專(zhuān)利名稱(chēng)：集成互連裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與一集成互連裝置有關(guān)。該互連裝置連接如一集成互連裝置的零件，或其本身系為一集成零件之構(gòu)成部分。
背景技術(shù)：
來(lái)自一集成裝置的個(gè)別零件，物理上彼此之間不能分離而不破壞該零件。該集成電路裝置的三種主要型態(tài)系-單塊電路裝置，其中零件亦配置于適用為一媒介之半導(dǎo)體中。
-層狀或薄膜電路，其中薄膜系用在一絕緣媒介之上。在薄薄膜與厚薄膜電路中系有區(qū)別的。
-混合電路，其系上述電路型態(tài)的結(jié)合。
層狀應(yīng)用方法與層狀結(jié)構(gòu)方法尤其系被使用在集合裝置之制程技術(shù)之中。層狀應(yīng)用方法的范例如-厚薄膜技術(shù)情況之中的屏幕印刷，或-單塊電路裝置與薄薄膜電路情況之中的噴濺、化學(xué)氣相沉積法(CVD)，或物理氣相沉積法(PVD)。
層狀結(jié)構(gòu)方法的范例如-平板印刷方法，或-蝕刻方法。
一互連裝置的互連對(duì)直流電路而言，具有小于每公分10-4歐姆之電力阻抗。該互連通常以鋁、鋁合金、銅或銅合金而制程。這些材料確保該互連可產(chǎn)生最少可能的歐姆損失，渦電流損失與其它功率損失。
本發(fā)明的一目標(biāo)，系具體指明一簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)集成互連裝置，其特別在高頻率的電壓或電流情況中，具有低功率損失。此外，該目的亦指明相關(guān)的使用。
關(guān)于該互連裝置的目標(biāo)，系可藉由如權(quán)利要求1中所指明之互連裝置而達(dá)成。其發(fā)展系于該子權(quán)利要求中指明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的考量，系基于在集合互連裝置中頻率增加時(shí)，由于電動(dòng)力學(xué)的現(xiàn)象，欲制程低阻抗之連接裝置或形成低功率損失之連接裝置，變的愈來(lái)愈困難。
該兩主要電動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象系該表層效應(yīng)(skin effect)與該近似效應(yīng)(proximity effect)。如果一交流電流流經(jīng)一導(dǎo)體，接著一交替?zhèn)鲗?dǎo)磁場(chǎng)也產(chǎn)生，其在該導(dǎo)體中引起一大于在該導(dǎo)體中央之反電壓。由于該反電壓，遍及該導(dǎo)體的電流便不均勻分布。該電流密度從該導(dǎo)體中央朝向邊緣增加。此現(xiàn)象稱(chēng)為電流位移或是表層效應(yīng)。由于該電流位移，該導(dǎo)體僅有部分?jǐn)嗝姹辉摻涣麟娏魉褂?。減低該有效導(dǎo)體之?dāng)嗝娑斐稍搶?dǎo)體之有效阻抗的增加。
如果電流具有一相同或是相反方向流入鄰近導(dǎo)體中，則除了由于該磁場(chǎng)交替造成的表層效應(yīng)以外，一朝向該導(dǎo)體裝置邊緣，或朝向該導(dǎo)體裝置中央的電流位移便會(huì)產(chǎn)生。該有關(guān)導(dǎo)體的高頻率阻抗則因此再一次被增加。
此外，本發(fā)明系基于該電流進(jìn)入該導(dǎo)體之穿透深度的考量，例如對(duì)銅來(lái)說(shuō)，在1兆赫頻率以下系大于2微米。其意味著在這樣的結(jié)構(gòu)之下，至目前為止時(shí)已經(jīng)被使用之結(jié)構(gòu)寬度約為2微米或更少，該指出的兩現(xiàn)象在功率損失上并不具有明顯的影響。然而，如果其系被要求在例如1兆赫至50兆赫的范圍中傳輸訊號(hào)，即使在結(jié)構(gòu)尺寸系低于2微米的情況中，由于該電流位移機(jī)制所造成之線型阻抗的明顯抬升系被確定的。
