專利名稱：曝光設(shè)備以及使用該曝光設(shè)備的器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及曝光設(shè)備和器件制造方法，尤其是用于光刻工藝以制造器件(例如半導(dǎo)體器件比如IC、LSI、液晶器件、圖像拾取器件比如CCD、磁頭等)的遠(yuǎn)紫外(EUV)曝光設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著最近對(duì)更小、斷面更小的電子設(shè)備的需求，對(duì)要安裝到這樣的電子設(shè)備上的更精細(xì)的半導(dǎo)體器件的需求增加了。傳統(tǒng)上，用于制造半導(dǎo)體器件的光刻方法使用利用紫外(UV)光的縮小投影曝光，但是在縮小投影曝光中，可轉(zhuǎn)移的最小臨界尺寸與用于進(jìn)行轉(zhuǎn)移的光的波長(zhǎng)成正比，與投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)成反比。為了轉(zhuǎn)移更為精細(xì)的電路圖案，已經(jīng)將所使用的曝光用光的波長(zhǎng)從i線汞燈(i-linemercury lamp)(波長(zhǎng)為365nm)縮短到KrF受激準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)為248nm)以及ArF受激準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)約193nm)。
但是，由于半導(dǎo)體器件迅速變得更為精細(xì)，使用UV光的光刻法的分辨率有限。因此，為了有效地印制0.1微米以下的超精細(xì)電路圖案，已經(jīng)開發(fā)了使用波長(zhǎng)在10到15nm之間的EUV光的投影曝光設(shè)備，這個(gè)波長(zhǎng)比UV光小得多。
EUV光例如使用激光等離子體光源。它使用YAG激光器等將高強(qiáng)度脈沖激光束照射到放置在真空室中的靶材上，從而產(chǎn)生高溫等離子體，從該等離子體產(chǎn)生波長(zhǎng)約13.5nm的EUV光。所述靶材可以使用金屬薄膜、惰性氣體和液滴等，并用氣體注入裝置或者其他手段供給到真空室中。最好使用較高重復(fù)頻率的脈沖激光，例如重復(fù)頻率一般為幾個(gè)kHz，來產(chǎn)生平均強(qiáng)度較高的EUV光。
日本專利申請(qǐng)5-217858，8-236292，11-90979和美國專利申請(qǐng)5,335,258教導(dǎo)了使用固體材料作為靶材，而美國專利5,959,771教導(dǎo)了使用液滴作為靶材。
日本專利申請(qǐng)2003-93196(對(duì)應(yīng)于美國專利申請(qǐng)公開號(hào)2002/0162975 A1)、2000-110709、2002-8891和2000-396817教導(dǎo)了使用旋轉(zhuǎn)拋物面反射鏡作為會(huì)聚反射鏡，用于會(huì)聚所產(chǎn)生的等離子體發(fā)射的EUV光。日本專利申請(qǐng)2000-91209(對(duì)應(yīng)于美國專利申請(qǐng)6,266,389)和2001-332989教導(dǎo)了使用橢球面反射鏡。
高強(qiáng)度脈沖激光束照射靶材時(shí)，在產(chǎn)生EUV光的同時(shí)會(huì)飛濺出稱為碎屑的微粒。如果碎屑粘附到光學(xué)部件上就會(huì)導(dǎo)致污染，損壞并降低反射性，因此傳統(tǒng)上也采用碎屑消除裝置來防止碎屑從靶材到達(dá)光學(xué)部件。例如，作為碎屑消除部件的一個(gè)例子，一種碎屑過濾器由鉬、鈹、鋯等制成，對(duì)EUV光的透射率被設(shè)定在約50％到70％之間。
為了更容易地防止碎屑進(jìn)入照射光學(xué)系統(tǒng)，EUV光的會(huì)聚反射鏡最好使用橢球面反射鏡，其一個(gè)焦點(diǎn)在等離子體發(fā)生處，另一個(gè)焦點(diǎn)用于會(huì)聚光，同時(shí)在物理上使光源和照射系統(tǒng)之間的路徑變窄。
原則上，EUV光從等離子體各向同性地射出，因此，當(dāng)會(huì)聚用橢球面反射鏡的覆蓋角度更大時(shí)，能夠更有效地會(huì)聚EUV光。
在EUV光的發(fā)射點(diǎn)下方，設(shè)置了用EUV光照射靶區(qū)(目標(biāo)區(qū))的照射光學(xué)系統(tǒng)，傳統(tǒng)的曝光設(shè)備安排一個(gè)激光源，使得激勵(lì)激光的光軸與入射到照射光學(xué)系統(tǒng)中的第一反射鏡上的EUV光的光軸一致。
由于震動(dòng)和機(jī)械變形，激勵(lì)激光可能全部或者部分偏離(go wideof)靶材。由于除了激勵(lì)激光和靶材之間的位置偏移之外的因素，激勵(lì)激光可能完全或者部分越過發(fā)射點(diǎn)。當(dāng)越過發(fā)射點(diǎn)的激勵(lì)激光直接前進(jìn)而到達(dá)照射光學(xué)系統(tǒng)時(shí)，會(huì)使隨后的第一和第二反射鏡熱變形，對(duì)反射鏡上的多層膜會(huì)造成熱破壞，從而降低分辨率，妨礙高質(zhì)量的曝光。反射鏡的修理和更換會(huì)顯著降低設(shè)備的工作效率，因?yàn)檎丈浜屯队肮鈱W(xué)系統(tǒng)都被裝在一個(gè)真空室中?？梢韵氲斤@著降低激光的光束直徑，使得激勵(lì)激光即使在稍微偏移時(shí)也落在靶材上，但是這會(huì)不情愿地降低EUV光的功率，降低生產(chǎn)率。
上述碎屑過濾器的透射率對(duì)EUV光在約50％到70％之間，但是對(duì)于來自YAG激光器的激光束的透射率約為100％。因此，傳統(tǒng)的碎屑過濾器不足以遮擋直接向前超過EUV發(fā)射點(diǎn)的激光束。
另一種傳統(tǒng)的曝光設(shè)備這樣安排激光源，使得入射到照射光學(xué)系統(tǒng)中的第一反射鏡上的EUV光的光軸與激勵(lì)激光的光軸不一致。但是，這種曝光設(shè)備限制了會(huì)聚反射鏡的覆蓋角(cover angle)，以保持激勵(lì)激光到靶材的引導(dǎo)空間，因此EUV光沒有足夠高的發(fā)射效率。
現(xiàn)有技術(shù)沒有公開會(huì)聚橢球面反射鏡的大覆蓋角、入射到靶上的激勵(lì)激光和從靶出射的激勵(lì)激光的方向或者激勵(lì)激光和包括所述橢球面反射鏡的照射系統(tǒng)之間的干擾。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的例如是提供一種曝光設(shè)備和使用該曝光設(shè)備的器件制造方法，它們使用橢球面反射鏡作為會(huì)聚反射鏡來將EUV光會(huì)聚到一點(diǎn)，增加其覆蓋角或者尺寸，防止直接前進(jìn)超過靶的激光束損壞包括所述橢球面反射鏡在內(nèi)的光學(xué)部件，以進(jìn)行高質(zhì)量的曝光而不會(huì)降低生產(chǎn)率。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的曝光設(shè)備將激勵(lì)激光照射到靶上，并由所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生用于生成遠(yuǎn)紫外區(qū)或者X射線區(qū)的照射光的光源，該曝光設(shè)備包括照射光學(xué)系統(tǒng)，使用所述照射光照射形成要轉(zhuǎn)移的圖案的反射初縮掩模版，該照射光學(xué)系統(tǒng)包括最接近所述光源的第一反射鏡；橢球面反射鏡，用于在所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的所述第一反射鏡之前會(huì)聚所述照射光；以及投影光學(xué)系統(tǒng)，將在所述初縮掩模版上反射的圖案縮小并投影到要被曝光的對(duì)象上，其中，在所述激勵(lì)激光的光軸方向超過由激勵(lì)激光產(chǎn)生等離子體的位置的地方的光不干擾包括所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)和所述橢球面反射鏡的所述曝光設(shè)備中的部件。
所述激勵(lì)激光的光軸可以相對(duì)于進(jìn)入所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的第一反射鏡的照射光的光軸方向有偏移。
入射到所述靶上的激勵(lì)激光和從所述靶出射的激勵(lì)激光可以通過在所述橢球面反射鏡中設(shè)置的通過部分。入射到所述靶上的激勵(lì)激光可以通過在所述橢球面反射鏡中設(shè)置的通過部分，從所述靶出射的激勵(lì)激光可以通過所述橢球面反射鏡的一個(gè)通過所述照射光的開口。從所述靶出射的激勵(lì)激光可以通過所述橢球面反射鏡中的通過部分，入射到所述靶上的激勵(lì)激光通過所述橢球面反射鏡的一個(gè)通過所述照射光的開口。
所述曝光設(shè)備可以還包括用于相對(duì)于所述照射光的光軸方向三維傾斜所述激勵(lì)激光的光軸方向的機(jī)構(gòu)。所述的曝光設(shè)備可以還包括防止所述激勵(lì)激光到達(dá)所述靶之外的照射光學(xué)系統(tǒng)的遮光部件。所述曝光設(shè)備可以還包括防止在等離子體發(fā)射點(diǎn)產(chǎn)生的碎屑到達(dá)所述照射光學(xué)系統(tǒng)的碎屑消除部件。所述的曝光設(shè)備可以還包括防止所述激勵(lì)激光到達(dá)所述靶之外的照射光學(xué)系統(tǒng)的遮光部件，該遮光部件對(duì)于所述激勵(lì)激光的透射率為10％或者以下，以及防止在等離子體發(fā)射點(diǎn)產(chǎn)生的碎屑到達(dá)所述照射光學(xué)系統(tǒng)的碎屑消除部件，該碎屑消除部件對(duì)于所述激勵(lì)激光的透射率為90％或者以上。所述遮光部件可以包括一個(gè)金屬部件以及在該金屬部件上的減反射鍍層。
所述激勵(lì)激光的光軸相對(duì)于所述照射光的光軸方向的角度可以被確定為從入射到所述第一反射鏡的照射光的光軸方向到所述激勵(lì)激光的光軸方向，從所述光源觀看，來自所述激勵(lì)激光的超過所述光源的光不會(huì)照射到所述曝光設(shè)備中最外側(cè)的部件。所述的曝光設(shè)備可以還包括用于冷卻所述遮光部件的冷卻機(jī)構(gòu)。所述遮光部件可以位于容納所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)的室的外部。在所述照射光的光軸方向，所述橢球面反射鏡的通過所述照射光的開口可以比所述激勵(lì)激光的會(huì)聚點(diǎn)更靠近所述第一反射鏡。
本發(fā)明的另一方面的一種曝光設(shè)備將激勵(lì)激光照射到靶上，并由所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生用于生成遠(yuǎn)紫外區(qū)或者X射線區(qū)的照射光的光源，該曝光設(shè)備包括照射光學(xué)系統(tǒng)，使用所述照射光照射形成圖案的反射初縮掩模版，該照射光學(xué)系統(tǒng)包括最接近所述光源的第一反射鏡；會(huì)聚反射鏡，用于將所述照射光引導(dǎo)到所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的第一反射鏡；以及投影光學(xué)系統(tǒng)，將在所述初縮掩模版上反射的圖案縮小并投影到要被曝光的對(duì)象上，其中，在所述照射光的光軸方向，所述會(huì)聚反射鏡的通過所述照射光的開口比所述激勵(lì)激光的會(huì)聚點(diǎn)更靠近所述第一反射鏡，并且，其中，在所述激勵(lì)激光的光軸方向超過由激勵(lì)激光產(chǎn)生等離子體的位置的地方的光不干擾包括所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)和所述會(huì)聚反射鏡的所述曝光設(shè)備中的部件。所述會(huì)聚反射鏡可以是橢球面反射鏡。
本發(fā)明的另一個(gè)方面的器件制造方法包括用上述曝光設(shè)備對(duì)對(duì)象曝光的步驟，以及對(duì)曝光后的對(duì)象進(jìn)行預(yù)定的處理的步驟。對(duì)執(zhí)行類似于上述曝光設(shè)備的操作的器件制造方法的權(quán)利要求覆蓋作為中間產(chǎn)品和最終產(chǎn)品的器件。這樣的器件包括半導(dǎo)體芯片比如LSI和VLSI、CCD、LCD、磁傳感器、薄膜磁頭，等等。
從下面結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的說明，可以明確本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的曝光設(shè)備的示意平面圖。
圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的曝光設(shè)備的示意平面圖。
圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例的曝光設(shè)備的示意平面圖。
圖4是本發(fā)明第四實(shí)施例的曝光設(shè)備的示意平面圖。
圖5的視圖用于說明在等離子體光源的附近提供靶。
圖6的示意圖用于說明使用激勵(lì)激光照射靶的一個(gè)例子。
圖7是用于說明使用激勵(lì)激光照射靶的一個(gè)例子的另一個(gè)示意圖。
圖8是用于說明使用激勵(lì)激光照射靶的一個(gè)例子的另一個(gè)示意圖。
圖9是本發(fā)明第五實(shí)施例的曝光設(shè)備的示意平面圖。
圖10是本發(fā)明第六實(shí)施例的曝光設(shè)備的示意平面圖。
圖11是本發(fā)明第七實(shí)施例的曝光設(shè)備的示意平面圖。
圖12的流程圖用于說明制造器件(半導(dǎo)體芯片比如IC、LSI等、LCD、CCD等)的一種方法。
圖13是圖12所示晶片工藝的步驟4的詳細(xì)流程圖。
優(yōu)選實(shí)施方式第一實(shí)施例下面結(jié)合圖1描述本發(fā)明第一實(shí)施例的EUV曝光設(shè)備。圖1是EUV曝光設(shè)備的平面圖。本發(fā)明的曝光設(shè)備是使用波長(zhǎng)在10-15nm之間、波長(zhǎng)小于UV光(波長(zhǎng)例如為13.5nm)的EUV光作為掃描型曝光的曝光用光的曝光設(shè)備。
見圖1，曝光設(shè)備5包括激光等離子體光源部分、照射光學(xué)系統(tǒng)120、反射初縮掩模版(對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記版，reticle)或者掩模(這些術(shù)語的使用在本申請(qǐng)中是可互換的)121、投影光學(xué)系統(tǒng)122、初縮掩模版臺(tái)124、晶片123、晶片臺(tái)125，并將照射光學(xué)系統(tǒng)120到晶片臺(tái)125容納在真空室190中。
本實(shí)施例的激光等離子體光源將高強(qiáng)度脈沖激光束101從激光源100通過會(huì)聚光學(xué)系統(tǒng)102照射到由容納在真空室180中的靶材供應(yīng)系統(tǒng)105設(shè)置在會(huì)聚點(diǎn)103的靶材104上，從而產(chǎn)生高溫等離子體，從該等離子體發(fā)射波長(zhǎng)約13.5nm的EUV光。更具體地，所述激光等離子體光源將高強(qiáng)度激勵(lì)脈沖激光101照射到靶材104上，激勵(lì)在高溫等離子體狀態(tài)的靶材104。會(huì)聚反射鏡108將波長(zhǎng)范圍從紅外光到UV光和EUV光的光中的EUV光會(huì)聚，以便使用EUV光作為曝光用光。
如上所述，為了容易防止隨著EUV光產(chǎn)生的碎屑進(jìn)入照射光學(xué)系統(tǒng)，EUV光的會(huì)聚反射鏡最好使用橢球面反射鏡，其一個(gè)焦點(diǎn)在等離子體發(fā)生處，另一個(gè)焦點(diǎn)用于會(huì)聚光，在物理上使光源和照射系統(tǒng)之間的路徑變窄。
另外，為了得到理想的EUV光功率，并增強(qiáng)曝光設(shè)備的生產(chǎn)率或者吞吐量，從等離子體發(fā)射的EUV光應(yīng)當(dāng)被有效地會(huì)聚。這是用大立體覆蓋角會(huì)聚發(fā)射的EUV光而實(shí)現(xiàn)的，為此需要一個(gè)大會(huì)聚反射鏡。
所述脈沖激光束101是從例如Nd:YAG激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等產(chǎn)生的。真空室180為EUV光維持一個(gè)真空氛圍環(huán)境，EUV光對(duì)空氣的透射率低。通過設(shè)置在所述真空室180中的一個(gè)窗口，所述脈沖激光束101被會(huì)聚于會(huì)聚位置103。最好，所述窗口112由石英等制成，對(duì)于脈沖激光束101具有高透射率。
所述靶材104取決于所產(chǎn)生的EUV光的波長(zhǎng)，可以使用金屬薄膜比如Cu、Li和Zn、惰性氣體比如Xe，以及液滴等，并由靶材供應(yīng)系統(tǒng)105比如氣體注入系統(tǒng)提供到真空室180中。其中，Xe是用作靶材104的有效候選者，原因包括隨著EUV光產(chǎn)生的會(huì)不利地污染其他照射系統(tǒng)的碎屑方面的原因，從激勵(lì)脈沖激光101到EUV光106的轉(zhuǎn)換效率，以及靶材104的處理方便性。提供了一個(gè)靶材回收系統(tǒng)107以回收靶材104，因?yàn)椴⒉皇翘峁┑乃邪胁?04都一定用在了等離子生成方面。見圖5，下面描述向會(huì)聚位置103提供作為靶材104的Xe的供應(yīng)方法。在圖5A中，一個(gè)噴嘴505噴射Xe氣504，會(huì)聚的脈沖激光束501在高溫等離子體冷卻時(shí)在會(huì)聚點(diǎn)503產(chǎn)生EUV光506。在圖5B中，一個(gè)噴嘴515象一個(gè)桿的形狀一樣噴射Xe液體514，在高溫等離子體冷卻時(shí)，會(huì)聚的脈沖激光束501類似地在會(huì)聚點(diǎn)產(chǎn)生EUV光506。在圖5C中，噴嘴525在同步控制下一滴一滴噴射Xe液滴524，使得當(dāng)Xe液滴524到達(dá)發(fā)射點(diǎn)503時(shí)，脈沖激光束501也剛好到達(dá)發(fā)射點(diǎn)503。結(jié)果，當(dāng)高溫等離子體冷卻時(shí)，就產(chǎn)生了EUV光506。
一般，應(yīng)當(dāng)提高Xe濃度，以增強(qiáng)從脈沖激光到EUV光的轉(zhuǎn)換效率，示于圖5B和圖5C的液體形式與圖5A所示的氣體形式相比是更為優(yōu)選的供應(yīng)方法。但是，即使是Xe液體，從脈沖激光束101到EUV光106的轉(zhuǎn)換效率最多也才1％多一點(diǎn)。為了提高生產(chǎn)率或者吞吐量，需要EUV光源產(chǎn)生功率為50到150W的EUV光。因此，用于激勵(lì)等離子體的脈沖激光需要高達(dá)5到15kW的功率。
靶材供應(yīng)系統(tǒng)105被容納在真空室180中。激光源100是如此之大以便具有達(dá)到5到15kW級(jí)的輸出，它被安裝在不同于真空室180的安裝架(未圖示)上。這就需要在激光源100發(fā)射的脈沖激光束101和Xe靶材系統(tǒng)101之間有高度的對(duì)準(zhǔn)精度，并且在脈沖激光器501的發(fā)射時(shí)間和圖5C所示的靶材供應(yīng)系統(tǒng)中的液體靶524的滴出時(shí)間之間進(jìn)行精確的同步控制。
所述對(duì)準(zhǔn)可以例如向激光源10和真空室180提供一個(gè)干涉儀系統(tǒng)140，檢測(cè)它們之間的位置偏差。通過使用一個(gè)致動(dòng)器(未圖示)來驅(qū)動(dòng)一個(gè)光學(xué)部件(未圖示)，以控制激光源或者脈沖激光束101的位置，從而實(shí)現(xiàn)脈沖激光器100和靶材104的位置之間的精確對(duì)準(zhǔn)。
