電接觸墊33。下面的圖3至圖5示明測(cè)量試樣電流時(shí)采用的裝置和方法，其說(shuō)明將參考這里的圖例。
圖2A-2F是半導(dǎo)體晶片一個(gè)區(qū)域內(nèi)概略的剖面示例，示明在不同工藝條件下形成的接觸孔26。這些圖上示明的各個(gè)實(shí)例中，表示接觸孔26對(duì)襯底層28提供出相同的區(qū)域34接觸。區(qū)域34處包含有TiSi2以增強(qiáng)導(dǎo)電性。區(qū)域34通常為門(mén)電路結(jié)構(gòu)的一部分，由本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)已知的方法形成在襯底層28內(nèi)。氧化物層30包含的材料通常諸如是不摻雜的硅玻璃(USG)或硼磷硅玻璃(BPSG)或低介電常數(shù)k的介質(zhì)，并在硅襯底與玻璃之間可能加入Si3N4。然而，這些圖上所示的結(jié)構(gòu)只是通過(guò)例子給出，實(shí)際接觸孔26也可以類(lèi)同地制作在其他結(jié)構(gòu)曲或其他結(jié)構(gòu)旁。
圖2A示出一種完善的蝕刻，其貫通孔也即接觸孔干凈地按照需要暴露出襯底層28。這些圖例中的其余各圖示出了有各種工藝缺陷的狀態(tài)。圖2B中，接觸孔26蝕刻得不夠，問(wèn)題通常在于例如是蝕刻過(guò)程上或是氧化物層30的均勻性上。結(jié)果，在接觸孔26內(nèi)暴露的襯底層28其面積小于應(yīng)有面積。此種場(chǎng)合下，當(dāng)接觸孔26區(qū)域內(nèi)被電子束射擊時(shí)，產(chǎn)生的試樣電流將小于圖2A場(chǎng)合下產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流。當(dāng)接觸孔內(nèi)填充金屬以使得能與襯底層28電接觸時(shí)，接觸電阻會(huì)高于應(yīng)有值。
圖2C中，其蝕刻處理過(guò)強(qiáng)或者持續(xù)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致過(guò)分蝕刻出接觸孔26。此種場(chǎng)合下，試樣電流通常大于圖2A場(chǎng)合的值。蝕刻過(guò)分對(duì)區(qū)域34和其他結(jié)構(gòu)會(huì)造成有害影響，還可能導(dǎo)致雜質(zhì)沉積在接觸孔26底部。
圖2D上示明蝕刻嚴(yán)重不足的情況，這里，接觸孔26停止于貫通襯底層28之前，這通常是由于某種重大的工藝缺陷造成的。對(duì)于此類(lèi)封閉的接觸孔，測(cè)量得的試樣電流將很小，而在孔中填充金屬時(shí)接觸電阻會(huì)很大。
最后，圖2E中，雖然接觸孔26的蝕刻正常，但在孔的度部沉積有諸如光致抗蝕劑聚合物殘?jiān)?。這種雜質(zhì)通常造成測(cè)量得的試樣電流減小。如果不去除殘?jiān)?，接觸孔26填充金屬時(shí)接觸電阻會(huì)較高。
圖3是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的方框圖，概略示明接觸孔檢查工位40的組成。工位40中包含箱室42，它包括有檢查期間在其上面放置晶片20的活動(dòng)平臺(tái)44。電子槍46的電子束指向晶片20，同時(shí)由電流計(jì)48測(cè)量晶片中產(chǎn)生的試樣電流。電流計(jì)與晶片20底側(cè)間實(shí)現(xiàn)電連接，同襯底層28發(fā)生電接觸，也可以借助導(dǎo)電接觸墊33實(shí)現(xiàn)電接觸。電子槍46產(chǎn)生的電子束其直徑大約等于測(cè)試圖案22的寬度，也即如上面所指出，通常約為10-30μm。電子槍的電子能量最好是可變的，最可取的是在大約500至5000eV之間，以便包羅晶片20中材料充電的正負(fù)充電范圍。(正充電范圍指這樣的電子能量領(lǐng)域，來(lái)自表面層的二次電子和反向散射電子的總量大于一次電子束電流，而負(fù)充電范圍指這樣的電子能量領(lǐng)域，上述電子總量小于一次電子束電流。這類(lèi)現(xiàn)象是本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)周知的，說(shuō)明于上述的Yacobi等人的書(shū)籍38-39頁(yè)。)應(yīng)用于本目的的合適電子槍例如有Omicron NanoTechnology GmbH(德國(guó)Taunussfeix)生產(chǎn)的小束點(diǎn)電子源。比之在通常的SEM系統(tǒng)中使用的高分辨率電子束裝置，這種電子槍體積明顯較小并且不貴。
