專利名稱：拾取半導(dǎo)體芯片的方法和設(shè)備及為此使用的吸引和剝落工具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及拾取半導(dǎo)體芯片的方法和設(shè)備及用于拾取從晶片上切下并附著在粘著片(adhered to an adhesive sheet)上的半導(dǎo)體芯片的吸引和剝落工具。
背景技術(shù)：
由于近年來電子部件的小型化，半導(dǎo)體芯片被制造得越來越薄，而且100μm或更薄的、厚度相當(dāng)薄的半導(dǎo)體芯片已投入實(shí)際應(yīng)用。然而，由于這么薄的半導(dǎo)體芯片極易破裂，因此很難對(duì)這種半導(dǎo)體芯片進(jìn)行處理。尤其很難取出從晶片上切下的半導(dǎo)體芯片的各切片。在取出工序中，反復(fù)執(zhí)行通過吸入嘴使附著在粘著片上的半導(dǎo)體芯片一個(gè)接一個(gè)地從粘著片上剝落并拾取的工序。然而，當(dāng)采用常規(guī)的半導(dǎo)體芯片剝落方法、即采用由針將半導(dǎo)體芯片從所述片的下部提起的方法時(shí)，將引起在半導(dǎo)體芯片上頻繁出現(xiàn)破裂或裂縫等問題。
近年來為了解決這類問題，從所述片上取下半導(dǎo)體芯片時(shí)，常采用通過真空吸力使所述片從半導(dǎo)體芯片的下表面剝落的方法。根據(jù)該方法，由于不需要通過針來提起半導(dǎo)體芯片，所以能夠防止諸如半導(dǎo)體芯片破裂或裂縫之類的問題發(fā)生。例如在JP-A-2001-118862中公開了這種技術(shù)。
然而，根據(jù)前述方法，僅通過從半導(dǎo)體芯片的下表面真空吸引所述片，很難使半導(dǎo)體芯片與該片剝落，因此需要附帶采用加速片剝落工藝的輔助方法。例如，需要附帶采用使真空吸引表面在所述片的下表面上沿下表面相對(duì)移動(dòng)以降低片與芯片之間的粘著力的加速剝落工藝。為此，需要以復(fù)雜的方式控制機(jī)械系統(tǒng)，且由于在每一拾取操作中重復(fù)復(fù)雜的操作還需要節(jié)拍時(shí)間，由此引起延遲時(shí)間，以至于不能實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種能防止薄型半導(dǎo)體芯片破裂和裂縫并實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率的、用于拾取半導(dǎo)體芯片的方法和設(shè)備以及吸引和剝落工具。
本發(fā)明的第一方面，提供一種利用拾取頭(pick-up head)來拾取附著于片上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片拾取方法，其包括片剝落步驟，將片剝落機(jī)構(gòu)的吸引表面緊貼(abutting against)所述片的下表面，并通過吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引，從而使所述片從半導(dǎo)體芯片上剝落；和吸引和夾持步驟，通過拾取頭吸引和夾持從所述片上剝落的半導(dǎo)體芯片的上表面，從而拾取該半導(dǎo)體芯片，其中，在所述片剝落步驟中，當(dāng)通過吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引時(shí)，使附著在所述片上的半導(dǎo)體芯片在從該芯片一側(cè)的外周邊部分到該芯片另一側(cè)的外周邊部分的連續(xù)彎曲區(qū)內(nèi)以幾乎相同的彎曲形狀彎曲和變形，借此使所述片從半導(dǎo)體芯片的下表面剝落。
優(yōu)選使半導(dǎo)體芯片在多個(gè)彎曲區(qū)內(nèi)彎曲并變形。
優(yōu)選將半導(dǎo)體芯片構(gòu)成為矩形，且將彎曲區(qū)沿相對(duì)于半導(dǎo)體芯片的一側(cè)形成預(yù)定角度的方向設(shè)置。
優(yōu)選彎曲區(qū)包括半導(dǎo)體芯片的角落部分。
