專利名稱：有機el顯示裝置及其制造方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光(EL)顯示裝置及其制造方法，尤其是涉及從密封基板側(cè)發(fā)出光的上部發(fā)出型的有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機EL顯示裝置，由夾在彼此對置的電極間含有有機發(fā)光分子的有機發(fā)光介質(zhì)的有機EL顯示元件構(gòu)成。在有機EL元件的兩電極間外加電壓時，從一方電極注入的電子與從另一方電極注入的空穴在有機發(fā)光介質(zhì)中的有機發(fā)光層進行再結(jié)合。有機發(fā)光分子利用再結(jié)合能量成為激發(fā)狀態(tài)，然后由激發(fā)狀態(tài)恢復(fù)到基態(tài)。有機EL發(fā)光元件通過將此時放出的能量變成光發(fā)出進行發(fā)光。
由具有這種發(fā)光原理的有機EL元件構(gòu)成的有機EL顯示裝置完全是固體元件，可實現(xiàn)目視性、輕量化、薄膜化，而且，可以利用僅幾伏特的低電壓進行驅(qū)動。因此，期待著有機EL裝置作為彩色顯示器利用，目前在積極進行研究。
這樣的有機EL顯示裝置大致可分成基板發(fā)出型與上部發(fā)出型兩類。
其中，

圖12(A)表示基板發(fā)出型有機EL顯示裝置的一個例子。
如圖12(A)所示，基板發(fā)出型的有機EL顯示裝置在支撐基板1上形成著色層4與薄膜晶體管(TFT)6。此外，在該上面順序?qū)雍舷虏侩姌O22、絕緣部件7、有機發(fā)光介質(zhì)21、上部電極23及密封層3，在最上面設(shè)密封基板5。有機EL元件2由下部電極22、有機發(fā)光介質(zhì)21及上部電極23構(gòu)成，箭頭表示光的發(fā)出方向。
該基板發(fā)出型的有機EL顯示裝置，利用著色層4將有機發(fā)光介質(zhì)21發(fā)出的光進行變換后從支撐基板1側(cè)發(fā)出所期望的光。
另外，圖12(B)表示上部發(fā)出型有機EL顯示裝置的一個例子。
如圖12(B)所示，上部發(fā)出型的有機EL顯示裝置在支撐基板1上形成TFT6與下部電極22，此外，在該上面順序設(shè)計絕緣部件7、有機發(fā)光介質(zhì)21、上部電極23、密封層3、平坦化層8及著色層4，在最上面設(shè)計密封基板5。有機EL元件2由下部電極22、有機發(fā)光介質(zhì)21及上部電極23構(gòu)成。箭頭表示光的取出方向。
該上部發(fā)出型的有機EL顯示裝置，利用著色層4將有機發(fā)光介質(zhì)21發(fā)出的光進行變換后從密封基板5側(cè)取出所期望的光。
過去的有機EL顯示裝置，如后述，由于產(chǎn)率高更容易制造，因此主要采用圖12(A)所示的基板發(fā)出型。
然而，基板發(fā)出型的有機EL顯示裝置，如圖12(A)所示，在著色層4上形成下部電極22。因此，必須在下部電極22設(shè)臺階與支撐基板1上直接形成的TFT6連接。結(jié)果下部電極22容易分段，與TFT6的連接則困難。
另外，基板發(fā)出型由于不能從形成TFT6的部分取出光，故很難提高像數(shù)的開口率(實際發(fā)光的部分在像素中占的比例)相反，上部發(fā)出型由于可在支撐基板1上同時形成TFT6與下部電極22，故可以將下部電極22平坦化。結(jié)果，下部電極22分段的可能性少，可以容易地將下部電極22與TFT6進行連接。此外，上部發(fā)出型中，由于開口率不受TFT6的制約，可以使開口比基板發(fā)出型高。
因此，要卻制下部電極22的分段發(fā)生同時又實現(xiàn)高開口率，與基板發(fā)出型相比更期望上部發(fā)出型的有機EL顯示裝置。
然而，基板發(fā)出型可在支撐基板1的上面順序形成著色層4或有機發(fā)光介質(zhì)21，而上部發(fā)出型在采用通常的光刻法及蝕刻技術(shù)在有機發(fā)光介質(zhì)21的上側(cè)形成著色層4時，有機發(fā)光介質(zhì)21遭受破壞的可能性高，采用這些方法不能形成著色層4。因此，上部發(fā)出型，在密封基板5上形成著色層4與平坦化層8作為密封基板側(cè)，在支撐基板1上形成TFT6，有機EL元件2及密封層3作為支撐基板側(cè)，把形成有著色層4等的密封基板5、與形成有有機EL元件2等的支撐基板相貼合。此時，必須使支撐基板側(cè)與密封基板側(cè)正確地對準矩陣的點，但這樣的位置對準很難，因此上部發(fā)出型的有EL顯示裝置產(chǎn)率比基板發(fā)出型低。
另外，基板發(fā)出型可在著色層4的正上方形成有機EL元件2，而上部發(fā)出型因為貼合支撐基板1與密封基板5，故在有機EL元件2與著色層4之間夾著密封層3與平坦化層8，由于這些層的厚度而存在視野角特性差的問題。所謂視野角特性是根據(jù)目視角度而產(chǎn)生混色的特性。
本發(fā)明是鑒于上述事情而完成的研究，目的是由于不在密封基板側(cè)形成著色層而提供產(chǎn)率高、且視野角特性好的有機EL顯示裝置及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了達到上述目的，本發(fā)明的發(fā)明人反復(fù)進行種種研究與實驗的結(jié)果，想到了在頂部取出型中不破壞有機發(fā)光介質(zhì)等如果可在支撐基板側(cè)的正確位置形成著色層，則在貼合密封基板時不需要正確的位置對準便可提高產(chǎn)率。此外，還想到了如果可在密封層的上面直接形成著色層，則可以使著色層與有機EL元件的距離窄，可提高視野角特性。
根據(jù)本發(fā)明的第1方案，提供具有發(fā)光的有機EL元件、和密封有機EL元件的密封層，及將位于密封層上的有機EL元件發(fā)出的光進行變換的著色層的有機EL顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第2方案，提供在第1方案的有機EL顯示裝置中，密封層的著色層相接表面的一部分有疏油墨性，在前述疏油墨性以外的部分形成著色層的有機EL顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第3方案，提供具有發(fā)光的有機EL元件、密封有機EL元件的密封層，及將位于密封層上的有機EL元件發(fā)出的光進行變換的著色層，在密封層的凹部形成前述著色層的有機EL顯示裝置。
優(yōu)選通過在有機EL元件的內(nèi)側(cè)或上面的非開口部分設(shè)隆起部件，在密封層的非開口部分形成反映隆起部件的凸部，在凸部間的區(qū)域形成凹部。
根據(jù)本發(fā)明的第4方案，提供具有發(fā)光的有機EL元件、密封有機EL元件的密封層、及將位于密封層的上面的有機EL元件發(fā)出的光進行變換的著色層，著色層是含于在密封層上所形成的油墨接受層中的油墨滲透層的有機EL顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第5方案，提供具有發(fā)光的有機EL元件、密封有機EL元件的含有阻隔紫外線材料的密封層及將位于密封層上的有機EL元件發(fā)出的光進行變換的著色層的有機EL顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第6方案，提供具有發(fā)光的有機EL元件、密封有機EL元件的密封層、及將位于密封層上的紫外線反射性多層膜及把位于多層膜上的有機EL元件發(fā)出的光進行變換的著色層的有機EL顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第7方案，提供具有發(fā)光的有機EL元件和密封有機EL元件的密封層，及將位于密封層上的含紫外線吸收劑的聚合物與位于含紫外線吸收劑的聚合物上的有機EL元件發(fā)出的光進行變換的著色層的有機EL顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的第8方案，提供在上述第1～第7方案的有機EL顯示裝置中，在支撐基板上順序地具有有機EL元件，密封層及前述著色層，又用密封基板密封這些上面的有機EL顯示裝置。
根據(jù)上述的第1～第8的方案，由于在密封層上直接形成著色層，在著色層與有機EL元件之間不夾著平坦化層，故著色層與有機EL元件之間的距離窄、視野角特性得到改善。
優(yōu)選著色層與有機EL元件之間的距離是5μm以下，更優(yōu)選是1μm以下。
另外，根據(jù)第1～第8的方案，也可以設(shè)TFT作為有源矩陣驅(qū)動。
根據(jù)本發(fā)明的第9方案，提供形成發(fā)光的有機EL元件，形成密封有機EL元件的密封層，在密封層面的一部分賦予疏油墨性，在賦予疏油墨性部分以外的密封層面上賦予油墨后形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