活動(dòng)平臺(tái)44定位晶片20，使測(cè)試圖案22正確地位于電子槍46的電子束下。在給定測(cè)試圖案和電子束的大特性尺寸(30μm)下。大約±5μm的定位分辨率一般已足夠。為了簡(jiǎn)便和節(jié)省空間，活動(dòng)平臺(tái)44最好包含R-Q(半徑/角度)平臺(tái)。另外地或者附加地，平臺(tái)可提供X-Y平移，或是電子槍46能在晶片20上平移，又或者電子槍本身可以偏斜。當(dāng)晶片20中多個(gè)位置上有測(cè)試圖案時(shí)，平臺(tái)44可這樣定位晶片(或者電子槍可平移或其電子束能偏斜)，以使得電子束依次地射擊這些測(cè)試圖案中的某一些。在每個(gè)測(cè)試圖案位置上測(cè)量試樣電流，以便確保整個(gè)晶片上保持接觸孔的均勻性。附加地和另外地，如果晶片上有不同測(cè)試圖案設(shè)計(jì)于測(cè)試不同尺寸和形狀的接觸開(kāi)口，則最好對(duì)每種測(cè)試圖案類(lèi)型都測(cè)量試樣電流?？蛇x地，如本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)所已知，可應(yīng)用二次電子檢測(cè)器49同時(shí)測(cè)量自晶片20上發(fā)射的二次電子電流。
電子槍46和平臺(tái)44的定位和運(yùn)行由主控制器50通過(guò)電子槍控制單元52和平臺(tái)控制單元54進(jìn)行控制。通常，基于低分辨率光學(xué)顯微鏡的預(yù)校準(zhǔn)單元(OM/PAL)56由主控制器50應(yīng)用來(lái)通過(guò)OM/PAL控制單元58移動(dòng)晶片上的測(cè)試圖案，用于定位和校準(zhǔn)目的。用于此種目的的、合適的顯微鏡例如已由Optem公司(Fairport，紐約)制作出。工作期間，由真空泵60保持箱室42內(nèi)的真空度，它也由主控制器50通過(guò)真空泵控制單元62進(jìn)行控制和監(jiān)測(cè)。主控制器50經(jīng)由機(jī)器人控制單元66與機(jī)器人64通信。如后面圖4中所示，機(jī)器人64可取地應(yīng)用于在設(shè)備集合中的其他工位之間進(jìn)出地輸送晶片。
在定位好平臺(tái)44和啟動(dòng)電子槍46射擊測(cè)試圖案22后，主控制器50接收由電流計(jì)48測(cè)量的試樣電流。它將該測(cè)量的電流與期望的接觸孔尺寸、材料、蝕刻條件和其他適用的工藝參數(shù)下確立的基準(zhǔn)電流進(jìn)行比較。如果主控制器確定，測(cè)量的電流超出預(yù)定的基準(zhǔn)值容器范圍，則可取地中斷制作過(guò)程，并通過(guò)用戶工作站68通知系統(tǒng)操作人員。操作人員對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行估計(jì)。然后實(shí)施可能怎樣地必需的校正措施。如果接觸孔蝕刻得不夠(例如2B或2D中所示)，則該措施應(yīng)進(jìn)一步實(shí)施蝕刻，或者如果有聚合物殘?jiān)练e在接觸孔底部(圖2E)，則措施應(yīng)是去除殘?jiān)?。后一種情況下，有可能應(yīng)用電子槍46以高密度電子束進(jìn)行射擊來(lái)去除聚合物膜。因此，工位40可用于工藝校正及缺陷檢測(cè)。
圖4是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的設(shè)備集合70的概略頂視圖。其中，整合有測(cè)試工位40。該整合可采用由小尺寸和簡(jiǎn)易式部件構(gòu)成工位40，特別是用小尺寸和簡(jiǎn)易式的電子槍46來(lái)實(shí)現(xiàn)。如上面所指出，這樣地在晶片20上利用測(cè)試圖案22進(jìn)行接觸孔評(píng)估，可以使用小而簡(jiǎn)單的電子槍。不同于當(dāng)前技術(shù)中本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)已知的接觸孔評(píng)估方法，諸如HAR成像法。它只是在單個(gè)接觸孔上各別地實(shí)施評(píng)估。在SEM中使用的大而復(fù)雜的電子束系統(tǒng)一般地不適合于整合進(jìn)設(shè)備集合中。
