專利名稱:帶內(nèi)磁屏蔽的陰極射線管的制作方法
本發(fā)明是關(guān)于在陰罩框架上附有內(nèi)磁屏蔽的陰極射線管。
陰罩式陰極射線管一般都有一個磁屏蔽，用以在管子的陰極射線致發(fā)光屏蔽受掃描時，減少磁場對電子束軌道的影響。尤其是，電子束照射到陰罩上每個點的入射角必須偏離設(shè)計值的變化不能太大，否則電子束就會偏離其本來要在熒光屏上的射落點。磁屏蔽可以配置在管外作為外磁屏蔽，也可以配置在管內(nèi)作為內(nèi)磁屏蔽。
內(nèi)磁屏蔽通常由0.10至0.18毫米厚的冷軋鋼板制成，用彈性夾緊銷固定在蔭罩框架上。陰罩框架用與裝配螺柱(stud)接合的彈簧支撐，裝配螺柱則從管子的矩形玻璃熒光屏面板向內(nèi)延伸。制造管子時，內(nèi)磁屏蔽是在將熒光屏面板的側(cè)壁熔合密封到陰極射線管的玻璃錐體等工序之前固定到陰罩框架上的。內(nèi)磁屏蔽設(shè)計成適合于裝進玻璃錐體，能盡量靠近錐體的體壁。但不應(yīng)與錐體相接觸，以避免與玻璃錐體內(nèi)表面上的陽極導(dǎo)電層產(chǎn)生摩擦。
為了使磁屏蔽發(fā)揮作用，應(yīng)在其就位后徹底去磁(消磁)，方法是將消磁線圈通以其幅度由大逐漸變小的交流電流，使磁屏蔽承受消磁線圈所產(chǎn)生的磁場。消磁量通常以安培匝數(shù)表示，對內(nèi)磁屏蔽來說，需用的安培匝數(shù)一般約為1500安匝級。這樣做的實際作用是有效地使磁屏蔽中的磁疇重新取向，使磁屏蔽處于磁化狀態(tài)，從而抵消磁屏蔽內(nèi)的磁場。消磁線圈一般是裝在接收機中的，這樣，每次接收機接通電源時，線圈中的交流電流就自動地由大變小至零值，因而可以防止因磁場環(huán)境變化而引起的色純度和白色均勻性的畸變。消磁后，電子束轟擊陰極射線致發(fā)光屏幕時接近其目標(biāo)射落點的程度(以微米計剩余的圖象重合失調(diào))是衡量消磁恢復(fù)(degaussing recovery)效果的指標(biāo)。
在同樣的消磁電流下，帶附加外磁屏蔽的陰極射線管的消磁恢復(fù)通常比只帶內(nèi)磁屏蔽的陰極射線管的好。但外磁屏蔽增加了制造成本。因此要想只用一個內(nèi)磁屏蔽而獲得可與標(biāo)準要求媲美的色純度，就需要改進內(nèi)磁屏蔽固有的消磁恢復(fù)。
本發(fā)明的陰極射線管有一個熒光屏面板和一個內(nèi)磁屏蔽，熒光屏面板沿其側(cè)壁與玻璃錐體連接在一起，內(nèi)磁屏蔽貼近玻璃錐體的內(nèi)表面配置，并沿其一端與蔭罩框架的背面部分相連接，蔭罩框架的取向與管子中心軸線正交，并毗連側(cè)壁支撐著。多孔的蔭罩沿其一邊緣連接到蔭罩框架的與其背面部分對向的前面部分上。磁屏蔽的一端在沿管子中心軸線方向上，基本上繞整個蔭罩框架與蔭罩的相應(yīng)邊重疊。
本發(fā)明提供了一種在消磁后剩余圖象重合失調(diào)方面有顯著改善的內(nèi)磁屏蔽。
附圖中，圖1是在其里面裝有現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)磁屏蔽的陰極射線管的剖面示意圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的重疊式內(nèi)磁屏蔽的一個實施例的剖面示意圖。
圖3是重疊式內(nèi)磁屏蔽的第二個實施例的剖面示意圖。
從圖1可以看到，陰極射線管10有一個熒光屏面板12，面板12沿其側(cè)壁16與管10的玻璃錐體14相連接。陰極射線致發(fā)光屏蔽18配置在面板12的內(nèi)表面上，導(dǎo)電層20則配置在玻璃錐體14的內(nèi)表面22上作為管10的陰極。一個現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)磁屏蔽24配置在管10內(nèi)，其一端26貼近所述側(cè)壁16并沿玻璃錐體14的內(nèi)表面22向后延伸。磁屏蔽24沿該一端26與蔭罩框架30的背面部分28相連接，蔭罩框架30則與管10的中心軸線(虛線Z)正交取向。磁屏蔽24用彈性夾緊銷32固定在框架30上，各夾緊銷32插入設(shè)在磁屏蔽24和框架30上對齊了的孔中。蔭罩框架30由裝配螺柱34毗連側(cè)壁16支撐著，裝配螺柱34則從面板12向內(nèi)延伸。由于面板12的側(cè)壁16通常呈矩形，因而一般內(nèi)磁屏蔽24有四個角。