優(yōu)選通過實施氟等離子體處理賦予疏油墨性。
優(yōu)選通過涂布氟聚合物或有機硅聚合物賦予疏油墨性。
在密封層的面上進行圖形化賦予疏油墨性，可以更選擇性地準確地形成著色層。
根據(jù)本發(fā)明的第10方案，提供形成發(fā)光的有機EL元件，在有機EL元件上的非開口部分形成隆起部件，在隆起部件上形成密封有機EL元件的密封層，在密封層的反映隆起部件的凸部間所形成的凹部形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第11方案，提供在下部電極上方的非開口部分形成隆起部件、并在隆起部件上形成有機發(fā)光介質(zhì)及上部電極，在下部電極與上部電極之間形成夾持有機發(fā)光介質(zhì)而構(gòu)成的有機EL元件，在有機EL元件上形成密封有機EL元件的密封層，在密封層的反映隆起部件的凸部間所形成的凹部形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第12方案，提供形成發(fā)光的有機EL元件，形成密封有機EL元件的有平坦面的密封層，通過選擇性地挖削平坦面的非開口部分形成凹部，在密封層的凹部形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第13方案，提供形成發(fā)光的有機EL元件，形成密封有機EL元件的密封層，使用將密封層的非開口部分圍成井字形的平面圖形形成凹部，在密封層的凹部形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
若采用上述第10～第13的方案，由于在凹部形成著色層，故色素的流出少，可以更選擇性地準確地形成著色層。
根據(jù)本發(fā)明的第14方案，提供形成發(fā)光的有機EL元件，形成密封有機EL元件的密封層，在密封層上形成油墨接受層，在油墨接受層對設(shè)定的位置賦予油墨形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第15方案，提供形成發(fā)光的有機EL元件，形成密封有機EL元件的含有阻隔紫外線材料的密封層，采用紫外線光刻法在密封層上形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
優(yōu)選紫外線屏蔽材料是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)或這些的混合物。
根據(jù)本發(fā)明的第16方案，提供形成發(fā)光的有機EL元件，形成密封有機EL元件的密封層，在密封層上面形成紫外線反射用的多層膜、采用紫外線光刻法在多層膜上形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第17方案，提供形成發(fā)光的有機EL元件，形成密封有機EL元件的密封層，在密封層上面涂布含紫外線吸收劑的聚合物，采用紫外線光刻法在含紫外線吸收劑的聚合物的上面形成著色層的有機EL顯示裝置的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第18方案，提供在上述第9～第17方案的有機EL顯示裝置的制造方法中，在支撐基板上形成有機EL元件，密封層及著色層，并對該支撐基板貼合密封基板的有機EL顯示裝置的制造方法。
根據(jù)上述第15～第18的方案，采用光刻法可以更選擇性地準確地形成著色層。
根據(jù)上述第9～第18的方案，可以不破壞有機EL元件而在密封層上形成著色層。
尤其是如第18方案，將支撐基板與密封基板貼合制造上部發(fā)出型有機EL顯示裝置時，不需要準確的位置對準則可提高產(chǎn)率。
另外，由于著色層與有機EL元件之間不需要平坦化層，故著色層與有機EL元件之間的距離縮窄，視野角特性得到改善。
上述第9～第14方案的有機EL顯示裝置的制造方法，優(yōu)選著色層采用印刷法，更優(yōu)選采用油墨噴射法形成。
油墨噴射法等的印刷法比光刻法簡單，可形成高精密圖形。
附圖的簡單說明圖1是說明第1實施方案的有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。
圖2(A)～(C)是說明第1實施方案有機EL顯示裝置制造方法的截面工序圖。
圖3是說明第2實施方案有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。
圖4(A)～(E)是說明第2實施方案有機EL顯示裝置制造方法的截面工序圖。
圖5是說明第3實施方案有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。
圖6(A)～(C)是說明第3實施方案有機EL顯示裝置制造方法的其他面的截面工序圖。
圖7是說明第4實施方案有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。
圖8(A)～(C)是說明第4實施方案有機EL顯示裝置制造方法的截面工序圖。
圖9是表示含TFT的電開關(guān)連接結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖10是表示含TFT的電開關(guān)連接結(jié)構(gòu)的平面透視圖。
圖11是表示多晶硅TFT形成工序的圖。
圖12(A)是表示基板發(fā)出型的有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。
圖12(B)是表示上部發(fā)出型的有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明第1實施方案的有機EL顯示裝置及其制造方法進行說明。
圖1是說明第1實施方案的有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。
如該圖所示，該有機EL顯示裝置在支撐基板上形成TFT6和下部電極22，進一步在該上面順序設(shè)絕緣部件7，有機發(fā)光介質(zhì)21、上部電極23、密封層3、著色層4及平坦化層8，在最上面設(shè)密封基板5。有機EL元件由下部電極22、有機發(fā)光介質(zhì)21及上部電極23構(gòu)成。箭頭表示光的取出方向。
該裝置中，在下部電極22與上部電極23之間外加壓時，這些夾在電極中的有機發(fā)光介質(zhì)21進行發(fā)光，該光透過密封層3到達著色層4。著色層4根據(jù)需要對光進行吸收且變換后分別發(fā)出紅、綠、藍色的光。這些三色光通過平坦化層8與密封基板5向外面發(fā)出。
這里，31是密封層3的上面，在該面上形成著色層4。該實施方案中除了形成著色層的部分外，上面31全部是疏油墨性。
以下，用圖2說明該有機EL顯示裝置的制造方法。
該制造方法由在支撐基板1上形成TFT6的工序、在該支撐基板1上形成有機EL元件2的工序、用密封層3密封有機EL元件2的工序、對密封層上面31的設(shè)定部分賦予疏油墨性的工序、對密封層上面31賦予含著色層的材料的油墨形成著色層4的工序，在著色層4的上面形成平坦化層8的工序及設(shè)密封基板5的工序構(gòu)成。
首先，在支撐基板1上形成TFT6及有機EL元件2，再在該上面形成密封層3(圖2(A))。TFT6、有機EL元件2及密封層3可采用后述的方法或過去公知的方法形成。
對密封層3的上面31的一部分上賦予疏油墨性(圖2(B))。作為疏油墨性的賦予方法，可列舉實施氟等離子處理的方法、涂布氟聚合物或有機硅聚合物的方法、表面氟處理法等。
然后，在沒有疏油墨性的上面31的部分上形成著色層4(圖2(C))。
本實施方案中，在密封層上面31的上面采用油墨噴射法，使設(shè)定的位置粘附含著色層4的材料的油墨形成著色層4。
密封層上面31的疏油墨性部分排斥油墨。因此，油墨難粘在疏油墨性部分、形成所期望的圖形后可形成著色層4。
采用油墨噴射法等的印刷法可以堆積在正確的位置上，可形成高精密圖形。
此外，如果這樣地使油墨粘附在密封層3的上面形成著色層4，則可以不破壞有機發(fā)光介質(zhì)21而形成著色層4。
以下，采用過去公知的工序形成平坦層8，再貼合密封基板5，得到圖1所示的構(gòu)成。
該實施方案對密封層3上面的規(guī)定部分賦予疏油墨性，但此時，例如每一個像素列地設(shè)計彼此發(fā)同樣顏色的著色層4時，優(yōu)選沿像素列將防油墨區(qū)域設(shè)成溝狀。
如果這樣的話，則將三原色的各色的著色層4分別配置成條狀時，可在溝狀的疏油墨性以外的區(qū)域分別堆積著色層4，因此可以容易地將各著色層4設(shè)在正確的位置。
由于在支撐基板1側(cè)形成著色層4，因此貼合支撐基板1側(cè)與密封基板5側(cè)時不需要正確的位置對準。所以，即使是上部發(fā)出型也可以實現(xiàn)產(chǎn)率的提高。
另外，為了在密封基板5上形成著色層4時進行貼合，故評平坦化層8，但該實施方案中由于在密封層3的上面形成著色層4，由于在著色層4與有機EL元件2之間不夾著平坦化層8，距離縮小，所以視野角特性高。