圖4上畫(huà)出的實(shí)施例中，機(jī)器人64接受的晶片20已經(jīng)在氧化物層30上沉積了光致抗蝕劑32，以及已經(jīng)受到平版照相印刷的曝光而形成有包括測(cè)試圖案22的電路特征。由于設(shè)備集合70的內(nèi)部是抽真空的，所以機(jī)器人64能夠在箱室之間輸送晶片而不使晶片暴露到周?chē)諝庵?。通常，首先在清潔工?2上清潔晶片，然后將晶片插入蝕刻工位74。這個(gè)階段中，可取地借助等離子蝕刻工藝形成穿過(guò)氧化物層30的接觸孔26。前面這些步驟都是本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)已知的，說(shuō)明于此只是為了示例。設(shè)備集合70內(nèi)也可采用其他方式的工位安排。
晶片20上蝕刻出接觸孔26后，將晶片輸送到測(cè)試工位40上。這時(shí)，晶片上(除蝕刻的接觸孔之外)仍然覆蓋著曝光的光致抗蝕劑層。在工位40上，測(cè)量來(lái)自晶片20的試樣電流，由主控制器50如上面所述地評(píng)估測(cè)量結(jié)果。如果試樣電流處在可應(yīng)用基準(zhǔn)值的預(yù)定容差范圍內(nèi)。則晶片上的接觸孔可認(rèn)為能夠接受。于是，機(jī)器人64將晶片20移送入等離子拋光工位78，用以去除余留的光致抗蝕劑。如果需要，在去拋光階段之后可進(jìn)入箱室40內(nèi)重又進(jìn)行接觸孔測(cè)試。另一方面，如果在測(cè)試工位40上測(cè)量得的試樣電流過(guò)小，則指明接觸孔蝕刻得不夠，可指令機(jī)器人64將晶片返回到蝕刻工位74作進(jìn)一步蝕刻，隨后在工位40上再進(jìn)行測(cè)試。
圖5是按照本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。概略示明接觸孔測(cè)試的方法。如上面所述，首先在蝕刻步驟80上蝕刻晶片20以制作接觸孔26，然后在輸送步驟82中將晶片輸送到測(cè)試工位40上的箱室42內(nèi)。在定位步驟84上，操作平臺(tái)44使測(cè)試圖案22定位于電子槍46的電子束下。
來(lái)自圖案22的試樣電流最好在穩(wěn)定狀態(tài)下實(shí)施測(cè)量。為此，在預(yù)定電步驟86上，借助電子槍46的電子束首先預(yù)充電測(cè)試圖案22的區(qū)域，可取地，通過(guò)操作電子槍使其能量在負(fù)充電范圍內(nèi)而對(duì)晶片表面進(jìn)行預(yù)先的負(fù)充電(也就是，來(lái)自晶片的反向散射電子和二次電子的總量小于一次電子束電流)。如上面所指出，對(duì)可光致抗蝕劑來(lái)說(shuō)，在所有的電子束能量值下這種負(fù)充電條件通常都可以滿足。對(duì)于SiO2，較高的電子束能量(最好在2keV之上)才能用以給出負(fù)充電。晶片表面的預(yù)先負(fù)充電可使接觸孔26起到法拉第杯的作用，因而電子從接觸孔中向外逸出比較少。
預(yù)充電步驟之后，在電流測(cè)量步驟88上，在啟動(dòng)電子槍的同時(shí)測(cè)量試樣電流。步驟88上應(yīng)用的電子束能量和強(qiáng)度與步驟86上預(yù)充電晶片時(shí)能應(yīng)用的量值可以相同或是不同。最好，為了測(cè)量的穩(wěn)定起見(jiàn)，步驟88上應(yīng)用的電子束電流小于預(yù)充電晶片時(shí)應(yīng)用的電子束電流。附加地或另外地，為了在良好的、貫通的接觸孔與封閉的接觸孔或即欠蝕刻的接觸孔之間顯出優(yōu)化的反差，將步驟88上的電子束能量設(shè)定于襯底層28的正充電范圍內(nèi)。這種能量選擇可以在襯底層28與介質(zhì)材料之間給出優(yōu)化的試樣電流反差，從而增大對(duì)于接觸孔底部上殘余介質(zhì)材料的敏感度。