專利名稱：用于清潔基板的設(shè)備和系統(tǒng)的制作方法
用于清潔基板的設(shè)備和系統(tǒng)
背景技術(shù)：
在諸如集成電路和存儲(chǔ)器單元之類半導(dǎo)體器件的制造中，進(jìn)行一系列制造操作， 以定義半導(dǎo)體晶片(“晶片”)的特征。晶片(或基板)包括在硅基板上定義的多層次結(jié)構(gòu)形式的集成電路器件。在基板的層次，形成帶擴(kuò)散區(qū)的晶體管器件。在隨后的層次，互連金屬線被圖案化并且電氣連接到晶體管器件，以定義所需的集成電路器件。此外，圖案化的導(dǎo)電層與其它導(dǎo)電層之間由介電材料絕緣在一系列的制造操作期間，晶片表面暴露于各類污染物。在制造操作中存在的任何物質(zhì)在本質(zhì)上是潛在的污染源。例如，污染源可能包括工藝氣體、化學(xué)物質(zhì)、沉積材料和液體等。各種污染物可能會(huì)以微粒形式沉積在晶片表面。如果不去除微粒污染，污染附近范圍內(nèi)的設(shè)備就將有可能無(wú)法使用。因此，有必要以相當(dāng)完全的方式從晶片表面清潔污染物而不損壞在晶片上定義的特征。然而，微粒污染的大小常常是在晶片上制成的特征的關(guān)鍵尺寸大小的量級(jí)。沒(méi)有不利地影響晶片上的特征而去除這樣小的顆粒污染是相當(dāng)困難的。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施方式中，公開(kāi)了用于清潔基板的上部加工頭。上部加工頭包括具有前緣和后緣的第一模塊。要清潔的基板的頂部將沿自前緣至后緣延伸的方向通過(guò)第一模塊的下面。第一模塊包括沿前緣定義的成排的清潔材料分配口。該排清潔材料分配口定義為在基板位于其下時(shí)將清潔材料層朝下分配到該基板上。第一模塊還包括沿后緣定義的成排的沖洗材料分配口。該排沖洗材料分配口定義為在基板位于其下時(shí)將沖洗材料朝下分配在該基板上。第一模塊還包括沿該排清潔材料分配口的尾隨側(cè)定義的成排的通風(fēng)口。此外，第一模塊包括在該排通風(fēng)口和該排沖洗材料分配口之間定義的第一成排的真空口。所述第一成排的真空口被定義為對(duì)從該排通風(fēng)口供應(yīng)的空氣以及在基板位于其下時(shí)來(lái)自基板的清潔材料和沖洗材料提供多相抽吸。在另一實(shí)施方式中，公開(kāi)了用于清潔基板的下部加工頭。下部加工頭包括具有前緣和后緣的第一模塊。要清潔的基板的底部將沿自前緣至后緣延伸的方向通過(guò)第一模塊的上面。第一模塊包括沿前緣定義以收集和排放分配在其中的材料的排放通道。第一模塊還包括定義為限制沖洗彎液面區(qū)的突出框架(projected curb)。該突出框架包括分別定義為沖洗彎液面區(qū)的大約前半部份的和后半部份的引領(lǐng)部和尾隨部。突出框架的引領(lǐng)部位于在排放通道的尾部的一側(cè)。第一模塊還包括在沖洗彎液面區(qū)內(nèi)沿突出框架的尾隨部定義的成排的沖洗材料分配口。該排沖洗材料分配口定義為在基板位于其上時(shí)向上分配沖洗材料到基板上。此外，第一模塊包括定義為對(duì)分突出框架的引領(lǐng)部前緣的成排的真空口。該排真空口被定義為提供多級(jí)的沖洗材料和空氣的抽吸。在另一實(shí)施方式中，公開(kāi)了用于清潔基板的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括定義為在將基板保持在基本水平的方向時(shí)以基本上直線的路徑移動(dòng)基板的基板載體。該系統(tǒng)還包括位于基板的所述路徑之上的上部加工頭。所述上部加工頭包括第一上表面(topside)模塊，其定義為將清潔材料施加在基板上、然后將基板暴露于上表面沖洗彎液面。所述第一上表面模塊定義為使沖洗材料以基本上為單向的方式向著所述清潔材料并逆著基板的移動(dòng)方向流經(jīng)所述上表面沖洗彎液面。該系統(tǒng)還包括位于基板的所述路徑之下的下部加工頭。所述下部加工頭包括第一下表面(bottomside)模塊，其定義為將下表面沖洗彎液面施加在所述基板上，以均衡由所述上表面沖洗彎液面施加在所述基板上的力。所述第一下表面模塊定義為提供用于收集和排放當(dāng)所述基板載體不在所述上部加工頭和所述下部加工頭之間時(shí)從所述第一上表面加工頭分配的所述清潔材料的排放通道。從下面的結(jié)合附圖進(jìn)行的、以本發(fā)明的實(shí)施方式的方式說(shuō)明的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的其它方面和優(yōu)勢(shì)將更加明顯。


圖IA示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的用于從基板清潔污染物的系統(tǒng)； 圖IB示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、有位于上部加工頭的下方和在下部加工頭118的上方的基板載體的室的垂直剖面圖2A示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的上部加工頭的等軸測(cè)視圖； 圖2B示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、在其前緣和后緣之間垂直切割的上部加工頭的垂直剖面圖3A示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的下部加工頭的等軸測(cè)視圖； 圖3B示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、縱向切開(kāi)通過(guò)第二下表面模塊的下部加工頭的垂直橫截面的等軸測(cè)視圖3C示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、在其前緣和后緣之間垂直切割的下部加工頭的垂直剖面圖4示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、上部加工頭置于基板的上面而下部加工頭置于基板的下面上部加工頭相對(duì)。 