本發(fā)明的第二方面，提供一種利用拾取頭拾取附著在片上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備，其包括用于夾持所述片的夾持臺(tái)；設(shè)置在夾持臺(tái)之下的片剝落機(jī)構(gòu)，使該片剝落機(jī)構(gòu)的吸引表面緊貼所述片的下表面，以通過吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引，由此使所述片從半導(dǎo)體芯片上剝落，其中，所述吸引表面包括多個(gè)吸引凹槽和將相鄰的吸引凹槽分隔開的邊界部分，所述邊界部分緊貼所述片的下表面，以在每次真空吸引時(shí)支承所述片，并通過抽真空從吸引凹槽中抽取空氣，以使附著在片上的半導(dǎo)體芯片與所述片一起彎曲和變形，借此，由于彎曲變形可使所述片從半導(dǎo)體芯片的下表面上剝落。
優(yōu)選半導(dǎo)體芯片由多個(gè)通過所述片的邊界部分支承。
優(yōu)選將半導(dǎo)體芯片構(gòu)成為矩形，且將每一吸引凹槽沿相對(duì)于矩形半導(dǎo)體芯片的一側(cè)形成預(yù)定角度的方向設(shè)置。
優(yōu)選將吸引凹槽安排成當(dāng)吸引表面緊貼所述片的下表面時(shí)，半導(dǎo)體芯片的角落部分不位于邊界部分的正上方。
優(yōu)選將吸引凹槽設(shè)置在吸引剝落工具上，且將該吸引剝落工具附加在片剝落機(jī)構(gòu)上，以便自由更換。
本發(fā)明的第三方面，提供一種在利用拾取頭拾取附著在片上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備中使用的吸引剝落工具，該吸引剝落工具附加在片剝落機(jī)構(gòu)上，其具有緊貼所述片的下表面的吸引表面，以通過該吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引，借此使所述片從半導(dǎo)體芯片上剝落，其中，設(shè)置在吸引剝落工具上的吸引表面包括多個(gè)吸引凹槽和將相鄰的吸引凹槽分隔開的邊界部分，邊界部分緊貼所述片的下表面，以便在每次真空吸引時(shí)支承所述片，并通過抽真空從吸引凹槽中抽取空氣，以使附著在片上的半導(dǎo)體芯片與所述片一起彎曲和變形，借此，由于彎曲變形可使所述片從半導(dǎo)體芯片的下表面上剝落。
在將吸引表面緊貼片的下表面并通過吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引由此使所述片從半導(dǎo)體芯片上剝落的片剝落步驟中，通過吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引使附著在所述片上的半導(dǎo)體芯片和所述片一起彎曲及變形，借此，由于彎曲變形可使所述片從半導(dǎo)體芯片的下表面上剝落。因此，能夠高生產(chǎn)率地執(zhí)行拾取操作，而不至于引出如破裂或裂縫之類的很多問題。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備的結(jié)構(gòu)框圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備的片剝落機(jī)構(gòu)的透視圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備的片剝落機(jī)構(gòu)的局部橫截面圖；圖4A和4B是說明本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備的吸引剝落工具的形狀的圖；圖5A和5B、6A至6C、7A和7B、以及8A至8C用于說明本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片拾取方法中的片剝落操作情況；圖9是本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備的吸引剝落工具的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
首先，參考圖1說明半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備的結(jié)構(gòu)。在圖1中，芯片供給部分1以使夾持臺(tái)4與從XY臺(tái)2直立起的支架3組合的方式構(gòu)成。上面附著有很多各為矩形的半導(dǎo)體芯片6(下文簡稱為芯片6)的片5被夾持在夾持臺(tái)4上。
每個(gè)芯片6為通過減薄工藝形成的薄芯片，并具有硬度小且易于彎曲的性能。使用易于彎曲的硅樹脂(硅橡膠)作為片5的材料，以便在芯片6附著在所述片上的狀態(tài)下，片5容易與芯片一起彎曲和變形。在稍后描述的片剝落操作中，利用片的這種屬性可使片5與芯片6一起彎曲和變形，由此，使片5從芯片6的下表面上剝落。
