專利名稱：具有溝槽放電單元的等離子顯示板及其制造方法
本申請對于申請于2002年1月14日，臨時申請?zhí)?0/347292的題為“PlasmaDisplay Panel Having Three-Dimensional Electrode Structure”，申請于2002年5月29日，臨時申請?zhí)?0/383604的題為“Trench Cells for Plasma DisplayPanel”，申請于2002年7月25日，臨時申請?zhí)?0/398112的題為“Trench Cellsfor Plasma Display Panel”以及申請于2002年9月6日，臨時申請?zhí)?0/409,277的題為“Capillary Discharge Plasma”的四個臨時申請主張優(yōu)先權利益，該四個申請均通過引用而結合在本文中。
背景技術：
發(fā)明領域本發(fā)明涉及一種等離子顯示板，更具體地說，本發(fā)明涉及一種具有溝槽放電單元的等離子顯示板及其制造方法。雖然本發(fā)明適合于廣闊的應用范圍，但本發(fā)明特別適合于改進等離子顯示板的發(fā)光效率以及減小等離子顯示板的驅動電壓。
相關技術的討論等離子顯示板(PDP)由產生紫外線的大量等離子單元構成。然后紫外線由磷光層轉化為可見的顯示器發(fā)射光。顯示器的亮度和效率主要取決于等離子單元產生紫外線的強度和效率。


圖1顯示了AC型的等離子顯示板的常規(guī)結構。常規(guī)的等離子顯示板由一個前基板和一個后基板組成。兩塊基板之間形成的空間中充滿惰性氣體。
前基板包括一個第一玻璃襯底11，一個淀積在其上的帶狀透明導電層12以及一個總體上由銀漿形成并補償一個透明介電層14的高電阻的總線電極13。透明介電層14限制電流的數(shù)量并發(fā)射來自磷光層的可見光。黑條紋層15由黑絕緣層形成，其改進了對比比例。保護層(未顯示)由氧化鎂形成，其高度耐離子放電期間的沖擊并增強二次電子的放電。一對由透明導電層12和總線電極13形成的電極被形成為一個放電單元。
后基板包括一個有形成在其上的地址電極和用于該地址電極的保護層18的第二玻璃襯底16，一個肋狀柵欄19和淀積在其上的磷光層20。
現(xiàn)在敘述具有上述結構的的等離子顯示板的運行。強放電發(fā)生在后基板上的地址電極17和前基板上的電極對中的一個電極之間。然后，為了維持等離子放電，一個AC信號被發(fā)送到前基板上的電極對中的一個電極。作為放電的結果，帶有紫外區(qū)域波長的光子被發(fā)射出來。紫外區(qū)域光子的發(fā)射激發(fā)了后基板上的磷光層20，磷光層20發(fā)射可見光，可見光被用來形成顯示器上的畫面或圖象。
在具有上述結構的等離子顯示裝置中，發(fā)光和效率是確定該裝置的質量的主要因素。常規(guī)的AC型表面放電PDP有下列缺點。
由于放電單元內外放電路程的長度的差異，電場不能均勻地產生。在單位放電單元的內部放電較強，靠近單元的外部放電較弱，因此就不能得到均勻的放電以及來自均勻放電的高發(fā)光效率。還有，電極具有二維平面的結構。這樣，根據高分辨率，電極的面積越小，發(fā)光的效率就越低，驅動電壓就越高。
發(fā)明概述因此，本發(fā)明致力于一種具有溝槽放電單元的等離子顯示板及其制造方法，本發(fā)明的等離子顯示板及其制造方法基本消除了相關技術中的局限和缺點引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在下文的敘述中闡明，通過敘述，在某種程度上將變得明白無誤，或可以在本發(fā)明的實踐中得到理解。通過在說明書，權利要求書以及附圖中具體指出的結構將實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目標和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)上述的和其他的優(yōu)點以及根據本發(fā)明的目標，如已經實施的和廣泛說明的那樣，等離子顯示板具有眾多溝槽放電單元，一個和多個支撐電極以及一個或多個總線電極，包括一個透明的襯底，該襯底在放電單元有至少一個隔離的溝槽，其中該溝槽在垂直于支撐電極的方向有一個第一長度，在平行于支撐電極的方向有一個第二長度，第一長度比第二長度更長。
在本發(fā)明的另一個實施例中，等離子顯示板具有眾多溝槽放電單元，包括一個透明的襯底，該襯底在放電單元有至少一個隔離的溝槽，每個溝槽有一個或多個支撐電極并延伸到溝槽的外面，在支撐電極上有一個或多個總線電極，在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的整個表面還有一個介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個第二部分，在溝槽的側壁上有一個第三部分，并且其中溝槽在垂直于支撐電極的方向有一個第一長度，在平行于支撐電極的方向有一個第二長度，第一長度比第二長度更長。
在本發(fā)明的另一個實施例中，制造等離子顯示板的方法包括在透明襯底的放電單元形成至少一個隔離溝槽，在溝槽中形成一個或多個支撐電極并延伸到溝槽外面，在支撐電極上形成一個或多個總線電極，在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的整個表面形成一個介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個第一部分，一個延伸到溝槽的外面的第二部分和一個在溝槽的側壁上的第三部分，并且其中溝槽在垂直于支撐電極的方向有一個第一長度，在平行于支撐電極的方向有一個第二長度，第一長度比第二長度更長。
在本發(fā)明的另一個實施例中，制造等離子顯示板的方法包括在透明襯底形成至少一個溝槽，在溝槽中形成一個或多個支撐電極并延伸到溝槽外面，僅在位于溝槽外面的支撐電極的延伸部分上形成一個或多個總線電極，在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的整個表面形成一個第一介電層，其中第一介電層在溝槽的底部有一個第一部分，一個溝槽的外面的第二部分和一個在溝槽的側壁上的第三部分，以及在溝槽中形成眾多分區(qū)以在透明襯底中形成至少一個隔離溝槽。
