專利名稱:半導(dǎo)體芯片分向測試裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導(dǎo)體分向測試裝置，包括：底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多個容納被檢測芯片的放置槽，且所述放置槽的深度不大于所述被檢測芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一個第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔與所述放置槽的第一通孔相連通；真空泵，所述真空泵與所述底座的第二通孔密封連接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓。所述被檢測芯片有選擇性的搖出所述半導(dǎo)體芯片分向測試裝置，分向速度快，準確度高，對所述被檢測芯片的損傷小。
【專利說明】半導(dǎo)體芯片分向測試裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體芯片分向測試裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體晶圓工藝的發(fā)展，為了滿足晶圓切割后的芯片的電特性篩選的需求，往往要用到芯片分選設(shè)備。然而半導(dǎo)體芯片的P面(這里假設(shè)P面為有玻璃的臺面)相對N面的焊接面積小的多，芯片分選時如果P面朝下，則芯片被轉(zhuǎn)移至測試座上的時候易導(dǎo)致芯片滑落、傾斜等現(xiàn)象，此時測試針接觸芯片時易對傾斜的芯片造成機械壓傷，并且對測試針也造成一定程度的損傷。如果要降低此類現(xiàn)象的出現(xiàn)，則需要手工將待測試的晶粒全部P面朝上擺正，但是這樣會浪費大量的時間，降低了生產(chǎn)效率。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是提供一種半導(dǎo)體芯片分向測試裝置，使被檢測芯片有選擇性的搖出所述半導(dǎo)體芯片分向測試裝置，分向速度快，準確度高，對所述被檢測芯片的損傷小，甚至不會對所述被檢測芯片造成損傷。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種半導(dǎo)體分向測試裝置，包括:
[0005]底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多個容納被檢測芯片的放置槽，且所述放置槽的深度不大于所述被檢測芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一個第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔與所述放置槽的第一通孔相連通；
[0006]真空泵，所述真空泵與所述底座的第二通孔密封連接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓。
[0007]優(yōu)選的，所述放置槽的深度范圍是150um-200um。
[0008]優(yōu)選的，所述放置槽的水平截面的形狀是正多邊形或圓形。
[0009]優(yōu)選的，所述第二通孔位于所述底座的側(cè)壁或所述底座的下表面。
[0010]優(yōu)選的，所述底座為空心底座，所述底座是由所述底座的上表面、所述底座的下表面和所述底座的側(cè)壁包圍組成的。
[0011]優(yōu)選的，當(dāng)所述底座的側(cè)壁高于所述底座的上表面時，所述底座的側(cè)壁還具有第三通孔，所述第三通孔用于未被吸附的被測芯片滑出。
[0012]優(yōu)選的，所述底座的上表面的形狀是正多邊形或圓形。
[0013]優(yōu)選的，所述放置槽的剖面為梯形。
[0014]優(yōu)選的，所述底座的上表面為矩形時，所述矩形的長邊的長度范圍是50cm-60cm，寬邊的長度范圍是20cm-30cm。
[0015]本實用新型所提供的半導(dǎo)體芯片分向測試裝置與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點:
[0016]本實用新型所提供的半導(dǎo)體分向測試裝置，包括:底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多個容納被檢測芯片的放置槽，所述放置槽的深度不大于被檢測芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一個第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔與所述放置槽的第一通孔相連通；真空泵，所述真空泵與所述底座的第二通孔密封連接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓。
[0017]使用所述半導(dǎo)體芯片分向測試裝置時，將需要分選的被檢測的芯片鋪蓋在所述底座的上表面，搖動所述底座，使所述被檢測芯片盡可能地落入其附近的位置槽中，開啟真空泵，降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓，搖動所述底座，盡可能的使所述底座的上表面與水平面平行，使得被檢測芯片盡可能的被其附近的所述放置槽吸附，然后傾斜所述底座，倒出未被吸附的被檢測芯片。由于被所述放置槽吸附的被檢測芯片的朝向不同，被檢測芯片的P面相對N面的焊接面積小。當(dāng)所述放置槽中的真空度相同時，所述放置槽對所述P面朝下和N面朝下的被檢測芯片的吸附力不同，同時所述P面朝上的被檢測芯片的重心更低，因此，所述P面朝上的被檢測芯片更容易被吸附到其附近的所述放置槽。傾斜所述底座時，由于所述P面朝下的被檢測芯片，相比所述N面朝下的被檢測芯片受到的吸附力更低，其重心更高，很容易脫離其先前所處的所述放置槽，進入所述空心底座的上表面，在重力的作用下，滑出所述底座的上表面，從而達到分向的目的。
