專利名稱：一種聚合物ptc器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可用來作為超溫保護(hù)器件的聚合物PTC器件，和這樣一種器件的制造方法。
背景技術(shù)：
聚合物正溫度系數(shù)(PTC)電路保護(hù)器件(“PPTC”)典型地是從已經(jīng)在兩面上與導(dǎo)電性金屬箔層壓的擠塑導(dǎo)電性聚合物片材生產(chǎn)的。美國專利公報(bào)No.5,852,397(Chan等)、No.6,211,771(Zhang等)和No.6,292,088(Zhang等)以及國際專利公報(bào)WO 01/20619(TycoElectronics Corporation，2001年3月22日出版)中描述了一個(gè)表面上有至少兩個(gè)電連接的多個(gè)層壓板面安裝聚合物PTC器件的有用生產(chǎn)方法，其公開文書列為本文參考文獻(xiàn)。這些方法包括使用印刷電路板技術(shù)的層壓板圖案化以形成一種板材，然后，諸如通過鋸、折或剪從該板材分離出很多單一器件(即單一化)。
在電路保護(hù)器件中，對(duì)于PTC導(dǎo)電性聚合物復(fù)合材料來說，理想的是較好借助于輻射進(jìn)行交聯(lián)。交聯(lián)的影響取決于聚合物和交聯(lián)步驟期間的條件，如美國專利公報(bào)No.4,845,838(Jacobs等)和4,857,880(Au等)中所討論的，其公開文書列為本文參考文獻(xiàn)。例如，已知，PTC導(dǎo)電性聚合物可以使用高劑量輻射即至少50Mrad進(jìn)行交聯(lián)，而且所得到的導(dǎo)電性聚合物的電阻溫度[R(T)]曲線發(fā)生改變，使得所給出的電阻值在比未輻射器件更低的溫度就達(dá)到了。也已知的是，聚合物PTC復(fù)合材料的交聯(lián)可以通過使用不止一個(gè)輻射步驟照射該材料和在兩個(gè)輻射步驟之間包括一種使該材料暴露于其熔點(diǎn)以上的溫度的熱處理來進(jìn)行。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，高輻射劑量和多個(gè)輻射步驟尤其可用于提高在高電壓運(yùn)行即至少72伏特下聚合物PTC器件的性能。對(duì)于為在72V以下運(yùn)行而設(shè)計(jì)的器件來說，該層壓體典型地是在下游加工(例如從該層壓體沖切片料或使層壓體圖案化，以形成用于細(xì)分成多個(gè)板面安裝器件的板材)之前以較低的水平例如5～15Mrad照射的。這種照射典型地是用一個(gè)單一步驟進(jìn)行的，且無中間熱處理。
聚合物PTC器件通常用來作為過流保護(hù)器件，并在一些情況下用它們作為超溫或熱截止保護(hù)器件。典型地，當(dāng)使用聚合物PTC器件作為超溫保護(hù)器件時(shí)，它通常處于其低電阻狀態(tài)，而它與之電接觸的設(shè)備則在正常運(yùn)行狀況下。當(dāng)該P(yáng)TC器件由于熱源而加熱時(shí)，它的電阻就會(huì)增大。當(dāng)該設(shè)備的溫度、該設(shè)備周圍的環(huán)境、或設(shè)備內(nèi)部的局部環(huán)境上升到失效狀態(tài)時(shí)，該P(yáng)TC器件的電阻就增大到一個(gè)能為該電路的另一部分提供觸發(fā)的值，以減少功率。