多孔蔭罩36沿其一邊緣38與蔭罩框架30的與其背面部分28對向的前面部分40相連接(如圖1所示)。除內(nèi)磁屏蔽24之外，蔭罩36本身對陰極射線管10的總屏蔽效果起了很大的作用。蔭罩36一般由0.15毫米厚的冷軋鋼板制成，焊接到框架30上。蔭罩36可以焊接在框架30內(nèi)部，如圖1所示，形成內(nèi)蔭罩式框架組件(MIFA)，也可以焊接在框架30外部，形成外蔭罩式框架組件(MOFA)。無論采用內(nèi)蔭罩式或外蔭罩式框架組件，在蔭罩36的邊緣38與內(nèi)磁屏蔽24的一端26之間，圍繞著蔭罩框架30的周邊總會形成一小間隙(圖1中的間距G)。以前都認為，框架30，由于它也是用磁性材料制成的，因而它雖然與磁屏蔽24的磁性材料不同，也可以沿間隙G起磁屏蔽作用。
圖2是在消磁恢復(fù)方面有著顯著改進的重疊式內(nèi)磁屏蔽42的一個實施例。我們發(fā)現(xiàn)，通過使內(nèi)磁屏蔽42的一端44沿中心軸線Z的方向基本上圍繞整個蔭罩框架30與蔭罩36的相應(yīng)邊緣38相重疊，可以基本上改善消磁后的剩余圖象重合失調(diào)程度。內(nèi)磁屏蔽42的一端44最好沿框架30各邊(除了其各轉(zhuǎn)角部分外)向前延伸，與蔭罩36的邊緣38相重疊。圖2所示是內(nèi)蔭罩式框架組件的結(jié)構(gòu)，其中蔭罩36與框架30的內(nèi)部相連接。由于內(nèi)磁屏蔽42與框架30的外部相連接，因而蔭罩36和磁屏蔽42雖然重疊，但實際上彼此沒有接觸，如圖2所示。
圖3是裝進外蔭罩式框架組件中的重疊式內(nèi)磁屏蔽42的第二個實施例的示意圖。由于磁屏蔽42也與框架30的外部相連接，因而磁屏蔽42實際上與蔭罩36相接觸，盡管這種接觸對實現(xiàn)本發(fā)明的效益方面沒有什么必要。
在內(nèi)蔭罩式或外蔭罩式框架組件結(jié)構(gòu)中，也可以令內(nèi)磁屏蔽42的一端44圍繞蔭罩框架30內(nèi)部延伸，以便與蔭罩36相重疊。磁屏蔽42不一定非要制成一個整體不可。實際上，磁屏蔽42的重疊部分是可以包括兩件或多件，特別是在磁屏蔽42繞框架30內(nèi)側(cè)延伸的實施例中，更是如此。
在本發(fā)明中，重要的一點是，磁屏蔽42的一端44要真正與蔭罩36的相應(yīng)邊緣38相重疊。此沿中心軸線Z方向上的重疊距離至少應(yīng)為蔭罩框架30厚度的兩倍，以便使磁耦合令人滿意，從而改善磁恢復(fù)。內(nèi)磁屏蔽42的一端44最好大體上延伸到蔭罩框架30的前面，如圖2和圖3所示。
下表顯示對具有各種不同類型磁屏蔽(包括本發(fā)明的磁屏蔽)的RCA 27V SP型陰極射線管進行試驗，記錄下來的剩余圖象重合失調(diào)值。表中第一行是具有一外磁屏蔽和一現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)磁屏蔽的陰極射線管的試驗數(shù)據(jù)。第二行是具有一現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)磁屏蔽但不帶外磁屏蔽的管子的試驗數(shù)據(jù)。第三行是具有本發(fā)明的重疊式內(nèi)磁屏蔽的管子的試驗數(shù)據(jù)。各行都記錄了在相對磁場沿豎向Y軸線(100毫高斯)、中心Z軸線(250毫高斯)和X軸線(250毫高斯)諸方向變化之后，在面板對角線、長軸線和短軸線各端以及板面中心的剩余圖象重合失調(diào)的數(shù)據(jù)值。記錄數(shù)據(jù)表明，重疊式內(nèi)磁屏蔽的剩余圖象重合失調(diào)程度(第三行)比現(xiàn)有技術(shù)內(nèi)磁屏蔽的剩余圖象重合失調(diào)程度(第二行)大有改善。對磁場在沿中心Z軸線方向上有250毫高斯的變化情況來說，重疊式磁屏蔽的消磁恢復(fù)時間甚至比采用外磁屏蔽(第一行)的還好。