在本發(fā)明的另一個實施例中，制造等離子顯示板的方法包括在第一基板形成一個或多個溝槽，在溝槽中形成一個或多個支撐電極并延伸到溝槽外面，僅在位于溝槽外面的支撐電極的延伸部分上形成一個或多個總線電極，在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的整個表面形成一個第一介電層，其中第一介電層在溝槽的底部有一個第一部分，一個溝槽的外面的第二部分和一個在溝槽的側壁上的第三部分，在第二基板上形成一個地址電極，在包括第二基板的地址電極上形成第二介電層，以及在第二基板上形成眾多突起以在第一和第二基板之間形成至少一個隔離溝槽。
在本發(fā)明的另一個實施例中，等離子顯示板具有眾多溝槽放電單元，包括一個透明的襯底，該襯底在放電單元有至少一個隔離溝槽，每個溝槽有一個或多個支撐電極并延伸到溝槽的外面，在支撐電極上有一個或多個總線電極，在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的整個表面還有一個介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個第二部分，在溝槽的側壁上有一個第三部分，其中溝槽在垂直于支撐電極的方向有一個第一長度，在平行于支撐電極的方向有一個第二長度，第一長度基本比第二長度更長以在放電單元中產生一個陽極區(qū)效應。
在本發(fā)明的還有一個實施例中，等離子顯示板具有眾多溝槽放電單元，包括一個透明的襯底，該襯底在放電單元有至少一個隔離溝槽，每個溝槽有一個或多個支撐電極并延伸到溝槽的外面，在支撐電極上有一個或多個總線電極，在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的整個表面還有一個介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個第二部分，在溝槽的側壁上有一個第三部分，其中第一部分有大于第一和第二部分的厚度。
可以理解的是，上文的總體闡述和下文的詳細描述都是舉例和說明性的，其目的在于對本發(fā)明提供進一步的說明。
附圖簡述所包括的附圖對本發(fā)明提供進一步的說明，被結合在本申請中并構成本申請的一部分，附圖描繪了本發(fā)明的各個實施例并和說明書一起用作對本發(fā)明的原理的解釋。
附圖中圖1是描繪常規(guī)的AC型等離子顯示板的展開的透視圖；圖2A和2B描繪了根據本發(fā)明的第一實施例的等離子顯示板的單位放電單元的示意平面圖和剖面圖；圖3A到3D描繪了圖2A和2B的溝槽的各種形狀的頂視圖；圖4A到4D描繪了圖2A到2D的溝槽的示意剖面圖；圖5A到5D是描繪制造等離子顯示板的放電單元的依次工序的剖面圖；圖6A到6G描繪了制造根據本發(fā)明的第一實施例的等離子顯示板的放電單元的另一個依次工序的透視圖；圖7A到7C描繪了形成如圖6F所示的介電分區(qū)的其他的方法；圖8A到8E描繪了制作根據本發(fā)明設計的等離子顯示板的總線電極的其他方法；圖9A到9F描繪了制造根據本發(fā)明的第一實施例的等離子顯示板的放電單元的另一個依次工序的透視圖；圖10A到10E描繪了根據本發(fā)明的第二實施例的等離子顯示板的單位放電單元的示意平面圖和剖面圖；圖11A到11D是圖10A和10B所示的溝槽的部分頂視圖；圖12A到12C描繪了帶有支撐電極之間的變化間隙的實施例；圖12D描繪了帶有支撐電極之間的間隙的溝槽結構的三維視圖；圖12E描繪了圖12B敘述的結構的三維視圖；圖12F到12H是溝槽底部的支撐電極的不同形狀的示意平面圖；圖12I是圖12F的透視圖；圖13A到13D描繪了如圖10A和10B所示的第二實施例的溝槽的示意剖面圖；圖14是根據本發(fā)明的襯底上的肋狀柵欄的其他設計；圖15A到15C描繪了根據本發(fā)明的第三實施例具有傾斜溝槽壁的單元結構；圖16A到16C描繪了根據本發(fā)明的第四實施例具有傾斜溝槽壁的單元結構；圖17A到17C描繪了根據本發(fā)明的第五實施例具有傾斜溝槽壁的單元結構；圖18A是描繪具有恒定半徑R的大致為圓的容積的一個側面的溝槽容積的示意圖；和圖18B是描繪具有長短軸r1和r2的大致為橢圓的容積的一個側面的溝槽容積的示意圖。
圖示實施例的詳細描述下文將詳細參考所說明的本發(fā)明的各個實施例，用附圖對各個實例進行說明。在所有的附圖中，只要可能，同一個參考數(shù)字被用來表示同一個部件。
圖2A和2B描繪了根據本發(fā)明的第一實施例的等離子顯示板的單位放電單元的示意平面圖和剖面圖；如圖2A和2B所示，多于一個的分段的溝槽22可形成在玻璃襯底21中總線電極24之間，因此在放電單元中每個溝槽都被隔離。用于支撐電極的諸如氧化銦錫(ITO)的透明導電層23被淀積在包括玻璃襯底21的溝槽22中。最好，總線電極24形成在玻璃襯底21的上部，如圖2B所示。但是總線電極也可以部分或全部形成在溝槽22中。這樣的實施例都在本發(fā)明的范圍之內。作為保護層的透明介電層25和氧化鎂層(未顯示)依次淀積在整個表面上。
圖3A到3D描繪了圖2A和2B的溝槽的各種形狀的頂視圖。
如圖3A到3D所示，溝槽可以有任何形狀，包括圓形(圖3C和3D)或方形(圖3A和3B)。另外，雖然在圖中未顯示，溝槽也可以形成其他各種幾何形狀，諸如橢圓或矩形。在本發(fā)明中也可以組合多于一種的形狀，形成各種尺寸。本技術領域熟練的人員將知道其他的形狀和組合，這些形狀和組合都在本發(fā)明的范圍之內。
圖4A到4D描繪了圖2A到2D的各種溝槽的示意剖面圖。
第一實施例中的溝槽可以具有各種剖面形狀，如圖4A到4D所示。例如，它們可以是矩形平整溝槽形(圖4A)，傾斜溝槽形(圖4B)，多臺階溝槽形(圖4C)和圓溝槽形(圖4D)中的一種。這樣，剖面圖中底部的形狀可以是平整，臺階，V形和U形中的一種。本技術領域熟練的人員將知道其他的形狀和組合，這些形狀和組合都在本發(fā)明的范圍之內。
圖5A到5D是描繪制造等離子顯示板的放電單元的依次工序的剖面圖。
新的單元由一個或多個被通過化學刻蝕，噴砂，激光燒灼(即準分子或CO2)，紫外線鉆孔或其他手段刻進第一玻璃襯底的溝槽構成。襯底層的透明度和粗糙度直接影響亮度?？滩垡院?，通過用CeO溶液的表面研磨，表面粗糙可以得到改進。透明的支撐電極從頂部平整的襯底表面向下延伸到溝槽的兩個相對的壁，在某些實施例中還沿溝槽的地面延伸，并部分地在另一兩個壁上延伸。兩個銀總線電極位于襯底板的頂平面上，和溝槽的邊緣分離，但和支撐電極接觸。溝槽的長度由總線電極之間的溝槽的尺寸限定并通常大于其寬度。然后在襯底的頂平面，電極，溝槽壁和地面的上面涂覆絕緣體的涂層。這可以通過僅作為實例的絲網印刷，浸漬，涂漿，膠帶貼等方法進行。如圖5D所示，不計絕緣層的溝槽的深度在30到500微米之間，但最好在100到200微米之間。溝槽的長度可以在100到1000微米之間，但最好在200到800微米之間。深度(D)可以在50到350微米之間，但將取決于每個單元是否用一個或多個溝槽。為了單元的優(yōu)化的性能，溝槽的L/D比可以大于1。
如圖5A-5D所示，通過應用濕法刻蝕或干法刻蝕，玻璃襯底51經加工后在其中形成一個或多個隔離的溝槽，如圖5A所示。例如，噴砂，諸如拋光的機械加工法或壓模法可以被用作干法刻蝕。化學刻蝕法可以被用作濕法刻蝕。
在圖5B中，透明導電層53，諸如ITO被淀積在溝槽52內部，最好包括溝槽52外部顯示區(qū)域的玻璃襯底51。當然，導電層53可以僅在溝槽內，這樣的結構也在本發(fā)明的范圍之內。透明導電層53通過光刻形成圖形而構成支撐電極。
然后，總線電極54形成在溝槽52外透明導電層53的邊緣上，如圖5C所示。總線電極54也可以部分形成在溝槽52內或完全在溝槽52內(未顯示)。
在圖5D中，形成總線電極54后，通過絲網印刷，浸漬涂覆或噴霧等方法在整個顯示區(qū)域上形成介電層55。然后例如氧化鉛(PbO)的介電材料層55被置于溝槽和電極結構的上面。介電層的厚度取決于介電材料的介電常數(shù)。但是，當用PbO時，介電層將有10到100微米的厚度，最好的厚度范圍為20到40微米。然后介電層55被涂覆一層金屬氧化物(未顯示)，例如氧化鎂(MgO)以提供二次電子源并保護介電層免受來自等離子離子轟擊濺射的沾染。
另外，一個諸如氧化鎂層(未顯示)的保護層可以被淀積在介電層55上并有約3000到7000微米的厚度。例如，該保護層可以通過電子束蒸發(fā)，濺射或離子注入等方法淀積。
由于該種結構的設計，放電主要發(fā)生在玻璃襯底51中產生溝槽52引起的容積之內。為了保持電力線垂直于電極，溝槽的壁基本垂直，但由于制造的局限也可以少許傾斜，這將導致有少許斜度的壁。
雖然在圖上未畫出，也可以通過用上述方法在整個襯底上淀積一個介電層并用噴砂法處理該介電層形成溝槽。這樣的實施例可以有利于控制溝槽有更精確的形狀。
本發(fā)明中溝槽的尺寸可以在水平尺寸(L)約20到20000微米，垂直尺寸(D)約5到10000微米的范圍內。溝槽有垂直于支撐電極方向的第一長度和平行于支撐電極方向的第二長度。為了放電單元的有效運行，本發(fā)明中第一長度基本上大于第二長度。
本發(fā)明允許在PDP中通過各種設計方法的陽極區(qū)的產生。例如，在溝槽底部的支撐電極覆蓋充分厚度的介電層以幾乎全部在支撐電極的壁部之間產生穩(wěn)定的等離子放電。通過這樣的方法，在溝槽的底部上支撐電極幾乎沒有或完全沒有對電場發(fā)生貢獻。
達到這種電場構型的另一種單元結構在溝槽的地面取消或接近取消支撐電極，并將溝槽底部上的介電層的厚度減小到幾十微米。本發(fā)明中，這樣迫使放電主要在溝槽的垂直電極表面之間發(fā)生。
在這些單元結構中可以建立被稱為“正等離子柱”的運行模式。
正等離子柱是非常穩(wěn)定和有效的等離子，其只消耗低電流而同時有等離子能量到UV光發(fā)射的高轉換效率。實際上，正等離子柱通常是產生等離子輻射的最有能量效率的模式。熒光燈是普遍應用的這種等離子模式的最普通的實例。PDP研究者們在他們的顯示單元中嘗試建立正等離子柱已有多年，但還沒有一種努力被證明是成功的。陽極區(qū)等離子對于PDP高度理想，因為在發(fā)光效率上實質性的增加對于該技術的成功的擴展市場的商業(yè)化是非常必須的。本發(fā)明在PDP單元中建立這樣的正等離子柱是第一次。
圖6A到6G描繪了制造根據本發(fā)明的第一實施例的等離子顯示板的放電單元的另一個依次工序的透視圖。
首先參考圖6A，一系列溝槽62用例如化學刻蝕，激光燒灼，噴砂或研磨的方法加工在玻璃襯底61上。
在圖6B中，透明電極層63形成在玻璃襯底61上，溝槽62形成在其中。透明導電層63可以由諸如氧化銦錫(ITO)，氧化錫(SnO2)，其他的透明導電氧化物以及經得起后繼處理的導電聚合物的材料構成。淀積透明導電層的方法包括化學氣相淀積(CVD)，浸漬涂覆，旋轉涂覆，蒸發(fā)(電子束或其他方法)或濺射中的一種。
透明導電層63被形成圖形以構成如圖6C所示的分離的支撐電極63-1。形成透明電極層63的圖形可以通過激光燒灼，常規(guī)的光刻或銑加工等方法進行。
在圖6D中，總線電極64形成在支撐電極63-1上?？偩€電極64的材料可以包括例如用于制造PDP的膠，鉻銅薄膜(Cr/Cu/Cr)，鉻鋁薄膜(Cr/Al)或通常在PDP工業(yè)中使用的其他金屬的組合。光敏膠也可以用于用光刻法形成總線電極。制作總線電極的方法可以包括印刷，薄膜工藝及光刻，或厚膜工藝及光刻。
介電層65淀積在覆蓋總線電極64和透明電極63-1的整個表面上，如圖6E所示。介電層65可以由PbO膠，PbO印刷電路基板材料以及介電灰漿中的一種組成。淀積介電層的方法可以是印刷，層疊或浸漬中的一種。
在圖6F中，溝槽62中形成多個分區(qū)66以形成充當放電單元的隔離溝槽。分區(qū)66可以由類似于在案常規(guī)的PDP生產中用以形成肋狀柵欄的陶瓷膠或光敏膠構成。分區(qū)66可以用噴砂和厚膜工藝的組合或厚膜工藝和光刻的組合形成。
在圖6G中，氧化鎂(MgO)涂層被施加到整個表面上作為保護層。氧化鎂涂層可以用濺射工藝，蒸發(fā)工藝或任何其他淀積氧化物層的工藝施加。
圖7A到7C描繪了形成如圖6A-6F所示的介電分區(qū)的其他的方法。在這些過程中，介電分區(qū)被置于背面，含有地址電極和磷光層。這樣的方法具有很多重要的優(yōu)點。例如，可以由某些成本優(yōu)勢，因為該過程不需要另一個緊跟機械加工步驟的介電層的涂覆步驟。
在圖7A中，背面用常規(guī)的方式在玻璃板700上制造地址電極710。該面然后涂覆一個介電層720。肋狀分區(qū)730通過印刷工藝或其他適當?shù)姆椒ㄖ糜诮殡妼?20上。在這種結構中，肋狀柵欄可以不必要，因為從前面到背面的套疊形成了隔離的單元柱。
在圖7B中，玻璃板刻上深溝以產生肋狀柵欄740。介電分區(qū)730用印刷或用帶一個附屬掩模的二次刻蝕工藝形成在肋狀分區(qū)上。然后電極710被置于玻璃板700上并涂覆介電層720。
圖7C描繪了肋狀柵欄結構740，介電柵欄730被直接置于肋狀柵欄結構之上。
圖8A到8E描繪了制作根據本發(fā)明設計的等離子顯示板的總線電極的其他方法；溝槽80被刻進玻璃頂部溝槽的任何一個側面，如圖8A所示。在圖8B，然后玻璃被涂覆上ITO或其他透明的導電材料81。然后刻蝕透明導電體81以形成圖8C中的電極圖形。然后在圖8D中溝槽用印刷工藝或其他適當?shù)姆椒ㄌ畛溷y或其他導電材料82。然后在圖8E中整個玻璃板用例如浸漬工藝，印刷工藝或層疊工藝涂覆介電材料83。
圖9A到9F描繪了制造根據本發(fā)明的第一實施例的等離子顯示板的放電單元的另一個依次工序的透視圖。
在圖9A中，用化學刻蝕，激光燒灼，噴砂或研磨在玻璃襯底91上加工眾多隔離溝槽92。在該過程中，和先前的方法相比加工步驟數(shù)可以減少。
如圖9B所示，用作支撐電極的透明導電層93形成在玻璃襯底91和隔離溝槽92上。透明導電層93可以用諸如氧化銦錫(ITO)，氧化錫(SnO2)，其他透明的導電氧化物或能經受后續(xù)的工藝步驟的導電的聚合物構成。淀積透明導電層93的方法可以包括化學氣相刻蝕(CVD)，浸漬涂覆，蒸發(fā)(電子束或其他方法)或濺射中的一種。
圖9C描繪了透明導電層93被形成圖形，構成分離的支撐電極93-1。該透明電極結構的形成圖形可以通過激光燒灼，常規(guī)的光刻或銑加工中的一種進行。
在圖9D中，總線電極94形成在支撐電極93-1上?？偩€電極94位于溝槽92之外?？偩€電極94可以用例如用于制造PDP的膠，鉻銅薄膜(Cr/Cu/Cr)，鉻鋁薄膜(Cr/Al)或通常在PDP工業(yè)中使用的其他金屬的組合構成。光敏膠也可以用于用光刻法形成總線電極94。制作總線電極的方法可以包括印刷，薄膜工藝及光刻，或厚膜工藝及光刻中的一種。
介電層95形成在覆蓋總線電極94和透明電極93-1的結構上面，如圖9E所示。介電層95可以由PbO膠，PbO印刷電路基板材料以及介電灰漿中的一種組成。形成介電層的方法可以包括印刷，層疊或浸漬中的一種。
在圖9F中，氧化鎂(MgO)涂層96可以被施加到整個結構上。MgO涂層可以用濺射工藝，蒸發(fā)工藝或任何淀積氧化物的工藝涂覆。
圖10A到10E描繪了根據本發(fā)明的第二實施例的等離子顯示板的單位放電單元的示意平面圖和剖面圖。
如圖10A和10B所示，玻璃襯底101上電極104之間可以形成多于一個的連續(xù)溝槽102。溝槽102中形成諸如ITO的透明電極103。透明電極103的一部分在襯底101上的溝槽外延伸。透明介電層105和氧化鎂(MgO)層(未顯示)相繼形成在該結構上。
圖11A到11D是圖10和10B所示的溝槽的部分頂視圖。
如圖11A到11D所示，在單位單元中，連續(xù)的溝槽可以形成為一個或多個矩形?；蛘?，溝槽可以有矩形外的其他形狀，諸如橢圓形。
圖10C到10E為描繪單位放電單元的溝槽的不同形狀的平面圖。
圖10C顯示溝槽形狀10a為橢圓。在圖10D中，溝槽形狀10b向溝槽的中心形成錐形。圖10E描繪形成為啞鈴形的溝槽形10c。雖然本發(fā)明中顯示了這些形狀，其他的形狀也是可能的及被考慮在本發(fā)明的范圍之內。
為了優(yōu)化單元的性能，支撐電極沿溝槽的底部或地面從側壁延伸的距離可以變化。
圖12A到12C描繪了帶有支撐電極之間的變化間隙的實施例。
在圖12A中，支撐電極130和140被分區(qū)，因此兩個電極之間的間隙145大致造成了玻璃襯底110上溝槽120的一個第三長度。
在圖12B中，支撐電極410和420只覆蓋玻璃襯底110上溝槽120的側壁，兩個電極之間的間隙145相等或接近相等于玻璃襯底110上溝槽120的整個長度。
在圖12C中，通過對比，支撐電極440和450形成這樣的形式，兩個電極之間的間隔460非常小，電極440和450幾乎覆蓋在玻璃襯底110上產生的整個溝槽地面120。
圖12D描繪了帶有支撐電極140和130之間的間隙460的溝槽結構180的三維視圖。在這種分區(qū)情況下，間隙460大致為100微米，但其可以更窄或更寬，只要它把驅動電壓降至最小而把發(fā)光效率增至最大。
圖12E描繪了圖12B敘述的結構的三維視圖。在該情況下，支撐電極410和420僅存在于溝槽180的一對相對的壁上。
上述用于建立一個正等離子柱的結構之一是，和襯底板的壁和頂板上的絕緣層相比，增加溝槽地面上的絕緣層(例如PbO)的厚度。這將有效地將被置于地面上的電極區(qū)域和主放電屏蔽，限制電力線從一個壁電極垂直地延伸到另一個壁電極。
另一種方法是將支撐電極成形在溝槽的底部，如圖12F到12H所示。圖12F到12H是在溝槽底部的不同形狀的支撐電極的示意平面圖。圖12I是圖12F的透視圖。如圖中所示，溝槽底部的支撐電極的各個部分被除去，因此支撐電極分別有帶，錘子和釘子中的一種的形狀。
雖然圖中未顯示，本發(fā)明的該實施例的變化包括具有在溝槽的底部還有在溝槽的側壁上都被除去的部分的支撐電極。
圖13A到13D為描繪了如圖10A和10B所示的第二實施例的溝槽的示意剖面圖。
第二實施例的溝槽可以有各種截面形狀。例如，它們可以是平面溝槽形，傾斜溝槽形，多臺階溝槽形以及圓溝槽形中的一種。這樣，截面圖中的底部形狀可以是平面，臺階，V形和U形中的一種。
常規(guī)的PDP單元由形成為包含地址電極和磷光體的玻璃襯底的一部分的肋狀柵欄分開。一種替代的設計是在含有支撐電極的襯底上產生肋狀柵欄。
圖14描繪了本發(fā)明的實施例，圖中肋狀柵欄610和620通過生長，刻蝕，噴砂或其他方法置于或粘結到介電層630上。肋狀柵欄610和620也可以和介電層630一起淀積和成形。這可以提供PDP的頂和底襯底之間方便的對準。這也可以提供磷光層的簡單的結構。磷光板可以和帶有地址電極和磷光涂層的平整表面一樣簡單。這種獨特的結構可以通過利用兩步噴砂或用兩個掩模的刻蝕工藝生產，其中一個掩模用于形成肋狀柵欄，另一個掩模用于形成溝槽。
圖15A到15C描繪了根據本發(fā)明的第三實施例具有傾斜溝槽壁的單元結構。
圖15A中，和具有斜壁的溝槽805一起顯示了單元結構的頂視圖。在圖15B中，取自線B-B的截面圖指出，在玻璃襯底110中切割的溝槽120的壁810和820離開溝槽的中心傾斜一個預定的角度。這也使電極130和140，以及介電層170傾斜。壁的傾斜可以是任何角度，可以從水平方向大于45°。圖15C描繪一個取自線C-C的截面圖，圖中指出，橫越該溝槽的截面，溝槽的壁也是傾斜的。
圖16A到16C描繪了根據本發(fā)明的第四實施例具有傾斜溝槽壁的單元結構。
在圖16A中，和具有傾斜壁的溝槽905一起顯示了單元結構的頂視圖。在圖16B中，取自線B-B的截面圖指出，在玻璃襯底110中切割的溝槽120的壁910和920向溝槽的中心朝里傾斜一個預定的角度。這也使電極130和140，以及介電層170傾斜。壁的傾斜可以是任何角度，可以從水平方向大于45°。圖16C描繪一個取自線C-C的截面圖，圖中指出，橫越該溝槽的截面，溝槽的壁也是傾斜的。
圖17A到17C描繪了根據本發(fā)明的第五實施例具有傾斜溝槽壁的單元結構。在圖17A中，和具有傾斜壁的溝槽1005一起顯示了單元結構的頂視圖。在圖17B中，取自線B-B的截面圖指出，介電層170在靠近溝槽底部的區(qū)域1010中比靠近溝槽壁的區(qū)域厚得多。圖17C為單元的取自線C-C的截面圖，圖中指出，橫越該溝槽的截面，溝槽的壁也是傾斜的，并且介電層在溝槽的底部更厚。
圖18A是描繪具有恒定半徑R的大致為圓的容積的一個側面的溝槽容積的示意圖。圖18B是描繪具有長短軸r1和r2的大致為橢圓的容積的一個側面的溝槽容積的示意圖。
在圖18A中，和一個恒定半徑R1820的大致為圓1810的容積的一個側面一起描繪了由溝槽產生的容積1800。如已經在放電燈中報告過，當燈半徑(R)和壓力(P)的乘積大致等于1torr cm時發(fā)生最高效率的運轉。因此，本發(fā)明優(yōu)化了溝槽的尺寸，這樣，在等離子顯示板中，半徑(R)和壓力(P)的乘積大致等于1torr cm。例如，用于PDP中的典型壓力約450torr。這將要求溝槽具有相當于約22微米的半徑R。對于為SVGA格式設計的42英寸對角線的等離子顯示板，各別的次像素約360微米寬。
在這種情況下，每個次像素可以有10個或更多個溝槽，取決于溝槽之間能制作多么薄的壁。該尺寸可以隨著顯示板的尺寸和顯示板的格式變化。因為對于一個給出的顯示板，單元節(jié)距取決于顯示格式和顯示板的尺寸，在PDP中的單元節(jié)距的尺寸范圍為幾百微米。因此，可以選擇氣體壓力和溝槽寬度，使壓力和相當?shù)陌霃降某朔e在0.1和10torr cm之間。
除了溝槽容積有更靠近大致的帶有長短軸r1和r2的橢圓的截面外，圖18B相似于圖18A。對于長短軸Pr1和Pr2，將PR乘積保持得接近于0.1和10torr cm之間的值，最好接近于1torr cm將是理想的。
對于在本技術領域熟練的人員顯而易見的是，在具有溝槽放電單元的本發(fā)明等離子顯示板中以及制造本發(fā)明的等離子顯示板的方法中可以作出各種修改和變化而不背離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，本發(fā)明的意圖是，如果對于本發(fā)明的各種修改和變化落在附后的權利要求及其等效物的范圍之中，則本發(fā)明將覆蓋這些修改和變化。
權利要求
1.一種具有多個溝槽放電單元的等離子顯示板，包括在一個放電單元中具有至少一個隔離溝槽的透明襯底；一個或多個在每個溝槽中并延伸到溝槽外面的支撐電極；在支撐電極上的一個或多個總線電極；和在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的整個表面上的介電層，其中在溝槽的底部介電層有一個第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個第二部分，以及在溝槽的側壁上有一個第三部分，并且其中溝槽有一個垂直于支撐電極方向的第一長度和一個平行于支撐電極方向的第二長度，該第一長度大于該第二長度。
2.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一長度基本大于第二長度以在放電單元中產生陽極區(qū)效應。
3.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有基本垂直于溝槽底的側壁。
4.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成小于90°夾角的側壁。
5.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成大于90°夾角的側壁。
6.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在平面視圖中溝槽具有圓，多邊形，橢圓，啞鈴形以及任何不規(guī)則的圖形中的一種形狀。
7.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽底部的一個或多個支撐電極通過狹窄到足以使驅動電壓達到最小的間隙互相分離。
8.如權利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米之間的范圍。
9.如權利要求8所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米范圍中的厚度的介電層。
10.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
11.如權利要求9所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相同。
12.如權利要求11所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
13.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為至少暴露溝槽底部的一個部分。
14.如權利要求13所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽的底部支撐電極具有帶狀，錘子狀和釘子狀中的一種形狀。
15.如權利要求13所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為暴露溝槽側壁的一個部分。
16.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中介電層的各個部分起到肋狀柵欄的作用。
17.如權利要求1所述的等離子顯示板，在介電層上進一步包括一對肋狀柵欄。
18.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽在截面圖上具有平整，臺階，V形和U形中的一種底部形狀。
19.如權利要求1所述的等離子顯示板，在介電層上進一步包括一個保護層。
20.如權利要求19所述的等離子顯示板，其特征在于，其中保護層由氧化鎂(MgO)形成。
21.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中總線電極形成在透明襯底的溝槽中。
22.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中顯示板工作時P×R的值約在0.1和10的范圍，其中P是工作壓力(Torr)，R是占據在溝槽中的一個最大尺寸的假想圓柱體的半徑(cm)。
23.一種制造等離子顯示板的方法，包括在透明襯底的放電單元中形成至少一個隔離溝槽；在溝槽中形成一個或多個支撐電極，并且支撐電極延伸到溝槽的外面；在支撐電極上形成一個或多個總線電極；和在包括支撐電極，總線電極和溝槽的襯底的全部表面上形成一個介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個第一部分，第二部分延伸到溝槽的外面，在溝槽的側壁有一個第三部分，并且其中溝槽具有一個垂直于支撐電極方向的第一長度和平行于支撐電極方向的第二長度，第一長度大于第二長度。
24.如權利要求23所述的方法，其特征在于，其中溝槽通過濕法刻蝕，干法刻蝕，激光燒灼，噴砂，模制和研磨中的一種方法而形成。
25.如權利要求23所述的方法，其特征在于，其中形成一個或多個支撐電極包括在包括溝槽的透明襯底的全部表面上形成一個透明的導電層；和形成透明導電層的圖形以形成支撐電極。
26.如權利要求25所述的方法，其特征在于，其中透明導電層由氧化銦錫(ITO)和氧化錫(SnO2)中的一種形成。
27.如權利要求25所述的方法，其特征在于，其中透明導電層通過化學氣相淀積，浸漬，蒸發(fā)和濺射中的一種方法形成。
28.如權利要求25所述的方法，其特征在于，其中透明導電層通過激光燒蝕，濕法刻蝕和干法刻蝕中的一種方法形成圖形。
29.如權利要求23所述的方法，其特征在于，其中總線電極由導電膠以及Cr/Cu/Cr或Cr/Al的多層次中的一種形式形成。
30.如權利要求23所述的方法，其特征在于，其中總線電極通過印刷，厚膜工藝加光刻以及薄膜工藝加光刻中的一種方法形成。
31.如權利要求23所述的方法，其特征在于，其中介電層由PbO膠和PbO印刷電路基板材料中的一種形成。
32.如權利要求23所述的方法，其特征在于，其中介電層通過印刷，層疊和浸漬中的一種方法形成。
33.如權利要求23所述的方法，進一步包括在介電層上形成一個保護層。
34.如權利要求33所述的方法，其特征在于，其中保護層由氧化鎂(MgO)形成。
35.如權利要求23所述的方法，進一步包括在透明襯底中形成一個溝槽以形成總線電極。
36.一種制造等離子顯示板的方法，包括在透明襯底上形成至少一個溝槽；在該溝槽上形成一個或多個支撐電極并將其延伸到溝槽外面；在支撐電極上形成一個或多個總線電極；在包括支撐電極，總線電極和溝槽的襯底的全部表面上形成第一介電層，其中第一介電層在溝槽的底部有一個第一部分，在溝槽外面有一個第二部分，在溝槽的側壁有一個第三部分；和在溝槽中形成多個分區(qū)以在透明襯底上形成至少一個隔離的溝槽。
37.如權利要求36所述的方法，進一步包括在包括分區(qū)的第一介電層上形成一個保護層。
38.如權利要求37所述的方法，其特征在于，其中保護層由氧化鎂(MgO)形成。
39.如權利要求36所述的方法，其特征在于，其中分區(qū)由介電材料形成。
40.如權利要求36所述的方法，其特征在于，其中在溝槽中形成多個分區(qū)包括在溝槽中形成一個第二介電層；和選擇性地去除第二介電層以形成多個分區(qū)。
41.如權利要求40所述的方法，其特征在于，其中第二介電層通過厚膜光刻選擇性地去除。
42.如權利要求36所述的方法，進一步包括在透明襯底上形成一個溝槽以在其中形成總線電極。
43.一種形成等離子顯示板的方法，包括在第一襯底上形成一個或多個溝槽；在該溝槽上形成一個或多個支撐電極并將其延伸到溝槽外面；在支撐電極上形成一個或多個總線電極；在包括支撐電極，總線電極和溝槽的襯底的全部表面上形成第一介電層，其中第一介電層在溝槽的底部有一個第一部分，在溝槽外面有一個第二部分，在溝槽的側壁有一個第三部分，并且其中每個溝槽都有一個垂直于支撐電極方向的第一長度和平行于支撐電極方向的第二長度，其中第一長度大于第二長度；在第二襯底上形成一個地址電極；在包括第二襯底的地址電極上形成第二介電層；和在第二襯底上形成多個突出以在第一和第二襯底之間形成至少一個隔離的溝槽。
44.如權利要求43所述的方法，其特征在于，其中突出由介電材料形成。
45.如權利要求43所述的方法，進一步包括部分去除第二襯底以在第二襯底上形成地址電極之前形成一對肋狀柵欄。
46.如權利要求45所述的方法，其特征在于，其中肋狀柵欄為在其上形成突出提供位置。
47.如權利要求43所述的方法，進一步包括在第二介電層上形成一對肋狀柵欄。
48.如權利要求47所述的方法，其特征在于，其中肋狀柵欄為在其上形成突出提供位置。
49.如權利要求43所述的方法，進一步包括在透明襯底上形成一個或多個溝槽以在其中形成總線電極。
50.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有大于第二和第三部分的厚度。
51.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.1到4倍的厚度。
52.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.5到2.5倍的厚度。
53.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽有其長度和寬度，長寬之比大于1。
54.如權利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽基本上和放電單元有相同的尺寸。
55.如權利要求54所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米的范圍。
56.如權利要求55所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米的范圍的厚度的介電層。
57.如權利要求54所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
58.如權利要求56所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相等。
59.如權利要求58所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
60.一種具有多個溝槽放電單元的等離子顯示板，包括在放電單元中具有至少一個隔離的溝槽的透明襯底；在每個溝槽中的一個或多個支撐電極并被延伸到溝槽的外面；在支撐電極上的一個或多個總線電極；和在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的全部表面上的介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個第一部分，在襯底的溝槽外面有一個第二部分，在溝槽的側壁有一個第三部分，其中溝槽有一個垂直于支撐電極方向的第一長度和平行于支撐電極方向的第二長度，第一長度基本大于第二長度以在放電單元中產生陽極區(qū)效應。
61.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽有基本垂直于溝槽底部的側壁。
62.如權利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成小于90°夾角的側壁。
63.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成大于90°夾角的側壁。
64.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在平面視圖中溝槽具有圓，多邊形，橢圓，啞鈴形以及任何不規(guī)則的圖形中的一種形狀。
65.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽底部的一個或多個支撐電極通過狹窄到足以使驅動電壓達到最小的間隙互相分離。
66.如權利要求65所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米之間的范圍。
67.如權利要求66所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米范圍中的厚度的介電層。
68.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
69.如權利要求67所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相同。
70.如權利要求69所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
71.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為至少暴露溝槽底部的一個部分。
72.如權利要求71所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽的底部支撐電極具有帶狀，錘子狀和釘子狀中的一種形狀。
73.如權利要求71所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為暴露溝槽側壁的一個部分。
74.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中介電層的各個部分起到肋狀柵欄的作用。
75.如權利要求60所述的等離子顯示板，在介電層上進一步包括一對肋狀柵欄。
76.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽在截面圖上具有平整，臺階，V形和U形中的一種底部形狀。
77.如權利要求60所述的等離子顯示板，在介電層上進一步包括一個保護層。
78.如權利要求77所述的等離子顯示板，其特征在于，其中保護層由氧化鎂(MgO)形成。
79.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中總線電極形成在透明襯底的溝槽中。
80.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中顯示板工作時P×R的值約在0.1和10的范圍，其中P是工作壓力(Torr)，R是占據在溝槽中的一個最大尺寸的假想圓柱體的半徑(cm)。
81.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有大于第二和第三部分的厚度。
82.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.1到4倍的厚度。
83.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.5到2.5倍的厚度。
84.如權利要求60所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽有其長度和寬度，長寬之比大于1。
85.如權利要求65所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽基本上和放電單元有相同的尺寸。
86.如權利要求85所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米的范圍。
87.如權利要求86所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米的范圍的厚度的介電層。
88.如權利要求85所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
89.如權利要求87所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相等。
90.如權利要求89所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
91.一種具有多個溝槽放電單元的等離子顯示板，包括在放電單元中具有至少一個隔離的溝槽的透明襯底；在每個溝槽中的一個或多個支撐電極并被延伸到溝槽的外面；在支撐電極上的一個或多個總線電極；和在包括支撐電極，總線電極和溝槽的透明襯底的全部表面上的介電層，其中介電層在溝槽的底部有一個第一部分，在襯底的溝槽外面有一個第二部分，在溝槽的側壁有一個第三部分，其中第一部分有大于第二和第三部分的厚度。
92.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中其中溝槽有一個垂直于支撐電極方向的第一長度和一個平行于支撐電極方向的第二長度，其中該第一長度大于該第二長度。
93.如權利要求92所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一長度基本大于第二長度以在放電單元中產生陽極區(qū)效應。
94.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有基本垂直于溝槽底的側壁。
95.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成小于90°夾角的側壁。
96.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽具有和溝槽的底成大于90°夾角的側壁。
97.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在平面視圖中溝槽具有圓，多邊形，橢圓，啞鈴形以及任何不規(guī)則的圖形中的一種形狀。
98.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽底部的一個或多個支撐電極通過狹窄到足以使驅動電壓達到最小的間隙互相分離。
99.如權利要求98所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米之間的范圍。
100.如權利要求99所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米范圍中的厚度的介電層。
101.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
102.如權利要求100所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相同。
103.如權利要求102所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
104.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為至少暴露溝槽底部的一個部分。
105.如權利要求104所述的等離子顯示板，其特征在于，其中在溝槽的底部支撐電極具有帶狀，錘子狀和釘子狀中的一種形狀。
106.如權利要求104所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被形成為暴露溝槽側壁的一個部分。
107.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中介電層的各個部分起到肋狀柵欄的作用。
108.如權利要求91所述的等離子顯示板，在介電層上進一步包括一對肋狀柵欄。
109.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽在截面圖上具有平整，臺階，V形和U形中的一種底部形狀。
110.如權利要求91所述的等離子顯示板，在介電層上進一步包括一個保護層。
111.如權利要求109所述的等離子顯示板，其特征在于，其中保護層由氧化鎂(MgO)形成。
112.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中總線電極形成在透明襯底的溝槽中。
113.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中顯示板工作時P×R的值約在0.1和10的范圍，其中P是工作壓力(Torr)，R是占據在溝槽中的一個最大尺寸的假想圓柱體的半徑(cm)。
114.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.1到4倍的厚度。
115.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中第一部分有比第三部分厚度大1.5到2.5倍的厚度。
116.如權利要求91所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽有其長度和寬度，長寬之比大于1。
117.如權利要求97所述的等離子顯示板，其特征在于，其中溝槽基本上和放電單元有相同的尺寸。
118.如權利要求117所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極之間的間隙在約20到200微米的范圍。
119.如權利要求118所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極被覆蓋具有約20到200微米的范圍的厚度的介電層。
120.如權利要求117所述的等離子顯示板，其特征在于，其中支撐電極不形成在溝槽的底部。
121.如權利要求119所述的等離子顯示板，其特征在于，其中覆蓋支撐電極的介電層的第一和第二部分的厚度基本相等。
122.如權利要求121所述的等離子顯示板，其特征在于，其中每一個第一和第二部分都有基本大于第三部分的厚度。
123.一種具有多個溝槽放電單元，一個或多個支撐電極和一個或多個總線電極的等離子顯示板，包括在放電單元中具有至少一個隔離的溝槽的透明襯底，其中溝槽具有一個垂直于支撐電極方向的第一長度和一個平行于支撐電極方向的第二長度，該第一長度大于該第二長度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有溝槽放電單元的等離子顯示板和制造該等離子顯示板的方法。具有多個溝槽放電單元的等離子顯示板包括一個在放電單元中具有至少一個隔離的溝槽(22)的透明襯底(21)，在每個溝槽(22)中并延伸到溝槽(22)外面的一個或多個支撐電極(23)，在支撐電極(23)上的一個或多個總線電極(24)，以及形成在包括支撐電極(23)，總線電極(24)和溝槽(22)的透明襯底(21)的全部表面上的介電層(25)，其中介電層(25)有在溝槽底部的第一部分，在襯底的溝槽的外面有一個第二部分，以及在溝槽的側壁上有一個第三部分，并且其中溝槽(22)有一個垂直于支撐電極(23)方向的第一長度和一個平行于支撐電極(23)方向的第二長度，該第一長度大于該第二長度。
文檔編號H01L21/4763GK1643562SQ03806061
公開日2005年7月20日 申請日期2003年1月13日 優(yōu)先權日2002年1月14日
發(fā)明者D·－I·金, W·可可納斯基 申請人:普拉斯米昂顯示器有限公司