已知的是，聚合物PTC器件的開關(guān)溫度Ts可以通過改變?cè)摼酆衔飶?fù)合材料的聚合物成分，例如通過制作聚合物共混物，來加以改變。見，例如，美國專利公報(bào)No.5,451,919(Chu等)、5,582,770(Chu等)、5,801,612(Chandler等)、6,362,721(Chen等)、和6,358,438(Isozaki等)中所述的組合物，這些專利的公開文書列為本文參考文獻(xiàn)。然而，一般來說，當(dāng)該復(fù)合材料的聚合物成分改變時(shí)，所得到器件的電阻/溫度分布、電阻率、和開關(guān)溫度時(shí)的電阻可能有顯著變化。此外，當(dāng)復(fù)合材料組成改變時(shí)可能需要顯著的材料開發(fā)努力，因?yàn)楫?dāng)改變聚合物或創(chuàng)造一種新的聚合物共混物時(shí)必須改變或優(yōu)化加工條件。從不同復(fù)合材料制成的器件家族的制造會(huì)提高成本和訂貨至交貨間的時(shí)間，這是由于混合、擠塑和層壓程序上材料轉(zhuǎn)化所需要的準(zhǔn)備時(shí)間，以及更多起始材料和半成品所需要的更大庫存的緣故。

發(fā)明內(nèi)容
以前一直未知的是，對(duì)成品板材(在單一化之前)或?qū)Τ善穼訅喊迕姘惭b器件(例如，美國專利公報(bào)No.5,852,397或國際專利公報(bào)WO01/20619中所述者)施用的額外高輻射劑量(例如20Mrad以上、較好50～100Mrad)可以用來微調(diào)其R(T)曲線，以提供改善的超溫保護(hù)器件。額外的電子束劑量可以通過在某一給定溫度(例如，在其開關(guān)溫度)產(chǎn)生更大電阻來改善性能，也可以以一種受控方式降低該開關(guān)溫度同時(shí)在該開關(guān)溫度或更高溫度保持或增大該電阻而不改變?cè)搶?dǎo)電聚合物的配方。例如，該開關(guān)溫度可以使用本文中所述方法以3～4℃步幅降低。較好，該層壓體在圖案化以形成板材之前、因而在層壓板面安裝器件形成之前就已經(jīng)交聯(lián)(較好用輻射)，盡管該層壓體的這樣一種交聯(lián)對(duì)某些應(yīng)用來說不是必要的。較好，該額外電子束劑量之前是一種會(huì)使該聚合物復(fù)合材料加熱到其熔點(diǎn)以上的熱處理。這里所述的方法可以允許按客戶要求調(diào)整R(T)曲線形狀，因而，可以容易地將器件設(shè)計(jì)得適合于各種超溫保護(hù)應(yīng)用，往往無需改變?cè)揚(yáng)TC材料或構(gòu)造。例如，同一批成品層壓板面安裝器件可以按照本文中所述方法進(jìn)一步加工，以生產(chǎn)若干種不同的可板面安裝超溫保護(hù)器件。
第一方面，本發(fā)明提供一種用來作為超溫保護(hù)器件的可板面安裝聚合物PTC器件的電阻-溫度分布調(diào)整方法，所述方法包含(a)制備一種包含夾持于金屬箔電極之間的導(dǎo)電聚合物復(fù)合材料的層壓體，所述聚合物復(fù)合材料有熔點(diǎn)Tm；(b)使該層壓體交聯(lián)；(c)從交聯(lián)的層壓體通過使該層壓體圖案化而形成一種板材，以形成多個(gè)可板面安裝器件；(d)使用至少20Mrad的電子束輻射照射該板材；和(e)通過細(xì)分該照射的板材提供個(gè)體器件。
第二方面，本發(fā)明提供一種用來作為超溫保護(hù)器件的聚合物PTC器件的電阻-溫度分布調(diào)整方法，所述方法包含(a)制備一種包含夾持于金屬箔電極之間的導(dǎo)電聚合物復(fù)合材料的層壓體，所述聚合物復(fù)合材料有熔點(diǎn)Tm；(b)使該層壓體交聯(lián)；(c)從交聯(lián)的層壓體形成個(gè)體器件；和(d)使用至少20Mrad的電子束輻射照射該個(gè)體器件。
附圖簡要說明本發(fā)明用附圖加以說明，其中，

圖1顯示一種可以利用按照本發(fā)明的方法制造的器件的分壓器電路。
圖2顯示一組通過改變聚合物部件來改變開關(guān)溫度的聚合物PTC器件的電阻-溫度曲線。
圖3顯示一組使用本文中所述方法來改變R(T)特征的聚合物PTC器件的電阻-溫度曲線。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的器件包含至少一種層壓聚合物元件或電阻元件，該元件包含一種顯示出正溫度系數(shù)(PTC)行為的PTC導(dǎo)電聚合物組合物，即，它在一個(gè)相對(duì)小的溫度范圍內(nèi)顯示出電阻率隨溫度銳增。“PTC”這一術(shù)語用來指一種其R14值為至少2.5和/或R100值為至少10的組合物或器件，較好，該組合物或器件的R30值應(yīng)為至少6，其中，R14是14℃范圍的終點(diǎn)與起點(diǎn)的電阻率之比，R100是100℃范圍的終點(diǎn)與起點(diǎn)的電阻率比，且R20是30℃范圍的終點(diǎn)與起點(diǎn)的電阻率之比。
電路保護(hù)器件及其中使用的PTC導(dǎo)電聚合物組合物公開于例如美國專利公報(bào)Nos.4,237,441(van Konynenburg et al.)，4,304,987(van Konynenburg)，4,514,620(Cheng et al)，4,534,889(van Konynenburg etal.)，4,545,926(Fouts et al)，4,724,417(Au et al)，4,774,024(Deep et al.)，4,935,156(van Konynenburg et al.)，5,049,850(Evans et al.)，5,378,407(Chandler et al.)，5,451,919(Chu et al.)，5,582,770(Chu et al.)，5,747,147(Wartenberg et al.)，和5,801,612(Chandler et al.)，和6,358,438(Isozaki et al.)。這些專利中每一項(xiàng)的公開文書都列為本文參考文獻(xiàn)。
該P(yáng)TC導(dǎo)電聚合物，當(dāng)用差示掃描量熱計(jì)的吸熱峰測定時(shí)，有熔融溫度Tm。當(dāng)有不止一個(gè)峰時(shí)，Tm定義為最高溫度峰的溫度。
對(duì)于一種簡單的超溫檢測方案來說，可以將一個(gè)PTC器件用于一個(gè)諸如圖1中所示的分壓器電路中，其中，元件1和2是電阻器，元件4是一種開關(guān)晶體管(例如MOSFET)，元件5是電源(例如電池組)，且元件3是一種PTC器件。例如，如圖1中所示，該P(yáng)TC器件一般不是這種保護(hù)方案的串聯(lián)元件，盡管可以有它是其串聯(lián)元件的交流電路。在沒有任何超溫狀況的低溫狀態(tài)下，該P(yáng)TC器件處于其低電阻狀態(tài)，因而其兩端的電壓降微乎其微。當(dāng)該P(yáng)TC器件加熱時(shí)，其電阻增大，因而該P(yáng)TC電壓降也增大(例如，對(duì)于圖1中所示的電路來說，當(dāng)該P(yáng)TC的電阻接近于電阻器1的電阻時(shí)，該P(yáng)TC元件3上的電壓降就變得顯著)。在某個(gè)溫度(例如開關(guān)溫度)上，電壓降會(huì)達(dá)到一個(gè)臨界值并給該電路控制部件(例如，圖1中所示的晶體管4)發(fā)出已經(jīng)有了超溫狀況的信號(hào)，然后控制電路就會(huì)減少或切斷電力以保護(hù)該電路或載荷和防止損害。PTC超溫器件性能的一些關(guān)鍵參數(shù)包括開關(guān)溫度。對(duì)于在不同應(yīng)用上的廣泛適用性來說，開關(guān)溫度應(yīng)當(dāng)是可變的。它可以定義為該器件達(dá)到某一電阻或電阻范圍時(shí)的溫度。此外，該部件相對(duì)于該發(fā)熱部件的位置會(huì)使設(shè)計(jì)者想要選擇有不同開關(guān)溫度的器件。例如，若該P(yáng)TC器件要放置在與該發(fā)熱部件抗衡的位置，則設(shè)計(jì)者可能要選擇110℃的開關(guān)溫度，但若它不安裝在與該發(fā)熱器抗衡的位置而只是安裝在附近，則設(shè)計(jì)者可能要選擇100℃的較低開關(guān)溫度，以保護(hù)同樣的電路免受同樣的損害。設(shè)計(jì)者一般要改變與其它參數(shù)無關(guān)的開關(guān)溫度(見以下)。已經(jīng)開發(fā)的陶瓷PTC器件顯示一個(gè)有某一開關(guān)溫度范圍的器件家族，其中，該R(T)曲線是就開關(guān)溫度而言彼此相對(duì)移動(dòng)的，但形狀上并沒有其它顯著變化。這與圖2中所示的PPTC器件在其開關(guān)溫度因改變聚合物組成或?qū)щ娦蕴盍匣蚱湄?fù)荷而改變時(shí)典型地顯示的情況成鮮明對(duì)照。圖2中所有器件都制成5mm×12mm有軸引線器件。曲線1原于一種0.25mm(0.010英寸)厚器件和一種在62vol％高密度聚乙烯(HDPE)(PetrotheneTMLB832，Equistar公司供應(yīng))中包含大約38vol％炭黑(RavenTM430，ColumbianChemicals公司供應(yīng))的配方；曲線2源于一種0.25mm(0.010英寸)厚器件和一種包含大約38vol％RavenTM430和62vol％PetrotheneTMLB832與乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA)(EnatheneTM70509，Equistar公司供應(yīng))的45％/55％共混物的配方；曲線3源于一種0.25mm(0.010英寸)厚器件和一種在60vol％PetrotheneTMLB832中包含大約40vol％RavenTM430的配方；和曲線4源于一種0.125mm(0.005英寸)厚器件和一種包含大約38vol％RavenTM430和62vol％10/90HDPE/EBA共混物的配方。其R(T)特征顯示于圖2中的所有器件都是使用10Mrad輻射交聯(lián)的。
當(dāng)導(dǎo)電性復(fù)合材料的聚合物成分改變時(shí)，或當(dāng)使用聚合物共混物時(shí)，所得到器件的熱響應(yīng)的很多其它形態(tài)可能改變(即，斷路狀態(tài)的電阻可能降低，ΔR/ΔAT或電阻/溫度分布的整體形狀可能改變，低溫時(shí)的電阻可能改變，或可能不得不改變器件尺寸以應(yīng)對(duì)復(fù)合材料組成改變所引起的電阻率差異)。其中任何一項(xiàng)都可能使設(shè)計(jì)者不得不重新設(shè)計(jì)該電路，其唯一目的是改變?cè)撈骷拈_關(guān)溫度，而這是所不希望的。通過使用電子束劑量來微調(diào)聚合物器件的R(T)性能，就有可能提供有不同開關(guān)溫度的聚合物器件家族而不引起其它參數(shù)的所不希望改變。例如，很多硅器件在溫度超過125℃時(shí)就會(huì)不恰當(dāng)運(yùn)行。如圖2中所示，從高密度聚乙烯(HDPE)制成的PPTC有高于125℃、往R接近于130℃的開關(guān)溫度，因而它們對(duì)于在125℃或以下的熱保護(hù)應(yīng)用來說并不是優(yōu)化的。通過使用本文中所述的工藝，就有可能降低從HDPE制成的器件的開關(guān)溫度，同時(shí)要么保持要么增大該開關(guān)溫度時(shí)的電阻。