如果在襯底層與地之間沒(méi)有良好的歐姆接觸(例如，由于與晶片的電接觸性能不良)，則可以使電子束為脈沖式。并通過(guò)電容耦合來(lái)測(cè)量試樣電流。上面任一種場(chǎng)合下，試樣電流大致與接觸孔尺寸成正比。當(dāng)?shù)竭_(dá)一定程度時(shí)，也即未蝕刻的介質(zhì)材料或介質(zhì)殘?jiān)采w住接觸孔內(nèi)的襯底層28時(shí)，這種正比例將減退。可選地，可以采用多種不同的電子束能量來(lái)測(cè)試屈服曲線上多個(gè)不同點(diǎn)處的試樣電流。如上面所指出，又有一種可選方案，還可以應(yīng)用二次電子檢測(cè)器49來(lái)測(cè)量二次電子總量。以提供出附加信息對(duì)試樣電流測(cè)量給予補(bǔ)充。
測(cè)量試樣電流后，在電流比較步驟90上，控制器50確認(rèn)對(duì)于該測(cè)試圖案的測(cè)量值是否在基準(zhǔn)電流的規(guī)定范圍內(nèi)。最好，應(yīng)用合適的校準(zhǔn)處置預(yù)先確定基準(zhǔn)電流值，存儲(chǔ)在主控制器的存儲(chǔ)器內(nèi)。如上面所指出，可接受電流范圍特別地取決于接觸孔尺寸、晶片各層的構(gòu)成及其他工藝參數(shù)。如果電流在規(guī)定的范圍之內(nèi)，則在程序檢測(cè)步驟92上，主控制器50檢驗(yàn)其測(cè)試程序以確定在該晶片上是否還有圖案要測(cè)試。如果還有，則主控制器選擇下一個(gè)區(qū)域，隨之在步驟84上重新定位晶片位置。而后，重復(fù)步驟86-90。
如果在步驟90上發(fā)現(xiàn)，測(cè)量的試樣電流超出規(guī)定范圍之外，則在缺陷通知步驟94上主控制器50告知工作站68有偏差存在。如上面所指出，系統(tǒng)70的操作人員從而可采取校正措施。例如，校正措施可以包括進(jìn)一步蝕刻晶片20，進(jìn)行診斷測(cè)試以確定問(wèn)題的根源和性質(zhì)，和/或調(diào)整工藝參數(shù)使得在以后的晶片上可正確地蝕刻接觸孔。如上面所指出，如果在接觸孔底部發(fā)現(xiàn)聚合物膜，可以使用電子槍46去除聚合物膜。
雖然，上面敘述的優(yōu)選實(shí)施例具體地指向接觸孔監(jiān)測(cè)。但本發(fā)明的原理也可以應(yīng)用于其他質(zhì)量控制任務(wù)，諸如半導(dǎo)體晶片制造過(guò)程中的其他特征尺度(特別是關(guān)鍵尺度)的測(cè)量和監(jiān)控。本發(fā)明的方法可給出此類(lèi)特征尺度的寬度值指示，以及構(gòu)成特征尺度的各層之厚度值指示。這樣的方法不僅適應(yīng)于如上面實(shí)施例中所述在沉積金屬材料之前應(yīng)用，而且可應(yīng)用于在沉積金屬材料之后檢查接觸情況、連接情況和金屬線路的斷開(kāi)、短路及其他缺陷。
這里應(yīng)理解到，上面說(shuō)明的優(yōu)選實(shí)施例是通過(guò)例子來(lái)講述的，而本發(fā)明并不限制于上面具體地示明和敘述的那些內(nèi)容。實(shí)際上，本發(fā)明的范疇包括上面講述的各種特性的組合以及部分組合上，并且本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練人員在閱讀前面的說(shuō)明后可能做出對(duì)此的變更和修改，而它們都是在先有技術(shù)中未公開(kāi)過(guò)的，均屬本發(fā)明的范疇。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)測(cè)試圖的方法，包括接受一個(gè)晶片，該晶片包含有半導(dǎo)體襯底以及在襯底上形成的非導(dǎo)電層，隨后蝕刻出穿過(guò)非導(dǎo)電層直至襯底的接觸開(kāi)口，接觸開(kāi)口中包含有在晶片測(cè)試區(qū)域內(nèi)預(yù)定的測(cè)試圖案中布置的接觸開(kāi)口陣列；指引一個(gè)電子束射擊測(cè)試區(qū)域；測(cè)量出對(duì)電子束起反應(yīng)而流過(guò)襯底的試樣電流；以及分析試樣電流大小，以估計(jì)接觸開(kāi)口的尺度。
2.權(quán)利要求1的方法，其中，接觸開(kāi)口包括接觸孔。
3.權(quán)利要求1的方法，其中，接觸開(kāi)口包括接觸溝槽。
4.權(quán)利要求1的方法，其中，測(cè)試圖案的尺寸至少10×10μm。
5.權(quán)利要求4的方法，其中，測(cè)試圖案中至少包含100個(gè)接觸開(kāi)口。
6.權(quán)利要求4的方法，其中，對(duì)電子束的引導(dǎo)中包括將電子束聚焦到面積大致等于測(cè)試圖案的尺寸。
7.權(quán)利要求1的方法，其中，接受晶片時(shí)包括接受在非導(dǎo)電層上疊置有光致抗蝕劑層的晶片，該光致抗蝕劑層已在用于蝕刻接觸開(kāi)口，又其中，在去除光致抗蝕劑層之前，用電子束射擊測(cè)試區(qū)域借以測(cè)量試樣電流時(shí)包括確定試樣電流值。
8.權(quán)利要求7的方法，包括如果試樣電流指出，接觸開(kāi)口的尺度在預(yù)定界限之下，則利用光致抗蝕劑層進(jìn)一步蝕刻非導(dǎo)電層，以增大接觸開(kāi)口的尺度。
9.權(quán)利要求1的方法，其中，至少某些接觸開(kāi)口不包括在屬于晶片上多個(gè)微電子電路的陣列中，這里，這些電路由劃割線分隔開(kāi)，而測(cè)試區(qū)域位于劃割線之一上。
10.權(quán)利要求1的方法，其中，測(cè)試區(qū)域是晶片上不同位置中多個(gè)此類(lèi)測(cè)試區(qū)域之一，又其中，導(dǎo)引電子束時(shí)包括對(duì)電子束和晶片中的至少一個(gè)進(jìn)行定位，以便電子束依次地射擊至少兩個(gè)測(cè)試區(qū)域中的每一個(gè)。
11.權(quán)利要求1的方法，其中，導(dǎo)引電子束時(shí)包括在預(yù)充電期間運(yùn)用電子束對(duì)測(cè)試區(qū)域進(jìn)行預(yù)充電，然后在預(yù)充電時(shí)期之后的測(cè)試期間也使電子束工作，同時(shí)測(cè)量試樣電流。
12.權(quán)利要求11的方法，其中，在預(yù)充電期間運(yùn)用電子束時(shí)包括對(duì)測(cè)試區(qū)域表面施加負(fù)電荷。
13.權(quán)利要求12的方法，其中，在測(cè)試期間運(yùn)用電子束時(shí)包括在襯底的正充電范圍內(nèi)設(shè)定電子束的能量。
14.權(quán)利要求1的方法，其中，測(cè)量試樣電流時(shí)包括對(duì)鄰近測(cè)試區(qū)域、固定在晶片上的導(dǎo)電接觸墊進(jìn)行接觸，測(cè)量流過(guò)接觸墊的電流。
15.權(quán)利要求1的方法，其中，導(dǎo)引電子束時(shí)包括使電子束成脈沖式地射擊測(cè)試區(qū)域。又其中，測(cè)量試樣電流時(shí)包括對(duì)晶片進(jìn)行電容耦合來(lái)測(cè)量試樣電流。
16.權(quán)利要求1的方法，其中，分析試樣電流時(shí)包括估計(jì)接觸開(kāi)口之深度和寬度中的至少一個(gè)量值。
17.權(quán)利要求1的方法，還包括測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)而自襯底上發(fā)射出的二次電子電流，連同試樣電流一起對(duì)二次電子電流進(jìn)行分析。
18.權(quán)利要求1的方法，其中，分析試樣電流時(shí)包括檢測(cè)接觸開(kāi)口內(nèi)的殘?jiān)?。并包括用電子束射擊晶片以去除殘?jiān)?br> 19.一種生產(chǎn)微電子器件的方法，包括蝕刻出接觸開(kāi)口，它們穿過(guò)晶片上的非導(dǎo)電層直至非導(dǎo)電層上形成的半導(dǎo)體襯底，接觸開(kāi)口中包含有在晶片上測(cè)試區(qū)域內(nèi)預(yù)定測(cè)試圖案中布置的接觸開(kāi)口陣列；指引一個(gè)電子束射擊測(cè)試區(qū)域；測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)而流過(guò)襯底的試樣電流；以及分析試樣電流大小以估計(jì)接觸開(kāi)口的尺度。
20.一種用于晶片的生產(chǎn)測(cè)試的設(shè)備，該晶片中包含半導(dǎo)體襯底以及在襯底上形成的非導(dǎo)電層，并隨后要蝕刻出穿過(guò)非導(dǎo)電層直至襯底的接觸開(kāi)口，該設(shè)備包括電子束源，適應(yīng)于引導(dǎo)電子束射擊晶片上的測(cè)試區(qū)域，測(cè)試區(qū)域中包含有布置在預(yù)定測(cè)試圖案內(nèi)的接觸開(kāi)口陣列；電流測(cè)量裝置，連接來(lái)測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)而流過(guò)襯底的試樣電流；以及控制器，適應(yīng)于對(duì)測(cè)量的試樣電流起響應(yīng)以估計(jì)接觸開(kāi)口的尺度。
21.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，接觸開(kāi)口包括接觸孔。
22.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，接觸開(kāi)口包括接觸溝槽。
23.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，測(cè)試圖案的尺寸至少10×10μm。
24.權(quán)利要求23的設(shè)備，其中，測(cè)試圖案中至少包含100個(gè)接觸開(kāi)口。
25.權(quán)利要求23的設(shè)備，其中，電子束源適應(yīng)于電子束被聚焦，其面積大致等于測(cè)試圖案的尺寸。
26.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，電流測(cè)量裝置適應(yīng)于在晶片的非導(dǎo)電層及重疊的光致抗蝕劑層從晶片上去除之前，當(dāng)電子束射擊光致抗蝕劑層時(shí)測(cè)量試樣電流，該光致抗蝕劑層在蝕刻接觸開(kāi)口期間是一直要應(yīng)用的。
27.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，測(cè)試區(qū)域是晶片不同位置上多個(gè)此類(lèi)測(cè)試區(qū)域之一，在設(shè)備中包括定位平臺(tái)，它適應(yīng)于對(duì)電子槍源和晶片中的至少一個(gè)進(jìn)行定位，以便電子束依次射擊至少兩個(gè)測(cè)試區(qū)域中的每一個(gè)。
28.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，電子束源適應(yīng)于在預(yù)定電期間運(yùn)用第一種電子束能量使測(cè)試區(qū)域預(yù)充電，然后在預(yù)充電期間之后的測(cè)試期間運(yùn)用第二種電子束能量，同時(shí)由電流測(cè)量裝置測(cè)量試樣電流。
29.權(quán)利要求28的設(shè)備，其中，在預(yù)充電期間電子束對(duì)測(cè)試區(qū)域的表面施加負(fù)電荷。
30.權(quán)利要求29的設(shè)備，其中，在襯底的正充電范圍內(nèi)選用第二種電子束能量。
31.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，電流測(cè)量裝置連接來(lái)與鄰近測(cè)試區(qū)域、固定在晶片上的導(dǎo)電接觸墊接觸，以測(cè)量流過(guò)接觸墊的電流。
32.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，電子束源包含脈沖式電子束源，又其中，電流測(cè)量裝置通過(guò)對(duì)晶片的電容耦合測(cè)量試樣電流。
33.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，控制器適應(yīng)于根據(jù)測(cè)量的試樣電流估計(jì)接觸開(kāi)口之深度和寬度中的至少一個(gè)量值。
34.權(quán)利要求20的設(shè)備，還包含二次電子檢測(cè)器，適應(yīng)于測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)而從襯底上發(fā)射出的二次電子電流，又其中，控制器還適應(yīng)于連同試樣電流一起分析二次電子電流。
