專利名稱：形成半導(dǎo)體基體上的絕緣膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的絕緣膜，特別是薄膜晶體管(TFT)的柵極絕緣膜，尤其是液晶顯示器等顯示器(LCD)用的TFT的柵極氧化物膜形成。
背景技術(shù)：
絕緣膜在種種半導(dǎo)體器件中使用，為了形成絕緣膜使用半導(dǎo)體基體的氧化或氮化、CVD(化學(xué)氣相沉積)、PVD(物理氣相沉積)、涂敷之類種種技術(shù)。這里，在需要比較高質(zhì)量的絕緣膜的用途、例如集成電路的柵極絕緣膜的用途中，往往使用使基底的膜變性的熱或等離子體的氧化或氮化之類變性處理，此外在需要比較大的成膜速度的用途，例如保護(hù)層和LCD的柵極絕緣膜的用途中，往往使用CVD之類沉積處理。這是因?yàn)橥ㄟ^這些處理所得到的膜質(zhì)不同，例如通過這種變性處理所得到的絕緣膜的界面能級(jí)密度為例如5×1010eV-1·cm-2左右而比較小，且通過CVD之類沉積處理所得到的界面能級(jí)密度為例如5×1012eV-1·cm-2左右而比較大的緣故。另外，也因?yàn)橥ㄟ^這些變性處理所得到的膜的成膜速度比較小，且通過沉積處理所得到的成膜速度比較大的緣故。
關(guān)于這些在近年來，在半導(dǎo)體器件的制造工序中，有時(shí)使用用于成膜的等離子體處理裝置。例如，在典型的微波等離子體處理裝置中，使2.45GHz左右的微波通過窄縫電極，導(dǎo)入配置有半導(dǎo)體晶片或LCD基板等被處理體的減壓處理室內(nèi)。微波把這些反應(yīng)體氣體等離子體化，成為活性強(qiáng)的自由基和離子，與被處理體反應(yīng)而進(jìn)行成膜處理。這里一般來說，把促進(jìn)等離子體的激勵(lì)的氬氣之類稀有氣體與反應(yīng)體氣體導(dǎo)入處理室。
在使用等離子體作成絕緣膜的情況下，該反應(yīng)體氣體，例如，在稱為場氧化的半導(dǎo)體基體的氧化處理中是氧氣和根據(jù)情況的不同而為氫，在CVD中是原硅酸四乙酯(TEOS)和氧。特別是，在LCD的制造中，為了形成晶體管的柵極絕緣膜一般進(jìn)行等離子體CVD處理。關(guān)于這些絕緣膜形成技術(shù)，參照特開平第11-293470號(hào)、特開平第二001-274148號(hào)說明書等。
雖然在以外一般進(jìn)行的使用硅基板的熱氧化法形成二氧化硅的絕緣膜的情況下需要大約1000℃的高溫，但是等離子體硅氧化物膜可以在比熱氧化法低的溫度下生長。因而，對(duì)不宜于高溫的器件是優(yōu)選的，具有生長速度大，可以容易地獲得壓縮應(yīng)力膜，膜很致密，此外沒有氧化速度的面方位依存性這樣的特征。
雖然以外的絕緣膜形成處理各有優(yōu)點(diǎn)，但是不能說就一定滿足所有當(dāng)前和未來的膜質(zhì)和成膜速度的要求。例如，雖然作為表示絕緣膜的性質(zhì)的參數(shù)，有由界面能級(jí)密度所表示的懸掛鍵、絕緣耐電壓、膜密度、成膜速度等，但是當(dāng)前仍需要能柔性地滿足這些參數(shù)的要求的成膜方法和裝置。因而，本發(fā)明提供一種用來滿足關(guān)于絕緣膜的評(píng)價(jià)中所使用的參數(shù)的要求的方法。
以往，在LCD的TFT開關(guān)中使用無定形硅，其柵極氧化物膜在CVD處理中制造。但是，可以認(rèn)為用CVD實(shí)現(xiàn)近年所開發(fā)的多晶硅和連續(xù)粒狀結(jié)晶硅(CGS)TFT開關(guān)的柵極氧化物膜中所要求的膜質(zhì)是困難的。
因而，也考慮了進(jìn)行等離子體氧化之類氧化已經(jīng)沉積的硅基體的所謂場氧化處理。但是，基于CVD的成膜速度典型地為1000/分強(qiáng)，與此相對(duì)，基于場氧化的成膜速度為20/分左右。進(jìn)而，在場氧化中，因?yàn)橥ㄟ^氧在所形成的氧化物膜中擴(kuò)散而進(jìn)行成膜處理，所以隨著膜厚的加厚成膜速度減慢。由此，在使用場氧化的情況下，為了實(shí)現(xiàn)在LCD的TFT(例如使用大約15V或35V的柵極電壓)中所要求的大的絕緣耐電壓和氧化物膜的對(duì)應(yīng)的比較厚的膜厚(例如1000)就需要長時(shí)間的成膜處理而不現(xiàn)實(shí)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，在本發(fā)明中，提供一種短時(shí)間內(nèi)獲得具有所要求的膜質(zhì)的絕緣膜用的方法。
本發(fā)明是一種形成半導(dǎo)體基體上的絕緣膜的方法，其包括進(jìn)行對(duì)半導(dǎo)體基體進(jìn)行變性處理并形成第一絕緣膜、在所述第一絕緣膜上沉積第二絕緣膜的沉積處理。該半導(dǎo)體基體上的絕緣膜特別是柵極絕緣膜，尤其是TFT的柵極絕緣膜，更特別是LCD等顯示器用的TFT的柵極氧化物膜。
在本發(fā)明的一種方式中，半導(dǎo)體基體是硅基體，例如多晶硅基體、連續(xù)粒狀結(jié)晶硅基體或單晶硅基體。
在本發(fā)明的一種方式中，第一絕緣膜和第二絕緣膜都是氧化物膜。
在本發(fā)明的一種方式中，第一絕緣膜是氧化物膜，且第二絕緣膜是氮化物膜。
在本發(fā)明的一種方式中，第一絕緣膜的厚度為10～100，特別是10～30。此外，第一絕緣膜的厚度可以為滿足關(guān)于半導(dǎo)體基體/第一絕緣膜的界面，例如硅基體/氧化硅的界面的性質(zhì)的要求的足夠的厚度。
在本發(fā)明的一種方式中，第二絕緣膜的厚度為100～2000，特別是500～1000。此外，第二絕緣膜的厚度可以為滿足關(guān)于具有第一絕緣膜和第二絕緣膜的絕緣膜的絕緣耐電壓的要求的厚度。
在本發(fā)明的一種方式中，第一絕緣膜與半導(dǎo)體基體的界面能級(jí)密度為不足1012eV-1·cm-2，例如1012～1010eV-1·cm-2，優(yōu)選是不足1010eV-1·cm-2，例如1010～109eV-1·cm-2。
在本發(fā)明的一種方式中，包括第一絕緣膜和第二絕緣膜的半導(dǎo)體基體上的絕緣膜的絕緣耐電壓具有適應(yīng)想要的用途的絕緣耐電壓，例如該絕緣耐電壓為10V強(qiáng)、20V強(qiáng)、或30V強(qiáng)。
在本發(fā)明的一種方式中，變性處理是半導(dǎo)體基體的熱或等離子體氧化或氮化處理，而且沉積處理是CVD處理。再者，該沉積處理，也可以是PVD、涂敷。
在本發(fā)明的一種方式中，變性處理是等離子體氧化處理，且沉積處理是等離子體CVD處理。
在本發(fā)明的一種方式中，等離子體氧化處理的氣氛含有稀有氣體和氧。這里優(yōu)選是，稀有氣體與氧的流量比率為100∶3以下。稀有氣體是例如氪。
在本發(fā)明的一種方式中，等離子體CVD處理的氣氛含有氧氣和含有硅的氣體。該含有硅的氣體是例如甲硅烷SH4。
在本發(fā)明的一種方式中，第一絕緣膜的平均成膜速度為10～100/分，特別是10～50/分，且第二絕緣膜的平均成膜速度為100～10000/分，特別是500～1000/分。
此外，本發(fā)明是在半導(dǎo)體基體上作成包括第一絕緣膜和第二絕緣膜的絕緣膜的方法，提供一種在半導(dǎo)體基體上作成鄰接于前述半導(dǎo)體基體的前述第一絕緣膜的平均成膜速度、與在前述半導(dǎo)體基體的反對(duì)側(cè)鄰接于前述第一絕緣膜的前述第二絕緣膜的成膜速度之比為1∶1000～1∶1，特別是1∶100～1∶10的包括第一絕緣膜與第二絕緣膜的絕緣膜的方法。
等離子體的發(fā)生機(jī)構(gòu)，是例如感應(yīng)耦合等離子體(ICP)發(fā)生裝置，或窄縫放射型微波激勵(lì)等離子體發(fā)生裝置，特別是徑向線縫隙天線(RLSA)微波激勵(lì)等離子體發(fā)生裝置之類微波激勵(lì)等離子體發(fā)生裝置。該方法可以具有根據(jù)本說明書所述可以理解的其他任意的特征。
本發(fā)明的其他目的和更多的特征，由參照以下附圖所說明的優(yōu)選


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)方式中所形成的絕緣體膜的成膜工序的圖。
圖2是表示本發(fā)明的一個(gè)方式中使用的RLSA微波等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的概略方框圖。
圖3是圖2的RLSA微波等離子體處理裝置中所使用的天線的平面圖。
圖4是使用圖2的等離子體處理裝置的組合工具的俯視圖。
圖5是表示硅表面的直接氧化引起的成膜速度的時(shí)間依存性的圖。
圖6是表示CVD的氧化物膜的成膜速度的圖。
下述附圖中符號(hào)的意義說明如下101硅基體，102第一絕緣膜，103第二絕緣膜，200 RLSA等離子體處理裝置，201閘閥，202處理室，204基座，206真空泵，208頂板，210微波源，240、270氣體供給管，300天線，400組合工具，410處理系統(tǒng)部，430負(fù)載鎖緊室，450搬送系統(tǒng)部，470搬送臺(tái)，480盒臺(tái)。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，就本發(fā)明的舉例表示的方式中使用的裝置進(jìn)行說明。再者，在各圖中同一標(biāo)號(hào)表示同一構(gòu)件。
這里圖2是可以形成本發(fā)明的絕緣膜的徑向線縫隙天線(RLSA(Radial Line Slot Antenna))等離子體處理裝置200的概略方框圖。
再者，雖然在以下中針對(duì)RLSA等離子體處理裝置說明本發(fā)明，但是本發(fā)明的絕緣膜也可以使用等離子體處理裝置以外的任意的裝置獲得。優(yōu)選是在本發(fā)明中使用等離子體處理裝置。這是因?yàn)榈入x子體處理裝置可以在比較低的溫度下成膜和實(shí)現(xiàn)良好的膜質(zhì)的緣故。更優(yōu)選是使用可以發(fā)生高密度等離子體的RLSA等離子體處理裝置之類微波等離子體裝置、ICP(感應(yīng)耦合型)等離子體裝置、ECR等離子體裝置等。
本實(shí)施例的微波等離子體處理裝置200包括連通于組合工具400的閘閥201、能夠收容載置半導(dǎo)體晶片基板或LCD基板等被處理體W的基座204的處理室202、連接于處理室202的真空泵206、頂板208、微波源210、天線300、以及氣體供給管240和270。再者，關(guān)于等離子體處理裝置200的控制系統(tǒng)省略了圖示。
處理室202的側(cè)壁或底部由鋁等導(dǎo)體來構(gòu)成。雖然這里處理室202例示了具有圓筒形狀，但是其形狀是任意的。在處理室202內(nèi)，支持著基座204與其上的被處理體W。
頂板208是封住處理室202的上部的由石英或氮化鋁之類介電體材料作成的圓筒形狀體。
在天線300上，如圖3中所示，多個(gè)窄縫310存在于同心圓上。該天線300由例如厚度1mm以下的銅板制成，配置于頂板208的上面。各窄縫310是大致方形的貫通孔，鄰接的窄縫相互正交而構(gòu)成字母T字形的形狀。窄縫310的配置、形狀等依存于在微波發(fā)生源210中發(fā)生的微波的波長、成為必要的等離子體等而確定。作為隨意的滯波材料224，為了縮短微波的波長選擇具有規(guī)定的介電率并且熱傳導(dǎo)率高的規(guī)定的材料。
微波源210由例如磁控管組成，通常可以發(fā)生2.45GHz的微波(例如5kW)。微波然后通過矩形導(dǎo)波管211、模式變換器212、圓形同軸導(dǎo)波管213，到達(dá)天線構(gòu)件300。再者，在圖2中，省略了吸收返回到磁控管的微波的絕緣體等裝置。
根據(jù)需要基座204可以在處理室202內(nèi)進(jìn)行被處理體W的溫度控制。在該情況下，溫度調(diào)解裝置(未畫出)控制基座204的溫度。此外基座204可以構(gòu)成為能夠在處理室202內(nèi)升降，關(guān)于該基座204也可以運(yùn)用本專業(yè)的技術(shù)人員公知的技術(shù)。
氣體供給管240和270連接于氣體供給源、閥門、質(zhì)量流量控制器等(未畫出)。雖然這里，把處理氣體直接供給到處理室202，但是也可以為經(jīng)由處理室202的上部的噴淋板(未畫出)均一地供給。
處理室202的內(nèi)部，可以由真空泵206維持規(guī)定的減壓。真空泵206對(duì)處理室202均一地排氣，把等離子體密度保持均一，防止等離子體密度部分地集中而被處理體W的處理不均一。