片5的平滑表面具有用于保持以與平滑表面接觸的形式形成的固體表面的界面間的力。當(dāng)芯片6被推靠于平滑表面時(shí)，借助于界面間的力，使芯片6附著在片5上并被其保持在附著狀態(tài)?？赏ㄟ^將如硅溶膠、丁基橡膠以及硅橡膠之類的高分子化合物形成膜狀而制得片5。
片剝落機(jī)構(gòu)7設(shè)置在夾持臺(tái)4之下。片剝落機(jī)構(gòu)7設(shè)置有與片5的下表面接觸并吸引該下表面的粘著表面。在片剝落工藝中，借助于真空吸引力將片吸引在粘著表面，從而使片5與芯片6一起彎曲和變形。
連接于移動(dòng)臺(tái)9的拾取頭8設(shè)置在芯片供給部分1上方，使其沿水平方向自由移動(dòng)。借助于真空吸引力，通過拾取頭8的吸入嘴8a拾取從片5上剝落的芯片6。通過由移動(dòng)臺(tái)9移動(dòng)的拾取頭8將這樣拾取的芯片6安裝在設(shè)置于基底夾持臺(tái)10上的工件11上。
在夾持臺(tái)4的上方裝有設(shè)置了相機(jī)13的攝影部分12。攝影部分12對(duì)片5上的芯片6進(jìn)行攝影，并將攝影得到的圖像數(shù)據(jù)傳送到圖像識(shí)別部分14。圖像識(shí)別部分14將所傳輸?shù)膱D像數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，以檢測(cè)芯片6的位置。計(jì)算部分15為CPU，其執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分16中的程序，以執(zhí)行各種操作處理和計(jì)算。即，計(jì)算部分接收來自圖像識(shí)別部分14的識(shí)別結(jié)果并控制如下所述的各部分。
存儲(chǔ)部分6存儲(chǔ)操作各部分所需要的程序和各種數(shù)據(jù)，諸如被識(shí)別的芯片6的尺寸以及芯片在片5上的布置數(shù)據(jù)。機(jī)構(gòu)控制部分17控制拾取頭8、用于移動(dòng)拾取頭的移動(dòng)臺(tái)9、片剝落機(jī)構(gòu)7和XY臺(tái)2。顯示部分18顯示被攝影的芯片6的圖像，并在每次操作工序和輸入工序時(shí)放映。操作/輸入部分19是如用于輸入操作指令和數(shù)據(jù)的鍵盤之類的輸入器件。
接著，參考圖2和3說明片剝落機(jī)構(gòu)7的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，片剝落機(jī)構(gòu)7由主機(jī)構(gòu)體部分20、被主機(jī)構(gòu)體部分20保持以便于自由旋轉(zhuǎn)的支承軸部分21和吸引剝落工具22構(gòu)成?？筛鶕?jù)芯片6的形狀和尺寸分別獨(dú)立地準(zhǔn)備吸引剝落工具22。通過螺栓孔22e(參見圖4)和螺栓23可將吸引剝落工具22連接在支承軸部分21的上表面上，以便于自由更換。因此能方便地更換吸引剝落工具22。
吸引剝落工具22的上表面用作緊貼片5的粘著表面22a，以便通過真空吸引力吸引該片的下表面。在粘著表面22a上形成多個(gè)線性吸引凹槽22b。形成在每一吸引凹槽22b底部的吸引孔22c與支承軸部分21的內(nèi)部孔21a連通。內(nèi)部孔21a與真空吸引源25相連，借此，通過驅(qū)動(dòng)真空吸引源25可將吸引凹槽22b內(nèi)的空氣吸走。在每一吸引凹槽22b上設(shè)置多個(gè)吸引孔22c，因此，即使設(shè)置于吸引凹槽上的吸引孔22c中之一被封閉或堵塞，仍可吸走吸引凹槽22b內(nèi)的空氣。
圖3中示出的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24組裝在主機(jī)構(gòu)體部分20內(nèi)。通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24可以將吸引剝落工具22繞垂直軸旋轉(zhuǎn)。因此，可以將環(huán)繞垂直軸的吸引剝落工具22的粘著表面22a的角度設(shè)置為任意角，于是，如下所述，可以將吸引凹槽22b的角度設(shè)置成與待剝落的矩形芯片6一側(cè)呈最適合吸引和剝落操作的預(yù)定角度。可以按以下方式構(gòu)成該設(shè)備將夾持臺(tái)4旋轉(zhuǎn)角度θ以代替旋轉(zhuǎn)吸引剝落工具22。此外，如下所述，該設(shè)備也可不設(shè)置任何旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。