但是，干涉儀系統(tǒng)190不測(cè)量脈沖激光束101在會(huì)聚點(diǎn)103的位置和靶材104在會(huì)聚點(diǎn)103的位置，因此難以精確地在會(huì)聚點(diǎn)103對(duì)準(zhǔn)脈沖激光束101和靶材101。因此，震動(dòng)或者機(jī)械變形等都會(huì)在它們之間產(chǎn)生位置偏差。
圖6圖示了在圖示于圖5B的靶材供應(yīng)系統(tǒng)中，當(dāng)從箭頭方向觀看時(shí)，脈沖激光束601和靶材609之間的關(guān)系。如果沒有位置偏差，脈沖激光束601的中心和桿形靶材609的中心相互重合，如圖6A所示。如果有輕微的位置偏差，則脈沖激光束601部分地照射靶材604，如圖6B所示。如果位置偏差較大，則脈沖激光束601不照射靶材609，如圖6C所示。
類似的，圖7圖示了在圖示于圖5C的靶材供應(yīng)系統(tǒng)中，當(dāng)從箭頭方向觀看時(shí)，脈沖激光束701和靶材704之間的關(guān)系。如果沒有位置偏差，脈沖激光束701的中心和液體靶材704的中心相互重合，如圖7A所示。如果有輕微的位置偏差，則脈沖激光束701部分地照射靶材704，如圖7B所示。如果位置偏差較大，則脈沖激光束701不照射靶材704，如圖7C所示。
在圖6B和圖7B中，脈沖激光束601和701的不照射靶材604和704的部分越過會(huì)聚點(diǎn)。類似的，在圖6C和7C中，整個(gè)脈沖激光束601和701越過會(huì)聚點(diǎn)。因此，在傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)(使脈沖激光束101的光軸與在會(huì)聚點(diǎn)103產(chǎn)生的、入射到第一反射鏡131的EUV光106的光軸一致)中，當(dāng)會(huì)聚橢球面反射鏡108具有大覆蓋角或者尺度以有效地會(huì)聚EUV光時(shí)，被會(huì)聚的EUV光被射向會(huì)聚橢球面反射鏡的開口。被會(huì)聚的脈沖激光束不直接照射所述會(huì)聚橢球面反射鏡，但是直接照射第一反射鏡131。例如，假設(shè)脈沖激光束是Nd:YAG激光器產(chǎn)生的，波長(zhǎng)為1064nm，反射鏡131形成了Mo和Si的多層膜以反射EUV光。則，所述多層膜對(duì)1069nm波長(zhǎng)的反射率至多約為30％，大多數(shù)光被吸收并被轉(zhuǎn)換為熱。在這種情況下，脈沖激光束沒有會(huì)聚在第一反射鏡131上，但是具有如此高的輸出(約5到15kW)的脈沖激光束將大量的熱投射到第一反射鏡131上。因此，第一反射鏡131處于高溫之下，導(dǎo)致熱變形和所述多層薄的改變。進(jìn)而，第一反射鏡131的成像性能顯著惡化，不能提供高質(zhì)量的曝光從而需要被更換。由于反射鏡131被容納在真空室190中，更換它需要釋放真空壓力、更換和調(diào)節(jié)第一反射鏡131，然后再次抽真空。由于照射和投影光學(xué)系統(tǒng)120和122是精密的光學(xué)系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)有時(shí)候不限于第一反射鏡，而是要重新調(diào)節(jié)整個(gè)照射和投影光學(xué)系統(tǒng)120和122，這就延長(zhǎng)了設(shè)備的停機(jī)時(shí)間。
上面討論了脈沖激光束直接進(jìn)入的第一反射鏡131。對(duì)于隨后的反射鏡，雖然被投射的熱量小于第一反射鏡131，但是也會(huì)由于溫度升高而產(chǎn)生熱變形、導(dǎo)致多層膜變化，從而需要更換。尤其是，曝光設(shè)備中的光學(xué)部件的耐熱性不好，容易受到脈沖激光束的不利影響。
例如，會(huì)聚反射鏡108、照射光學(xué)系統(tǒng)120、反射掩模121以及投影光學(xué)系統(tǒng)122在襯底上形成了幾十對(duì)由Mo和Si等形成的多層膜，以有效地反射EUV光106，其表面粗糙度的標(biāo)準(zhǔn)偏差要求在埃級(jí)，以防止反射率降低。另外，除了表面粗糙度之外，投影光學(xué)系統(tǒng)122中的反射鏡的形狀精度也要求在標(biāo)準(zhǔn)偏差方面達(dá)到埃級(jí)，投影光學(xué)系統(tǒng)122應(yīng)當(dāng)是極為精密的光學(xué)系統(tǒng)。當(dāng)然，還需要對(duì)干擾例如溫度具有穩(wěn)定性。
另一方面，為了緩解脈沖激光束101和靶材109之間的可允許的對(duì)準(zhǔn)精度方面的要求，可以想到使脈沖激光器101的會(huì)聚直徑可以變化。圖8A和圖8B圖示了一種情況，其中的脈沖激光束比靶材804和814要大。圖8A圖示了噴嘴噴射如圖5B所示的桿形Xe液體，圖8B圖示了噴嘴噴射如圖5C所示的Xe液滴。由于脈沖激光束在兩種情況下都比靶材大，即使脈沖激光束和靶材之間有少許位置偏差，脈沖激光束也可以照射整個(gè)靶材。但是，必然有部分脈沖激光束沒有照射到靶材而有很大的可能性損傷設(shè)備中如上所述的其他部件。
另一方面，圖8C和8D圖示了這樣的情況脈沖激光束821和831比靶材824和834小。圖8C圖示了噴嘴噴射如圖5B所示的桿形Xe液體，圖8D圖示了噴嘴噴射如圖5C所示的Xe液滴。由于脈沖激光束在兩種情況下都比靶材小，即使脈沖激光束和靶材之間有少許位置偏差，整個(gè)脈沖激光束都可以照射在靶材上，并且沒有圖8A和圖8B的問題。但是，不容易增加靶材的大小，一個(gè)新的問題是EUV光的功率，從而曝光設(shè)備的生產(chǎn)率降低，這是因?yàn)槊}沖激光束821、831的會(huì)聚直徑減小。
因此，最好脈沖激光束的大小等于靶材，如圖5所示。
當(dāng)然，在傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)(脈沖激光束101的光軸與在發(fā)射點(diǎn)103產(chǎn)生、入射到第一反射鏡131的EUV光106的光軸一致)中，會(huì)由于除了所述位置偏差之外的原因?qū)е鲁霈F(xiàn)不可預(yù)見的情況所有或者部分脈沖激光束越過了所述會(huì)聚點(diǎn)103。例如，圖示于圖5C的靶材供應(yīng)系統(tǒng)的在液體靶材524和脈沖激光501之間的同步可控性可能較差，從而在脈沖激光發(fā)射周期和液滴周期之間可能出現(xiàn)不協(xié)調(diào)?；蛘撸捎诎胁墓?yīng)系統(tǒng)522本身的故障，可能不能供應(yīng)靶材524。另外，即使完全照射靶材的脈沖激光的一部分也可能保留有一個(gè)分量直接前進(jìn)，這可能是因?yàn)槊}沖激光和靶材之間沒有相互作用的結(jié)果。任何一種情況都對(duì)照射和投影光學(xué)系統(tǒng)120和122有很大的負(fù)面影響，如上所述。