由于該說(shuō)明的電流位移機(jī)制，因該互連裝置的中央互連并不能貢獻(xiàn)于該電流流動(dòng)，互連平行地簡(jiǎn)單連接，其互連也于空間中平行使用，系不減低該功率損失。該電流，已經(jīng)解釋過(guò)的，僅于該外部互連中流動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的互連裝置因此具有至少平行電力連接之三互連。一電力絕緣材料系在互連間所配置。此外，該互連裝置包含至少兩交叉部分，其配置在該互連裝置縱軸上的不同位置上，該互連裝置的互連于該交叉部分彼此交叉。
藉由該多重交叉的功效，該互連裝置的互連可被配置為，例如使用對(duì)于該互連裝置縱軸之所有互連倒置或旋轉(zhuǎn)方法，在一互連系交替配置跨越另一互連之交錯(cuò)方法且在另一互連之下朝該互連裝置縱軸方向前進(jìn)，或是一混雜的方法。
由于該交叉，該互連假設(shè)系位于該互連裝置的不同位置。該多重交叉具有即使在非常高頻率時(shí)，每個(gè)互連貢獻(xiàn)于該電流流動(dòng)之影響。該功率損失，特別系該歐姆損失，系由該多重交叉的功效而減少。
在根據(jù)本發(fā)明之該互連配置之一發(fā)展之中，該互連裝置的互連系位于一有關(guān)該交叉部分外部之互連裝置縱方向的橫向平面之上。以此方法配置之互連可利用簡(jiǎn)單的方式，以該通常被使用的集成技術(shù)之二維構(gòu)成方法制程。因此該互連可于一金屬化層配置于彼此旁邊，或于不同金屬化層中，配置于另一之上。
在另一個(gè)發(fā)展中，該互連系于相鄰的交叉部分之間，配置于一金屬化層之上。該金屬化層平行位于一半導(dǎo)體基質(zhì)的主要區(qū)域，而集成零件系座落于其上。該位于一金屬化層之互連，系同時(shí)地藉由例如該相同的沉積與構(gòu)成步驟的方法制造。
在一金屬化層之中，具有互連之該互連裝置的發(fā)展中，于該交叉部分，一互連系配置在關(guān)于該互連裝置之所有其它互連之橫方向。該橫向互連或該其它互連，系配置于另一金屬化層。其因此可能制程一剛好具有兩金屬化層之交叉部分。如果該橫向互連位于該另外的金屬化層，則僅需要兩額外的接觸洞。因?yàn)橛谠摻佑|洞范圍之中的接觸材料(contact-making)導(dǎo)致一增加阻抗，當(dāng)每個(gè)交叉部分僅有兩接觸洞時(shí)，總阻抗的增加才不明顯。
在另外一發(fā)展中，該其它互連系處于或于該交叉部分之中，位于一與該交叉部分外部之不同方向。經(jīng)由此范例，該互連之縱方向首先系由一特定方向中之特定強(qiáng)度，于該交叉部分改變其方向。于該交叉部分另一端之該互連的縱軸方向也再一次改變，此處該改變的方向在方向上系與該首次改變之方向相反，而在方向上該改變的強(qiáng)度仍保持相同。由此方法達(dá)成的系，該互連于該交叉部分中偏移。該偏移使得被該互連所使用的空間增加，其系位于該交叉部分中關(guān)于該其它互連的橫方向上。大體上，由于此裝置，該互連裝置的寬度系僅由該互連的寬度，以及該互連之間的絕緣處所決定。然而，該其它的互連也可在該交叉部分配置于一其它的方向。
在一替代的發(fā)展中，該互連系配置于該交叉部分外之不同金屬化層中。經(jīng)由此范例，該互連位于另一之上，于關(guān)于該集成電路裝置之半導(dǎo)體基質(zhì)得主要區(qū)域之法線方向上。由此方法的功效，其系可能配置該互連于一關(guān)于該半導(dǎo)體基質(zhì)之表面的小面積需求之中。此外，其可能在該互連裝置的互連之間，達(dá)到一良好的電容去耦(capacitivedecoupling)。
在一具有在不同金屬化層中之互連的發(fā)展中，于該交叉部分，一互連系配置于一接觸洞中，與其它所有互連有關(guān)的橫方向上。該接觸洞較佳地盡可能引導(dǎo)至一另外之金屬化層。