此外，后述油墨噴射法使用的油墨。
以下，參照附圖，對本發(fā)明第2實施方案的有機EL顯示裝置及其制造方法進行說明。
圖3是說明第2實施方案的有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。對與第1實施方案相同的構(gòu)成要素帶有相同參照序號省去其詳細說明。
此外，該裝置中20是開口區(qū)域，30是非開口區(qū)域。因為只在開口區(qū)域20，有機發(fā)光介質(zhì)21夾在下部電極22與上部電極23中，所以有機發(fā)光介質(zhì)21發(fā)光，該光通過著色層4被發(fā)出到外面。因此光從開口區(qū)域20發(fā)出，光不從非開口區(qū)域30發(fā)出。
第2實施方案中，為了替代密封層上面31的一部分有疏油墨性，密封層上面31中，在開口區(qū)域20的至少一部分有凹部32，在凹部32上設(shè)著色層4。
另外，由于密封層3的凹部33與著色層4形成平面，故可以省去平坦化層。
此外，為了設(shè)這樣的凹部4，在設(shè)于下部電極22間的絕緣部件7的至少一部分上設(shè)隆起部件9。而且，密封層上面31中，隆起部件9的正上方區(qū)域成為反映該隆起部件9的凸部33，凸部33彼此間的區(qū)域形成凹部32。
隆起部件9可采用環(huán)氧樹脂等的印刷或無機物的蒸鍍等形成。另外，隆起部件9的高度優(yōu)選為1μm～10μm左右。
此外，這里將隆起部件9的截面形狀作成梯形。通過使截面形狀成為梯形?？梢苑乐乖诼∑鸩考?上所形成的有機發(fā)光介質(zhì)21或上部電極23上產(chǎn)生分段。但，本發(fā)明若可在密封層3形成凹部，則隆起部件9不限定于梯形。
另外，例如，每一個像素列地設(shè)彼此發(fā)同色的著色層4時，優(yōu)選每個像素列地將凹部設(shè)成溝狀。
這樣，即使是將三原色的各色的著色層4分別配置成條狀，由于也可以在溝狀的凹部32分別堆積著色層4，故可以容易地將各著色層4設(shè)在正確的位置。
以下，參照圖4，對第2實施方案的有機EL顯示裝置的制造方法進行說明。對與第1實施方案相同的制造工序省去其詳細的說明。
第2實施方案中，在有機EL元件的形成工序中，在下部電極22間形成絕緣部件7后(圖4(A))，在絕緣部件的至少一部分上形成隆起部分9(圖4(B))。
接著，順序地形成有機發(fā)光介質(zhì)21及上部電極23(圖4(C))。有機發(fā)光介質(zhì)21及上部電極23反映隆起部件9的形狀，在隆起部件9正上方的區(qū)域有凸部。這樣形成有機EL元件。
此外，在密封工序與上述第1實施方案同樣地形成密封層3(圖4(D))。但在密封層上面31形成反映隆起部件9的凸部33。而且，這些凸部33彼此之間的區(qū)域形成凹部32。因此，可在密封層上面31內(nèi)透過從有機發(fā)光介質(zhì)21所發(fā)出光的開口區(qū)域20形成凹部32。
這樣，通過在所期望的位置形成隆起部件9，可容易地在封裝層上面31的所期望的位置形成凹部32。
然后，著色層形成工序在密封層上面31的凹部32采用油墨噴射法粘附含著色層4的材料的油墨后形成著色層4(圖4(E))。
這樣，由于在密封層上面31的凹部32堆積含著色層4的材料的油墨，故可防止油墨的流出。結(jié)果可在正確的位置堆積著色層4。
此外，采用油墨噴射法等的印刷法，可堆積在正確的位置，可形成高精密的圖形。
另外，如果這樣地粘附油墨形成著色層，則可以不破壞有機發(fā)光介質(zhì)21而形成著色層4。
接著，與上述第1實施方案同樣地貼合密封基板5后得到有機EL顯示裝置。
將支撐基板1側(cè)與密封基板5側(cè)貼合時，由于在支撐基板1側(cè)的凹部32形成著色層4，故不需要進行正確的位置對準。因此，即使是上部發(fā)出型也可以實現(xiàn)產(chǎn)率的提高。
另外，在著色層4與有機EL元件2之間由于不夾有平坦化層，故視野角特性高。
再者，本實施方案不形成平坦化層，但密封層的凸部33與著色層不形成平面時，也可根據(jù)需要形成平坦化層。
另外，本實施方案中，雖然在絕緣部件7的上面形成隆起部件9，但也可以在上部電極23之上形成隆起部件9。
此外，為了形成凹部不一定必須有隆起部件9，例如，也可以通過采用選擇性地蝕刻等挖削密封層上面的一部分形成凹部。還可以使用把形成著色層的部分圍成井字狀的平面圖形形成凹部。
以下，參照附圖，對本發(fā)明第3實施方案的有機EL顯示裝置及其制造方法進行說明。
圖5是說明第3實施方案的有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。對與第1實施方案相同的構(gòu)成要素，付有相同參照序號省去其詳細的說明。
第3實施方案中，密封層3上有油墨接受層10，替代密封層上面31的一部分有疏油墨性。在油墨接受層的設(shè)定位置設(shè)著色層4。
油墨接受層由滲透油墨的樹脂構(gòu)成，采用印刷法、旋轉(zhuǎn)涂布法、涂布法形成。其厚度是0.5μm～20μm左右。作為優(yōu)選的樹脂，可列舉聚乙烯醇、纖維素系樹脂、丙烯酸酯系樹脂等。
以下，參照圖6，對第3實施方案中有機EL顯示裝置的制造方法進行說明。另外對于與第1實施方案相同的制造工序省去其詳細的說明。
本實施方案中，形成密封層3后(圖6(A))，在密封層3上形成油墨接受層10(圖6(B))。
然后，著色層形成工序中，在油墨接受層10的設(shè)定位置，采用油墨噴射法等使之滲透含著色層的材料的油墨形成著色層4(圖6(C))。
通過吹去滲透的油墨的溶劑等在設(shè)定的位置形成著色層。還可以采用熱固化使之穩(wěn)定化。
此外，可采用油墨噴射法等的印刷法堆積在正確的位置，可形成高精密的圖形。
另外，如果這樣地粘附油墨形成著色層4，則可以不破壞有機發(fā)光介質(zhì)21而形成著色層4。
以下，與上述第1實施方案同樣地貼合封裝基板5，得到圖5所示的有機EL顯示裝置。
將支撐基板1側(cè)與封裝基板5側(cè)貼合時，由于在支撐基板1側(cè)的凹部32形成著色層4，故不需要正確的位置對準。因此，即使是上部發(fā)出型也可以實現(xiàn)產(chǎn)率的提高。
另外，著色層4與有機EL元件2之間的由于不存在平坦化層，故著色層4與有機EL元件2之間不剝離，視野角特性提高。
以下，參照附圖，對本發(fā)明第4實施方案的有機EL顯示裝置及其制造方法進行說明。
圖7是說明第4實施方案的有機EL顯示裝置構(gòu)成的模式圖。對與第1實施方案相同的構(gòu)成要素附上的相同的參照序號省略其詳細的說明。
本實施方案中密封層3含有阻隔紫外線材料，替代密封層上面31的一部分有疏油墨性。
以下，參照圖8，對第4實施方案的有機EL顯示裝置的制造方法進行說明。再者，對與第1實施方案相同的制造工序省略其詳細的說明。
本實施方案形成有機EL元件2后(圖8(A))，作為密封層3形成含有阻隔紫外線材料的密封層3(圖8(B))。
作為前述阻隔紫外線材料，有對可見光有透明性但吸收紫外線的級距離大(2.8eV以上)的半導(dǎo)體。例如，優(yōu)選銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋯(ZnO)或這些的組合物，或使上述氧化物中含有Al，Si，Ta，Ti，Ga，Mg，Cd，Ge等。
此外，優(yōu)選在防濕性好的AlON、SiON、AlSiON、TiON、TaON等的氧化氮化物中添加In，Sn，Zn等的紫外線吸收劑等。
然后，著色劑形成工序中，本實施方案利用光刻法技術(shù)形成著色層4(圖8(C))。如果采用光刻法技術(shù)則可以容易地在正確的位置形成著色層4。對用于光刻法技術(shù)的著色層材料以后介紹。
然而，一般有機發(fā)光介質(zhì)21因為容易遭受紫外線破壞，故形成有機發(fā)光介質(zhì)21后，通常避免使用光刻法技術(shù)的工序。但本實施方案由于密封層3阻隔紫外線，故紫外線光刻法時可以減輕有機發(fā)光介質(zhì)21等遭受的破壞。因此可采用紫外線光刻法容易地在正確的位置形成著色層4。另外，通過設(shè)作為耐溶劑性的氧化氮化物等的層，在光刻法工序可防止水、溶劑造成的損傷。
另外，例如，也可在密封層上面形成紫外線反射性多層膜(沒圖示)來替代密封層3含阻隔紫外線材料。
作為紫外反射性多層膜的例子，可列舉交替地設(shè)高折射率層與低折射率層的多層膜。這里所謂高折射率是指折射率1.9～3.0，所謂低折射率是指1.0～1.9。另外，該膜厚優(yōu)選用于光刻法的紫外線波長的1/4左右。
如果這樣地形成多層膜，則紫外線光刻法時，由于可以反射紫外線，因此可減輕有機發(fā)光介質(zhì)21等遭受的破壞。
此外，通過調(diào)節(jié)多層膜的折射率及膜厚，可容易選擇性地只反射紫外線、同時使可見光透過。
另外，在密封層上面涂布含有紫外線吸收劑的聚合物(沒圖示)也可得到同樣的效果。