[0018]綜上所述，可知本實用新型所提供半導(dǎo)體分向測試裝置，不增加新的部件，利用較淺的放置槽對在其附近的被測芯片的不同面的吸力的不同，留下P面朝上的芯片，篩選掉P朝下的被測芯片，從而達到了分向的目的。由于篩選時，只需將被檢測芯片放置到所述底座的上表面，以及搖動所述底座，不用人工分選，因此所述半導(dǎo)體分向測試裝置操作簡單，分向速度快，準確度高，因為所述被檢測芯片的重量較輕，只要不受外力的機械壓迫，一般不會受到明顯的損傷，甚至不會對所述被測芯片造成損傷。

【附圖說明】

[0019]圖1為本實用新型實施例所提供的半導(dǎo)體分向測試裝置的一種【具體實施方式】的示意圖；
[0020]圖2為本實用新型實施例所提供的半導(dǎo)體分向測試裝置的一種【具體實施方式】具有第三通孔的示意圖。

【具體實施方式】
[0021]基于【背景技術(shù)】部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中，芯片分選時如果P面朝下，則被檢測芯片被轉(zhuǎn)移至測試座上的時候易導(dǎo)致芯片滑落、傾斜等現(xiàn)象，此時測試針接觸所述被檢測芯片時易對傾斜的被檢測芯片造成機械壓傷，并且對測試針也造成一定程度的損傷。如果要降低此類現(xiàn)象的出現(xiàn)，則需要手工將待測試的晶粒全部P面朝上擺正，浪費大量的時間，降低了生產(chǎn)效率。
[0022]本實用新型實施例是提供一種半導(dǎo)體分向測試裝置，包括:
[0023]底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多個容納被檢測芯片的放置槽，所述放置槽的深度不大于所述被檢測芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一個第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔與所述放置槽的第一通孔相連通；
[0024]真空泵，所述真空泵與所述底座的第二通孔密封連接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓。
[0025]本實用新型實施例所提供的半導(dǎo)體分向測試裝置及，在分選被檢測芯片的過程中，所述底座的上表面的放置槽與所述位置槽中的被檢測芯片一一對應(yīng)，且所述放置槽的深度不大于芯片的厚度，以保證不管是N面朝下還是P面朝下的被檢測芯片，均可以落入所述放置槽中，由于所述N面朝下的被檢測芯片與所述放置槽的接觸面為平面，從而使得其與所述放置槽的接觸面積較大，當(dāng)其落入放置槽內(nèi)時，可以與第一通孔、第二通孔和真空泵構(gòu)成密閉空間，然后用所述真空泵將所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓，即可將N面朝向的被檢測芯片吸附在所述放置槽的底部。而P面朝下的被檢測芯片，當(dāng)其落入放置槽內(nèi)時，難以與第一通孔、第二通孔和真空泵構(gòu)成密閉空間，然后用所述真空泵將所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓時，施加到所述P面朝下的被檢測芯片的吸附力較小，同時其重心較高，再搖動所述底座，即可使所述P面朝下的被檢測芯片與所述放置槽底部脫離，實現(xiàn)芯片的分向。
[0026]由此可見，本實用新型實施例所提供的半導(dǎo)體分向測試裝置，在分選被檢測芯片時，不需要手工一一將所述被檢測芯片放入所述位置槽中，只要將所述被檢測芯片放入所述半導(dǎo)體分向測試裝置中，搖動所述底座，抽真空，就可以輕易的對所述被檢測芯片進行分選，使得所有留在所述底座的被檢測芯片均是N面朝下的被檢測芯片，分選速度快，效率高，同時便于后期對芯片進行檢測時，對被檢測芯片的損傷小，甚至不會對被測芯片造成損傷。
[0027]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0028]在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本實用新型。但是本實用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實用新型不受下面公開的具體實施的限制。
[0029]請參考圖1，圖1為本實用新型實施例所提供的半導(dǎo)體分向測試裝置的一種【具體實施方式】的示意圖。
[0030]在一種【具體實施方式】中，本實用新型所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，包括:
[0031]底座100，所述底座100水平放置，所述底座100的上表面具有多個容納被檢測芯片的放置槽101，且所述放置槽101的深度不大于被檢測芯片的厚度，所述放置槽101的底部具有至少一個第一通孔，所述底座100具有第二通孔102，所述第二通孔102與所述放置槽101的第一通孔相連通；
[0032]真空泵110，所述真空泵110與所述底座的第二通孔102密封連接，用于降低所述底座100、所述第一通孔、所述第二通孔102和所述被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓。
[0033]優(yōu)選的，所述放置槽101的深度范圍是150um-200um。所述被檢測芯片的厚度一般在275um左右，所述放置槽101的深度范圍是150um-200um時，掉入所述放置槽101的P面朝下被檢測芯片更容易被搖出，如果所述放置槽101的深度更小，則N面朝下的被檢測芯片不容易被吸附，所述放置槽101的深度更大時，P面朝下的被檢測芯片不容易被搖出。必須要說明的是，這個深度范圍與所述被檢測芯片的厚度相關(guān)的，不是一成不變的。
[0034]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型實施例的一種【具體實施方式】中，所述放置槽101的水平截面的形狀是正多邊形或圓形。所述放置槽101的水平截面的形狀是規(guī)則圖形時，所述放置槽101的制造工藝可以變得更簡單，制作完成的放置槽101也更美觀，同時對被檢測芯片在進出所述放置槽101時，造成的損傷更小。