示于圖1的本實(shí)施例解決了上述問題，這是這樣實(shí)現(xiàn)的使激光束101的光軸方向AA’相對(duì)于在會(huì)聚點(diǎn)103產(chǎn)生的、入射到第一反射鏡131的EUV光106的光軸方向109產(chǎn)生一個(gè)偏移，并對(duì)會(huì)聚橢球面反射鏡設(shè)置供向所述靶材入射的脈沖激光束通過的通過部分、供越過所述靶材的脈沖激光束通過的通過部分。170是用于使脈沖激光束101的光軸方向相對(duì)于EUV光106的光軸方向109三維傾斜的裝置。術(shù)語“三維”的意思是例如包括這樣的情況光軸方向AA’不在圖1的同一紙面上，例如垂直于圖1的紙面。后面將參照?qǐng)D9描述這樣的一個(gè)實(shí)施例。脈沖激光束101的光軸方向10是脈沖激光束101入射到靶材104的入射方向。本實(shí)施例這樣確定方向AA’，使得越過靶材104的脈沖激光束101不干擾其他部件，比如照射光學(xué)系統(tǒng)120、投影光學(xué)系統(tǒng)122、初縮掩模版臺(tái)124以及晶片臺(tái)125。
會(huì)聚橢球面反射鏡中的通過部分維持一個(gè)脈沖激光20的光通路，使得入射和出射脈沖激光不干擾會(huì)聚橢球面反射鏡。
示于圖1的本實(shí)施例解決上述問題是通過將激光101的光軸AA’相對(duì)于在會(huì)聚點(diǎn)103產(chǎn)生并入射到第一反射鏡131的EUV光106的光軸方向109偏移5度或者更多。5度的意思是激光束101的光軸方向AA’相對(duì)于光軸109有意(也就是，不是因?yàn)榘惭b誤差)傾斜。
本實(shí)施例在會(huì)聚橢球面反射鏡108上設(shè)置一個(gè)開口，在EUV光106的光軸方向109，該開口比激勵(lì)激光101的會(huì)聚點(diǎn)103更接近第一反射鏡131一側(cè)。
最好在光軸AA’上設(shè)置一個(gè)阻擋件150，用于遮擋脈沖激光束101的傳播，吸收脈沖激光束101。理想的是，為了避免阻擋件150上的反射導(dǎo)致二次照射，該阻擋件由吸收脈沖激光束101而不反射激光束101的材料或者形狀制成。由于脈沖激光束101的輸出大到約5到15kW，所述阻擋件150吸收大量的熱，最好給阻擋件150提供一個(gè)冷卻機(jī)構(gòu)。更具體地，在阻擋件150周圍提供一個(gè)通道151，其中循環(huán)溫度調(diào)節(jié)流體，比如液體或者氣體，與流體進(jìn)行熱交換來將熱排出到設(shè)備外。
這樣，通過將脈沖激光束101的光軸與方向AA’對(duì)準(zhǔn)、在會(huì)聚橢球面反射鏡108上提供供入射或者離開靶材104的脈沖激光束通過的通過部分并設(shè)置包括冷卻機(jī)構(gòu)的阻擋件150，即使脈沖激光束101不照射到靶材104上或者只是照射部分靶材104，或者當(dāng)脈沖激光不與靶材相互作用而仍然越過靶材時(shí)，脈沖激光束101仍然不會(huì)照射或者損壞其他部件，包括會(huì)聚橢球面反射鏡108、第一反射鏡131和其他部件。結(jié)果，避免了由于嚴(yán)重?fù)p壞的部件的更換和再調(diào)節(jié)導(dǎo)致設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間停機(jī)(因?yàn)樾枰獙⒄婵帐?80和190釋放到大氣壓，更換和重新調(diào)節(jié)部件，然后再次抽真空)，從而防止了設(shè)備的工作效率的降低。
另外，所述通道使得橢球面反射鏡能夠變大。
被引入真空室190的EUV光106通過所述照射光學(xué)系統(tǒng)120照射具有預(yù)定圖案的反射掩模121。該照射光學(xué)系統(tǒng)120用于將EUV光傳播和照射到所述反射掩模121上，包括多個(gè)反射鏡(包括所述第一反射鏡)、光學(xué)積分器(optical integrator，光集成電路)和孔。所述第一反射鏡131收集大致各向同性地發(fā)射的EUV光。所述光學(xué)積分器用于用預(yù)定的數(shù)值孔徑均勻地照射所述初縮掩模版121。所述孔被設(shè)置在與初縮掩模版121共軛的位置，將要照射初縮掩模版121的區(qū)域限制為一個(gè)弧形。在反射掩模121上被選擇性反射的EUV光106通過包括多個(gè)反射鏡的所述投影光學(xué)系統(tǒng)122被縮小和投影到上面已經(jīng)鍍覆了光致抗蝕劑的晶片123上。結(jié)果，掩模121上的圖案被轉(zhuǎn)移到晶片123上。
掩模121上的照射區(qū)和投影到晶片123上的圖像具有極窄的弧形，該弧形具有相同的像點(diǎn)，從而，通過約束投影光學(xué)系統(tǒng)122的像差，獲得良好的圖像。這樣，本曝光設(shè)備采用的是所謂的掃描曝光方法在曝光期間同步掃描初縮掩模版臺(tái)124和晶片臺(tái)125。
第二實(shí)施例現(xiàn)在看圖2，描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖2中的與圖1的相應(yīng)部件相同的部件用相同的附圖標(biāo)記表示，并省略了其說明。在本實(shí)施例中，激光束101的光軸方向AA’相對(duì)于在會(huì)聚點(diǎn)103產(chǎn)生、入射到第一反射鏡131的EUV光106的光軸方向109有一個(gè)偏移，使得EUV光不干擾包括會(huì)聚橢球面反射鏡108在內(nèi)的其他部件。尤其是，從靶材射出的脈沖激光被設(shè)計(jì)為通過所述會(huì)聚橢球面反射鏡中的由會(huì)聚的EUV光通過的開口。另外，所述會(huì)聚橢球面反射鏡上設(shè)置有通過部分，進(jìn)入所述靶材的脈沖激光束從之通過。在這種情況下，會(huì)聚橢球面反射鏡中的通過部分的數(shù)量被設(shè)置為1，有利于其制造。
圖2所示的本實(shí)施例解決上述問題是通過將激光101的光軸AA’相對(duì)于在會(huì)聚點(diǎn)103產(chǎn)生并入射到第一反射鏡131的EUV光106的光軸方向109偏移5度或者更多。5度的意思是激光束101的光軸方向AA’相對(duì)于光軸方向109有意(也就是，不是因?yàn)榘惭b誤差)傾斜。
本實(shí)施例將會(huì)聚橢球面反射鏡108的開口設(shè)置為在EUV光106的光軸方向109，該開口比激勵(lì)激光101的會(huì)聚點(diǎn)103更接近第一反射鏡131一側(cè)。
所述通過部分的直徑最好小于所述開口的直徑的1/20。
第三實(shí)施例現(xiàn)在看圖3，描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。本實(shí)施例包括在與圖2所示相反的方向的激光源100，并在真空室180和190外部設(shè)置阻擋件150。因此，真空室180或者190設(shè)置有一個(gè)窗口152，用于傳送脈沖激光束101。該窗口152最好由對(duì)脈沖激光束101具有高透射率的材料比如石英制成。由于阻擋件150被安裝在空氣中，因此從熱處理的角度來說，比在真空環(huán)境中更容易處理。
第四實(shí)施例現(xiàn)在看圖4，描述本發(fā)明的第四實(shí)施例。該實(shí)施例將到靶材的脈沖激光的光軸確定為使得脈沖激光束通過會(huì)聚橢球面反射鏡的供會(huì)聚的EUV光通過的開口到達(dá)靶材104，在所述會(huì)聚橢球面反射鏡上設(shè)置有供從靶材104出射的脈沖激光束通過的通過部分。因此，類似于第二實(shí)施例，可以容易地將阻擋件150設(shè)置在真空室180和190外部，越過靶材的脈沖激光束的傳播方向與包括所述照射和投影系統(tǒng)在內(nèi)的其他部件相反。有利的是，容易維護(hù)用于設(shè)置所述阻擋件的空間。
第五實(shí)施例現(xiàn)在看圖9，描述本發(fā)明的第五實(shí)施例。圖9詳細(xì)圖示了真空室180的內(nèi)部。本實(shí)施例將激光束101的光軸方向AA’設(shè)置為垂直于圖1的紙面。更具體地，脈沖激光束101在圖9A所示的方向被引導(dǎo)到會(huì)聚點(diǎn)103，阻擋件150被設(shè)置在會(huì)聚點(diǎn)103之外。類似于圖1到圖9，阻擋件150被設(shè)置在真空中或者大氣環(huán)境中。用于EUV光的會(huì)聚反射鏡108是用于會(huì)聚在會(huì)聚點(diǎn)103產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生的EUV光的對(duì)象反射鏡(object mirror)，其形狀是旋轉(zhuǎn)橢球體的一部分，一個(gè)焦點(diǎn)在會(huì)聚點(diǎn)103和109。由于難以對(duì)象橢球體這樣的具有大曲率的特殊形狀進(jìn)行精確處理、測(cè)量和覆膜，會(huì)聚反射鏡如圖9A所示被分割為六個(gè)部分，例如，以使得每一個(gè)曲率都較小。然后，對(duì)這些部分進(jìn)行精確處理、測(cè)量和覆膜，然后將它們組合起來，提供會(huì)聚反射鏡108的功能。如圖9A和9B所示，本實(shí)施例不是形成如圖1到圖4所示的通道，而是通過會(huì)聚橢球面反射鏡的各分割部分之間的作為通過部分的間隙將脈沖激光引向靶材，并使得脈沖激光能夠從靶材射出。所述靶材供應(yīng)系統(tǒng)105和107可以類似地形成，從而激光束通過所述各部分之間的間隙。這里，圖9A是該實(shí)施例的一個(gè)簡(jiǎn)要透視圖，其中，脈沖激光束101被垂直于圖1的紙面引入，圖9B是圖9A的從箭頭方向觀看的示意平面圖。
第六實(shí)施例現(xiàn)在看圖10，描述本發(fā)明第六實(shí)施例的曝光設(shè)備。圖10的示意平面示了一個(gè)例子，其中，脈沖激光101的光軸方向AA與EUV光的光軸方向109一致，在光軸方向提供了阻擋件150和碎屑過濾器160。YAG激光器具有約100微米的光束直徑和約0.01的NA。所述碎屑過濾器160可以是例如用鉬、鈹、鋯等制成的薄膜，厚度為0.1到0.2微米，對(duì)EUV光的透射率在約50％到70％之間，對(duì)YAG激光約為100％。
阻擋件150包括一個(gè)金屬部件和在該金屬部件上的減反射鍍層，厚度約為10到20nm，大小約為10到20mm的直徑。由于不遮擋EUV光106，該尺寸是方便的。也可以使用如圖10所示的散射器。三角形部件155反射激光，并由于多次反射的結(jié)果而吸收它。阻擋件150的大小約為50×50×50mm到約100×100×100mm。
盡管本發(fā)明將碎屑過濾器160和阻擋件150形成為單獨(dú)的部件，但是這兩個(gè)部件也可以集成在一起。所述碎屑過濾器不限于薄膜，可以應(yīng)用其他的形式。
第七實(shí)施例現(xiàn)在看圖11，描述本發(fā)明第七實(shí)施例的曝光設(shè)備。圖11是一個(gè)示意平面圖，圖示了一個(gè)例子，其中，脈沖激光束101的光軸方向AA’與EUV光的光軸方向109一致，在光軸方向109提供能夠了反射部件157。如前所述，YAG激光器的光束直徑約為100微米，NA約為0.01。反射部件157由具有高反射率(例如99％或者更高)的材料比如Au、Ag和Cu制成，厚度約為10到20mm，尺度約為10到20mm的直徑。由于不遮擋EUV光106，該尺度是方便的。
見圖12和圖13，下面描述使用上述曝光設(shè)備的器件制造方法的一個(gè)實(shí)施例。圖12的流程圖用于說明器件(例如半導(dǎo)體芯片比如IC和LSI、LCD、CCD等)的制造。這里，以半導(dǎo)體芯片的制造為例予以說明。
步驟1(電路設(shè)計(jì))設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件電路。步驟2(掩模制造)形成具有設(shè)計(jì)的電路圖案的掩模。步驟3(晶片制造)使用諸如硅等材料制造晶片。步驟4(晶片工藝)稱為預(yù)處理，通過使用掩模和晶片進(jìn)行光刻來在晶片上形成實(shí)際電路。步驟5(組裝)也稱為后處理，將步驟9形成的晶片形成為半導(dǎo)體芯片，并包括一個(gè)組裝步驟(例如劃片，邦定(接合))、封裝步驟(芯片密封)等。步驟6(檢查)對(duì)步驟5制造的半導(dǎo)體器件進(jìn)行各種測(cè)試，比如有效性測(cè)試和壽命測(cè)試。通過這些步驟，完成半導(dǎo)體器件的制造并出貨(步驟7)。
圖13是圖示于圖12的步驟9的晶片工藝的詳細(xì)流程圖。步驟11(氧化)將晶片表面氧化。步驟12(CVD)在晶片表面上形成絕緣膜。步驟13(電極形成)在晶片上通過蒸汽淀積等形成電極。步驟14(離子注入)在晶片中注入離子。步驟15(光致抗蝕劑工藝)在晶片上鍍覆光敏材料。步驟16(曝光)使用所述曝光設(shè)備將掩模上的電路圖案曝光到晶片上。步驟17(顯影)對(duì)被曝光的晶片進(jìn)行顯影。步驟18(蝕刻)將被顯影的光致抗蝕劑圖像之外的部分蝕刻掉。步驟19(光致抗蝕劑剝離)在蝕刻后將無用的光致抗蝕劑去除。重復(fù)這些步驟，在晶片上形成多層電路圖案。本實(shí)施例的器件制造方法與傳統(tǒng)方法相比可以制造較高質(zhì)量的器件，手段是約束投影光學(xué)系統(tǒng)中的光學(xué)部件的表面形狀的變化，校正光學(xué)性能的惡化。這樣，使用所述曝光設(shè)備的器件制造方法以及作為加工完成的產(chǎn)品的器件也構(gòu)成本發(fā)明的一個(gè)方面。本實(shí)施例的器件制造方法防止了光學(xué)部件比如會(huì)聚橢球面反射鏡108和照射光學(xué)系統(tǒng)120中的第一反射鏡131的熱變形和損壞，同時(shí)提高了會(huì)聚橢球面反射鏡的覆蓋角度以有效地會(huì)聚EUV光，從而以較高的生產(chǎn)率制造高質(zhì)量的器件。這樣，使用該曝光設(shè)備的器件制造方法以及所得到的器件構(gòu)成本發(fā)明的一個(gè)方面。
另外，本發(fā)明不限于這些優(yōu)選實(shí)施例，可以在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下進(jìn)行各種變化和修改。
盡管本實(shí)施例使用橢球體形狀用于會(huì)聚EUV光的反射鏡，本發(fā)明的反射鏡形狀并不限于橢球體形狀。本發(fā)明的會(huì)聚反射鏡只要將EUV光會(huì)聚在照射光學(xué)系統(tǒng)中的第一反射鏡之前即可。
上述優(yōu)選的第一到第七實(shí)施例提供了以下效果激勵(lì)激光的光軸的方向被確定為當(dāng)激勵(lì)激光直接向前傳播越過靶材時(shí)，光不照射曝光設(shè)備中包括會(huì)聚橢球面反射鏡和光學(xué)系統(tǒng)在內(nèi)的其他部件。所述用于會(huì)聚EUV光的會(huì)聚橢球面反射鏡上設(shè)置有供進(jìn)入和/或離開靶材的激勵(lì)激光通過的通過部分。所述阻擋件遮擋和吸收激勵(lì)激光并包括冷卻機(jī)構(gòu)，被設(shè)置在真空室的內(nèi)部或者外部。這樣，即使在激勵(lì)激光越過靶材前進(jìn)時(shí)，也防止了其他部件包括會(huì)聚橢球面反射鏡被損壞。
另外，通過避免嚴(yán)重?fù)p壞的部件的更換和重新調(diào)節(jié)導(dǎo)致設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間停機(jī)(因?yàn)樾枰獙⒄婵帐裔尫诺酱髿鈮?，更換和重新調(diào)節(jié)部件，然后重新抽真空)，防止了設(shè)備的工作效率降低。
另外，由于所述通過部分可以避免上述嚴(yán)重?fù)p壞，擴(kuò)大了用于EUV光的所述會(huì)聚橢球面反射鏡的覆蓋角度和尺度，可以向晶片提供更多的EUV光功率。這樣，可以有效地會(huì)聚EUV光，從而可以提高曝光設(shè)備的生產(chǎn)率和曝光設(shè)備的吞吐量。
工業(yè)實(shí)用性這樣，本發(fā)明將激勵(lì)機(jī)構(gòu)的光軸的方向確定為當(dāng)激勵(lì)激光直接前進(jìn)而越過靶材時(shí)，光不會(huì)照射曝光設(shè)備中包括會(huì)聚反射鏡和光學(xué)系統(tǒng)在內(nèi)的其他部件，從而，即使在激勵(lì)激光越過靶材時(shí)，也可以防止包括會(huì)聚橢球面反射鏡在內(nèi)的其他部件被損壞。
權(quán)利要求
1.一種曝光設(shè)備，將激勵(lì)激光照射到靶上，并由所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生用于生成遠(yuǎn)紫外區(qū)或者X射線區(qū)的照射光的光源，該曝光設(shè)備包括照射光學(xué)系統(tǒng)，使用所述照射光照射形成要轉(zhuǎn)移的圖案的反射初縮掩模版，該照射光學(xué)系統(tǒng)包括最接近所述光源的第一反射鏡；橢球面反射鏡，用于在所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的所述第一反射鏡之前會(huì)聚所述照射光；以及投影光學(xué)系統(tǒng)，將在所述初縮掩模版上反射的圖案縮小并投影到要被曝光的對(duì)象上，其中，在所述激勵(lì)激光的光軸方向超過由激勵(lì)激光產(chǎn)生等離子體的位置的地方的光不干擾包括所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)和所述橢球面反射鏡的所述曝光設(shè)備中的部件。
2.如權(quán)利要求1所述的曝光設(shè)備，其中，所述激勵(lì)激光的光軸相對(duì)于進(jìn)入所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的第一反射鏡的照射光的光軸方向有偏移。
3.如權(quán)利要求1所述的曝光設(shè)備，其中，向所述靶入射的激勵(lì)激光和從所述靶出射的激勵(lì)激光通過在所述橢球面反射鏡中設(shè)置的通過部分。
4.如權(quán)利要求1所述的曝光設(shè)備，其中，向所述靶入射的激勵(lì)激光通過在所述橢球面反射鏡中設(shè)置的通過部分，從所述靶出射的激勵(lì)激光通過所述橢球面反射鏡的一個(gè)通過所述照射光的開口。
5.如權(quán)利要求3所述的曝光設(shè)備，其中，從所述靶出射的激勵(lì)激光通過所述橢球面反射鏡中的通過部分，向所述靶入射的激勵(lì)激光通過所述橢球面反射鏡的一個(gè)通過所述照射光的開口。
6.如權(quán)利要求1所述的曝光設(shè)備，還包括用于相對(duì)于所述照射光的光軸方向三維傾斜所述激勵(lì)激光的光軸方向的機(jī)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1所述的曝光設(shè)備，還包括防止所述激勵(lì)激光到達(dá)所述靶之外的照射光學(xué)系統(tǒng)的遮光部件。
8.如權(quán)利要求1所述的曝光設(shè)備，還包括防止在等離子體發(fā)射點(diǎn)產(chǎn)生的碎屑到達(dá)所述照射光學(xué)系統(tǒng)的碎屑消除部件。
9.如權(quán)利要求1所述的曝光設(shè)備，還包括防止所述激勵(lì)激光到達(dá)所述靶之外的照射光學(xué)系統(tǒng)的遮光部件，該遮光部件對(duì)于所述激勵(lì)激光的透射率為10％或者以下；以及防止在等離子體發(fā)射點(diǎn)產(chǎn)生的碎屑到達(dá)所述照射光學(xué)系統(tǒng)的碎屑消除部件，該碎屑消除部件對(duì)于所述激勵(lì)激光的透射率為90％或者以上。
10.如權(quán)利要求7所述的曝光設(shè)備，其中，所述遮光部件包括一個(gè)金屬部件以及在該金屬部件上的減反射鍍層。