表外磁 內(nèi)磁 重疊式內(nèi) 剩余圖象重合失調(diào)(微米)屏蔽 屏蔽 磁屏蔽 沿豎向Y軸線 沿中心Z軸 沿X軸線方方向100毫高 線250毫高 向250毫高斯的變化 斯的變化 斯的變化對角 長 短 中 對角 短 對角線線 軸 軸 心 線 軸有 有 無 6 -1 1 -1 40 22 18無 有 無 12 14 8 7 46 24 34無 有 有 9 10 6 6 3.7 18 28可以這樣假定，蔭罩框架30在消磁過程中磁阻較高，因而在具有減少陰極射線管10中的剩余圖象重合失調(diào)作用的磁屏蔽中，需要留有間隙。我們發(fā)現(xiàn)，這種消磁后的剩余圖象重合失調(diào)，可以通過使磁屏蔽42的一端44基本上圍繞整個蔭罩框架30與蔭罩36的邊緣38相重疊的方法，基本上得到改善。磁屏蔽42具有改進的消磁恢復(fù)效果，因而在類似的工作條件下，可以使色純度達到迄今用現(xiàn)有技術(shù)的內(nèi)磁屏蔽所不能達到的水平，從而以此來代替造價更貴的附加外磁屏蔽的方案是完全可以接受的。
權(quán)利要求
1.一種陰極射線管(10)，具有一個熒光屏面板(12)和一個內(nèi)磁屏蔽(42)；面板(12)沿其側(cè)壁(16)與管(10)的玻璃錐體(14)連接，內(nèi)磁屏蔽(42)貼近所述玻璃錐體的內(nèi)表面(22)配置，并沿其一端(44)與一蔭罩框架(30)的背面部分(28)相連接，蔭罩框架(30)正交于所述管的中心軸線(Z)取向，并毗連所述側(cè)壁支撐著，多孔蔭罩(36)沿其邊緣(38)與所述蔭罩框架的與背面部分對向的前面部分(40)相連接；該陰極射線管(10)的特征在于，所述磁屏蔽的一端在沿所述中心軸線方向上，基本上圍繞整個所述蔭罩框架與所述蔭罩的相應(yīng)邊緣重疊。
2.如權(quán)利要求
1所述的陰極射線管(10)，其特征在于，所述磁屏蔽(42)的一端(44)朝前延伸，與所述蔭罩(36)的邊緣(38)重疊。
3.如權(quán)利要求
1所述的陰極射線管(10)，其特征在于，所述蔭罩(36)與所述蔭罩框架(30)的外部相連接，且所述磁屏蔽(42)與所述蔭罩框架的外部相連接，并與所述蔭罩接觸。
4.如權(quán)利要求
1所述的陰極射線管(10)，其特征在于，所述蔭罩(36)與所述蔭罩框架(30)的內(nèi)部相連接，且所述磁屏蔽(42)與所述蔭罩框架的外部相連接。
5.如權(quán)利要求
3或4所述的陰極射線管(10)，其特征在于，沿所述中心軸線(Z)方向上的重疊距離包括至少是所述蔭罩框架(30)的厚度的兩倍。
6.如權(quán)利要求
5所述的陰極射線管(10)，其特征在于，所述磁屏蔽(42)的一端(44)基本上延伸到所述蔭罩框架(30)的前面。
7.如權(quán)利要求
6所述的陰極射線管(10)，其特征在于，所述蔭罩框架(30)呈矩形，且所述磁屏蔽(42)的一端(44)沿所述框架的各邊與所述蔭罩(36)的邊緣(38)重疊，但除了其轉(zhuǎn)角部分。
專利摘要
一種陰極射線管(10)，具有一個熒光屏面板(12)和一個內(nèi)磁屏蔽。面板(12)沿其側(cè)壁(16)與玻璃錐體(14)連接，內(nèi)磁屏蔽(42)貼近玻璃錐體的內(nèi)表面(22)配置，并沿其一端與蔭罩框架(30)的背面部分(28)相連接，蔭罩框架(30)則與管子中心軸線(Z)正交取向，并毗連所述側(cè)壁支撐著。一個多孔蔭罩(36)沿其邊緣(38)連接到蔭罩框架的與其背面部分對向的前面部分(40)上。磁屏蔽的一端沿中心軸線方向基本上繞整個蔭罩框架與蔭罩的相應(yīng)邊緣重疊。
文檔編號H01J29/02GK87103911SQ87103911
公開日1987年12月9日 申請日期1987年5月27日
發(fā)明者艾伯特·馬克斯韋爾·莫雷爾 申請人:美國無線電公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan