專利名稱：用于微電子應(yīng)用的顯影劑可溶的金屬醇鹽涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及新穎的抗反射組合物，用于制造微電子器件。這些組合物包含聚合物金屬醇鹽，能在水性光致抗蝕顯影劑中顯影。
背景技術(shù)：
集成電路制造商一直在尋求使基材晶片尺寸最大并使器件特征尺寸最小的方法，以提高產(chǎn)率，減小單元體積，并增加芯片上的計(jì)算能力。目前，隨著先進(jìn)的深紫外(DUV)微版印刷法的出現(xiàn)，硅或其他芯片上的器件特征尺寸都在亞微米級。
然而，在制造半導(dǎo)體器件過程中，光致抗蝕劑常遇到的問題是活化輻照被承載光致抗蝕劑的基材反射回到光致抗蝕劑。這樣的反射會(huì)引起模糊的圖案，降低光致抗蝕劑的分辨率。當(dāng)基材是非極性和/或高反射性時(shí)，圖像在處理的光致抗蝕劑時(shí)剝蝕尤其成為問題。解決這一問題的一種方法是使用在光致抗蝕劑下面的基材上施涂的抗反射涂層。盡管抗反射涂層能有效防止反射或使反射最小，但是使用涂層需要額外的工藝上突破步驟，以除去涂層。這必將導(dǎo)致增加成本。
解決這一問題的一個(gè)方法是使用濕的可顯影的抗反射涂層。這些類型的涂層可與光致抗蝕劑的曝光區(qū)域一起除去。即，光致抗蝕劑層通過有圖案的掩模曝光后，光致抗蝕劑曝光的區(qū)域是可濕顯影的，隨后用水性顯影劑除去，留下要求的溝槽和孔的圖案。在這一顯影步驟除去可濕顯影的抗反射涂層，因此取消了另外的除去步驟。不幸的是，可濕顯影的抗反射涂層一直未能廣泛應(yīng)用，其原因是涂層還必須具有良好自旋輥筒(spin bowl)適應(yīng)性和對作為抗反射涂層有用的優(yōu)良的光性能。因此，需要一種抗反射涂層組合物，它能在常用光致抗蝕顯影劑中顯影，同時(shí)又顯示良好的涂層和光學(xué)性能。
發(fā)明概述本發(fā)明大致包括對這種微電子器件制造有用的新穎的微版印刷組合物。
更詳細(xì)地，組合物包含分散或溶解在一溶劑體系的聚合物。較好的聚合物包含具有下式的重復(fù)單元
其中，X是光衰減部分，M是金屬，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基(較好C1-C8)、芳基、烷氧基和苯氧基。最優(yōu)選的R基團(tuán)是-CH3和-OC2H5。
聚合物較好還包含下式的重復(fù)單元 其中，R1各自獨(dú)立地選自氫、烷基(較好C1-C8)、芳基、烷氧基和苯氧基，M1是金屬。最優(yōu)選的R1基團(tuán)是-CH3和-OC2H5。
對前述任一重復(fù)單元，最優(yōu)選的金屬是Ti、Zr、Si和/或Al。較好的，光衰減部分包含與聚合物金屬醇鹽的金屬原子配位的官能團(tuán)。這樣的官能團(tuán)包括羰基、醇和酚基。以聚合物總重量為100％計(jì)，所述部分(即X)在聚合物中的存在量較好約5-50重量％，更好約10-25重量％。合適的光衰減部分包括選自下列的部分三羥甲基乙氧基化物(trimethylol ethoxylate)，4-羥基苯甲醛和2-氰基-3-(4-羥基苯基)丙烯酸乙酯的部分。而且，為避免組合物光敏性，X、R和R1都不包含任何烯鍵不飽和基團(tuán)。
在另一個(gè)實(shí)施方案中，通過聚合物金屬醇鹽與有機(jī)化合物反應(yīng)形成聚合物。所述聚合物金屬醇鹽包含具有下式的重復(fù)單元 其中，M是金屬，L各自獨(dú)立地選自二酮和醇鹽配體。優(yōu)選的L基團(tuán)具有下式
其中，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基(較好C1-C8)、芳基、烷氧基和苯氧基。最優(yōu)選的R基團(tuán)是-CH3和-OC2H5。乙酰乙酸乙酯部分是最優(yōu)選的L基團(tuán)。優(yōu)選的金屬原子與前面討論的相同。
在這一實(shí)施方案中，通過聚合物金屬醇鹽(如聚(鈦酸二丁酯))與二酮或醇鹽配體(如乙酰乙酸乙酯)反應(yīng)，首先形成具有上述式I結(jié)構(gòu)的聚合物金屬醇鹽?；蛘?，其結(jié)構(gòu)部分已包含二酮或醇鹽配體的起始單體通過水解然后縮合該單體可形成需要的聚合物。這種類型的起始單體的一個(gè)例子是二異丙醇鈦二(乙酰乙酸乙酯)。
與具有上式I結(jié)構(gòu)的聚合物金屬醇鹽反應(yīng)的有機(jī)化合物應(yīng)包含適合與聚合物金屬醇鹽的金屬原子配位的官能團(tuán)。合適的官能團(tuán)包括醇、酚、硫醇、苯硫酚和羰基。最優(yōu)選的有機(jī)化合物是三羥甲基乙氧基化物、4-羥基苯甲醛和2-氰基-3-(4-羥基苯基)丙烯酸乙酯。
無論任一實(shí)施方案，抗反射組合物可通過較好的環(huán)境條件下將聚合物簡單地分散或溶解在合適溶劑體長達(dá)足夠時(shí)間，形成基本均勻的分散體來形成。以組合物中固體總重量為100％計(jì)，聚合物在組合物中的存在量為2-50重量％，較好約5-30重量％，更好我7-15重量％。這種聚合物的粘度較好我為2000-5000cS，更好約為3200-3500cS。
優(yōu)選的溶劑體系包括選自下列的溶劑丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇甲醚(PGME)、丙二醇正丙醚(PnP)、乙酸乙酯，以及它們的混合物。較好地，溶劑體系沸點(diǎn)約為50-250℃，更好約為100-175℃。以組合物中固體總重量為100％計(jì)，溶劑體系的用量應(yīng)為70-95重量％，較好80-90重量％。
任何添加的組分較好還可以和聚合物一起分散在溶劑體系中。一種優(yōu)選的添加組分是第二聚合物或聚合物粘合劑，如選自下列的那些環(huán)氧線型酚醛樹脂(如，Epon164，從Araldite購得)，丙烯酸酯類(如，聚(甲基丙烯酸縮水甘油酯))，聚合的氨基塑料(如，Cymel產(chǎn)品，購自Cytec Industries)，glycourals(如，Powferlink產(chǎn)品，購自Cytec Industries)，乙烯基醚，以及它們的混合物。該添加的聚合物的重均分子量較好約1000-50000，更好5000-25000道爾頓。在采用添加聚合物的實(shí)施方案中，以組合物中固體總重量為100％計(jì)，組合物應(yīng)包含1-50重量％的該添加聚合物，較好5-25重量％。
應(yīng)理解，組合物中還可包含許多其他任選組分。典型的任選組分包括光衰減化合物、表面活性劑、催化劑、交聯(lián)劑和增粘劑。
將填料或抗反射涂料組合物施涂到基材上的方法簡單地包括采用任何已知的施涂方法(包括旋涂)將一定量組合物施涂到基材表面上?；目梢允侨魏纬Ｓ眯酒?如硅晶片)，離子注入層等。
達(dá)到要求的覆蓋厚度后，所得的層應(yīng)加熱到約100-250℃，引發(fā)交聯(lián)。這將導(dǎo)致溶劑體系蒸發(fā)，以及組合物中的至少一部分有機(jī)組分揮發(fā)，得到具有金屬和氧原子交替的固化層。這種固化抗反射層或涂層的折射率在約365nm波長至少約為1.4，較好約1.5-2.0，更好約1.6-1.7。
在地形基材上使用時(shí)，靠近接觸邊緣或通孔的基材表面上的固化層厚度應(yīng)是距接觸邊緣或通孔約等于孔直徑的基材表面上的膜厚度的至少約60％，較好至少約75％，更好至少約85％。
在固化材料上可施涂光致抗蝕劑，隨后曝光、顯影，并蝕刻該光致抗蝕劑。按照本發(fā)明的這種方法，將產(chǎn)生前體結(jié)構(gòu)，用于雙鑲嵌和具有上述要求性能的其他微版印刷方法。
還應(yīng)理解，固化的本發(fā)明組合物能濕顯影。即，用常用水性顯影劑如氫氧化四甲銨和KOH顯影劑可除去固化的組合物。這些顯影劑中有些可以MF-319(從Shipley，Massachusetts得到)，MF-320(從Shipley得到)和NMD3(從TOK，Japan得到)顯影劑得到。用堿顯影劑如氫氧化四甲銨和KOH顯影劑可除去至少95％，較好至少99％的本發(fā)明涂層。在市售顯影劑中這一百分溶解度明顯優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)，因?yàn)檫@樣縮短了制造過程并使其成本較低。
最后，除了上述許多優(yōu)點(diǎn)外，本發(fā)明是適于自旋輥筒的。這可以通過用組合物涂布4英寸樣品晶片來確定。涂布后，晶片并不烘烤，而是向上放置，以防止薄膜流動(dòng)。樣品在潔凈室內(nèi)干燥約24小時(shí)，形成的膜厚度約200-1300。然后，在五個(gè)位置測定樣品厚度，以確定初始樣品平均厚度。
使涂布后的晶片受到特定試驗(yàn)溶劑(如丙二醇甲醚乙酸酯)的作用。這可以通過用溶劑淹沒樣品表面3分鐘(±5秒)，隨后以1500rpm(20000rpm斜面(Romp))自旋15秒，然后以2500rpm(20000rpm斜面)自旋30秒。再在五個(gè)位置測定樣品厚度，以確定最后樣品的平均厚度。
溶解度百分?jǐn)?shù)按照下式計(jì)算溶解度％＝[(初始樣品平均厚度-最后樣品平均厚度)/(初始樣品平均厚度)]×100本發(fā)明組合物的溶解度百分?jǐn)?shù)至少約75％，更好至少約90％。
附圖簡述

圖1a是具有垂直側(cè)壁的線路特征的電路前體結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b是類似于圖1a，但具有腐蝕的側(cè)壁的線路特征的電路前體結(jié)構(gòu)示意圖。
