專利名稱:復合薄片以及層疊陶瓷電子部件的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及復合薄片以及層疊陶瓷電子部件。提供提高了導體膜與陶瓷生片之間的密接性、能消除層疊偏離的復合薄片。復合薄片(11)具備：具有長度方向的陶瓷生片(13)；和印刷在所述陶瓷生片(13)上的導體膜(14)，所述導體膜(14)是具有在所述長度方向上延伸的長邊方向和具有與長邊方向正交的短邊方向的形狀，在所述導體膜(14)中，按照構成在所述長度方向上延伸的列的方式，設置沿長度方向分散配置且厚度與其余的部分(14a)不同的多個不同厚度區(qū)域(14b)。
【專利說明】復合薄片以及層疊陶瓷電子部件

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及在陶瓷生片上印刷導體膜的復合薄片、和使用該復合薄片構成的層疊陶瓷電子部件。

【背景技術】
[0002]過去，在層疊陶瓷電容器等的層疊陶瓷電子部件的制造時，在陶瓷生片上印刷內部電極。然后，將印刷了內部電極的陶瓷生片即復合薄片層疊。伴隨著層疊陶瓷電子部件的小型化而陶瓷生片和內部電極的層疊數不斷增大。為此，層疊需要長時間。若縮短層疊時間，則層間的密接力會變低。若層間的密接力變低，在層疊工序中就易于發(fā)生層疊偏離。
[0003]在下述的專利文獻I中，公開了在內部電極端緣部分設置在厚度方向上突出的鞍部的層疊陶瓷電子部件。按照鞍部彼此在厚度方向上不重合的方式層疊多個內部電極。由此謀求脫層的抑制。
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:TO2011/071143
[0006]如專利文獻I記載那樣，在內部電極設置鞍部的結構中，能抑制脫層的發(fā)生且提高內部電極端緣部分的內部電極和陶瓷生片的密接力。因此，認為能抑制上述層疊偏離。
[0007]但是，伴隨層疊陶瓷電子部件的進一步的小型化，要求進一步提高內部電極和陶瓷生片的密接力。


【發(fā)明內容】

[0008]本實用新型的目的在于提供一種進一步提高導體膜與陶瓷生片之間的密接力、能有效果地防止層疊偏離的復合薄片。本實用新型的其它目的在于，提供一種提高了陶瓷層與內部電極的密接性的層疊陶瓷電子部件以及其制造方法。
[0009]本實用新型所涉及的復合薄片具備:具有長度方向的陶瓷生片；和印刷在所述陶瓷生片上的導體膜，在所述導體膜，按照構成在所述長度方向上延伸的列的方式，設有沿長度方向分散配置且厚度與其余的部分不同的多個不同厚度區(qū)域。
[0010]在本實用新型所涉及的復合薄片的某特定的局面下，在俯視的情況下，所述不同厚度區(qū)域具有點狀的形狀。
[0011]在本實用新型所涉及的復合薄片的其它特定的局面下，多個所述不同厚度區(qū)域被設置為構成多個所述列。
[0012]在本實用新型所涉及的復合薄片的另外的特定的局面下，所述不同厚度區(qū)域是厚度比其余的部分薄的薄壁區(qū)域。
[0013]在本實用新型所涉及的復合薄片的其它特定的局面下，所述不同厚度區(qū)域是厚度比其余的部分厚的厚壁區(qū)域。
[0014]在本實用新型所涉及的復合薄片的再其它特定的局面下，在所述厚壁區(qū)域內，設有厚度比該厚壁區(qū)域薄的中央薄壁區(qū)域。
[0015]本實用新型所涉及的層疊陶瓷電子部件具備:陶瓷燒結體；和在所述陶瓷燒結體內隔著陶瓷層相互重疊地配置的多個內部電極，所述內部電極是具有長邊方向、和與長邊方向正交的短邊方向的平面形狀，所述內部電極具有按照構成在所述長邊方向上延伸的列的方式被分散配置且密度與其余的部分不同的多個不同密度區(qū)域。
[0016]在本實用新型所涉及的層疊陶瓷電子部件的某特定的局面下，所述不同密度區(qū)域在俯視的情況下具有點狀的形狀。
[0017]在本實用新型所涉及的層疊陶瓷電子部件的其它特定的局面下，多個所述不同密度區(qū)域被設置為構成多個所述列。
[0018]在本實用新型所涉及的層疊陶瓷電子部件的再其它特定的局面下，所述不同密度區(qū)域是密度比其余的部分低的低密度區(qū)域。