組合工具400可為圖4中所示的組合工具。此組合工具400由對(duì)作為被處理基板的晶片W進(jìn)行成膜處理、擴(kuò)散處理、蝕刻處理等處理的處理系統(tǒng)部410，和對(duì)此處理系統(tǒng)部410搬入、搬出晶片W的搬送系統(tǒng)部450來構(gòu)成。
處理系統(tǒng)部410由構(gòu)成為能夠抽真空的移載室411、和經(jīng)由閘閥201A～201D連接的四個(gè)處理腔200A～200D組成，在各腔200A～200D中可以對(duì)晶片W進(jìn)行同種或異種處理。此外，在移放室411內(nèi)，設(shè)有屈伸和旋轉(zhuǎn)自如地構(gòu)成的移載臂412，在各處理腔200A～200D或后述的負(fù)載鎖緊室430A和B間進(jìn)行晶片W的交接。
另一方面，搬送系統(tǒng)部450由放置載置盒用的盒臺(tái)480與使搬送晶片W進(jìn)行交接用的搬送臂471移動(dòng)的搬送臺(tái)470組成。在盒臺(tái)480上，設(shè)有容器載置臺(tái)481，這里可以放置多個(gè)，在圖示例子中最大四個(gè)載置盒483。在載置盒483上，可以等間隔地多級(jí)載置收容例如最大25個(gè)晶片W。
在搬送臺(tái)470上，設(shè)有其中心部沿著縱長方向延伸的導(dǎo)軌472，在該導(dǎo)軌472能夠滑動(dòng)移動(dòng)地支持上述搬送臂471。此外，在搬送臺(tái)470的另一端上，設(shè)有作為進(jìn)行晶片W的定位的方向定位裝置的方位器475。
在處理系統(tǒng)部410與搬送系統(tǒng)部450之間，設(shè)有可以抽真空的兩個(gè)負(fù)載鎖緊室430A、430B。
以下，就根據(jù)本發(fā)明的絕緣膜的制造方法進(jìn)行說明。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的絕緣膜的制造工序的垂直剖視圖，在此圖1(a)中，示出硅基體101。該硅基體101可以是任意的硅基體，例如硅晶片、無定形硅、低溫多晶硅、連續(xù)粒狀結(jié)晶硅等。
通過對(duì)圖1的(a)的硅基體進(jìn)行變性處理獲得圖1的(b)的第一絕緣膜102。該變性處理可以是熱氧化、熱氮化、熱氧氮化、等離子體氧化、等離子體氮化、等離子體氧氮化這樣的任意的變性處理。因而，該圖1的(b)的第一絕緣膜102可以是所謂場氧化、氮化、氧氮化物膜。
在用來制造該第一絕緣膜的變性處理中使用等離子體氧化的情況下，從圖2的處理裝置100的處理氣體供給路240和270供給氬氣、氪氣之類稀有氣體和氧氣。作為該情況下的處理?xiàng)l件，對(duì)于8英寸晶片可以舉出以下的條件O2流量10～1000sccm，例如120sccmKr流量100～10000sccm，例如1500sccm處理溫度100～500℃，例如250℃壓力1～1000Pa，例如90Pa等離子體源輸出100～6000W，例如2000W在圖1的(b)的第一絕緣膜102上通過進(jìn)行沉積處理獲得圖1的(c)的第二絕緣膜103。該沉積處理可以是CVD、PVD、涂敷這樣的任意的變性處理。因而，該圖1的(c)的第二絕緣膜103可以是所謂沉積氧化物、氮化物、氧氮化物膜、聚合物膜。
在用來制造該第二絕緣膜的沉積處理中使用等離子體CVD形成二氧化硅層的情況下，從圖2的處理裝置100的處理氣體供給路240和270供給氬氣、氪氣之類稀有氣體、SiH4或TEOS之類含硅氣體。再者，雖然在圖2中示出兩個(gè)供給路，但是可以從任意數(shù)的供給路供給氣體。
作為該情況下的處理?xiàng)l件，關(guān)于8英寸晶片可以舉出以下條件SiH4流量1～1000sccm，例如50～200sccmO2流量10～10000sccm，例如1000sccm處理溫度100～500℃，例如350℃壓力1～1000Pa，例如10Pa等離子體源輸出100～6000W，例如2000W通過如上所述形成第一絕緣膜和第二絕緣膜可以形成本發(fā)明的絕緣膜。
如果用本發(fā)明的方法，則通過半導(dǎo)體基體的變性處理與其后的沉積處理的組合可以獲得獨(dú)自的絕緣膜。