[0035]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型實施例的一種【具體實施方式】中，所述第二通孔102位于所述底座100的側(cè)壁或所述底座100的下表面。由于所述真空泵110與所述第二通孔102密封連接，所述第二通孔102位于所述底座100的側(cè)壁或所述底座100的下表面時，搖動所述底座100更加方便，尤其是所述第二通孔102位于所述底座的下表面時，搖動所述底座100需要的能量更少。
[0036]需要說明的是，所述第二通孔102也可以位于所述底座100的第一通孔，只是在搖動所述底座100時，非常的不方便，不容易保持均勻搖動的狀態(tài)。
[0037]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型實施例的一種【具體實施方式】中，所述底座100為空心底座，所述底座100是由所述底座100的上表面、所述底座100的下表面和所述底座100的側(cè)壁包圍組成的。所述底座100為空心底座時，搖動所述底座100需要的能量更少，制作所述底座100的工藝變得非常簡單，可以降低制造成本。
[0038]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型實施例的一種【具體實施方式】中，當(dāng)所述底座100的側(cè)壁高于所述底座的上表面時，所述底座100的側(cè)壁還具有第三通孔103，所述第三通孔用于未被吸附的被測芯片滑出，如圖2所示。當(dāng)所述底座100的側(cè)壁高于所述底座100的上表面時，即相當(dāng)于所述底座100的上表面周圍有圍墻，那么在搖動所述底座后，位于所述底座100的上表面以及未被吸附的被檢測芯片，需要從所述底座100的上表面滑出，所述圍墻會使這些芯片在其附近聚集，所述第三通孔103就是這些芯片的出口。
[0039]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型實施例的一種【具體實施方式】中，所述底座100的上表面的形狀是正多邊形或圓形。所述底座100的上表面的形狀是正多邊形或圓形，會使的所述底座100的中心集中到所述底座的中心，搖動時需要的提供的能量均勻，同時，所述底座100也可以批量制作，降低成本。
[0040]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型實施例的一種【具體實施方式】中，所述放置槽101的剖面為梯形。所述放置槽101的剖面為梯形，那么所述被檢測的芯片，不管是N面朝下的被檢測芯片，還是P面朝下的被檢測芯片，只要進入所述放置槽101，那么很容易被所述放置槽吸附。
[0041]需要說明的是，所述放置槽101的剖面也可以是其他形狀，只是被檢測芯片進入所述放置槽101后，不會被馬上吸附，造成分選的效率的降低。
[0042]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本實用新型實施例的一種【具體實施方式】中，所述底座100的上表面為矩形時，所述矩形的長邊的長度范圍是50cm-60cm，寬邊的長度范圍是20cm-30cm。需要說明的是，所述底座的上表面的參數(shù)是根據(jù)實際需求設(shè)定的，上述具體參數(shù)只是一個特例。
[0043]綜上所述，本實用新型實施例所提供的半導(dǎo)體分向測試裝置，只需要人工搖動或者機器搖動所述底座，即可完成對被檢測芯片的分選，不需要手工一一將所述被檢測芯片放入所述放置槽中，所有留在所述底座的被檢測芯片均是N面朝下的被檢測芯片，分選速度快，效率高，同時便于后期對芯片進行檢測時，對被檢測芯片的損傷小，甚至不會對被測芯片造成損傷。
[0044]以上對本實用新型所提供的半導(dǎo)體分向測試裝置進行了詳細介紹。本文中應(yīng)用了具體個例對本實用新型的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以對本實用新型進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本實用新型權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，包括: 底座，所述底座水平放置，所述底座的上表面具有多個容納被檢測芯片的放置槽，且所述放置槽的深度不大于所述被檢測芯片的厚度，所述放置槽的底部具有至少一個第一通孔，所述底座具有第二通孔，所述第二通孔與所述放置槽的第一通孔相連通； 真空泵，所述真空泵與所述底座的第二通孔密封連接，用于降低所述底座、所述第一通孔、所述第二通孔和所述被檢測芯片構(gòu)成的密閉空間內(nèi)的氣壓。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，所述放置槽的深度范圍是150um-200umo3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，所述放置槽的水平截面的形狀是正多邊形或圓形。4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，所述第二通孔位于所述底座的側(cè)壁或所述底座的下表面。5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，所述底座為空心底座，所述底座是由所述底座的上表面、所述底座的下表面和所述底座的側(cè)壁包圍組成的。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，當(dāng)所述底座的側(cè)壁高于所述底座的上表面時，所述底座的側(cè)壁還具有第三通孔，所述第三通孔用于未被吸附的被測芯片滑出。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，所述底座的上表面的形狀是正多邊形或圓形。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，所述放置槽的剖面為梯形。9.如權(quán)利要求1或7所述的半導(dǎo)體分向測試裝置，其特征在于，所述底座的上表面為矩形時，所述矩形的長邊的長度范圍是50cm-60cm，寬邊的長度范圍是20cm-30cm。
【文檔編號】H01L21-66GK204289398SQ201420692931
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