[0019]在本實用新型所涉及的層疊陶瓷電子部件的再另外的特定的局面下，所述不同密度區(qū)域是密度比其余的部分高的高密度區(qū)域。
[0020]在本實用新型所涉及的層疊陶瓷電子部件的其它特定的局面下，在所述高密度區(qū)域內，設有密度比該高密度區(qū)域低的中央低密度區(qū)域。
[0021]在本實用新型所涉及的層疊陶瓷電子部件的再另外的特定的局面下，提供作為層疊陶瓷電容器的層疊陶瓷電子部件。
[0022]發(fā)明的效果
[0023]在本實用新型所涉及的復合薄片中，由于在導體膜按照構成在長度方向上延伸的列的方式設有多個不同厚度區(qū)域，因此在層疊多片的該復合薄片時，能有效果地抑制層疊偏離。另外，能有效果地提高導體膜與陶瓷生片的密接性。
[0024]因而，通過使用上述本實用新型的復合薄片來實施本實用新型的層疊陶瓷電子部件的制造方法，能提供本實用新型的層疊陶瓷電子部件。在本實用新型的層疊陶瓷電子部件中，有效地提高了內部電極與陶瓷的密接性，且不容易發(fā)生層疊偏離。

【附圖說明】

[0025]圖1 (a)是在本實用新型的第I實施方式準備的復合薄片的俯視圖，(b)是導體膜的示意俯視圖，(C)是表示導體膜的主要部分的部分放大截面圖。
[0026]圖2(a)是用于說明在本實用新型的第I實施方式中用于導體膜的印刷的凹版的概略立體圖，(b)是用于說明該凹版的I個印刷部的示意俯視圖。
[0027]圖3是用于說明在本實用新型的第I實施方式中將導體膜燒成之后的內部電極的結構的示意放大截面圖。
[0028]圖4(a)以及(b)是表示在本實用新型的第I實施方式的層疊陶瓷電子部件的制造方法中準備的第1、第2復合薄片的主視截面圖。
[0029]圖5是表示在本實用新型的第I實施方式中制作的母層疊體的示意主視圖。
[0030]圖6是表示在本實用新型的第I實施方式中得到的作為層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器的主視截面圖。
[0031]圖7(a)?(C)是用于說明將導電膏從凹版轉印到陶瓷生片的工序的部分缺口放大截面圖。
[0032]圖8是用于說明在本實用新型的其它實施方式中將導電膏從凹版轉印到陶瓷生片的工序的部分缺口截面圖。
[0033]圖9是用于說明在本實用新型的其它實施方式中將導電膏從凹版轉印到陶瓷生片的工序的部分缺口截面圖。
[0034]圖10是用于說明在本實用新型的第2實施方式中形成的導體膜的示意俯視圖。
[0035]圖11是用于說明在本實用新型的第3實施方式中形成的導體膜的示意俯視圖。
[0036]圖12是表示在本實用新型的第4實施方式中為了得到導體膜而使用的凹版的印刷部的形狀的概略俯視圖。
[0037]圖13是表示在本實用新型的第5實施方式中為了得到導體膜而使用的凹版的印刷部的形狀的概略俯視圖。
[0038]圖14是表示本實用新型的第6實施方式中的導體膜的結構的示意俯視圖。
[0039]圖15是表不在第6實施方式中為了印刷導體膜而使用的凹版的印刷部的不意俯視圖。
[0040]圖16是本實用新型的第7實施方式中的導體膜的示意俯視圖。
[0041]圖17是本實用新型的第8實施方式中的導體膜的示意俯視圖。
[0042]圖18是在本實用新型的第9實施方式中為了得到導體膜而使用的凹版的俯視圖。
[0043]標號的說明
[0044]I 凹版
[0045]Ia 表面
[0046]Ib 堤壩
[0047]2 凹穴
[0048]3 印刷部
[0049]11、12第1、第2復合薄片
[0050]13陶瓷生片
[0051]14、15第1、第2導體膜
[0052]14AU5A第1、第2內部電極
[0053]14a 第 I 區(qū)域
[0054]14b 第 2 區(qū)域
[0055]14c厚度變化區(qū)域
[0056]14d薄壁區(qū)域
[0057]14x 導電膏
[0058]16母層疊體
[0059]17陶瓷燒結體
[0060]17a、17b 第 1、第 2 端面
[0061]18、19第1、第2外部電極
[0062]20層疊陶瓷電容器
[0063]21導電性粒子
[0064]31導體膜
[0065]32、33 第 1、第 2 區(qū)域
[0066]33a、33c厚度變化區(qū)域
[0067]33b厚壁區(qū)域
[0068]33d中央薄壁區(qū)域
[0069]34導體膜
[0070]35第2區(qū)域
[0071]41、51 凹穴
[0072]42、52 堤壩
[0073]42a、52a 肋
[0074]43 間隙
[0075]61、71、81 導體膜
[0076]62第2區(qū)域
[0077]62a厚度變化區(qū)域
[0078]62b、82 薄壁區(qū)域
[0079]62c 第 I 區(qū)域
[0080]63 凹穴
[0081]64 堤壩
[0082]91凹穴圖案
[0083]92 凹穴
[0084]93、94 堤壩

【具體實施方式】
[0085]以下通過參考附圖來說明本實用新型的具體的實施方式，使本實用新型得到明確。
[0086](第I實施方式)
[0087]本實用新型的第I實施方式是作為層疊陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器的制造方法以及層疊陶瓷電容器。
[0088]在第I實施方式中，為了通過印刷來形成導體膜，使用圖2(a)所示的凹版(gravure)lo凹版I用于將導電膏凹版印刷在陶瓷生片。凹版I具有圓筒狀的形狀。凹版I由不銹鋼等的適當的金屬構成。
[0089]在凹版I的外周面設置多個凹穴2。從該多個凹穴2轉印的導電膏彼此相連，形成I個印刷圖形。因此，如圖2(b)概略示出那樣，形成I個印刷圖形的I個印刷部3由多個凹穴2構成。
[0090]各凹穴2是設置在凹版I的表面Ia的凹部。相鄰的凹部間作為劃分相鄰的凹穴2的堤壩Ib發(fā)揮功能。
[0091]另外，如后述那樣，多個凹穴2并不一定非要通過堤壩完全分離。
[0092]在第I實施方式中，準備圖4(a)所示的第I復合薄片11、和圖4(b)所示的第2復合薄片12。通過在母陶瓷生片13上使用上述凹版I印刷多個導體膜14，得到第I復合薄片Ilo
[0093]關于構成上述陶瓷生片13的陶瓷材料沒有特別的限定，能使用由BaTi03、CaTi03、SrT13XaZrO3等的主成分構成的電介質陶瓷。原本，在作為層疊陶瓷電子部件構成層疊陶瓷壓電裝置或層疊陶瓷電感器等的情況下，就可以根據功能不同而使用壓電陶瓷或磁性體陶瓷等。
[0094]多個導體膜14如圖1 (a)所示那樣在陶瓷生片13上矩陣狀配置。
[0095]在圖4(b)所示的第2復合薄片12中，也在母陶瓷生片13上印刷多個導體膜15。多個導體膜15由與多個導體膜14相同的材料同樣地構成。
[0096]本實施方式的特征在于上述導體膜14、導體膜15具有厚度分布。參考圖1 (b)以及(c)，以導體膜14為代表來對其進行說明。
[0097]導體膜14由前述的圖2(b)所示的I個印刷部3構成。S卩，在I個印刷部3內的多個凹穴2填充導電膏。將該導電膏轉印，使其相互相連，形成I個導體膜14。
[0098]另外，圖1(a)所示的陶瓷生片13是長條狀的陶瓷生片，將其長度方向設為長度方向L。與長度方向正交的方向是寬度方向W。
[0099]如圖1(a)所示，在復合薄片11中，多個導體膜14沿上述長度方向L以及寬度方向W矩陣狀配置。另外，導體膜14是具有長度方向和寬度方向的矩形的形狀。將導體膜14的長度方向設為與上述長度方向L相同方向。
[0100]圖1(b)是概略表不I個導體膜14的厚度分布的不意俯視圖。在圖1(b)中，在導體膜14厚度最大的區(qū)域添加交叉的陰影來表示。在導體膜14中，在添加交叉的陰影來表示的第I區(qū)域14a內設置點狀的多個第2區(qū)域14b。在該第2區(qū)域14b，在中央設置厚度比第I區(qū)域14a薄的薄壁部14d。使從該薄壁部14d的外周緣直到第I區(qū)域14a的圓環(huán)型的區(qū)域為厚度變化區(qū)域14c。第2區(qū)域14b是厚度比第I區(qū)域14a薄的薄壁區(qū)域，相當于本實用新型的不同厚度區(qū)域。