在一具有位于該接觸洞中，與其它所有互連有關(guān)的橫方向上之互連的發(fā)展中，該互連裝置之互連，于該交叉部分，于每個(gè)情況中系從一金屬化層引導(dǎo)至一個(gè)別相鄰之金屬化層，例如均勻地進(jìn)入該位于靠近該基質(zhì)的該金屬化層，或位于另一遠(yuǎn)離該基質(zhì)的金屬化層。
在一另外的發(fā)展中，該互連裝置包含明確的兩個(gè)交叉部分，其因此可能減少位于互連裝置中的接觸洞數(shù)目。該制程方法系簡(jiǎn)化地，并降低該功率損失。
在一精確的改進(jìn)中，該兩交叉部分系配置在該互連裝置的三分之一長(zhǎng)度處，以及該互連裝置的三分之二長(zhǎng)度處。藉由此方法所可以達(dá)到的是，該電流系不受到該頻率影響而能均勻分布于該互連之間，例如，即使特別系在非常高頻率之下，如介于1兆赫與50兆赫或更高之間。
在該集成互連裝置之次一發(fā)展中，所有交叉部分實(shí)質(zhì)上具有相同的結(jié)構(gòu)。交替地或累積地，位于該交叉部分外部的互連裝置之部分，在其彼此之中也具有相同的空間結(jié)構(gòu)。此方法簡(jiǎn)化了該電路裝置的制程方式，因?yàn)榻逵煞独姆椒?，只有一交叉部分之罩幕型態(tài)(maskpattern)系需要被定義的。同樣的型態(tài)則接著使用在所有的交叉部分之中。
在另一發(fā)展中，每個(gè)互連系與其它互連之間具有相同長(zhǎng)度的配置。交替地或累積地，每個(gè)互連系在該互連裝置邊緣具有相同長(zhǎng)度的配置。這些方法可被用來(lái)確保即使系在兆赫范圍的頻率中，該電流系于該所有的互連之中均勻分布。
在另一發(fā)展中，一關(guān)于該互連裝置之縱方向而橫向配置的互連，該最大側(cè)向尺寸系小于10微米或小于5微米。交替地或累積地，該互連裝置的長(zhǎng)度系小于10毫米或小于1毫米。因此，該電路裝置之應(yīng)用的范圍，不但位于該厚薄膜范圍之中，其典型使用的厚度系大于50微米至大約1毫米，也同時(shí)位于該單塊電路與薄薄膜技術(shù)之中。
本發(fā)明另外與該互連裝置做為一線圈，以及做為一送至傳輸部分的天線之信號(hào)搜尋或來(lái)自一接收部分的天線之信號(hào)搜尋的使用有關(guān)。做為一線圈使用的有利之處，系即使在該兆赫范圍的頻率之中，提供該線圈之品質(zhì)因子，以及包含該線圈的回聲電路之品質(zhì)因子變得非常的高。做為送至一天線或來(lái)自一天線之信號(hào)搜尋部分之該互連裝置的使用，允許提供之前被包含于一分離裝置(discrete fashion)之中的線，現(xiàn)在也可以被集成入該電路裝置之中。該電路裝置的最高頻率，系如在該兆赫范圍的頻率，于該天線的區(qū)域中正確的產(chǎn)生。
簡(jiǎn)單圖標(biāo)說(shuō)明本發(fā)明的發(fā)展系由之后對(duì)照該伴隨圖標(biāo)加以說(shuō)明，其中第1圖說(shuō)明一集成線之平面圖，其互連系配置在交叉部分之外部的一金屬化層之中，第2圖說(shuō)明從第1圖中通過(guò)該集成線之交叉部分，第3圖說(shuō)明一集成線之平面圖，其互連系配置在交叉部分之外部的三金屬化層之中，且第4圖說(shuō)明從第3圖中通過(guò)該集成線之交叉部分。
具體實(shí)施例方式
第1圖說(shuō)明一集成電路裝置10之平面圖，其包含一集成線12。該集成線12包含三互連LB1至LB3，并于連接部分14與16中平行電力連接。配置于連接部分14與16之間，依序系為一端點(diǎn)部分18、一交叉部分20、一中央部分22、一交叉部分24與一端點(diǎn)部分26。在該端點(diǎn)部分18與26也同時(shí)位于該中央部分22之中，該互連LB1至LB3系于一上方金屬化層50中，彼此之間平行配置，同樣于第2圖中所示。
該交叉部分20包括接觸洞區(qū)域28與30，于一該互連LB1端點(diǎn)之各自部分32之底部。該部分32系于該線12之縱軸34的一正確(right)角度，于一下方金屬化層54之該互連LB2與LB3之下，也同樣于第2圖中所示。在它們的另一端點(diǎn)，該接觸洞區(qū)域28與30分別地相鄰于該互連LB1的部分，其位于該金屬化層50之中，該互連LB1的部分，從該端點(diǎn)部分18與該中央部分22開(kāi)始，分別以一楔型方式，于該交叉部分之中，朝向該接觸洞區(qū)28與30域漸漸減少。
于該端點(diǎn)部分18、26與于該中央部分22中，有關(guān)于該縱軸34的該互連LB1至LB3之縱方向，該互連LB2與LB3系關(guān)于該縱軸34，以一20至60度之間的角度傾斜配置，例如于該交叉部分20中以30度的角度配置。該角度系被尺寸化，可見(jiàn)于遍及該交叉部分20之長(zhǎng)度，因此其分別造成該互連LB2與該互連LB3，以一互連的寬度加上一相鄰互連之間的距離A而正確地偏移。由于該偏移，該互連LB1可在該中央部分22占用在該端點(diǎn)部分18中，該互連LB3所具有的位置。
該交叉部分24系以如同該交叉部分20的方式正確構(gòu)成。兩接觸洞區(qū)域36與38系位于該交叉部分24之中，該接觸洞區(qū)域之接觸洞底部，結(jié)束在于該互連LB2之部分40。該部分40系在該縱軸34的一正確(right)角度。于其上方端，該接觸洞區(qū)域系以位于金屬化層50中之該互連LB2之部分所劃定界線。于該交叉部分24中，該互連LB1與LB3系彼此平行配置，但對(duì)于該縱軸34以一大約30度的角度傾斜，因此該互連LB1與該互連LB3，分別系以一互連的寬度加上一相鄰互連之間的距離A而偏移。
一典型的該互連LB1至LB3的轉(zhuǎn)置，系以剛解釋過(guò)之互連LB1至LB3的配置方式達(dá)成。一該端點(diǎn)部分18的長(zhǎng)度L1，一該中央部分22的長(zhǎng)度L2，與一該端點(diǎn)部分26的長(zhǎng)度L3是相同的，所以該其它互連LB1至LB3之間的每個(gè)互連LB1至LB3，正確地分別位于一端點(diǎn)部分18之中與該中央部分22之中。藉由范例的方法，該互連LB1與LB3之間的互連LB3系位于該中央部分22之中。在一示范實(shí)施例中，于每個(gè)情況中該長(zhǎng)度L1、L2與L3系為100微米。相比之下，該交叉部分20與24系小于該長(zhǎng)度的五分之一，例如10微米。
分別為該互連LB1、LB2與LB3的寬度B1、B2與B3系相同的，并于該端點(diǎn)部分18、26之中與該中央部分22之中，例如1微米。在相鄰互連LB1至LB3之間的一絕緣距離A例如系為0.5微米。于示范實(shí)施例中，由該寬度B1至B3之總和，以及該絕緣距離A之兩倍，所形成之該線12的總寬度B例如系為4微米。
一坐標(biāo)系統(tǒng)42其系為該電流裝置10所設(shè)計(jì)，顯示一x軸44，其位于圖標(biāo)中的平面，而相關(guān)于該縱軸34的方向，一y軸46，其位于該圖標(biāo)中的平面，關(guān)于該x軸44之一正確角度，而一z軸48系指向該圖標(biāo)中平面之法線方向。第1圖也說(shuō)明一交叉部分I的位置，其在x-z平面上交叉于該線12。該交叉部分I于該端點(diǎn)部分18與該互連LB1，于該中央部分22與該互連LB2，以及于該端點(diǎn)部分26與該互連LB3交叉。
第2圖說(shuō)明通過(guò)該線12的交叉部分I。一絕緣層49系參考第1圖，位于已經(jīng)指出的該金屬化層50之上。一絕緣層52系配置在該上方金屬化層50與該下方金屬化層54之間。一絕緣層56系位于該下方金屬化層54之下。一半導(dǎo)體基質(zhì)以及，如果適合的，另外之金屬化層58與絕緣層系于第2圖中以點(diǎn)來(lái)指明。該上方金屬化層50、該絕緣層52、該金屬化層54與該絕緣層56依序分別具有厚度D1、D2、D3與D4。在該示范實(shí)施例中，該厚度D1與D3系例如相同為0.5微米。在該示范實(shí)施例中，該厚度D1與D3與系例如相同為1微米。
該線10的示范實(shí)施例使用多于三互連。該交叉部分的數(shù)目便相對(duì)的增加。藉由范例的方法，四互連會(huì)形成三交叉部分。然而，其也有具備超過(guò)十互連的線。
第3圖說(shuō)明一集成電路裝置110的平面圖，其包括一集成線112。該集成線112包括三互連LBa至LBc，于一在該線112的左手端的連接部分114以及該線112之另一端之連接部分(未描繪)中，平行地電力連接。位于該連接部分114與116之間，依序系為一端點(diǎn)部分118、一交叉部分120、一中央部分122、一交叉部分124與一端點(diǎn)部分126。
在該端點(diǎn)部分118、126之中，以及該中央部分122之中，該互連LBa至LBc于三金屬化層202、206與210之中，以該電路裝置110之半導(dǎo)體基質(zhì)之法線方向，位于彼此之上，也于第4圖中所見(jiàn)。因此，第3圖僅描繪該分別的上方互連，例如，于該端點(diǎn)部分118中的互連LBa，于該中央部分122中的互連LBb以及于該端點(diǎn)部分126中的互連LBc。
在該交叉部分110中，于該線112的一側(cè)，有一該互連LBb之越過(guò)部分(bypass section)150，該越過(guò)部分系為于該金屬化層206之中。藉由該越過(guò)部分150的幫助，該互連LBb系引導(dǎo)通過(guò)一接觸洞區(qū)域220，其會(huì)在之后參照第4圖進(jìn)行詳系的說(shuō)明。
位于該線112的另一側(cè)系一該互連LBc之越過(guò)部分152。該越過(guò)部分152位于該金屬化層210之中。藉由該越過(guò)部分152的幫助，該互連LBc系引導(dǎo)通過(guò)一接觸洞區(qū)域220。此外，像是第4圖中所描繪的接觸洞區(qū)域222、224與226系位于該交叉區(qū)域120之中。
該交叉區(qū)域124系以如同該交叉部分120的方式正確構(gòu)成。在該交叉區(qū)域124之中，該互連LBb系向下引導(dǎo)進(jìn)入一接觸洞區(qū)域230，其會(huì)在之后參照第4圖進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。該互連LBc的一越過(guò)部分160于該金屬化層206中之交叉部分124之線112的一側(cè)。該越過(guò)部分160引導(dǎo)該該互連LBc通過(guò)該接觸洞區(qū)域230，并且接著回到該線112之縱軸134。在該線112的另一側(cè)，該互連LBa的越過(guò)部分162位于該交叉部分124之中。該越過(guò)部分162位于該金屬化層210并導(dǎo)引該線LBa通過(guò)該接觸洞區(qū)域230。
該端點(diǎn)部分118、該中央部分122與該端點(diǎn)部分126分別具有一長(zhǎng)度La、Lb與Lc。該長(zhǎng)度La、Lb與Lc于該示范實(shí)施例中，系例如相同的具有50微米。該交叉部分120與124，例如只有10微米，分別與該端點(diǎn)部分118、126與該中央部分122的長(zhǎng)度比較系較短的。該互連LBa、LBb與LBc分別具有寬度Ba、Bb與Bc，于該示范實(shí)施例中，系例如相同的具有1微米。
一坐標(biāo)系統(tǒng)172其系顯示一x軸174，其位相關(guān)于該線112之該縱軸134的方向。一y軸176，其位于該圖標(biāo)中的平面，關(guān)于該x軸174之一正確角度，而一z軸180系指向該圖標(biāo)中平面之法線方向，或是該電路裝置110之半導(dǎo)體基質(zhì)的主要范圍之法線方向。第3圖描寫(xiě)一交叉部分II的位置，其在x-z平面上分別于該端點(diǎn)部分118、該中央部分122與該端點(diǎn)部分126之中，交叉于所有的互連LBa至LBc。
第4圖說(shuō)明通過(guò)該線112的交叉部分II。第4圖描繪，從一半導(dǎo)體基質(zhì)(未描繪)的頂端，一絕緣層200、該金屬層202、一絕緣層204、該金屬層206一絕緣層208、該金屬層210、一絕緣層212、一金屬層214與一絕緣層216。該絕緣層200、204、208、212與216包含例如二氧化硅的一絕緣材料。該金屬層202、該絕緣層204、該金屬層206、該絕緣層208、該金屬層210、該絕緣層212與該金屬層214，依序分別地具有厚度D5、D6、D7、D8、D9、D10與D11。該金屬層的厚度D5、D7、D9、D11系例如相同為0.5微米。該絕緣層厚度D6、D8與D10也同樣的例如相同為1微米。
在該端點(diǎn)部分118之中、該中央部分122之中與該端點(diǎn)部分126之中，該線112具有一由該厚度D5至D9所造成的寬度W1，例如，在該示范實(shí)施例中，該寬度W1為3.5微米。
于該交叉區(qū)域120之中與該交叉區(qū)域124之中，相比之下，該線112具有一由該厚度D5至D11所造成的寬度W2，例如，在該示范實(shí)施例中，該寬度W2為6微米。
于其它的示范實(shí)施例中，該越過(guò)部分150至162位于該線112的同一側(cè)。此外，該下方的互連可被向上分鼻引導(dǎo)進(jìn)入該交叉部分120與124。
參照第3與第4圖所說(shuō)明之線的型態(tài)之互連的數(shù)目，系由該可獲得之金屬化層數(shù)目所限制。藉由范例的方法，其可能使用四互連，則便需要三交叉范圍。然而，也有具有六或八金屬化層之集成電路裝置，因此該互連的數(shù)目則更為增加。
總體來(lái)說(shuō)，其應(yīng)該被強(qiáng)調(diào)的是，于該示范實(shí)施例中，雖然由該接觸洞或VIA結(jié)構(gòu)所造成之一另外增加的電阻，即使在高頻率下，該總傳導(dǎo)性系增加的。該總傳導(dǎo)性可由使用額外互連之增加的該互連寬度B或該互連寬度W1來(lái)增加。如果使用上系以一平行方式來(lái)特別安排互連，則因?yàn)樵摫韺有?yīng)與該近似效應(yīng)，加寬該線系不再具有一來(lái)自該電流之少于位于該線之互連的互連寬度之半的貫穿深度，及時(shí)從該點(diǎn)激活之正向效應(yīng)。
具有電場(chǎng)計(jì)算程序之電動(dòng)力仿真確認(rèn)此點(diǎn)。這意謂該低阻抗連接現(xiàn)在高頻率下建立，或其傳導(dǎo)性對(duì)于該線之總寬度有一良好近似。
權(quán)利要求
1.一集成互連裝置(12，112)，至少具有平行電連接的三互連(LB1至LB3)，具有配置于該互連(LB1至LB3)之間的一電力絕緣材料(52)，并至少具有兩交叉部分(20，24)，其配置在該互連裝置(12)縱軸上之不同位置，該互連裝置(12)的互連(LB1至LB3)在該交叉部分彼此交叉。
2.如權(quán)利要求1之互連裝置(12，112)，其中該互連(LB1至LB2)乃位于一對(duì)于該交叉部分(20，24)外部的互連裝置(12)的縱方向(34)而言為橫向的一平面上。
3.如權(quán)利要求1或2之互連裝置(12，112)，其中該互連(LB1至LB3)乃配置于在相鄰交叉部分(20，24)之間的一金屬化層(50)。
4.如權(quán)利要求3之互連裝置(12，112)，其中，在一交叉部分(20)，一互連(LB1)乃以對(duì)于其它互連(LB2，LB3)而言為橫向的方式配置，且/或其中該橫向配置的互連(LB1)且/或該其它互連(LB2，LB3)乃配置在另一金屬化層(54)中。
5.如權(quán)利要求4之互連裝置(12，112)，其中該其它互連(LB2，LB3)乃在該交叉部位(20)上以一個(gè)不同于該交叉部分(20)外部的方向而配置。