優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述本發(fā)明組合物特別有利，因?yàn)樯鲜龇椒ū苊饬私佑|部位或通孔以及溝槽的側(cè)壁和底壁的剝蝕和腐蝕。即，用現(xiàn)有技術(shù)的組合物，側(cè)壁在除去抗反射涂層時(shí)涂層會(huì)腐蝕，使得側(cè)面不再為直的和垂直的。這常常會(huì)導(dǎo)致電路缺陷。
圖1a所示為開始的電路結(jié)構(gòu)10部分。電路結(jié)構(gòu)10包括基材12和線路特征14。基材12具有上表面16。線路特征14包括抗反射層18和光致抗蝕層20。如圖所示，抗反射層18具有側(cè)壁22a，b，它們較好基本垂直。
圖1b所示為第二開始結(jié)構(gòu)24部分。電路結(jié)構(gòu)24也包括基材26和線路特征28。基材26具有上表面30，線路特征28包括抗反射層32和光致抗蝕層34?？狗瓷鋵?2有側(cè)壁36a，b。與圖1a中的電路結(jié)構(gòu)10的側(cè)壁22a，b不同，側(cè)壁36a，b在進(jìn)一步加工步驟時(shí)(如濕顯影期間)經(jīng)歷剝蝕和腐蝕。因?yàn)闀?huì)導(dǎo)致缺陷，這是最不希望的。本發(fā)明具有使這種剝蝕和腐蝕最小或可避免這種剝蝕和腐蝕的明顯優(yōu)點(diǎn)。具體而言，按本發(fā)明形成的線路特征的角度“a”約為83-90°，較好87-90°。在此所用的角度“a”是由側(cè)壁36a和上表面30或側(cè)壁36b和上表面30形成的最小角度(參見圖1b)。
本發(fā)明形成的線路特征的腐蝕百分?jǐn)?shù)小于約15％，更好的小于約10％，最好小于約7％。在此所用的腐蝕百分?jǐn)?shù)定義為d/D×100＝腐蝕％，其中，“d”和“D”如圖1b中所示。
實(shí)施例下面實(shí)施例提出了本發(fā)明的優(yōu)選方法。然而，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明，不構(gòu)成對本發(fā)明總體范圍的限制。
實(shí)施例1在本實(shí)施例中，制劑的制備如下在15.0克丙二醇單甲醚(PGME)中溶解15.0克聚(鈦酸二丁酯)。接下來，在反應(yīng)混合物中加入19.52克乙酰乙酸乙酯溶解于15.0克PGME的溶液，隨后攪拌4小時(shí)。在此混合物中加入三羥甲基乙氧基溶液，攪拌1小時(shí)。所得的制劑通過0.1微米PTEF濾器過濾，之后使用。以3000rpm，將組合物旋涂到硅晶片上，進(jìn)行兩段烘烤過程，130℃30秒，隨后168℃或205℃60秒。兩個(gè)樣品在堿顯影劑中都能溶解。
實(shí)施例2在本實(shí)施例中，制劑的制備如下在20.0克PnP中溶解5.0克聚(鈦酸二丁酯)。接下來，在反應(yīng)混合物中加入6.5克乙酰乙酸乙酯溶解于18.5克PGME的溶液，隨后攪拌4小時(shí)。在此混合物中加入Cymel(氨基塑料交聯(lián)劑，從Cytec Industries購得)和2-氰基-3-(4-羥基苯基)-丙烯酸乙基酯(CHAE)，攪拌1小時(shí)。制劑用47.5克PnP稀釋，并通過0.1微米PTEF濾器過濾，之后使用。以3000rpm，將組合物旋涂到硅晶片上，進(jìn)行兩段烘烤過程，130℃30秒，隨后168℃或205℃60秒。所有樣品在堿顯影劑中都能溶解。
實(shí)施例3制備一個(gè)母液，方法是，將16.67克二正丁醇(二-2，4-戊二酮酸)鋯鹽(60％丁醇溶液)溶解于99.59克PnP中。接下來，在該溶液中加入0.41克水，隨后攪拌24小時(shí)，制得母液。
制備抗反射涂層制劑，方法是，混合11.67克上述母液與0.25克CHAE，隨后攪拌1小時(shí)。然后制劑通過0.1微米PTEF濾器過濾。以3000rpm，將組合物旋涂到晶片上，并于168℃烘烤60秒。樣品在堿顯影劑中溶解。
實(shí)施例4制備一個(gè)母液，方法是，將10.00克二異丙醇二(乙酰乙酸乙酯)鈦和1.23克四原硅酸鹽(tetraorthosilicate)溶解于112.30克PnP中。接下來，在該溶液中加入0.64克水，隨后攪拌24小時(shí)，制得母液。
制備抗反射涂層制劑，方法是，混合20.00克上述母液與0.25克香草醛，隨后攪拌4小時(shí)。然后制劑通過0.1微米PTEF濾器過濾。以3000rpm，將組合物旋涂到晶片上，并于168℃烘烤60秒。樣品在堿顯影劑中溶解。
實(shí)施例51.光學(xué)性能實(shí)施例2-4制劑的折射率列于表A。
表A

2.自旋輥筒適應(yīng)性按照前面描述的方法，測試實(shí)施例2組合物制成的薄膜的自旋輥適應(yīng)性。如果組合物的溶解度至少約90％，可以認(rèn)為組合物是適于自旋輥筒的。這些測試的結(jié)果列于表B。
表B

a丙二醇甲醚乙酸酯
權(quán)利要求
1.一種用于光刻法的組合物，其包含溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，所述聚合物包含具有下式的重復(fù)單元 其中，X是光衰減部分，M是金屬，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、烷氧基和苯氧基。
2.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述聚合物還包含具有下式的重復(fù)單元 其中，R1各自獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、烷氧基和苯氧基，M1是金屬。
3.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，各重復(fù)單元中的M是各自選自Ti、Zr、Si和Al的金屬。
4.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述組合物還包含聚合物粘合劑。
5.如權(quán)利要求4所述的組合物，其特征在于，所述聚合物粘合劑選自環(huán)氧線型酚醛樹脂，丙烯酸酯類，聚合的氨基塑料，glycourals和乙烯基醚，以及它們的混合物。
6.如權(quán)利要求4所述的組合物，其特征在于，所述聚合物粘合劑的分子量約為1000-50000。
7.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，X包含與M配位的官能團(tuán)。
8.如權(quán)利要求7所述的組合物，其特征在于，所述官能團(tuán)選自羰基、醇和酚。
9.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，X選自下列官能團(tuán)部分三羥甲基乙氧基化物，4-羥基苯甲醛和2-氰基-3-(4-氰基苯基)-丙烯酸乙酯。
10.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，X和R都不包含任何烯鍵不飽和基團(tuán)。
11.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，一個(gè)R是-CH3，另一個(gè)是-OC2H5。
12.一種用于光刻法的組合物，其包含溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，通過使聚合物金屬醇鹽與有機(jī)化合物反應(yīng)形成所述聚合物，所述聚合物金屬醇鹽包含具有下式的重復(fù)單元 其中M是金屬，L各自獨(dú)立地選自二酮和醇鹽配體；所述有機(jī)化合物包含與所述聚合物金屬醇鹽的M配位的官能團(tuán)。
13.如權(quán)利要求12所述的組合物，其特征在于，各重復(fù)單元中的M是各自選自Ti、Zr、Si和Al的金屬。
14.如權(quán)利要求12所述的組合物，其特征在于，所述組合物還包含聚合物粘合劑。
15.如權(quán)利要求14所述的組合物，其特征在于，所述聚合物粘合劑選自環(huán)氧線型酚醛樹脂，丙烯酸酯類，聚合的氨基塑料，glycourals和乙烯基醚，以及它們的混合物。
16.如權(quán)利要求14所述的組合物，其特征在于，所述聚合物粘合劑的分子量約為1000-50000。
17.如權(quán)利要求12所述的組合物，其特征在于，各L獨(dú)立地具有下式 其中，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、烷氧基和苯氧基。
18.如權(quán)利要求17所述的組合物，其特征在于，至少一個(gè)L是乙酰乙酸乙酯部分。
19.如權(quán)利要求17所述的組合物，其特征在于，一個(gè)R是-CH3，另一個(gè)是-OC2H5。
20.如權(quán)利要求12所述的組合物，其特征在于，所述官能團(tuán)選自醇、酚和羰基。
21.如權(quán)利要求12所述的組合物，其特征在于，所述有機(jī)化合物選自三羥甲基乙氧基、4-羥基苯甲醛和2-氰基-3-(4-氰基苯基)-丙烯酸乙酯。
22.以下材料的組合有一個(gè)表面的基材；在光刻法中用作阻擋或抗反射層的固化層，所述固化層鄰近所述表面，并包含交替的金屬原子和氧原子鍵，其折射率至少約為1.4，所述固化層可濕顯影。
23.如權(quán)利要求22所述的組合，其特征在于，當(dāng)丙二醇甲醚乙酸酯為溶劑時(shí)，所述固化層的百分溶解度至少約75％。
24.如權(quán)利要求22所述的組合，其特征在于，所述基材選自硅晶片和離子注入層。
25.如權(quán)利要求22所述的組合，其特征在于，所述組合還包括鄰近所述固化層的光致抗蝕層。
26.如權(quán)利要求22所述的組合，其特征在于，所述金屬原子選自Ti、Zr、Si和Al。
27.如權(quán)利要求22所述的組合，其特征在于，所述固化層由包含下列組分的組合物形成溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，聚合物包含具有下式的重復(fù)單元 其中X是光衰減部分，M是金屬，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、烷氧基和苯氧基。
28.如權(quán)利要求22所述的組合，其特征在于，所述固化層由包含下列組分的組合物形成溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，通過使聚合物金屬醇鹽與有機(jī)化合物反應(yīng)形成所述聚合物，所述聚合物金屬醇鹽包含具有下式的重復(fù)單元 其中M是金屬，L各自獨(dú)立地選自二酮和醇鹽配位體；所述有機(jī)化合物包含與所述聚合物金屬醇鹽的M配位的官能團(tuán)。
29.如權(quán)利要求22所述的組合，其特征在于，所述固化層的至少95％溶解于堿顯影劑。
30.一種形成集成電路前體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括下列步驟在一基材上形成組合物的涂層；在所述涂層上施涂光致抗蝕劑，在所述涂層上形成光致抗蝕層；選擇性除去部分所述光致抗蝕層和所述涂層，在所述基材上形成線路特征，所述線路特征具有約83-90°的“a”角度。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述基材選自硅晶片和離子注入層。
32.如權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述除去步驟包括用水性顯影劑除去所述部分。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所述水性顯影劑選自氫氧化四甲銨和KOH顯影劑。
34.如權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述組合物包含溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，通過使聚合物金屬醇鹽與有機(jī)化合物反應(yīng)形成所述聚合物，所述聚合物金屬醇鹽包含具有下式的重復(fù)單元 其中M是金屬，L各自獨(dú)立地選自二酮和醇鹽配體；所述有機(jī)化合物包含與所述聚合物金屬醇鹽的M配位的官能團(tuán)。
35.如權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述組合物包含溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，聚合物包含具有下式的重復(fù)單元 其中X是光衰減部分，M是金屬，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、烷氧基和苯氧基。
36.一種形成集成電路前體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括下列步驟在一基材上形成組合物的涂層；在所述涂層上施涂光致抗蝕劑，在所述涂層上形成光致抗蝕層；選擇性除去部分所述光致抗蝕層和所述涂層，在所述基材上形成線路特征，所述線路特征的腐蝕百分?jǐn)?shù)小于約15％。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述基材選自硅晶片和離子注入層。
38.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述除去步驟包括用水性顯影劑除去所述部分。
39.如權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述水性顯影劑選自氫氧化四甲銨和KOH顯影劑。
40.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述組合物包含溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，通過使聚合物金屬醇鹽與有機(jī)化合物反應(yīng)形成所述聚合物，所述聚合物金屬醇鹽包含具有下式的重復(fù)單元 其中M是金屬，L各自獨(dú)立地選自二酮和醇鹽配體；所述有機(jī)化合物包含與所述聚合物金屬醇鹽的M配位的官能團(tuán)。
41.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述組合物包含溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，聚合物包含具有下式的重復(fù)單元 其中X是光衰減部分，M是金屬，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、烷氧基和苯氧基。
42.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述線路特征具有約83-90°的“a”角度。
43.一種在光刻法中使用組合物的方法，所述方法包括在基材上施涂一定量的組合物，在基材上形成一層的步驟，所述組合物包含下列組分溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，聚合物包含具有下式的重復(fù)單元 其中X是光衰減部分，M是金屬，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、烷氧基和苯氧基。
44.如權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于，所述施涂步驟包括將組合物旋涂布到所述基材表面上。
45.如權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于，所述基材具有在其上形成的孔，所述孔由底壁和側(cè)壁限定，所述施涂步驟包括在所述底壁和側(cè)壁的至少一部分上施涂所述組合物。
46.如權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述施涂步驟后，于100-250℃烘烤所述層的步驟，以制得固化層。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述烘烤層上施涂光致抗蝕劑的步驟。
48.如權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于，所述方法還包括下列步驟使至少部分所述光致抗蝕劑經(jīng)活化輻射曝光；使所述曝光的光致抗蝕劑顯影。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于，所述顯影步驟導(dǎo)致從鄰近所述曝光的光致抗蝕劑區(qū)域除去所述組合物。
50.一種在光刻法中使用組合物的方法，所述方法包括在基材上施涂一定量的組合物，在基材上形成一層的步驟，所述組合物包含下列組分溶劑體系；分散或溶解在所述溶劑體系的聚合物，通過使聚合物金屬醇鹽與有機(jī)化合物反應(yīng)形成所述聚合物，所述聚合物金屬醇鹽包含具有下式的重復(fù)單元 其中M是金屬，L各自獨(dú)立地選自二酮和醇鹽配位體；所述有機(jī)化合物包含與所述聚合物金屬醇鹽的M配位的官能團(tuán)。
51.如權(quán)利要求50所述的方法，其特征在于，所述施涂步驟包括將所述組合物旋涂到所述基材表面上。
52.如權(quán)利要求50所述的方法，其特征在于，所述基材具有在其上形成的孔，所述孔由底壁和側(cè)壁限定，所述施涂步驟包括在所述底壁和側(cè)壁的至少一部分上施涂所述組合物。
53.如權(quán)利要求50所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述施涂步驟后，于100-250℃烘烤所述層的步驟，以制得固化層。
54.如權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述烘烤層上施涂光致抗蝕劑的步驟。
55.如權(quán)利要求54所述的方法，所述方法還包括下列步驟使至少部分所述光致抗蝕劑經(jīng)活化輻射曝光；使所述曝光的光致抗蝕劑顯影。
56.如權(quán)利要求55所述的方法，其特征在于，所述顯影步驟導(dǎo)致從鄰近所述曝光的光致抗蝕劑區(qū)域除去所述組合物。
全文摘要
提供抗反射組合物以及使用這些組合物形成電路的方法。所述組合物包含溶解或分散在溶劑體系中的聚合物。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，組合物的聚合物包含式(I)的重復(fù)單元，其中，X是光衰減部分，M是金屬，R各自獨(dú)立地選自氫、烷基、芳基、烷氧基和苯氧基。制得的組合物是適于自旋輥筒的(即，在微版印刷法的烘烤階段之前或在室溫的儲存期間不發(fā)生交聯(lián))，可顯影的，并具有優(yōu)良的光學(xué)性能。
文檔編號H01L21/027GK1666146SQ03815198
公開日2005年9月7日 申請日期2003年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月25日
發(fā)明者V·克里西那莫西, C·J·奈夫, J·A·M·斯努克 申請人:部魯爾科學(xué)公司