接著，參考圖4A和4B說明形成在粘著表面22a上的吸引凹槽22b的形狀。如圖4A和4B所示，在粘著表面22a上形成四個(gè)各具有寬度B和長度L的吸引凹槽22b，以便于彼此對(duì)準(zhǔn)。通過邊界部分22d將吸引凹槽彼此分隔開。每一吸引凹槽22b被設(shè)置成不突出，因此在吸引工序時(shí)對(duì)片5的彎曲和變形操作不產(chǎn)生影響。
可根據(jù)待處理的芯片6的尺寸設(shè)置每一吸引凹槽22b的寬度B和長度L以及吸引凹槽的對(duì)準(zhǔn)數(shù)。而且，可將每一吸引凹槽22b的寬度B和粘著表面22a與芯片6之間的相對(duì)位置設(shè)置成通過多個(gè)吸引凹槽22b吸引相應(yīng)于單個(gè)芯片6的整個(gè)面積，且在粘著表面22a與片5的下表面緊貼的情況下，使芯片6的端部不位于邊界部分22d的正上方(見圖5A和5B)。
在通過粘著表面22a進(jìn)行真空吸引時(shí)，由于在粘著表面22a的同一平面上形成邊界部分22d，所以分隔多個(gè)吸引凹槽22b的多個(gè)邊界部分22d的上表面與片5的下表面緊貼，由此從片5的下側(cè)支承該片。也就是說，由通過片5的多個(gè)邊界部分22d以相同的方式支承芯片6，所以在吸引工序中，每一芯片6均保持水平狀態(tài)。
如果在這種狀態(tài)下進(jìn)行真空吸引操作，如下所述，附著在片5上的芯片6可與片5一起彎曲和變形，因此，由于彎曲變形，片5可從芯片6的下表面剝落。不必將每一邊界部分22d構(gòu)造成通過連續(xù)的分隔平面完全分隔相鄰的吸引凹槽22b，而可以構(gòu)造成間斷的或不連續(xù)的平面。可供選擇的是，可將每一邊界部分構(gòu)造成按虛線形式設(shè)置上表面位于與粘著表面22a相同平面上的列狀(column-shaped)分隔部分。
將本實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備按上述方式構(gòu)成。接著，參考

在芯片6的拾取工藝中片5的剝落操作。首先，通過夾持臺(tái)4夾持上面附著有芯片6的片5(參見圖1)。接著，使片剝落機(jī)構(gòu)7的粘著表面22a與片5的下表面緊貼。
在這種情況下，如圖5A所示，驅(qū)動(dòng)片剝落機(jī)構(gòu)7的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)24，以調(diào)節(jié)吸引剝落工具22的旋轉(zhuǎn)角度，將吸引凹槽22b調(diào)整到相對(duì)于待剝落芯片6的側(cè)邊6a成預(yù)先設(shè)定的預(yù)定角度α(在該實(shí)例中為45度)。當(dāng)沒有用于旋轉(zhuǎn)工具的機(jī)構(gòu)時(shí)，可將吸引剝落工具22設(shè)計(jì)、制造、安置成使吸引凹槽22b相對(duì)于待剝落的芯片6的側(cè)邊6a呈預(yù)先設(shè)定的預(yù)定角度α(在該實(shí)例中為45度)。調(diào)節(jié)片剝落機(jī)構(gòu)7與片5的相對(duì)位置，使芯片6的每一角落部分6b不位于邊界部分22d的正上方，而沿吸引凹槽22b的寬度方向幾乎位于其中心部分。在圖5A至8C中，在以矩陣圖形附著于片5上的所有芯片6中，僅示出了待進(jìn)行吸引剝落操作的芯片6，而未示出其它芯片。
接著，執(zhí)行吸引剝落操作。首先，驅(qū)動(dòng)真空吸引源25，以通過吸引孔22c真空抽吸空氣，借此，使附著在片5上的芯片6彎曲和變形成適合于吸引凹槽22b的形狀，如圖6A中所示。再參考圖7A、7B、8A、8B和8C說明在這種情況下的變形操作。
圖7A示出了芯片6的支承部位和變形區(qū)。在該實(shí)例中，從芯片的下側(cè)以邊界部分與芯片的對(duì)角線一致的對(duì)稱方式通過三個(gè)邊界部分22d支承芯片6。當(dāng)在這種狀態(tài)下通過抽真空抽取空氣時(shí)，如圖7B所示，由于通過吸引凹槽22b與外部之間的真空吸引而導(dǎo)致的壓力差，平均分布的壓力從上部方向施加在芯片6上。由于此壓力，芯片6與片5一起以朝下凸出的形狀彎曲和變形。由于壓力差而引起的壓力直接作用在與芯片6各側(cè)外部的切割凹槽相應(yīng)的區(qū)域內(nèi)的片5b上。