本發(fā)明的方法優(yōu)選可以調(diào)節(jié)關(guān)于通過半導(dǎo)體基體的變性處理所得到的界面的性質(zhì)，和關(guān)于通過其后的沉積處理所得到的主體的性質(zhì)。
優(yōu)選是，變性處理和沉積處理全都是使用等離子體的處理。在該情況下，關(guān)于如上所述所得到的器件的可靠性、處理的柔軟性等優(yōu)選。此外如上所述所得到的膜質(zhì)一般很好。進(jìn)而，變性處理和沉積處理全都是等離子體處理，由此在同一裝置內(nèi)進(jìn)行這些處理成為可能。
優(yōu)選是，使通過半導(dǎo)體基體的變性處理所得到的良好的界面特性的優(yōu)點(diǎn)，與通過沉積處理所得到的迅速成膜的優(yōu)點(diǎn)兩者成立。也就是說例如，使通過半導(dǎo)體基體的等離子體氧化處理所得到的良好的界面特性的優(yōu)點(diǎn)，與通過等離子體CVD處理所得到的大的成膜速度的優(yōu)點(diǎn)兩者成立。
優(yōu)選是，用本發(fā)明的方法所獲得的絕緣膜作為主體，具有耐受在LCD用TFT柵極絕緣膜之類柵極絕緣膜中的使用的絕緣耐壓。此外，優(yōu)選是，在等離子體氧化處理中使用含有稀有氣體和氧氣的氣氛，稀有氣體與氧氣的流量比率在100∶3以下，作成特別適于液晶顯示器等顯示器的TFT的、優(yōu)質(zhì)的且膜厚的氧化硅膜。
此外，進(jìn)而本發(fā)明的一個(gè)方式是在半導(dǎo)體基體上作成包括第一絕緣膜與第二絕緣膜的絕緣膜的方法，是鄰接于半導(dǎo)體基體的第一絕緣膜的平均成膜速度，與在半導(dǎo)體基體的反對(duì)側(cè)鄰接于第一絕緣膜的第二絕緣膜的平均成膜速度之比為1∶1000～1∶1的、在半導(dǎo)體基體上作成包括第一絕緣膜與第二絕緣膜的絕緣膜的方法。也就是說，雖然在半導(dǎo)體器件制造中所形成的膜的膜質(zhì)與成膜速度兩方成為問題，但是通過改變界面部分與主體部分的成膜速度，調(diào)節(jié)膜質(zhì)且獲得良好的成膜速度成為可能。
再者，雖然這里作為半導(dǎo)體基體就硅基體進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明的方法不限定于硅基體，同樣的處理可以運(yùn)用于可適用的任意的其他半導(dǎo)體基體。此外，雖然這里使用連接于組合裝置的等離子體處理裝置作成本發(fā)明的絕緣膜，但是本發(fā)明可以在任意的裝置中進(jìn)行，例如也可以考慮運(yùn)用于當(dāng)前正在研究中的所謂流動(dòng)處理中。在該情況下，可以認(rèn)為本發(fā)明的迅速的絕緣膜形成提供很大的利益。
(實(shí)施例)關(guān)于本發(fā)明的絕緣膜形成，進(jìn)行了氪氣與氧氣的硅表面直接氧化，以及硅烷與氧氣的氧化物膜CVD。
硅表面直接氧化該試驗(yàn)使用圖2中所示的裝置對(duì)一般能夠得到的硅晶片(8英寸晶片)進(jìn)行。用于表面直接氧化的條件如下所示O2流量120sccmKr流量1500sccm處理溫度250℃壓力90Pa等離子體源輸出2000W所得到的結(jié)果示于圖5。因而，成膜速度在形成20的氧化物膜時(shí)為大約20/分，在形成25的氧化物膜時(shí)為大約12/分，在形成27的氧化物膜時(shí)為大約9/分。很容易理解，成膜速度隨著所形成的氧化物膜的厚度的增加而放慢。可以考慮這是因?yàn)闉榱搜趸锬ば纬?，氧原子不得不在已?jīng)形成的氧化物膜中擴(kuò)散的緣故。因而僅通過硅表面的直接氧化作成比較厚的絕緣膜，例如LCD的柵極絕緣膜要花費(fèi)很長時(shí)間而不現(xiàn)實(shí)。
氧化物膜CVD該試驗(yàn)使用圖2中所示的裝置對(duì)一般可以得到的硅晶片(8英寸晶片)進(jìn)行。CVD氧化物膜形成用的條件如下所示SiH4流量50～200sccm
O2流量1000sccm處理溫度350℃壓力10Pa等離子體源輸出2000W所得到的結(jié)果示于圖6。如該圖中所示，CVD氧化物膜的成膜速度也達(dá)到1000/分～4500/分。該成膜速度明顯大于硅表面的直接氧化的氧化物膜的成膜速度，使在實(shí)用的時(shí)間內(nèi)作成例如LCD的柵極絕緣膜之類比較厚的氧化物膜成為可能。
因而通過這些實(shí)驗(yàn)所示，本發(fā)明的絕緣膜制造方法，提供一種半導(dǎo)體器件的絕緣膜、特別是柵極絕緣膜，更特別是LCD等用的TFT的柵極氧化物膜的形成方法。
以上，雖然說明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是本發(fā)明在其精神的范圍內(nèi)種種的變形和變更是可能的。
工業(yè)實(shí)用性如上所述如果用本發(fā)明，則可以提供一種用來(優(yōu)選是短時(shí)間內(nèi))獲得具有想要的膜質(zhì)的絕緣膜的方法。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體基體上的絕緣膜的方法，其特征在于，包括進(jìn)行對(duì)半導(dǎo)體基體進(jìn)行變性處理并形成第一絕緣膜、在所述第一絕緣膜上沉積第二絕緣膜的沉積處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基體上的絕緣膜是顯示器用薄膜晶體管的柵極絕緣膜，而且所述半導(dǎo)體基體是多晶硅或連續(xù)粒狀結(jié)晶硅。
3.根據(jù)根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜是氧化物膜，且所述第二絕緣膜是氮化物膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣膜與所述半導(dǎo)體基體的界面能級(jí)密度為不足1×1012eV-1·cm-2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，包含所述第一絕緣膜和第二絕緣膜的所述半導(dǎo)體基體上的絕緣膜的絕緣耐電壓超過10V。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述變性處理是所述半導(dǎo)體基體的熱或等離子體氧化或氮化處理，而且所述沉積處理是CVD處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述變性處理是等離子體氧化處理，且所述沉積處理是等離子體CVD處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述等離子體氧化處理的氣氛中含有稀有氣體和氧氣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述稀有氣體與氧的比率為100∶3以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述稀有氣體是氪。
11.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述等離子體CVD處理的氣氛包括含有氧氣和含有硅的氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求6～11中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述等離子體發(fā)生機(jī)構(gòu)是感應(yīng)耦合等離子體(ICP)發(fā)生裝置，或徑向線縫隙天線(RLSA)微波激勵(lì)等離子體發(fā)生裝置。
全文摘要
提供一種在短時(shí)間內(nèi)獲得能夠從LCD用TFT獲得并具有大絕緣耐電壓和小界面能級(jí)密度的絕緣膜的方法。對(duì)硅基體(101)進(jìn)行等離子體氧化處理以形成第一絕緣膜(102)，并且通過用等離子體CVD在第一絕緣膜(102)上沉積第二絕緣膜(103)來形成絕緣膜。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1682357SQ03822058
公開日2005年10月12日 申請日期2003年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月14日
發(fā)明者本鄉(xiāng)俊明 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社