6.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中互連(LBa至LBc)乃配置在該交叉部分(120，124)外部的不同金屬化層(202，206，210)之中。
7.如權(quán)利要求6之互連裝置(12，112)，其中，于一交叉部分(120)，一互連(LBa)乃以對(duì)于該其它互連(LBb，LBc)而言為橫向的方式配置于一接觸洞(220)中，而其中該接觸洞較佳地是盡可能引導(dǎo)至一另外的金屬化層(214)中。
8.如權(quán)利要求7的互連裝置(12，112)，其中在一交叉部分(120)中的該互連(LBa至LBc)，乃于每個(gè)例子中從一金屬化層引導(dǎo)至一各別相鄰的金屬化層中。
9.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中該互連裝置(12)僅包含兩交叉部分(20，224)，其較佳地是位于該互連裝置(12)長(zhǎng)度之三分之一處與三分之二處。
10.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中該交叉部分(20，24)具有相同型態(tài)，且/或其中位于該交叉部分(20，24)外部的互連裝置(12)的部分(18，22，26)具有相同型態(tài)。
11.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中各互連(LB1至LB3)與其它互連(LB1至LB3)之間的長(zhǎng)度乃為相同，且/或其中各互連(LB1至LB3)到該互連裝置(12)的邊緣的長(zhǎng)度乃為相同。
12.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中該互連(LB1至LB3)乃被配置，以使該相同的電流流過(guò)每個(gè)互連(LB1至LB3)。
13.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中其乃被用來(lái)傳導(dǎo)具有頻率大于1兆赫或大于50兆赫或大于500兆赫的之電流。
14.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中一互連的最大側(cè)邊尺寸(B1至B3)乃小于10微米或小于5微米，且/或該互連裝置(129)的長(zhǎng)度，小于10毫米或小于1毫米。
15.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中該互連裝置為一含有一半導(dǎo)體材料中的多數(shù)電子零件集成電路裝置(10，110)的一構(gòu)成部分。
16.如上述權(quán)利要求之任一的互連裝置(12，112)，其中該互連裝置(12)被用作為具有一用來(lái)運(yùn)作一電路裝置的電感的線圈，且/或該互連裝置(12)乃被用作為傳至一發(fā)射部分的天線的信號(hào)分配或是作為來(lái)自于一接收部分的天線的信號(hào)分配。
全文摘要
本案提出了一具有多個(gè)互連(LB1至LB3)的集成互連裝置(12)，所述多個(gè)互連在兩交叉部分(20，24)中彼此交叉。藉由該集成互連裝置的作用便可在三互連中獲得一均勻電流，即使是在高頻率狀態(tài)下。
文檔編號(hào)H01L23/528GK1698201SQ03810336
公開(kāi)日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2003年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月8日
發(fā)明者R·斯特拉斯塞 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司