如圖7A所看到的平面中由各邊界部分22d之間斜線范圍所示出的那樣，芯片6在從芯片6的一側(cè)6a的外周邊部分到另一側(cè)6a的外周邊部分的連續(xù)彎曲區(qū)內(nèi)以幾乎相同的彎曲形狀彎曲和變形。也就是說，將彎曲區(qū)設(shè)定在相對(duì)于芯片6的邊側(cè)6a形成α角的方向上。在這種彎曲變形中，由于芯片6與片5之間的機(jī)械屬性的差異，在膜表面方向上的偏移量不同。結(jié)果，在芯片6與片5之間的粘著邊界表面5a將發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)。
當(dāng)通過吸引孔22c進(jìn)一步繼續(xù)吸引操作時(shí)，彎曲量D加大，由此導(dǎo)致大的彎曲變形。因此，在粘著邊界表面5a的相對(duì)滑動(dòng)程度進(jìn)一步增加，于是芯片6與片5之間的粘著力降低。隨著粘著力的降低，如圖8B所示，在芯片6的外周邊部分易于發(fā)生使粘著邊界表面5a部分分離的開口運(yùn)動(dòng)(opening motion)(參見圖中由箭頭示出的間隙G)。
這種開口運(yùn)動(dòng)明顯發(fā)生在芯片6的外周邊部分中的每一具有突出形狀的角落部分6b處。一旦發(fā)生這種開口運(yùn)動(dòng)，與吸引凹槽22b的內(nèi)側(cè)與外側(cè)之間的壓力差相應(yīng)的壓力作用在發(fā)生開口運(yùn)動(dòng)的片5的部分處，借此進(jìn)一步促進(jìn)開口運(yùn)動(dòng)。由于此時(shí)起促進(jìn)片5與芯片6之間的開口運(yùn)動(dòng)作用的芯片6的彈性恢復(fù)力使因開口運(yùn)動(dòng)而引起與片5分離的角落部分6b附近的部分的彎曲量減小，從而發(fā)展為剝落。在這種方式下，若促進(jìn)開口運(yùn)動(dòng)，只要通過吸引孔22c用真空吸引力向下推片5。于是，如圖8C所示，片5在芯片6的整個(gè)下表面上與芯片6剝落。
之后，片5進(jìn)一步與芯片6剝落，如圖6B所示，在將片5放置成使該片被吸引并附著在吸引凹槽22b中的吸引孔22c上的情況下，由于芯片6的彈性恢復(fù)力可消減芯片6的彎曲變形，因而所述片恢復(fù)平面狀態(tài)。在這種情況下，由于在吸引凹槽22b中設(shè)置了多個(gè)吸引孔22c，所以即使片5封閉或堵塞了吸引孔22c之一，通過另一吸引孔22c可以繼續(xù)真空吸引操作。這種吸引剝落操作可在幾十毫秒的短時(shí)間周期內(nèi)完成，因此可以相當(dāng)有效地使片剝落。然后如圖6C所示，相對(duì)于芯片6提升移動(dòng)吸入嘴8a，借此取走芯片，從而完成芯片6的拾取操作。
如上所述，在本實(shí)施方式中示出的片剝落操作中，芯片6與片5一起被大幅度地彎曲和變形到使芯片6的粘著邊界表面處的粘著力降低的程度，以引起片5與芯片之間的開口運(yùn)動(dòng)，借此將芯片6從片5上的剝落從所出現(xiàn)的開口運(yùn)動(dòng)點(diǎn)傳遞到芯片的整個(gè)表面。
因此，與傳統(tǒng)的、需要加速片剝落工藝的輔助方法以便于真空吸引表面在片的下表面上沿下表面相對(duì)運(yùn)動(dòng)而降低片與芯片之間的粘著力的方法相比，本實(shí)施方式是一種能實(shí)現(xiàn)極好的片剝落的方法。
也就是說，在剝落操作中，僅需要將工具20的粘著表面22a緊貼片5以實(shí)現(xiàn)真空吸引。因此，在本實(shí)施方式中，可以省去在傳統(tǒng)技術(shù)中對(duì)必不可少的機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行的復(fù)雜控制，而且不會(huì)出現(xiàn)由于在每一拾取操作中重復(fù)所述復(fù)雜的操作而產(chǎn)生的節(jié)拍時(shí)間所引起的延遲。因此，可以防止薄型半導(dǎo)體芯片出現(xiàn)如破裂或裂縫之類的問題，并能實(shí)現(xiàn)高的生產(chǎn)率。
至于吸引剝落工具22的吸引凹槽的形狀和布置，可以不設(shè)置多個(gè)各自具有相同結(jié)構(gòu)的吸引凹槽，而可如圖9所示將具有不同形狀的各種吸引凹槽組合在一起。在該圖所示出的實(shí)例中，在吸引剝落工具32的上表面上，使三個(gè)各自具有寬度B1的吸引凹槽32a對(duì)準(zhǔn)，而另外兩個(gè)各自具有大于B1的寬度B2的吸引凹槽32b分別設(shè)置在所述三個(gè)吸引凹槽的外側(cè)。每一吸引凹槽32a、32b都設(shè)有吸引孔32c。如果將設(shè)置在外側(cè)的每一吸引凹槽32b的寬度制作得較大，可以確保芯片6的各角落部分6b的延伸邊緣大，借此能可靠而有利地形成開口運(yùn)動(dòng)。
而且，根據(jù)前述實(shí)施方式，使芯片6的對(duì)角方向與吸引凹槽22b的方向?qū)?zhǔn)，致使芯片6的側(cè)邊6a被設(shè)定成相對(duì)于吸引凹槽22b成45度角。業(yè)已證明，在很多情況下這種設(shè)定是理想的。然而，根據(jù)如芯片6和片5的硬度、吸引凹槽22b的寬度B以及真空吸引力之類的條件的結(jié)合，可將側(cè)邊6a設(shè)定成幾乎與吸引凹槽22b對(duì)準(zhǔn)。簡而言之，只有能實(shí)現(xiàn)通過真空吸引使芯片彎曲和變形至足以在芯片6的外周邊部分的粘著邊界表面產(chǎn)生開口運(yùn)動(dòng)的程度的條件才是足夠的。
在本實(shí)施方式中示出的片剝落機(jī)構(gòu)的操作期間，通過使吸入嘴8a相對(duì)于芯片6降低、借助于吸入嘴8a可吸引芯片6。在這種情況下，將吸入嘴8a相對(duì)于芯片6的吸引力設(shè)定為不超過通過從吸引孔22c的真空吸引而在芯片6上產(chǎn)生的壓力。因此，芯片可以被彎曲和變形至足以在芯片6的外周邊部分的粘著邊界表面產(chǎn)生開口運(yùn)動(dòng)的程度。
工業(yè)應(yīng)用如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于吸引表面與片的下表面緊貼，然后通過吸引表面執(zhí)行真空吸引，借此使附著在片上的半導(dǎo)體芯片與片一起彎曲和變形，因而由于彎曲變形而使所述片從半導(dǎo)體芯片的下表面剝落。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)高生產(chǎn)率的拾取操作，而不會(huì)引起如破裂或裂縫之類的很多問題。
權(quán)利要求
1.一種利用拾取頭拾取附著于片上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片拾取方法，包括片剝落步驟，將片剝落機(jī)構(gòu)的吸引表面緊貼所述片的下表面，并通過所述吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引，從而使所述片從所述半導(dǎo)體芯片上剝落；和吸引和夾持步驟，通過所述拾取頭吸引和夾持從所述片上剝落的所述半導(dǎo)體芯片的上表面，從而拾取該半導(dǎo)體芯片，其中，在所述片剝落步驟中，當(dāng)通過所述吸引表面實(shí)現(xiàn)所述真空吸引時(shí)，使附著在所述片上的所述半導(dǎo)體芯片在從該芯片一側(cè)的外周邊部分到該芯片另一側(cè)的外周邊部分的連續(xù)彎曲區(qū)內(nèi)以幾乎相同的彎曲形狀彎曲和變形，借此使所述片從所述半導(dǎo)體芯片的下表面剝落。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片拾取方法，其中，所述半導(dǎo)體芯片在多個(gè)所述彎曲區(qū)內(nèi)彎曲和變形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片拾取方法，其中，將所述半導(dǎo)體芯片構(gòu)造成矩形，且將所述彎曲區(qū)沿相對(duì)于所述半導(dǎo)體芯片的一側(cè)形成預(yù)定角度的方向設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體芯片拾取方法，其中，所述彎曲區(qū)包括所述半導(dǎo)體芯片的角落部分。