作為紫外線吸收劑，有含連三唑系吸收劑、三嗪系吸收劑等的聚合物。另外，膜厚優(yōu)選0.5～5μm。
以下，與上述第1實施方案同樣地形成平坦化層8，貼合密封基板5、得到圖7所示的有機EL顯示裝置。
由于在支撐基板1側(cè)的正確位置采用光刻法形成著色層4，故將支撐基板1側(cè)與密封基板5側(cè)貼合時不需要正確的位置對準。因此，即使是上部發(fā)出型也可實現(xiàn)產(chǎn)率的提高。
另外，由于著色層4與有機EL元件2之間不存在平坦化層，故視野角特性提高。
上述的實施方案對在特定條件下構(gòu)成本發(fā)明的例子已進行說明，但本發(fā)明也可以進行種種的變更。例如，上述實施方案中對具有TFF的顯示器例已進行說明，但本發(fā)明也適用于沒有TFF的顯示器。
以下，對本實施方案中有機EL顯示裝置的各構(gòu)成部件進行說明。沒有特殊說明的部件可以使用通常的部件。
1.支撐基板有機EL顯示裝置中的支撐基板1是支撐有機EL元件2等用的部件，因此優(yōu)選機械強度和尺寸穩(wěn)定性好的。
作為這樣的支撐基板1的材料，例如，可列舉玻璃板、金屬板、陶瓷板或塑料板(例如聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、氯乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、硅樹脂、氟樹脂)等。
另外，這些材料構(gòu)成的支撐基板1，為了防止水分侵入有機EL顯示裝置內(nèi)，還優(yōu)選形成SiOx(0＜x≤2)、SiON、SiAlON等的無機膜，或涂布氟樹脂，實施防濕處理或疏水性處理。進一步優(yōu)選在基板1與下部電極22之間實施無機膜，還優(yōu)選在絕緣膜7與基板1之間實施無機膜。
尤其是，為了避免水分侵入有機發(fā)光介質(zhì)21、優(yōu)選縮小支撐基板1中的含水率及氣體透過系數(shù)。具體地，優(yōu)選使支撐基板1的含水率為0.0001重量％以下的值，且使氣體透過系數(shù)為1×1013cc·cm/cm2·sec·cmHg以下的值。
此外，本發(fā)明為了從與支撐基板1對置側(cè)，即從上部電極側(cè)23發(fā)出EL發(fā)光，支撐基板不一定必須有透明性2.有機EL元件通常，有機EL元件2由有機發(fā)光介質(zhì)21和夾持該有機發(fā)光介質(zhì)的上部電極23與下部電極22構(gòu)成。以下，對有機EL元件2的各構(gòu)成要素，按(1)有機發(fā)光介質(zhì)、(2)上部電極及(3)下部電極的順序進行說明。
(1)有機發(fā)光介質(zhì)有機發(fā)光介質(zhì)21是含電子與空穴再結(jié)合可發(fā)光的有機發(fā)光層的介質(zhì)。該有機發(fā)光介質(zhì)21，例如，可在陽極上復(fù)合以下的①～⑦的任何一種所示各層構(gòu)成。
①有機發(fā)光層②空穴注入層/有機發(fā)光層③有機發(fā)光層/電子注入層
④空穴注入層/有機發(fā)光層/電子注入層⑤有機半導(dǎo)體層/有機發(fā)光層⑥有機半導(dǎo)體層/電子阻隔層/有機發(fā)光層⑦空穴注入層/有機發(fā)光層/粘著改善層此外，上述的①～⑦的構(gòu)成中，由于④的構(gòu)成可得到更高的發(fā)光亮度，耐久性好而最優(yōu)選。
以下，對①有機發(fā)光介質(zhì)的構(gòu)成材料，及②有機發(fā)光介質(zhì)的厚度順序地進行說明。
①有機發(fā)光介質(zhì)21的構(gòu)成材料以下，對有機發(fā)光介質(zhì)21的構(gòu)成要素例，按(i)有機發(fā)光層、(ii)空穴注入層、(iii)電子注入層及(iv)粘著改善層的順序進行說明。
(i)有機發(fā)光層作為有機發(fā)光介質(zhì)21中有機發(fā)光層的發(fā)光材料，例如，可列舉對-四苯基衍生物，對-五苯基衍生物(quinquephenyl)、苯并二唑系化合物，苯并咪唑系化合物、苯并噁唑系化合物、金屬螯合oxynoid化合物、噁二唑系化合物、苯乙烯基系化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、丁二烯系化合物、萘酰亞胺化合物、芘衍生物、醛連氮衍生物、吡嗪衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、吡咯并吡咯衍生物、苯乙烯基胺衍生物、香豆素系化合物、芳香族二次甲基系化合物、8-羥基喹啉衍生物為配體的金屬配位化合物，多苯基系化合物等的一種或二種以上的組合。
另外，這些有機發(fā)光材料中，優(yōu)選芳香族二次甲基系化合物。例如，更優(yōu)選4，4-二(2，2-二叔丁基苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡稱DTBPBBi)或4，4-二(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡稱DPVBi)及這些的衍生物。
此外，也適合并用具有二苯乙烯基亞芳基骨架等的有機發(fā)光材料作為主體材料，在該主體材料中摻雜作為摻雜劑的骨藍色～紅色的強熒光色素，例如香豆素材料、或苯乙烯基胺系熒光色素的材料。更具體地，作為主體材料優(yōu)選使用上述的DPVBi等，作為摻雜劑優(yōu)選使用N，N-二苯基氨基苯乙烯基苯(簡稱DPAVB)。
(ii)空穴注入層另外，有機發(fā)光介質(zhì)21中的空穴注入層，優(yōu)選使用外加1×104～1×106V/cm范圍的電壓時所測定的空穴移度是1×10-6cm2/v秒以上，離子化能是5.5eV以上的化合物。通過設(shè)這樣的空穴注入層，對有機發(fā)光層的空穴注入良好，可得到高發(fā)光亮度，或可低電壓驅(qū)動。
作為這樣的空穴注入層的構(gòu)成材料，具體地，可列舉卟啉化合物，芳香族叔胺化合物，苯乙烯基胺化合物、芳香族二次甲基系化合物、縮合芳香族環(huán)化合物，例如，4，4-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPD)、或4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(簡稱MTDATA)等的有機化合物。
此外，作為空穴注入層的構(gòu)成材料也優(yōu)選使用p型-Si或p型-SiC等的無機化合物。
再者，上述的空穴注入層與陽極層之間、或上述的空穴注入層與有機發(fā)光層之間，優(yōu)選設(shè)導(dǎo)電率1×10-10S/cm以上的有機半導(dǎo)體層。通過設(shè)這樣的有機半導(dǎo)體層，對有機發(fā)光層的空穴注入則更好。
(iii)電子注入層另外，有機發(fā)光介質(zhì)21中的電子注入層，優(yōu)選使用外加1×104～1×106V/cm范圍的電壓時測定的電子移動度是1×10-6cm2/V.秒以上，離子化能超過5.5eV的化合物。通過設(shè)這樣的電子注入層，則對有機發(fā)光層的電子注入更好，可得到高的發(fā)光亮度，或可低電壓驅(qū)動。
作為這種電子注入層的構(gòu)成材料，具體地可列舉8-羥基喹啉的金屬配位化合物，例如、鋁螯合物Alq或其衍生物，或者號噁二唑。
(iv)粘著改善層另外，有機發(fā)光介質(zhì)21中的粘著改善層，可視為這種電子注入層的一種形態(tài)。即，是電子注入層中，與陰極粘接性特別好的材料構(gòu)成的層、優(yōu)選由8-羥基喹啉的金屬配位化合物或其衍生物等構(gòu)成。
此外，優(yōu)選與上述的電子注入層相接、設(shè)導(dǎo)電率1×10-10S/cm以上的有機半導(dǎo)體層。通過設(shè)這樣的有機半導(dǎo)體層，對有機發(fā)光層的電子注入性更好。
②有機發(fā)光介質(zhì)的厚度有機發(fā)光介質(zhì)21的厚度沒有特殊限制，例如，優(yōu)選厚度為5nm～5μm范圍內(nèi)的值。該理由是有機發(fā)光介質(zhì)21的厚度未滿5nm時，有時發(fā)光亮度或耐久性降低，而有機發(fā)光介質(zhì)的厚度超過5μm時，外加電壓值增高的緣故。因此，更優(yōu)選使有機發(fā)光介質(zhì)21的厚度為10nm～3μm范圍內(nèi)值，再優(yōu)選為20nm～1μm范圍內(nèi)的值。
(2)上部電極本實施方案中上述電極23在顯示全部區(qū)域連續(xù)地設(shè)置。
上部電極23按照有機EL元件2的構(gòu)成，相當于陽極層或陰極層。相當于陽極層的場合，為了空穴容易注入，優(yōu)選使用功函數(shù)大的材料，例如，4.0eV以上的材料。而相當于陰極層的場合，為了容易注入電子，功函數(shù)的構(gòu)成材料，例如優(yōu)選使用未滿4.0eV的材料。