[0101]多個點狀的第2區(qū)域14b在上述導體膜14沿長度方向分散配置。即，多個點狀的第2區(qū)域14b構成在長度方向上延伸的列。并且，在本實施方式中，構成多條的列、具體的為3條的列。另外，位于寬度方向兩側的列的多個第2區(qū)域14b、和位于寬度方向中央的列的多個第2區(qū)域14b交錯狀地配置。
[0102]圖1 (c)是放大表示上述導體膜14中的相鄰的一對第2區(qū)域14b所處的部分的部分放大截面圖。
[0103]另外，在圖4(a)以及圖4(b)中，由于難以圖示導體膜14以及15的上述厚度分布，因此略去厚度分布來表示。
[0104]在本實施方式中，交替層疊多片第I復合薄片11和第2復合薄片12。層疊第I復合薄片11和第2復合薄片12，使得上方的導體膜15在層疊方向上位于下方的第I復合薄片11的導體膜14、14間。
[0105]然后，上下層疊適當的片數的未經印刷的陶瓷生片。在厚度方向上壓接如此得到的層疊體。由此得到圖5所示的母層疊體16。
[0106]在母層疊體16，通過壓接使層疊的復合薄片11、12彼此穩(wěn)固地密接。特別由于導體膜14、15有上述厚度分布，因此能有效果地提高密接性。另外，還能有效果地抑制復合薄片11與復合薄片12的層疊偏離。若以導體膜14為例，由于如上述那樣設置厚度不同的點狀的第2區(qū)域14b，因此導體膜14通過壓接而與層疊在該導體膜14上的復合薄片12的陶瓷生片13穩(wěn)固地密接。同樣地，關于導體膜15，也是與層疊在導體膜15上的復合薄片11的陶瓷生片13、13穩(wěn)固地密接。因此，能提高導體膜14、15與陶瓷生片13的密接力，并且還能有效果地抑制層疊時與層疊方向正交的方向的位置偏離即層疊偏離。
[0107]關于形成具有上述那樣厚度分布的導體膜14、15的方法，在后面詳述。
[0108]接下來，如圖5的虛線B所示那樣在厚度方向上切斷母層疊體16，得到各個層疊陶瓷電容器單位的層疊體。將各個層疊陶瓷電容器單位的層疊體燒成。由此得到圖6所示的陶瓷燒結體17。
[0109]在陶瓷燒結體17中，第I內部電極14A和第2內部電極15A隔著陶瓷層交替層疊。分割第I導體膜14而形成第I內部電極14A。分割第2導體膜15而形成第2內部電極 15A。
[0110]多個第I內部電極14A在第I端面17a引出。多個第2內部電極15A在與第I端面17a相反側的第2端面17b引出。覆蓋第1、第2端面17a、17b地形成第1、第2外部電極18、19。由此得到層疊陶瓷電容器20。
[0111]第1、第2外部電極18、19能通過導電膏的涂布、烘烤等的適當的方法形成。
[0112]在如此得到的層疊陶瓷電容器20中，在母層疊體16的階段提高了導體膜14、15與陶瓷生片13的密接性，且難以發(fā)生層疊偏離。因此，在得到的陶瓷燒結體17中，也有效果地提高了第1、第2內部電極14A、15A與陶瓷層的密接性，難以發(fā)生脫層。此外，由于還抑制了層疊偏離，因此能容易且可靠地提供所期望那樣的特性的層疊陶瓷電容器20。
[0113]另外，在上述那樣燒成而得到的第I內部電極14A以及第2內部電極15A中，對應于在導體膜14、15的階段的厚度分布而構成內部電極的導電性粒子的密度具有分布。參考圖3對其進行說明。圖3是示意放大表示第I內部電極14A的燒成后的截面的截面圖。在第I內部電極14A中，多個導電性粒子21通過燒結而合在一起。并且，在箭頭B1、B2、B3所示的部分形成空隙。盡管沒有圖示，但另外的導電性粒子位于空隙的主面以及斜邊方向。在上述空隙的周緣，多個導電性粒子21的密度相對變低，構成低密度區(qū)域。并且，該低密度區(qū)域的周圍成為多個導電性粒子21大量存在的高密度區(qū)域。
[0114]在前述的導體膜14的第I區(qū)域14a形成上述高密度區(qū)域。另一方面，由前述點狀的第2區(qū)域14b構成上述低密度區(qū)域。這是因為，在烘烤具有上述厚度分布的導體膜14時，在厚度薄的部分成為通過烘烤而形成的內部電極中的導電性粒子的密度低的低密度區(qū)域，內部電極中的導電性粒子的密度高的厚度厚的部分成為高密度區(qū)域。