5.一種利用拾取頭拾取附著在片上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備，包括用于夾持所述片的夾持臺(tái)；和設(shè)置在所述夾持臺(tái)之下的片剝落機(jī)構(gòu)，將該片剝落機(jī)構(gòu)的吸引表面緊貼所述片的下表面，以通過所述吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引，從而使所述片從所述半導(dǎo)體芯片上剝落，其中，所述吸引表面包括多個(gè)吸引凹槽和將相鄰的所述吸引凹槽分隔開的邊界部分，所述邊界部分緊貼所述片的所述下表面，以在每次真空吸引時(shí)支承所述片，并通過抽真空從所述吸引凹槽中抽取空氣，以使附著在所述片上的所述半導(dǎo)體芯片與所述片一起彎曲和變形，借此，由于彎曲變形可使所述片從所述半導(dǎo)體芯片的下表面上剝落。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體芯片由通過所述片的多個(gè)所述邊界部分支承。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備，其中，將所述半導(dǎo)體芯片構(gòu)造成矩形，且將每一吸引凹槽沿相對(duì)于所述矩形形狀的半導(dǎo)體芯片的一側(cè)形成預(yù)定角度的方向設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備，其中，將所述吸引凹槽安排成當(dāng)所述吸引表面緊貼所述片的所述下表面時(shí)，所述半導(dǎo)體芯片的角落部分不位于所述邊界部分的正上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備，其中，將所述吸引凹槽設(shè)置在吸引剝落工具上，且將該吸引剝落工具附加在所述片剝落機(jī)構(gòu)上，以便自由更換。
10.一種在利用拾取頭拾取附著在片上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片拾取設(shè)備中使用的吸引剝落工具，包括附加在片剝落機(jī)構(gòu)上的吸引剝落工具，其具有緊貼所述片的下表面的吸引表面，以通過所述吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引，借此使所述片從所述半導(dǎo)體芯片上剝落，其中，設(shè)置在所述吸引剝落工具上的所述吸引表面包括多個(gè)吸引凹槽和將相鄰的所述吸引凹槽分隔開的邊界部分，所述邊界部分緊貼所述片的所述下表面，以便在每次真空吸引時(shí)支承所述片，并通過抽真空從所述吸引凹槽中抽取空氣，以使附著在所述片上的所述半導(dǎo)體芯片與所述片一起彎曲和變形，借此，由于彎曲變形使所述片從所述半導(dǎo)體芯片的下表面上剝落。
11.一種利用拾取頭拾取附著于片上的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片拾取方法，包括下述步驟將片剝落機(jī)構(gòu)的吸引表面緊貼所述片的下表面；通過所述吸引表面實(shí)現(xiàn)真空吸引，由此使所述片從所述半導(dǎo)體芯片上剝落，使附著在所述片上的所述半導(dǎo)體芯片在從該芯片一側(cè)的外周邊部分到該芯片另一側(cè)的外周邊部分的連續(xù)彎曲區(qū)內(nèi)以幾乎相同的彎曲形狀彎曲和變形，借此使所述片從所述半導(dǎo)體芯片的下表面剝落；和通過所述拾取頭吸引和夾持所述半導(dǎo)體芯片的上表面而拾取所述半導(dǎo)體芯片。
全文摘要
在拾取附著在粘著片5上的薄型芯片6的操作的粘著片剝落工藝中，將粘著表面22a上設(shè)有多個(gè)吸引凹槽22b的吸引剝落工具22緊貼粘著片5的下表面，然后，真空抽取吸引凹槽22b內(nèi)的空氣，以使粘著片5與芯片6一起彎曲和變形，借此，因彎曲變形而使片5從半導(dǎo)體芯片6的下表面上剝落。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)高生產(chǎn)率的拾取操作而不會(huì)引起如破裂或裂縫之類的問題。
文檔編號(hào)H01L21/301GK1669119SQ0381666
公開日2005年9月14日 申請(qǐng)日期2003年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月17日
發(fā)明者大園滿, 笠井輝明 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社