給定器件的開關(guān)溫度范圍。一般來說，電路設(shè)計(jì)者希望應(yīng)用盡可能狹窄的開關(guān)溫度范圍，以便既提供可靠的熱保護(hù)又避免有害故障。即，設(shè)計(jì)者希望，該超溫保護(hù)器件在正常運(yùn)行狀況下永遠(yuǎn)不會(huì)達(dá)到其高電阻狀態(tài)，但在失效狀況下總是達(dá)到其高電阻狀態(tài)。有時(shí)，正常運(yùn)行狀況溫度可能非常接近于故障狀況溫度(例如，在10度范圍內(nèi)。這可以通過要么有器件與器件之間R(T)特征的高度可再現(xiàn)性、要么在有興趣范圍內(nèi)(例如在開關(guān)溫度)有非常陡的R(T)曲線來實(shí)現(xiàn)。
高溫時(shí)的電阻。電路設(shè)計(jì)者通常會(huì)規(guī)定該器件在開關(guān)溫度時(shí)必須達(dá)到的最低電阻。對(duì)于使用分壓器電路的很多應(yīng)用來說，將希望的是這種電阻是非常高的(例如大于50kΩ，或在一些情況下大于1MΩ)以保持漏電電流最小化(例如，圖1中所示的電阻器1可以是50kΩ或大于1MΩ以使漏電電流最小化)。這一點(diǎn)對(duì)于電池組驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用來說尤其重要。通過使用本文中所述的工藝，可以增大高溫時(shí)的電阻。
正常運(yùn)行狀況下的電阻。當(dāng)該P(yáng)TC器件不作為串聯(lián)元件使用時(shí)，正常運(yùn)行狀態(tài)下的500～1000Ω的電阻對(duì)于某些應(yīng)用來說可能是足夠低的。然而，希望的是使正常狀況與故障狀況之間的電阻差最大化，因此，一般來說，希望的是使正常運(yùn)行狀態(tài)下的電阻保持盡可能低，而使故障狀況下的電阻保持盡可能高。如果該P(yáng)TC器件要用來作為串聯(lián)元件，則清楚的是，低電阻可能是連續(xù)攜帶恰當(dāng)水平的電流所希望的。盡管額外高電子束劑量的使用一般使低溫時(shí)的電阻增大(例如大約2倍)，但高溫時(shí)的電阻會(huì)增大得快得多(例如，當(dāng)?shù)蜏貢r(shí)的電阻增大2倍時(shí)，高溫時(shí)的電阻會(huì)增大不止一個(gè)數(shù)量級(jí))，從而導(dǎo)致一種高溫狀態(tài)與低溫狀態(tài)之間的電阻差更大的器件。
滯后(加熱與冷卻之間RT特征的差異)。在一些應(yīng)用中，在故障之后，希望的是，該器件在一個(gè)與加熱時(shí)的開關(guān)溫度非常不同的溫度冷卻到低電阻狀態(tài)。在正常運(yùn)行狀況與故障狀況之間溫度差異小的應(yīng)用中，這將是最重要的。用200Mrad劑量時(shí)已經(jīng)顯示出滯后減少(見實(shí)施例14)。在其它應(yīng)用中，希望的是，該器件在一個(gè)比加熱時(shí)的開關(guān)溫度低的溫度冷卻到低電阻狀態(tài)。在該電路對(duì)循環(huán)敏感的應(yīng)用中，這將是最重要的。
成本。這必須保持得盡可能低。電子束劑量技術(shù)使得一次能加工數(shù)千個(gè)器件，并使得能從同一種起始材料制備各種各樣的器件，從而能減少庫存中必須建立和保持的試樣類型數(shù)目。在其已經(jīng)圖案化或鉆孔之后板材的加工，使得無真空步驟也能使用非常高的電子束劑量，因?yàn)闅怏w即電子束照射的副產(chǎn)物可以容易地散逸。
本發(fā)明用以下實(shí)施例加以說明，其中，實(shí)例1、5、6、和11是比較例。
比較例1和實(shí)施例2～4一種導(dǎo)電性聚合物組合物是通過在一種連續(xù)工藝中使約60vol％高密度聚乙烯(PetrotheneTMLB832，可購自Equistar公司)與約40vol％炭黑(RavenTM430，可購自Columbian Chemicals公司)摻合、然后擠塑該片材并與鎳箔層壓而制備的。將該層壓片材切割成0.3×0.41m(12×16英寸)個(gè)體層壓體。這些層壓體在加工之前照射到10Mrad。穿透該個(gè)體層壓體的厚度以規(guī)則性圖案鉆孔，以為每個(gè)器件提供一個(gè)孔。使所鉆的孔敏化、然后以化學(xué)鍍方式將一層銅鍍到敏化的表面上，并將一層焊劑鍍到該銅表面上。使用一種標(biāo)準(zhǔn)光致抗蝕劑工藝，在該個(gè)體層壓體的兩面上刻蝕圖案。將圖案化的層壓體先用剪或鋸分離成條狀物，然后用機(jī)械折斷法把這些條狀物細(xì)分成個(gè)體器件。所生產(chǎn)的器件有大約3×2.5×0.5mm(0.12×0.10×0.020英寸)的尺寸。對(duì)于比較例1來說，不進(jìn)行后加工照射(即“后電子束照射”)。對(duì)于實(shí)施例2～4來說，進(jìn)行后電子束照射，并事先進(jìn)行一種使該器件暴露于熔點(diǎn)以上的溫度的熱處理(在150℃～160℃之間60分鐘，在160℃～170℃之間40分鐘，然后用30分鐘時(shí)間冷卻到熔點(diǎn)以下)。結(jié)果列于表1中。開關(guān)溫度是作為該器件達(dá)到1MΩ時(shí)的溫度給出的。滯后是作為該器件達(dá)到1MΩ時(shí)加熱與冷卻循環(huán)之間的溫度差異確定的。PTC反常，也簡稱為自熱高度(“ATH”)，是使用在140℃和20℃進(jìn)行的電阻測定值，作為log[R(140℃)/R(20℃)]計(jì)算的。
比較例5～6和實(shí)施例7～10像在實(shí)施例1～4中那樣制備器件，所不同的是，該組合物含有Mg(OH)2(Kisuma 5A，可購自Kisuma公司)，且所生產(chǎn)的器件有大約4.6×3×0.25mm(0.18×0.12×0.010英寸)的尺寸。該層壓體在加工前照射到7Mrad，例外的是在實(shí)施例10的情況下在加工之前沒有照射。對(duì)于比較例5和6來說，未進(jìn)行后電子束照射。對(duì)于實(shí)施例7～10來說，像在實(shí)施例2～4中那樣進(jìn)行后電子束照射。結(jié)果列于表2中。開關(guān)溫度是作為該器件達(dá)到10kΩ時(shí)的溫度給出的。比較例5和6以及實(shí)施例7～10的R(T)曲線顯示于圖3中，曲線號(hào)對(duì)應(yīng)于各實(shí)施例號(hào)。
比較例11和實(shí)施例12像在實(shí)施例1～4中那樣制備器件，所不同的是，所使用的聚合物是PetrotheneTMLB832和乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(EBA)(EnatheneTM70509，Equistar公司供應(yīng))的45％/55％共混物，所生產(chǎn)的器件有大約2.0×1.3×0.25mm(0.08×0.05×0.010英寸)的尺寸，并通過鋸單一化。結(jié)果列于表3中。開關(guān)溫度是作為該器件達(dá)到10kΩ時(shí)的溫度給出的。
實(shí)施例13和14像在實(shí)施例2～4中那樣制備器件，所不同的是，該層壓體在加工前照射到10Mard，所生產(chǎn)的器件有大約2.0×1.3×0.5mm(0.08×0.05×0.020英寸)的尺寸，并通過鋸單一化。結(jié)果列于表4中。開關(guān)溫度是作為該器件達(dá)到1MΩ時(shí)的溫度給出的。滯后是作為該器件達(dá)到1MΩ時(shí)的加熱與冷卻循環(huán)之間的溫度差異確定的。
表1比較例1和實(shí)施例2～4

表2比較例5～6和實(shí)施例7～10

表3比較例11和實(shí)施例12

表4實(shí)施例13和14

要理解的是，上述裝置安排及其制造方法只是這些原則或本發(fā)明的應(yīng)用的說明，不背離權(quán)利要求書中所定義的本發(fā)明精神和范圍就可以做很多其它實(shí)施方案和改性。
權(quán)利要求
1.一種用來作為超溫保護(hù)器件的可板面安裝聚合物PTC器件的電阻-溫度分布調(diào)整方法，所述方法包含(a)制備一種包含夾持于金屬箔電極之間的導(dǎo)電聚合物復(fù)合材料的層壓體，所述聚合物復(fù)合材料有熔點(diǎn)Tm；(b)使該層壓體交聯(lián)；(c)從交聯(lián)的層壓體通過使該層壓體圖案化而形成一種板材，以形成多個(gè)可板面安裝器件；(d)使用至少20Mrad的電子束輻射照射該板材；和(e)通過細(xì)分該照射的板材提供個(gè)體器件。
2.按照權(quán)利要求1的方法，其中，該層壓體的交聯(lián)是用輻射實(shí)現(xiàn)的。
3.按照權(quán)利要求2的方法，其中，該板材是使用至少50Mrad的電子束輻射照射的。
4.按照權(quán)利要求1的方法，其中，在該板材照射之前，對(duì)該板材進(jìn)行包含超過該導(dǎo)電性聚合物復(fù)合材料熔融溫度的溫度的熱處理。
5.按照權(quán)利要求2的方法，其中，在該板材照射之前，對(duì)該板材進(jìn)行包含超過該導(dǎo)電性聚合物復(fù)合材料熔融溫度的溫度的熱處理。
6.按照權(quán)利要求1的方法，其中，該板材的照射是使用不止一個(gè)照射步驟以達(dá)到至少20Mrad的電子束照射實(shí)現(xiàn)的，并在每個(gè)照射步驟之前對(duì)該板材進(jìn)行包含超過該復(fù)合材料熔融溫度的溫度的熱處理。
7.一種用來作為超溫保護(hù)器件的聚合物PTC器件的電阻-溫度分布調(diào)整方法，所述方法包含(a)制備一種包含夾持于金屬箔電極之間的導(dǎo)電聚合物復(fù)合材料的層壓體，所述聚合物復(fù)合材料有熔點(diǎn)Tm；(b)使該層壓體交聯(lián)；(c)從交聯(lián)的層壓體形成個(gè)體器件；和(d)使用至少20Mrad的電子束輻射照射該個(gè)體器件。
8.按照權(quán)利要求7的方法，其中，該個(gè)體器件是可板面安裝的。
9.按照權(quán)利要求7的方法，其中，該層壓體的交聯(lián)是用照射實(shí)現(xiàn)的。
10.按照權(quán)利要求7的方法，其中，該個(gè)體器件是用至少50Mrad的電子束輻射照射的。
11.按照權(quán)利要求7的方法，其中，在照射之前，對(duì)該個(gè)體器件進(jìn)行包含超過該聚合物復(fù)合材料熔融溫度的溫度的熱處理。
12.按照權(quán)利要求7的方法，其中，該照射是用不止一個(gè)照射步驟實(shí)現(xiàn)的，并在每個(gè)照射步驟之前進(jìn)行一種包含超過該聚合物復(fù)合材料熔融溫度的溫度的熱處理。
全文摘要
一種可用來作為超溫保護(hù)器件的可板面安裝聚合物PTC器件的電阻－溫度分布調(diào)整方法。該方法包括制備一種包含夾持于金屬箔電極之間的導(dǎo)電性聚合物復(fù)合材料的層壓體；使該層壓體交聯(lián)；從該交聯(lián)的層壓體通過使該層壓體圖案化而形成一種板材，以形成多個(gè)可板面安裝器件；使用至少20Mrad的電子束照射，照射該板材；和通過細(xì)分該照射的板材，提供個(gè)體器件。
文檔編號(hào)H01C17/065GK1695210SQ03825032
公開日2005年11月9日 申請(qǐng)日期2003年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月17日
發(fā)明者A·巴尼奇, C·A·沃爾什 申請(qǐng)人:泰科電子有限公司