[0115]因此，上述那樣得到的層疊陶瓷電容器20的第1、第2內部電極14A、15A具有沿前述的長度方向成列的多個作為不同密度區(qū)域的低密度區(qū)域。該長度方向相當于連結第I端面17a和第2端面17b的方向。
[0116]另外，在圖1(b)中，導體膜14在寬度方向上形成3列的形成多個第2區(qū)域14b的列。因此，在如此得到的層疊陶瓷電容器20中，在寬度方向上形成3列的由上述多個低密度區(qū)域構成的在長度方向上延伸的列。
[0117]根據本申請
【發(fā)明者】的實驗，在將燒成前的導體膜14、15的厚度在第I區(qū)域設為
0.3?1.2 μπι，在第2區(qū)域的薄壁區(qū)域設為第I區(qū)域的80%?99%以內的厚度的情況下，確認到能在內部電極14Α、15Α可靠地形成上述的低密度區(qū)域以及高密度區(qū)域。如此，在本實施方式中，在形成上述第I區(qū)域、和具有薄壁區(qū)域的點狀的第2區(qū)域時，準備的導電膏中的導電性粒子的粒徑優(yōu)選為0.4 μ m以下，設為0.3 μ m程度。由此，能容易地形成更薄且具有厚度分布的上述實施方式的導體膜14、15。
[0118]在上述實施方式中，在內部電極14A、15A設置作為不同密度區(qū)域的低密度區(qū)域，但不同密度區(qū)域并不需要一定是相對低密度的區(qū)域，如從后述的其它實施方式所明確的那樣，不同密度區(qū)域也可以是密度相對高于其余的部分的密度的高密度區(qū)域。另外，也可以在高密度區(qū)域內設置密度低于該高密度區(qū)域的中央低密度區(qū)域。
[0119]接下來參考圖7?圖9來說明上述導體膜14的形成方法。
[0120]圖7(a)?(C)是用于說明形成不具有上述第2區(qū)域的大致均勻的厚度的現有的導體膜的工序的部分放大截面圖。如圖7(a)所示那樣，在凹版I的表面形成多個凹穴2。該凹穴2、2間是堤壩lb。在凹穴2內賦予導電膏101。使陶瓷生片102壓接在該凹版I的表面。其結果，將導電膏101轉印到陶瓷生片102的單面。這種情況下，導電膏101具有流動性。因此，從圖7(a)所示的狀態(tài)如圖7(b)所示那樣，導電膏101漸漸地從堤壩Ib向堤壩lb、lb間的區(qū)域移動。S卩，如圖7(b)所示那樣，在陶瓷生片102的一個面上，導電膏101從堤壩Ib向外側擴散地移動。
[0121]進而，如圖7(c)所示那樣，隨著時間的經過，導電膏101在陶瓷生片102的一個面擴散，成為大致均勻的膜厚。若烘烤如此得到的復合薄片，就能形成均勻的膜厚的電極。
[0122]但是，在使用大致均勻的導體膜的情況下，與層疊在該導體膜上的陶瓷生片的密接性不充分。為此，有可能會如前述那樣產生層疊偏離。
[0123]與此相對，在本實施方式中，如圖8所示那樣，賦予凹穴2內的導電膏14x如箭頭E、E所示那樣，在堤壩Ib傳遞而轉印到陶瓷生片13的一個面。然后，與圖7(b)所示的情況相同，導電膏14x從堤壩Ib遠離地擴散。與現有技術不同，在本實施方式中，在圖8所示的狀態(tài)下使陶瓷生片13從凹版I分離。即，通過使印刷速度快10?30mm/min程度來加快離版，由此能對導電膏14x賦予厚度分布。
[0124]另外，為了給出上述厚度分布，不僅可以加快離版，還可以調整導電膏14x中的流動性。即，作為導電膏14x，使用流動性低、難以立即成為圖7(c)所示那樣的均勻的膜厚的組成的導電膏即可?；蛘?，也可以并用加快上述離版、和導電膏的流動性的控制的雙方。
[0125]另外，期望減小導電膏14x中所含有的導電性粒子的粒徑。若使粒徑減小，則能提高導電膏14x的粘度，降低流動性。優(yōu)選，作為導電性粒子的粒徑為0.4 μπι以下。由此，能可靠且容易地形成厚度分布。
[0126]另外，為了如本實施方式那樣在導體膜14形成薄壁區(qū)域，期望增大相鄰的堤壩Ib與堤壩Ib間的間隔、即凹穴2的寬度G。由此能容易地形成導電膏14χ的厚度薄的部分。
[0127]反之，也可以在導體膜形成點狀的厚壁區(qū)域。這種情況下，為了形成厚壁區(qū)域，使堤壩Ib的寬度方向尺寸增大，使堤壩Ib與堤壩Ib間的距離即凹穴的寬度G變窄即可。
[0128]另外，在如后述那樣在點狀的厚壁區(qū)域內設置中央薄壁區(qū)域的情況下，使上述凹穴2的寬度G、和堤壩Ib的寬度F的雙方較寬即可。
[0129]如圖9所示，通過擴展堤壩Ib與堤壩Ib的間隔，能在陶瓷生片13在點狀的區(qū)域的中央形成中央薄壁部H。即，能在厚壁部的中央形成中央薄壁部H。
[0130]另外，能通過觀察透射光確認上述那樣設置在陶瓷生片13上的導體膜14的厚度分布。即，能通過測定透射光的強度，來確認厚壁部以及薄壁部。因此，能以光學方式確認得到的陶瓷生片上的導體膜的厚度分布以及形狀。
[0131]另外，只要通過以下的方法來確認最終得到的層疊陶瓷電子部件中的內部電極的厚度分布即可。首先，對燒結體進行研磨，使內部電極露出。在使內部電極露出后，將陶瓷燒結體浸漬在氫氧化鉀水溶液中，施加電壓。通過該電壓的施加而發(fā)生層間剝離。在層間剝離的樣本中用顯微鏡等確認內部電極的截面的導電性粒子的密度分布。即，能通過目視或者圖像處理裝置確認在內部電極是否存在密度高的部分以及密度低的部分。
[0132]另外，導體膜的厚度分布還能通過用接觸式或非接觸式的粗度計測量表面狀態(tài)來確認。
[0133](第2實施方式?第9實施方式)
[0134]本實用新型的復合薄片并不限定于上述第I實施方式的復合薄片11、12。
[0135]圖10是表示本實用新型的第2實施方式所涉及的復合薄片的導體膜的厚度分布的示意俯視圖。在第2實施方式中，導體膜31是具有長度方向和寬度方向的矩形的形狀。另外，在以下的第3實施方式以下，導體膜也具有長度方向，形成為長度方向與前述的陶瓷生片13的長度方向平行的矩形的形狀。
[0136]另外，在第2實施方式?第9實施方式中也與第I實施方式相同，在導體膜中，對于厚度最薄的部分不添加陰影，對其次薄的區(qū)域添加傾斜線陰影，對最厚的厚度部分添加交叉的陰影來表示。
[0137]如圖10所示那樣，在導體膜31中，被設置成在長度方向上延伸的多個點狀的第2區(qū)域33構成列。在本實施方式中，也是多個點狀的區(qū)域33構成在長度方向上延伸的列，該列在短邊方向上并設3列。上述多個點狀的第2區(qū)域33以外成為不添加陰影的第I區(qū)域32ο
[0138]在本實施方式中，第I區(qū)域32的厚度最薄。另一方面，點狀的第2區(qū)域33的厚度比第I區(qū)域32厚，設為厚壁區(qū)域。此外，在第2區(qū)域33，將中央部分設為厚度最厚的圓形的厚壁區(qū)域33b。從該厚壁區(qū)域33b的外周緣直到第I區(qū)域32的部分被設為圓環(huán)狀的厚度變化區(qū)域33a。如本實施方式那樣，作為不同厚度區(qū)域的點狀的第2區(qū)域33可以是厚度比第I區(qū)域32厚的厚壁區(qū)域。為了得到本實施方式那樣的厚度分布，優(yōu)選將堤壩寬度設為10?20 μ m，將堤壩間隔設為30?2001 μ m。
[0139]圖11是第3實施方式所涉及的導體膜34的示意俯視圖。在導體膜34中，與第2實施方式相同，在厚度最薄的第I區(qū)域32內構成由多個點狀的第2區(qū)域35構成的在長度方向上延伸的列。在本實施方式中也在短邊方向上并設3列。
[0140]第3實施方式與第2實施方式不同之處在于，在作為不同厚度區(qū)域的厚壁區(qū)域33b的中央設置圓形的中央薄壁區(qū)域33d。按照從中央薄壁區(qū)域33d的外周緣直到厚壁區(qū)域33b的方式設置圓環(huán)狀的厚度變化區(qū)域33c。也可以這樣將中央薄壁區(qū)域33d設置在厚壁區(qū)域33b內。為了得到本實施方式那樣的厚度分布，優(yōu)選將堤壩寬度設為3?20 μm，將從兩側夾著凹穴的堤壩間隔設為80?200 μ m。
[0141]另外，用于印刷上述第I?第3實施方式的各導體膜14、31、34的凹版的凹穴的圖案能夠適當變形。例如，在圖12所示的第4實施方式中，為了在凹版I的表面構成矩形的印刷圖形，六角形狀的多個凹穴41、41按照沿長度方向構成列的方式經由堤壩相連。堤壩42包圍該六角形的凹穴41。另外，在包圍中央的凹穴41的堤壩42，設置從位于短邊方向兩端的部分向印刷部3的長邊在短邊方向上延伸的肋42a、42a。該肋42a被設置為在印刷部3中與在長度方向上相鄰的肋42a—起還與堤壩42的一部分一起包圍將六角形切斷為1/2的形狀。
[0142]換言之，印刷部3中的凹穴圖案是如下形狀:從交錯狀配置多個六角形狀的凹穴41的構造中僅不切斷中央的凹穴41而使其殘留，而將位于短邊方向兩側的凹穴的短邊方向外側一半切斷而得到的形狀。
[0143]另外，肋42a的前端隔著間隙43而沒有到達印刷部3的長邊。也可以不設該間隙43 ο
[0144]另外，在圖12中，如上述示出具有六角形的凹穴41的凹穴圖案，但也可以如圖13所示的第5實施方式那樣，以包圍矩形的凹穴51的方式形成堤壩52。在此，也設置成矩形的多個凹穴51沿長度方向L構成列。另外，包圍各凹穴51地設置堤壩52。從與堤壩52的長邊平行的部分的中央朝向長邊來設置肋52a。由此，在中央的凹穴51于長邊方向上排列而成的列的短邊方向兩側，同樣地被設置成多個矩形的凹穴構成列。
[0145]在圖13中，也與圖12相同，設置在中央的列的凹穴51、和配置在短邊方向兩側的多個凹穴51交錯狀地配置。
[0146]圖14是表示本實用新型的第6實施方式所涉及的導體膜的示意俯視圖。在導體膜61中，與第2實施方式相同，對于厚度最薄的區(qū)域不添加陰影，對厚度其次薄的區(qū)域添加斜線的陰影來進行表示，對最厚的區(qū)域添加交叉的陰影來表示。在此，在導體膜61，按照形成在長度方向上延伸的列的方式，形成多個點狀的第2區(qū)域62。各點狀的第2區(qū)域62與第I實施方式相同，中央是薄壁區(qū)域62b，在圓形的薄壁區(qū)域62b的周圍設置圓環(huán)狀的厚度變化區(qū)域62a。其余區(qū)域是第I區(qū)域62c。第I區(qū)域62c成為厚度最厚的區(qū)域。
[0147]本實施方式的導體膜61與第I實施方式不同之處在于，不是設置3列，而是多個點狀的第2區(qū)域62在短邊方向上并設2列。如此，在本實用新型中，在長度方向上由多個點狀的區(qū)域構成的列并不限定于3列，也可以是2列，也可以設置4列以上的適當的數量的列。
[0148]圖15是表不為了得到本實施方式的導體膜61而使用的凹穴圖案的一例不意俯視圖。在此，將六角形分割成一半之后的形狀的多個凹穴63沿長度方向經由堤壩64而被隔開。由該多個凹穴63構成的列在短邊方向上形成2列。
[0149]圖16是第7實施方式所涉及的導體膜71的示意俯視圖。第7實施方式的導體膜71與第I實施方式的導體膜14除了點狀的第2區(qū)域的配置不同以外，其它都相同。因此，對同一部分標注同一參考編號。在第I區(qū)域14a內設置多個點狀的第2區(qū)域14b。第2區(qū)域14b在中央具有圓形的薄壁區(qū)域14d。設置從薄壁區(qū)域14d的外周緣向第I區(qū)域14a厚度發(fā)生變化的圓環(huán)狀的厚度變化區(qū)域14c。本實施方式與第I實施方式不同之處在于，多個第2區(qū)域14b不是交錯狀而是矩陣狀配置。即，如圖16的細線G所示那樣，構成各列的第2區(qū)域14b在短邊方向排成列。
[0150]如此，第2區(qū)域14b也可以不是交錯狀而是矩陣狀配置。
[0151]圖17是第8實施方式所涉及的導體膜的示意俯視圖。在第8實施方式所涉及的導體膜81中，與第7實施方式的導體膜71相同，點狀的多個第2區(qū)域14b與導體膜81的各長邊相鄰地構成列。取代圖16所示的中央的列，在長度方向上延伸設置Z字狀的厚度薄的薄壁區(qū)域82。如此，也可以在長度方向上Z字形延伸地設置薄壁區(qū)域82。由此，能進一步提高導體膜81和陶瓷生片的密接力。
[0152]圖18是表示在第9實施方式中使用的凹版的凹穴圖案的示意俯視圖。在凹穴圖案91中，多個矩形的凹穴92矩陣狀配置。更具體地，多個凹穴92經由堤壩93被隔開，但多個凹穴92按照構成在長度方向上延伸的列的方式形成3列。另外，多個凹穴92矩陣狀配置。在此，適當組合L字狀的堤壩93和I字狀的堤壩94，構成被堤壩93、94所夾的凹穴92。例如，通過使用在第9實施方式中所用的凹版的凹穴圖案，能得到第8實施方式所涉及的導體膜。為了得到第8實施方式所涉及的導體膜，優(yōu)選要使凹穴92間相連從而使得隔開凹穴92的堤壩93的一部分缺失的部分的寬度設為從凹穴的兩側起的堤壩間隔的50%?80%。
[0153]本實用新型所涉及的層疊陶瓷電子部件的制造方法具備:準備按照本實用新型而構成的復合薄片的工序；層疊多片的所述復合薄片來得到層疊體的工序；將所述層疊體切斷為各個層疊陶瓷電子部件單位的層疊體的工序；燒成各個層疊陶瓷電子部件單位的層疊體來得到具有導體膜被燒成而形成的多個內部電極的陶瓷燒結體的工序。
[0154]如從第2?第9實施方式所明確的那樣，在本實用新型中，凹版的凹穴圖案以及導體膜中的薄壁區(qū)域以及厚壁區(qū)域的配置圖案能進行各種變形，并不限定于圖示的實施方式。
[0155]另外，在上述實施方式中，說明了層疊陶瓷電容器以及其制造方法，但本實用新型能運用在層疊陶瓷電容器以外的層疊陶瓷壓電部件、層疊陶瓷電感器、層疊陶瓷多層基板等的各種層疊陶瓷電子部件以及其制造方法中。
【權利要求】
1.一種復合薄片，其特征在于，具備: 具有長度方向的陶瓷生片；和 印刷在所述陶瓷生片上的導體膜， 在所述導體膜，按照構成在所述長度方向上延伸的列的方式，設有沿長度方向分散配置且厚度與其余的部分不同的多個不同厚度區(qū)域。2.根據權利要求1所述的復合薄片，其中， 在俯視的情況下，所述不同厚度區(qū)域具有點狀的形狀。3.根據權利要求1或2所述的復合薄片，其中， 多個所述不同厚度區(qū)域被設置為構成多個所述列。4.根據權利要求1或2所述的復合薄片，其中， 所述不同厚度區(qū)域是厚度比其余的部分薄的薄壁區(qū)域。5.根據權利要求1或2所述的復合薄片，其中， 所述不同厚度區(qū)域是厚度比其余的部分厚的厚壁區(qū)域。6.根據權利要求5所述復合薄片，其中， 在所述厚壁區(qū)域內，設有厚度比該厚壁區(qū)域薄的中央薄壁區(qū)域。7.一種層疊陶瓷電子部件，其特征在于，具備: 陶瓷燒結體，所述陶瓷燒結體是對層疊的復合薄片進行壓接、在厚度方向上切斷，并進行燒成而得到的；和 在所述陶瓷燒結體內隔著陶瓷層相互重疊地配置的多個內部電極， 所述內部電極是具有長邊方向、和與長邊方向正交的短邊方向的平面形狀， 所述內部電極具有:按照構成在所述長邊方向上延伸的列的方式被分散配置且密度與其余的部分不同的多個不同密度區(qū)域。8.根據權利要求7所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 所述不同密度區(qū)域在俯視的情況下具有點狀的形狀。9.根據權利要求7或8所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 多個所述不同密度區(qū)域被設置為構成多個所述列。10.根據權利要求7或8所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 所述不同密度區(qū)域是密度比其余的部分低的低密度區(qū)域。11.根據權利要求7或8所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 所述不同密度區(qū)域是密度比其余的部分高的高密度區(qū)域。12.根據權利要求11所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 在所述高密度區(qū)域內，設有密度比該高密度區(qū)域低的中央低密度區(qū)域。13.根據權利要求7或8所述的層疊陶瓷電子部件，其中， 所述層疊陶瓷電子部件是層疊陶瓷電容器。
【文檔編號】H01G4-12GK204270876SQ201420635930
【發(fā)明者】久保田好春, 堤啟恭 [申請人]株式會社村田制作所