另外，上部發(fā)出型的有機EL顯示裝置，為了通過上部電極23發(fā)出光，上部電極23必須有透明性。因此，上部電極23相當于陽極層的場合，例如可列舉銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦銅氧化物(uInO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化銻(Sb2O3、Sb2O4、Sb2O5)、氧化鋁(Al2O3)等的一種或二種以上的組合。
以外，在不破壞透明性的范圍內(nèi)，為了實現(xiàn)上部電極23的低電阻化，優(yōu)選Pt、Au、Ni、Mo、W、Cr、Ta、Al等的金屬的一種或二種以上組合后成為設(shè)在上部電極的像素周邊部的層。
另外，作為上部電極23，可以從選自光透過性金屬膜、非縮體的半導(dǎo)體、有機導(dǎo)電體、半導(dǎo)體碳化合物等的至少一種的構(gòu)成材料選擇。例如，作為有機導(dǎo)電體優(yōu)選是導(dǎo)電性共軛聚合物、添加氧化劑的聚合物、添加還原劑的聚合物、添加氧化劑的低分子或添加還原劑的低分子。
此外，作為添加到有機導(dǎo)電體中的氧化劑，可列舉路易斯酸，例如氯化鐵、氯化銻、氯化鋁等。另外，同樣地作為添加到有機導(dǎo)電體中的還原劑，可列舉堿金屬、堿土類金屬、稀土類金屬、堿土類化合物或稀土類等。此外，作為導(dǎo)電性共軛聚合物，可列舉聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物，添加路易斯酸的胺化合物等。
另外，作為非縮體的半導(dǎo)體，例如，優(yōu)選是氧化物、氮化物或硫?qū)僭鼗衔铩?br> 此外，作為碳化合物，例如優(yōu)選是非晶碳、石墨或金剛石類似物C。
作為無機半導(dǎo)體，例如，優(yōu)選是ZnS，ZnSe，ZnSSe，MgS，MgSSe，CdS，CdSe，CdTe或CdSSe。
上部電極23的厚度最好考慮面電阻等后而定。例如，優(yōu)選上部電極23的厚度為50nm～5000nm范圍內(nèi)的值。更優(yōu)選為100nm以上的值。該理由是通過使上部電極23的厚度為這種范圍內(nèi)的值，可以得到均勻的厚度分布，或EL發(fā)光中60％以上的光透過率，同時可以使上部電極23的面電阻為15Ω/□以以下的值，更優(yōu)選為10Ω/□以下的值。
(3)下部電極本實施方案中，下部電極22對每個像素用平面圖形單個地分開配置。
下部電極22根據(jù)有機EL顯示裝置的構(gòu)成，相當于陰極層或陽極層。相當于陰極層的場合，為了容易注入電子，優(yōu)選使用功函數(shù)小的材料，例如，未滿4.0eV的金屬、合金、電導(dǎo)電性化合物或這些的混合物或含有物。
作為這樣的材料，例如，優(yōu)選使用鈉、鈉-鉀合金、銫、鎂、鋰、鎂-銀合金、鋁、氧化鋁、鋁-鋰合金、銦、稀土類金屬、這些金屬與有機發(fā)光介質(zhì)材料的混合物及這些的金屬與電子注入層材料的混合物等構(gòu)成的電極材料的單獨一種或二種以上組合使用。
此外，本發(fā)明由可從上部電極23側(cè)出射發(fā)光，故下部電極22的材料不一定必須有透明性。當然，作為一種理想形態(tài)，也可以由光吸收性的導(dǎo)電材料形成。如果是這樣地構(gòu)成，則可以進一步提高有機EL顯示裝置的顯示對比。另外，作為該場合優(yōu)選的光吸收性的導(dǎo)電材料，可列舉半導(dǎo)性的碳材料、有色性的有機化合物或前述的還原劑及氧化劑的組合系，有色性的導(dǎo)電性氧化物(例如，VOx、MoOx、WOx等的過渡金屬氧化物)。
下部電極22的厚度也與上部電極23同樣地沒有特殊限制，例如，優(yōu)選為10nm～1000nm范圍內(nèi)的值，更優(yōu)選為10～200nm范圍內(nèi)的值。
3.絕緣部件本實施方案的有機EL顯示裝置中的絕緣部件7(電絕緣膜)設(shè)于有機EL元件2的附近或周邊。而且，絕緣部件7可用作有機EL顯示裝置整體的高精細化，用于防止有機EL元件2的下部電極22與上部電極23的短路。另外，利用TFT6驅(qū)動有機EL元件2的場合，絕緣部件7保護TFT6?；蛘咭部捎米魇褂脵CEL元件2的下部電極22在平坦面上成膜用的基底。
因此，絕緣部件7，根據(jù)需要有時稱作隔板、調(diào)距物、棱(rib)、平坦化膜等。本發(fā)明包括所有這些作用的部件。
本實施方案中設(shè)絕緣部件7，使之填補對每個像素分開配置設(shè)的下部電極彼此之間。即，絕緣部件7沿像素彼此的邊緣設(shè)置。
作為絕緣部件7的材料，通常，可列舉丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、氟化聚酰亞胺樹脂、苯并鳥糞胺樹脂、三聚氰胺樹脂、環(huán)狀聚烯烴、漆用酚醛樹脂、聚肉桂酸乙烯基酯、環(huán)化橡膠、聚氯乙烯樹脂、聚苯乙烯、酚醛樹脂、醇酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、馬來酸樹脂、聚酰胺樹脂等。
另外，由無機氧化物構(gòu)成絕緣部件7的場合，作為優(yōu)選的無機氧化物，可列舉氧化硅(SiO2或SiOx)、氧化鋁(Al2O3或AlOx)、氧化鈦(TiO3或TiOx)、氧化釔(Y2O3或YOx)、氧化鍺(GeO2或GeOx)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、硼酸(B2O3)、氧化鍶(SrO)、氧化鋇(BaO)、氧化鉛(PbO)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈉(Na2O)、氧化鋰(Li2O)、氧化鉀(K2O)等，也可以組合使用。
再者，上述無機化合物中的x是1≤x≤3范圍內(nèi)的值。
另外，對絕緣部件7要求耐熱性的場合，優(yōu)選使用丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、氟化聚酰亞胺、環(huán)狀烯烴樹脂、環(huán)氧樹脂、無機氧化物。
此外，這些絕緣部件7是有機質(zhì)的場合，導(dǎo)入感光性基后采用光刻法加工成所期望的圖形，或者采用印刷法可形成所期望的圖形。
絕緣部件7的厚度取決于顯示的精細度、與有機EL元件組合的其他部件的凹凸，但優(yōu)選為10nm～1mm范圍內(nèi)的值。該理由是通過這樣地構(gòu)成可充分地使TFT等的凹凸平坦化的緣故。
因此，絕緣部件7的厚度，例如優(yōu)選為100nm～100μm范圍內(nèi)的值，更優(yōu)選為100nm～10μm范圍內(nèi)的值。
4.薄膜晶體管(TFT)圖9是表示含TFT的電開關(guān)連接構(gòu)造的電路圖，圖10是表示含TFT的電開關(guān)連接構(gòu)造的平面透視圖。
如圖9的電路圖所示，在TFT6中配設(shè)成XY矩陣狀的多條(n條，例如n為1～1,000范圍內(nèi)的值)掃描電極線(Yj～Yj+n)50與信號電極線(Xi～Xi+n)51進行電連接，此外，與該信號電極線51平行設(shè)置的共通電極線(Ci～Ci+n)52與TFT6進行電氣連接。
而且，這些的電極線50、51、52電連接在TFT6上，與電容器57一起構(gòu)成驅(qū)動有機EL元件2用的電開關(guān)。即，這樣的電開關(guān)優(yōu)選掃描電極線50及信號電極線51等電連接，同時例如，由1個以上的第1晶體管(以下，有時稱Tr1)55、與第2晶體管(以下，有時稱Tr2)56和電容器57構(gòu)成。
此外，優(yōu)選第1晶體管55有選擇發(fā)光像素的功能，第2晶體管56有驅(qū)動有機EL元件的功能。
另外，第1晶體管(Tr1)55及第2晶體管(Tr2)56的活性層，由摻雜成n型的半導(dǎo)體區(qū)域及不摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成，可表示為n+/i/n+。
而且，摻雜成n型的半導(dǎo)體區(qū)域分別為源及漏電極，與不摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域的上方通過柵極氧化膜設(shè)的柵極一起整體構(gòu)成晶體管55、56。
此外，活性層中，為了替代n型，也可以把摻雜成n型的半導(dǎo)體區(qū)域摻雜成p型，成為p+/i/p+的構(gòu)成。另外，第1晶體管(Tr1)55及第2晶體管(Tr2)56的活性層，優(yōu)選由多晶硅等的無機半導(dǎo)體、或噻吩低聚物、聚(對-亞苯基亞乙烯基)等的有機半導(dǎo)體構(gòu)成。尤其是，由于多晶硅比非晶Si(d-Si)對導(dǎo)電顯示出充分的穩(wěn)定性，故是優(yōu)選的材料。
TFT6的漏電極與有機EL元件2的下部電極22，通過設(shè)于絕緣部件7上的導(dǎo)電無機氧化物構(gòu)成的接觸孔進行電連接。
TFT6如圖9所示電路圖，優(yōu)選含第1晶體管(Tr1)55及第2晶體管(Tr2)56，同時構(gòu)成電開關(guān)。
即，通過這樣地構(gòu)成電開關(guān)，利用XY矩陣的電極輸入掃描信號脈沖及信號脈沖，通過進行開關(guān)動作，可使有機EL元件2驅(qū)動。
更具體地講，利用電開關(guān)使有機EL元件2發(fā)光，或通過停止發(fā)光，可進行圖像顯示。
這樣地利用電開關(guān)驅(qū)動有機EL元件2時，利用通過掃描電極線(有時稱柵極線)(Yj～Yj+n)50傳輸?shù)膾呙杳}沖，和通過信號電極線(Xi～Xi+n)51傳輸?shù)膾呙杳}沖，選擇所期望的第1晶體管(Tr1)55，對在共通電極線(Ci～Ci+n)52與第1晶體管(Tr1)55的源電極之間形成的電容器57充設(shè)定的電荷。
因此，第2晶體管(Tr2)56的柵壓為一定值，第2晶體管(Tr2)56成為ON狀態(tài)。此外，在該ON狀態(tài)下，為了保持柵壓直到下一個柵脈沖到達，對于第2晶體管(Tr2)56的漏電極連接的有機EL元件2的下部電極22不斷供給電流。
因此，利用所供給的電流可驅(qū)動有機EL元件2，可大幅度降低有機EL元件2的驅(qū)動電壓，同時提高發(fā)光效率，而且可降低電力消耗。
5.密封層作為密封層3的材料，可列舉透明樹脂、密封液及透明無機物。
作為可用作構(gòu)成密封層3的透明樹脂，可列舉聚甲基丙烯酸苯酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚鄰氯苯乙烯、聚甲基丙烯酸-鄰-萘酯、聚乙烯基萘，聚乙烯基咔唑，含有芴骨架的聚酯等。
另外，密封層3的材料使用透明樹脂的場合，優(yōu)選該材料由紫外線固化型樹脂或可見光固化型樹脂，熱固性樹脂或使用這些樹脂的膠粘劑構(gòu)成。作為這些的具體例，可列舉Luxtrak LCR 0278或0242D(均為東亞合成公司制)、TB3102(環(huán)氧系Three Bond公司制)、Venefix VL(丙烯酸系A(chǔ)de1公司制)等的市售品。
另外，作為可用作構(gòu)成封裝層3的透明無機物，可列舉SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、AlOxYy、TiO2、TiOx、SiAlOxNy、TiAlOx、TiAlOxNy、SiTiOx、SiTiOxNy等。
此外，密封層3的材料使用透明無機物的場合，為了不使用機EL元件2劣化，優(yōu)選在低溫(100℃以下)下，降低成膜速度進行成膜，具體地優(yōu)選濺射法、蒸鍍、CVD等的方法。
另外，這些的透明無機物雖然是非晶質(zhì)，但由于阻隔水分、氧、低分子單體等的效果高，控制有機EL元件2的劣化而優(yōu)選。
此外，作為可用作構(gòu)成密封層3材料的密封液，可列舉氟化烴、氟化烯烴的低聚物等。
此外，也可以添加含芳香環(huán)化合物、含芴骨架化合物、含溴化合物或含硫化合物，還可添加高折射率的化合物，例如，烷氧基鈦等的金屬化合物(二甲氧基鈦或二乙氧基鈦)、烷氧基鈦等調(diào)節(jié)折射率。
另外，密封層3的厚度沒有特殊限制，例如，優(yōu)選厚度為10nm～1mm。
該理由是密封層3的厚度未滿10nm時，有時水分或氧的透過量增大，而密封層3的厚度超過1mm時，整體膜厚增厚有時不能溝型化的緣故。
著眼于這樣的理由，更優(yōu)選密封層3的厚度為10nm～100μm。
6.著色層本發(fā)明的著色層4包含①濾色器單獨的場合、②熒光介質(zhì)單獨的場合、或③濾色器與熒光介質(zhì)組合的場合的三類場合。
上述①～③中，③濾色器與熒光介質(zhì)組合，由于當使三原色的各色發(fā)光時，可在低電力下實現(xiàn)高度的提高，又可實現(xiàn)顯示的色平衡的提高而最適用。
例如，用有機EL元件2發(fā)藍色光的場合，藍色像素，只設(shè)藍色濾色器，綠色像素時設(shè)將藍色光變換成綠色光的熒光介質(zhì)和綠色濾色器，又，紅色像素時可將藍色光變換成紅色光的熒光介質(zhì)與紅色濾色器組合設(shè)置。
以上，對濾色器及熒光介質(zhì)的構(gòu)成等分別進行說明。
(1)濾色器濾色器有分解或切斷光，調(diào)整顏色或提高對比度的功能。
作為濾色器的材料，例如，可列舉下述色素或使該色素溶解或分散在粘結(jié)劑樹脂中的固體狀態(tài)的材料。
紅色(R)色素可使用芘系顏料、色淀顏料、偶氮系顏料、喹吖酮系顏料、蒽醌系顏料、蒽系顏料、異吲哚滿系顏料、異吲哚滿酮系顏料等的單品及至少二種以上的混合物。
綠色(G)色素可使用鹵素多置換酞菁系顏料、鹵素多置換銅酞菁系顏料、三苯基甲烷系堿性染料、異吲哚滿系顏料、異吲哚滿酮系顏料等的單品及至少二種以上的混合物。
藍色(B)色素可使用銅酞菁系顏料、陰丹酮系顏料、靛酚系顏料、喹啉藍系顏料、二噁嗪系顏料等的單品及至少二種以上的混合物。
作為濾色器材料的粘結(jié)樹脂，優(yōu)選使用透明(在可見光區(qū)域的透過率50％以上)的材料。例如，可列舉聚甲基丙烯酸甲酸、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素等的透明樹脂(高分子)等?？梢允褂闷渲械?種或2種以上混合使用。
另外，為形成濾色器采用油墨噴射等的印刷法的場合，可以使用利用透明樹脂的印刷油墨(媒介物)。例如，可以使用聚氯乙烯樹脂、聚偏氯乙烯樹脂、三聚氰胺樹脂、酚醛樹脂、醇酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、馬來酸樹脂、聚酰胺樹脂的單體、低聚物、聚合物組成的組合物、或聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素等的透明樹脂中的1種或使用2種以上。
另外，可以根據(jù)需要使用液體溶劑。作為液體溶劑的例子，可列舉水、甲醇、乙醇、異丙醇等的醇或這些的混合物。
色素、樹脂、溶劑的濃度，可著眼于著色層的功能和對油墨噴射法的適用的觀點而適當選擇。優(yōu)選色素是0.1～3重量％，樹脂是2～50重量％。
為了形成濾色器使用光刻法的場合，優(yōu)選使用感光性樹脂。例如，可列舉丙烯酸系、甲基丙烯酸系、聚肉桂酸乙烯酯系、環(huán)化橡膠等有反應(yīng)性乙烯基的光固化型抗蝕劑材料等，可以使用其中的1種或2種以上混合使用。
熒光介質(zhì)由熒光色素與這樣的樹脂組成時，優(yōu)選將熒光色素與樹脂和適當?shù)娜軇┻M行混合，分散或可溶化后形成液狀物，采用旋涂法、輥涂法、鑄涂法等的方法將該液狀物成膜，然后，采用光刻法制圖形成所期望熒光介質(zhì)的圖形，或者采用網(wǎng)版印刷等的方法制圖形成所期望的圖形后，形成熒光介質(zhì)。
濾光器的厚度沒有特殊限制，例如，優(yōu)選為10nm～1,000μm，更優(yōu)選為0.5μm～500μm，再優(yōu)選為1μm～100μm。
(2)熒光介質(zhì)熒光介質(zhì)具有吸收有機EL元件2的發(fā)光，發(fā)出更長波長的熒光的功能。
各熒光介質(zhì)優(yōu)選與有機EL元件2的發(fā)光區(qū)域，例如上部電極23與下部電極22的交叉部分的位置相對應(yīng)地進行配置。上部電極23與下部電極22的交叉部分的有機發(fā)光層進行發(fā)光時，各熒光介質(zhì)接受該發(fā)光，可向外部發(fā)出不同顏色(波長)的發(fā)光。
熒光介質(zhì)的構(gòu)成材料沒有特殊限制，例如，可列舉由熒光色素與樹脂，或只由熒光色素構(gòu)成，熒光色素及樹脂可列舉使熒光色素溶解或分散在顏料樹脂和/或粘結(jié)樹脂中的固形狀態(tài)的材料。
對具體的熒光色素進行說明時，作為從有機EL元件2中的近紫外光把紫色的發(fā)光變換成藍色發(fā)光的熒光色素，可列舉1，4-二(2-甲基苯乙烯基苯(以下簡稱BiS-MBS))、反式-4，4’-二苯基芪(以下簡稱DPS)等的芪系色素(stylbenedye)、7-羥基-4-甲基香豆素(以下稱香豆素4)等的香豆素系色素。
另外，有關(guān)把有機EL元件2中的藍色、藍綠色或白色的發(fā)光變換成綠色發(fā)光時的熒光色素，例如，可列舉2，3，5，6-1H，4H-四氫-8-三氟甲基喹嗪基(9，9a，1-gh)香豆素(以下稱香豆素153)、3-(2’-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素(以下稱香豆素6)、3-(2’-苯并咪唑基)-7-N，N-二乙基氨基香豆素(以下稱香豆素7)等的香豆素色素，作為其他香豆素色素色染料的堿性黃51、或溶劑黃11、溶劑黃116等的萘二甲酰亞胺色素。
此外，有關(guān)把有機EL元件2中的藍色變換到綠色的發(fā)光或把白色的發(fā)光從橙色變換到紅色的發(fā)光時的熒光色素，例如，可列舉4-氰基亞甲基-2-甲基-6-(對-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(以下稱DCM)等的深藍系色素、1-乙基-2-(4-(對-二甲基氨基苯基)-1，3-丁二烯基)-吡啶鎓全氯化物(以下稱吡啶1)等的吡啶系色素，若丹明B、若丹明6G等的若丹明系色素、其他噁嗪色素等。
此外，各種染料(直接染料、酸性染料、堿性染料、分散染料等)如果有熒光性也可選作熒光色素。
另外，還可以是預(yù)先把熒光色素混煉到聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、氯化乙烯-醋酸乙烯共聚物、醇酸樹脂、芳香族磺酸胺樹脂、脲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、苯并鳥糞胺樹脂等的顏料樹脂中進行顏料化的色素。
有關(guān)粘結(jié)樹脂可以使用與濾色器同樣的粘結(jié)樹脂。
另外，熒光介質(zhì)的形成方法也可以用與濾色器同樣的形成方法。
熒光介質(zhì)的厚度沒有特殊限制，例如，優(yōu)選為10nm～1,000μm、更優(yōu)選為0.1μm～500μm，再優(yōu)選為5μm～100μm。
7.平坦化層對平坦化層8的說明與密封層3相同。
8.密封基板為了防止水分侵入有機發(fā)光介質(zhì)內(nèi)部，優(yōu)選至少設(shè)密封基板5覆蓋有機EL顯示裝置的發(fā)光區(qū)域。
作為這樣的密封基板5可以使用與支撐基板1同種的材料。尤其是，可以使用阻隔水分和氧效果高的玻璃板或陶瓷基板。另外，密封基板5的形態(tài)沒有特殊限制，例如優(yōu)選為板狀或罩狀。作為板狀的場合，例如，優(yōu)選使板厚為0.01～5mm范圍內(nèi)值。
此外，最好預(yù)先在支撐基板1的一部分設(shè)溝等，密封基板5壓入溝中進行固定，或優(yōu)選使用光固化型的膠粘劑等固定在支撐基板1的一部分上。
實施例實施例11.TFT基板的制作圖11(a)～(i)是表示多晶硅TFT的形式工序圖。表示含該多晶硅TFT的電開關(guān)連接構(gòu)造的電路圖與圖9一樣，平面透視圖與圖10一樣。
首先，在112mm×143mm×1.1mm的玻璃基板1(OA2玻璃，日本電氣硝子公司制)上，采用減壓CVD(低壓化學(xué)氣相淀積、LPCVD)等的方法，復(fù)合α-Si層40(圖11(a))。然后，對α-Si層40照射KrF(248nm)激光等的受激準分子激光，進行退火結(jié)晶化，成為多晶硅(圖11(b))。采用光刻法對該多晶硅圖形化成海島狀(圖11(c))。采用化學(xué)蒸鍍(CVD)等在所得的海島化多晶硅41及基板1的表面復(fù)合絕緣柵極材料42，成為柵極氧化物絕緣層42(圖11(d))。采用蒸鍍或濺射進行成膜形成柵極電極43(圖11(e))。對柵極電極43進行制圖同時進行陽極氧化(圖11(f)～(h))。再采用離子摻雜(離子注入)形成摻雜區(qū)域，由此形成活性層，成為源極45及漏電極47，形成多晶硅TFT(圖11(i))。此時，將柵極電極43(及圖10的掃描電極50、電容器57的底部電極)為鋁，TFT的源極45及漏電極47為n+型。
然后，在得到的活性層上，采用CRCVD法形成膜厚500nm的層間絕緣膜(SiO2)后，進行信號電極線51及共通電極線52、電容器上部電極(A1)的形成和第2晶體管(Tr2)56的源電極與共通電極的連接、第1晶體管(Tr1)55的漏電極與信號電極的連接(圖9、圖10)。各TFT與各電極的連接，采用氫氟酸濕蝕刻將層間絕緣膜適當開口后進行連接。
然后，順序地采用濺射對Cr和ITO分別成膜為2000、1300。在該基板上旋轉(zhuǎn)涂布正型抗蝕劑(HPR204FUJIFILM Arch制)，通過可使之成為90μm×320μm的點狀圖形的光掩模，進行紫外線曝光，在TMAH(四甲基氫氧化銨)的顯像液中進行顯像，在130℃下后烘烤，得到抗蝕劑圖形。
然后，使用47％氫溴酸組成的ITO蝕刻劑，對露出部分的ITO進行蝕刻，再使用硝酸鈰銨/高氯酸水溶液(HCE長瀨產(chǎn)業(yè)制)對Cr進行蝕刻。然后，使用乙醇胺為主要成分的剝離液(N303長瀨產(chǎn)業(yè)制)對抗蝕劑進行處理，得到Cr/ITO圖形(下部電極陽極)。
此時，Tr2 56與下部電極22通過開口部59進行連接(圖10)。
然后，作為第二層間絕緣膜，旋轉(zhuǎn)涂布負型抗蝕劑(V259BK新日鐵化學(xué)化司制)，進行紫外線曝光，在TMAH(四甲基氫氧化銨)的顯像液中進行顯像。接著在180℃后烘烤，形成被覆Cr/ITO邊緣(ITO開口部70μm×200μm)的有機膜的層間絕緣膜(沒圖示)。
2.有機EL元件的制作把這樣制得的帶層間絕緣膜的基板在純水及異丙醇中進行超聲波洗滌，用吹風干燥后，進行UV洗滌。
然后，把TFT基板移到有機蒸鍍裝置(日本真空技術(shù)制)中，在基板上固定基板夾持器。在鉬制電阻加熱皿中加入N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺(TPD)200mg，并在另一個鉬制電阻加熱器中加入4，4’-二(2，2’-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(DPVBi)200mg，進一步在另外一個鉬制電阻加熱皿中加入下述所示的化合物(A)，把真空槽減壓到1×10-4Pa。然后，把加有TPD皿加熱到215～220℃，采用0.1～0.3nm/秒蒸鍍速度在透明支撐基板上蒸鍍TPD、形成膜厚60nm空穴注入傳輸層膜。此時的基板溫度是室溫。然后不取出該基板，而在該空穴注入傳輸層上，加熱加有DPVBi的皿，復(fù)合蒸鍍40nm作為第一發(fā)光層。此時，同時地加熱化合物(A)的皿，使第一發(fā)光層按3.0摩爾％的比例含有化合物(A)。然后，使真空槽恢復(fù)到大氣壓，重新在鉬制電阻加熱皿中加入8-羥基喹啉鋁配位化合物(Alq)200mg，又在另一個鉬制電阻加熱皿中加入紅熒烯(Rubene)(Aldrich公司制)，再一次將真空槽減壓到1×10-4Pa。然后，加熱加有Alq的皿，形成20nm膜作為第二發(fā)光層。此時，同時地也加熱加有紅熒烯的皿，使第二發(fā)光層按0.5摩爾％的比例含有紅熒烯。
然后，把基板移到濺射槽中，作為取出陰極電極采用0.1～0.3nm/秒成膜速率將IZO形成膜厚200nm，制作有機EL元件。PAVBi 3.密封層的制作作為密封層，采用低溫CVD在有機EL元件的上部電極上將SiOXNY(O/O+N＝50％原子比)形成厚1μm膜作為透明無機膜。由此制得有機EL元件基板。
4.對密封層表賦予疏油墨性在上述有機EL元件基板的密封層上粘貼90μm開口、240μm縫隙的掩模，然后放入低溫等離子體放電裝置內(nèi)。把只含2.65體積％的SF4的He混合氣導(dǎo)入低溫等離子體放電裝置內(nèi)，在大氣壓、處理頻率2900Hz、處理電流8mA的條件下進行1分鐘放電處理。放電處理后除去掩模，測量相當于開口部分的水接觸角，結(jié)果是110°。
5.濾色器用油墨的制備重量比乙二醇10％，二乙二醇15％，下述R、G、B顏料4％，苯乙烯-馬來酸樹脂的0.6％單乙醇胺鹽(平均分子量3萬、酸值300)，水70.4％紅色顏料將C.I.顏料紅168與C.I.顏料橙36按23∶8的重量比進行混合的顏料綠色顏料將C.I.顏料綠36與C.I顏料黃83按15∶4的重量比進行混合的顏料藍色顏料；將C.I.顏料藍60與C.I.顏料紫23按9∶3的重量比進行混合的顏料。
此外，上述顏料使用砂磨機將顏料粒徑分散成0.01～0.4μm范圍的粒子為全部粒子的約90％后，用1μm的過濾器過濾后使用。
6.濾色器的復(fù)合使用利用熱能使油墨發(fā)泡、噴出的油墨噴射記錄裝置，用下述油墨組成構(gòu)成的油墨形成R.G.B三色構(gòu)成的油墨點。然后，在80℃干燥20分鐘，再在180℃干燥1小時，形成顏料微粒子層。膜厚是0.4μm。然后，在該A、G、B的三色顏料粒子層上旋涂丙烯酸系熱固型樹脂(V259PH新日鐵化學(xué)制)在濾色器層上形成透明保護膜，在180℃后烘烤形成平坦化層(膜厚12μm)，制得有機EL顯示裝置。
7.有機EL顯示裝置的特性對制得的有機EL顯示裝置的下部電極(ITO/Cr)與上部電極(IZO)外加DC9.5V的電壓(下部電極(+)、上部電極(-))，結(jié)果各電極的交叉部分進行發(fā)光，全部發(fā)白色光。采用色彩色差計(CS100、MINOLUTA制進行測定的結(jié)果，亮度是23.7cd/m2，CIE色度座標是(0.28，0.30)側(cè)視觀察顯示圖面也沒有滲色，確認是良好的顯示。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性如以上詳細說明，若采用本發(fā)明，即使是上部發(fā)出型，由于不破壞有機發(fā)光介質(zhì)等，可在支撐基板側(cè)的正確位置形成著色層，故在貼合密封基板時不需要正確的位置對準，可以提高產(chǎn)率。
另外，由于在支撐基板側(cè)的密封層上直接或接近地設(shè)著色層，因此即使是上部發(fā)出型也可以縮矩從有機EL元件的發(fā)光介質(zhì)到著色層的距離，結(jié)果可實現(xiàn)視野角特性的提高。
權(quán)利要求
1.有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具備發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、及位于前述密封層上的將前述有機電致發(fā)光元件發(fā)出的光進行變換的著色層。
2.權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，與前述密封層的著色層相接觸的面的一部分具有疏油墨性，在前述疏油墨性以外的部分形成前述著色層。
3.有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具備發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、及位于前述密封層上的將前述有機電致發(fā)光元件發(fā)出的光進行變換的著色層，在前述密封層的凹部形成前述著色層。
4.權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在前述有機電致發(fā)光元件內(nèi)側(cè)的非開口部分設(shè)隆起部件，前述密封層在前述非開口部分有反映前述隆起部件的凸部，前述凹部是前述凸部間的區(qū)域。
5.權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在前述有機電致發(fā)光元件之上的非開口部分設(shè)隆起部件，前述密封層在前述非開口部分有反映前述隆起部件的凸部，前述凹部是前述凸部間的區(qū)域。
6.有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具備發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、及位于前述密封層上的將前述有機電致發(fā)光元件發(fā)出的光進行變換的著色層，前述著色層是含于前述密封層上所形成的油墨接受層中的油墨滲透層。
7.有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具備發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、對前述有機電致發(fā)光元件進行密封的含有阻隔紫外線材料的密封層、及位于前述密封層上的將前述有機電致發(fā)光元件發(fā)出的光進行變換的著色層。
8.有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具備發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、位于前述密封層上面的紫外線反射性多層膜、及位于前述多層膜上面的將前述有機電致發(fā)光元件發(fā)出的光進行變換的著色層。
9.有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具備發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、位于前述密封層上面的含紫外線吸收劑的聚合物、及位于前述含紫外線吸收劑的聚合物上面的將前述有機電致發(fā)光元件發(fā)出的光進行變換的著色層。
10.權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在支撐基板上按順序地具備前述有機電致發(fā)光顯示元件、前述密封層及前述著色層，并將它們進行密封。
11.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、形成密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、對前述密封層面的一部分賦予疏油墨性、對賦予前述疏油墨性部分以外的前述密封層的面賦予油墨形成著色層。
12.權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，通過實施氟等離子體處理賦予疏油墨性。
13.權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，通過涂布氟聚合物或有機硅聚合物，賦予疏油墨性。
14.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、在前述有機電致發(fā)光元件之上的非開口部分形成隆起部件、在前述隆起部件的上面形成密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、在前述密封層的反映前述隆起部件的凸部間所形成的凹部形成著色層。
15.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特在于，在下部電極上方的非開口部分形成隆起部件、進一步在前述隆起部件上面形成有機發(fā)光介質(zhì)及上部電極、形成將前述有機發(fā)光介質(zhì)夾持在前述下部電極與前述上部電極之間而構(gòu)成的有機電致發(fā)光元件、在前述有機電致發(fā)光元件之上形成密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、在前述密封層的反映前述隆起部件的凸部間所形成的凹部形成著色層。
16.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、形成密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、選擇性地挖削前述密封層面的非開口部分形成凹部、在前述密封層的凹部形成著色層。
17.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、形成密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、利用將前述密封層的非開口部分圍成井字狀的平面圖形形成凹部、在前述密封層的凹部形成著色層。
18.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、形成密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、在前述密封層的上面形成油墨接受層、使油墨接受層的設(shè)定的位置滲透油墨形成著色層。
19.權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，采用油墨噴射法形成著色層。
20.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、形成密封前述有機電致發(fā)光元件的含阻隔紫外線材料的密封層、采用紫外線光刻法在前述密封層的上面形成著色層。
21.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、形成密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、在前述密封層上面形成紫外線反射性多層膜、采用紫外線光刻法在前述多層膜上形成著色層。
22.有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，形成發(fā)光的有機電致發(fā)光元件、形成密封前述有機電致發(fā)光元件的密封層、在前述密封層上面涂布含紫外線吸收劑的聚合物、采用紫外線光刻法在前述含紫外線吸收劑的聚合物的上面形成著色層。
23.權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，在支撐基板上形成前述有機電致發(fā)光元件、前述密封層及前述著色層，再對該支撐基板貼合密封基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機EL顯示裝置及其制造方法，在支撐基板(1)上形成有機EL元件(2)與密封層(3)。使密封層上面(31)形成疏油墨性，采用油墨噴射法等印刷油墨形成著色層(4)。此外形成平坦化層(8)后，貼合密封基板(5)。由于不預(yù)先在密封基板(5)上形成著色層(4)，故支撐基板(1)與密封基板(5)的貼合不需要正確的位置對準。另外，由于可以使有機EL元件(2)與著色層(4)之間狹窄，故視野角特性提高。因此可以提供產(chǎn)率高且視野角特性好的上部發(fā)出型的有機EL顯示裝置及其制造方法。
文檔編號H01L27/32GK1631058SQ0380375
公開日2005年6月22日 申請日期2003年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月12日
發(fā)明者熊均, 榮田暢, 細川地潮 申請人:出光興產(chǎn)株式會社