11.如權(quán)利要求1所述的曝光設(shè)備，其中，所述激勵(lì)激光的光軸相對(duì)于所述照射光的光軸方向的角度被確定為從入射到所述第一反射鏡的照射光的光軸方向到所述激勵(lì)激光的光軸方向，從所述光源觀看，來自所述激勵(lì)激光的超過所述光源的光不會(huì)照射到所述曝光設(shè)備中最外側(cè)的部件。
12.如權(quán)利要求7所述的曝光設(shè)備，還包括用于冷卻所述遮光部件的冷卻機(jī)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求7所述的曝光設(shè)備，其中，所述遮光部件位于容納所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)的室的外部。
14.如權(quán)利要求7所述的曝光設(shè)備，其中，在所述照射光的光軸方向，所述橢球面反射鏡的通過所述照射光的開口比所述激勵(lì)激光的會(huì)聚點(diǎn)更靠近所述第一反射鏡。
15.一種曝光設(shè)備，將激勵(lì)激光照射到靶上，并由所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生用于生成遠(yuǎn)紫外區(qū)或者X射線區(qū)的照射光的光源，該曝光設(shè)備包括照射光學(xué)系統(tǒng)，使用所述照射光照射形成圖案的反射初縮掩模版，該照射光學(xué)系統(tǒng)包括最接近所述光源的第一反射鏡；會(huì)聚反射鏡，用于將所述照射光引導(dǎo)到所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的第一反射鏡；以及投影光學(xué)系統(tǒng)，將在所述初縮掩模版上反射的圖案縮小并投影到要被曝光的對(duì)象上，其中，在所述照射光的光軸方向，所述會(huì)聚反射鏡的通過所述照射光的開口比所述激勵(lì)激光的會(huì)聚點(diǎn)更靠近所述第一反射鏡，并且，其中，在所述激勵(lì)激光的光軸方向超過由激勵(lì)激光產(chǎn)生等離子體的位置的地方的光不干擾包括所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)和所述會(huì)聚反射鏡的所述曝光設(shè)備中的部件。
16.如權(quán)利要求15所述的曝光設(shè)備，其中，所述會(huì)聚反射鏡是橢球面反射鏡。
17.一種器件制造方法，包括下列步驟用曝光設(shè)備曝光對(duì)象；以及對(duì)于被曝光的對(duì)象執(zhí)行預(yù)定的處理，其中，所述曝光設(shè)備將激勵(lì)激光照射到靶上，并由所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生用于生成遠(yuǎn)紫外區(qū)或者X射線區(qū)的照射光的光源，該曝光設(shè)備包括照射光學(xué)系統(tǒng)，使用所述照射光照射形成要轉(zhuǎn)移的圖案的反射初縮掩模版，該照射光學(xué)系統(tǒng)包括最接近所述光源的第一反射鏡；橢球面反射鏡，用于在所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的所述第一反射鏡之前會(huì)聚所述照射光；以及投影光學(xué)系統(tǒng)，將在所述初縮掩模版上反射的圖案縮小并投影到要被曝光的對(duì)象上，其中，在所述激勵(lì)激光的光軸方向超過由激勵(lì)激光產(chǎn)生等離子體的位置的地方的光不干擾包括所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)和所述橢球面反射鏡的所述曝光設(shè)備中的部件。
18.一種器件制造方法，包括下列步驟用曝光設(shè)備曝光對(duì)象；以及對(duì)于被曝光的對(duì)象執(zhí)行預(yù)定的處理，其中，所述曝光設(shè)備將激勵(lì)激光照射到靶上，并由所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生用于生成遠(yuǎn)紫外區(qū)或者X射線區(qū)的照射光的光源，該曝光設(shè)備包括照射光學(xué)系統(tǒng)，使用所述照射光照射形成圖案的反射初縮掩模版，該照射光學(xué)系統(tǒng)包括最接近所述光源的第一反射鏡；會(huì)聚反射鏡，用于將所述照射光引導(dǎo)到所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的第一反射鏡；以及投影光學(xué)系統(tǒng)，將在所述初縮掩模版上反射的圖案縮小并投影到要被曝光的對(duì)象上，其中，在所述照射光的光軸方向，所述會(huì)聚反射鏡的通過所述照射光的開口比所述激勵(lì)激光的會(huì)聚點(diǎn)更靠近所述第一反射鏡，并且，其中，在所述激勵(lì)激光的光軸方向超過由激勵(lì)激光產(chǎn)生等離子體的位置的地方的光不干擾包括所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)和所述會(huì)聚反射鏡的所述曝光設(shè)備中的部件。
全文摘要
一種曝光設(shè)備，將激勵(lì)激光照射到靶上，并由所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生用于生成遠(yuǎn)紫外區(qū)或者X射線區(qū)的照射光的光源，該曝光設(shè)備包括照射光學(xué)系統(tǒng)，使用所述照射光照射形成要轉(zhuǎn)移的圖案的反射初縮掩模版，該照射光學(xué)系統(tǒng)包括最接近所述光源的第一反射鏡；橢球面反射鏡，用于在所述照射光學(xué)系統(tǒng)中的所述第一反射鏡之前會(huì)聚所述照射光；以及投影光學(xué)系統(tǒng)，將在所述初縮掩模版上反射的圖案縮小并投影到要被曝光的對(duì)象上，其中，在所述激勵(lì)激光的光軸方向超過由激勵(lì)激光產(chǎn)生等離子體的位置的地方的光不干擾包括所述照射和投影光學(xué)系統(tǒng)和所述橢球面反射鏡的所述曝光設(shè)備中的部件。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1647249SQ03809090
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2003年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月26日
發(fā)明者樋浦充, 辻俊彥 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社