35.權(quán)利要求20的設(shè)備，其中，控制器還適應(yīng)于根據(jù)試樣電流檢測(cè)接觸開(kāi)口內(nèi)的殘?jiān)?，又其中，電子束源適應(yīng)于用電子束射擊晶片以去除殘?jiān)?br> 36.一種半導(dǎo)體晶片，包括半導(dǎo)體襯底；以及在襯底上形成的非導(dǎo)電層，上面有穿透它直至襯底的、蝕刻出的多個(gè)接觸開(kāi)口，接觸開(kāi)口中包含有在晶片測(cè)試區(qū)域內(nèi)預(yù)定測(cè)試圖案中布置的接觸開(kāi)口陣列。
37.權(quán)利要求36的晶片，其中，至少某些接觸開(kāi)口不包括在屬于晶片上多個(gè)微電子電路的陣列中，這里，這些電路由劃割線分隔開(kāi)，而測(cè)試區(qū)域位于劃割線之一上。
38.權(quán)利要求36的晶片，其中，接觸開(kāi)口包括接觸孔。
39.權(quán)利要求36的晶片，其中，接觸開(kāi)口包括接觸溝槽。
40.權(quán)利要求36的晶片，其中，測(cè)試圖案的尺寸至少10×10μm。
41.權(quán)利要求36的晶片，其中，測(cè)試圖案中至少包含100個(gè)接觸開(kāi)口。
42.權(quán)利要求36的晶片，還包含鄰近測(cè)試區(qū)域、固定在襯底上的導(dǎo)電接觸墊，以接收在晶片中產(chǎn)生的試樣電流。
43.一種用于生產(chǎn)微電子器件的設(shè)備集合，包括蝕刻工位，適應(yīng)于對(duì)包括有半導(dǎo)體襯底并在襯底上形成有非導(dǎo)電層的晶片進(jìn)行蝕刻，以便制作穿過(guò)非導(dǎo)電層直至襯底的接觸開(kāi)口，接觸開(kāi)口中包括有在晶片的預(yù)定測(cè)試區(qū)域內(nèi)預(yù)定測(cè)試圖案中布置的接觸開(kāi)口陣列；測(cè)試工位，包括電子束源，適應(yīng)于引導(dǎo)電子束射擊晶片上的測(cè)試區(qū)域；以及電流測(cè)量裝置，連接來(lái)測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)而流過(guò)襯底的試樣電流；以及控制器，適應(yīng)于根據(jù)測(cè)量的試樣電流估計(jì)接觸開(kāi)口的尺度，并對(duì)估計(jì)的尺度起響應(yīng)調(diào)整蝕刻工序的運(yùn)行參數(shù)。
44.權(quán)利要求43的設(shè)備集合，并包含一個(gè)機(jī)器人，適應(yīng)于在晶片保持于真空狀態(tài)下將晶片從蝕刻工序輸送到測(cè)試工序上。
45.權(quán)利要求43的設(shè)備集合，其中，如果試樣電流指出，接觸開(kāi)口的尺度在預(yù)定的界限之下，則控制器適應(yīng)于使晶片返回到蝕刻工位上以進(jìn)一步蝕刻非導(dǎo)電層，從而增大接觸開(kāi)口的尺度。
46.權(quán)利要求43的設(shè)備集合，其中，控制器還適應(yīng)于根據(jù)試樣電流檢測(cè)接觸開(kāi)口內(nèi)的殘?jiān)制渲?，電子束源適應(yīng)于用電子束射擊晶片以去除殘?jiān)?br> 全文摘要
一種用于生產(chǎn)測(cè)試的方法，包括接受包含有半導(dǎo)體襯底以及襯底上形成有非導(dǎo)電層的晶片，隨后蝕刻出穿過(guò)非導(dǎo)電層直至襯底的接觸開(kāi)口，接觸開(kāi)口包括在晶片上測(cè)試區(qū)域內(nèi)預(yù)定測(cè)試圖案中布置的接觸開(kāi)口陣列。指引電子束射擊測(cè)試區(qū)域，測(cè)量對(duì)電子束起反應(yīng)流過(guò)襯底的試樣電流。對(duì)試樣電流進(jìn)行分析，以估計(jì)接觸開(kāi)口的蝕刻尺度。
文檔編號(hào)H01L23/544GK1628380SQ03803196
公開(kāi)日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2003年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月4日
發(fā)明者亞歷山大·凱蒂塞維奇, 艾維·西蒙 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料以色列有限公司