優(yōu)選實(shí)施方式在下面的說(shuō)明中，說(shuō)明了許多具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的透徹的了解。然而，明顯的是，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員，本發(fā)明沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的部分或全部可以實(shí)施。在其它情況下，眾所周知的工藝操作沒(méi)有做詳細(xì)介紹，以免不必要地模糊本發(fā)明。作為此處引用的基板，表示但不限制于半導(dǎo)體晶片、硬驅(qū)磁盤(pán)、光盤(pán)、玻璃基板、平板顯示器表面和液晶顯示表面等，它們?cè)谥圃旎蚣庸げ僮髦锌赡鼙晃廴?。根?jù)實(shí)際的基板， 表面可以通過(guò)不同的方式被污染，而可接受的污染的水平是在加工基板的特定行業(yè)中定義的。為便于討論，基板污染在本文中是通過(guò)在基板表面上存在污染物顆粒的方式進(jìn)行說(shuō)明的。但是，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，這里引用的污染物顆粒可采取可能在基本上任何基板加工和處理操作期間接觸基板的基本上任何類型的污染物的形式。在各種實(shí)施方式中，本文所公開(kāi)的裝置、系統(tǒng)和方法可用于從圖案化的基板和非圖案化的基板等清潔污染物顆粒。在圖案化的基板的情況下，在要清潔的圖案化的基板表面上的突起結(jié)構(gòu)可對(duì)應(yīng)于諸如多晶硅線或金屬線之類凸出線。此外，要清潔的圖案化的基板表面可包括諸如從化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)加工中產(chǎn)生的凹進(jìn)之類凹進(jìn)的特征。圖IA為按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所示出的用于從基板清潔污染物的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括由封閉墻101定義的室100。室100包括輸入模塊119、加工模塊121和輸出模塊123?；遢d體103及相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)裝置是定義為提供基板102的如箭頭107所示的從輸入模塊119通過(guò)加工模塊121到輸出模塊123的直線運(yùn)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)器軌道105A和引導(dǎo)軌道105B 定義為提供基板載體103的受控直線運(yùn)動(dòng)，以使基板102沿著由驅(qū)動(dòng)器軌道105A和引導(dǎo)軌道105B定義的直線路徑保持在基本水平的方向。輸入模塊119包括門(mén)組件113，通過(guò)門(mén)組件113基板102可以由基板處理裝置插入室100中。輸入模塊119還包括基板升降裝置109，升降裝置109定義為當(dāng)基板載體103 在輸入模塊119中位于升降裝置109之上并居中時(shí)，其通過(guò)基板載體103的開(kāi)放區(qū)垂直移動(dòng)。當(dāng)基板102通過(guò)門(mén)組件113插入室100時(shí)，可提高基板升降裝置109以接收基板102。 基板升降裝置109然后可以降低，以將基板102放置在基板載體103上并離開(kāi)基板載體103 的直線行進(jìn)路徑。加工模塊121包括上部加工頭117，其被設(shè)置為而當(dāng)其上放置有基板102的基板載體103移動(dòng)移動(dòng)通過(guò)上部加工頭217頭的下方時(shí)，處理基板102的上表面。加工模塊121 還包括下部加工頭118(見(jiàn)圖1B)，其被設(shè)置為在基板載體103的直線移動(dòng)路徑之下，與上部加工頭117相對(duì)。下部加工頭118定義和定位為當(dāng)基板載體103通過(guò)加工模塊121移動(dòng)時(shí)就加工基板102的底部表面。上部加工頭117和下部加工頭118每個(gè)都有前緣141和后緣143，這樣在加工操作過(guò)程中，基板載體103沿直線路徑從前緣141向后緣143移動(dòng)基板 102。如下面詳細(xì)討論的，關(guān)于本發(fā)明，上部加工頭117和下部加工頭118的每一個(gè)被定義為分別在基板102的上表面和下表面上執(zhí)行多級(jí)清潔過(guò)程。應(yīng)該理解，在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)額外的加工頭可與上部加工頭117在基板載體103的直線行進(jìn)路徑之上一起使用，和/或一個(gè)或多個(gè)額外的加工頭可與下部加工頭118在基板載體103的直線行進(jìn)路徑之下一起使用。例如，定義為執(zhí)行基板102的干燥處理的加工頭可分別置于上部加工頭117和下部加工頭118的后緣之后。一旦基板載體103移動(dòng)通過(guò)加工模塊121，基板載體103就到達(dá)輸出模塊115。輸出模塊115包括基板升降裝置111，其定義為當(dāng)基板載體103在輸入模塊111中位于升降裝置111之上并居中時(shí)，通過(guò)基板載體103的開(kāi)放區(qū)垂直移動(dòng)?；迳笛b置111可以提起，以將基板102從基板載體103抬起到從室100取回的位置。輸出模塊111也包括門(mén)組件115，通過(guò)它基板102可以用基板處理裝置從室100取回。一旦基板102從基板升降裝置111取回，基板升降裝置111就可以降低，以暢通基板載體103的直線行進(jìn)路徑。然后， 基板載體103被運(yùn)回輸入模塊119以取回下一個(gè)進(jìn)行加工的基板。圖IB示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、有基板載體103位于上部加工頭117 的下方和在下部加工頭118的上方的室100的垂直剖面圖。上部加工頭117被安裝到驅(qū)動(dòng)軌道105和引導(dǎo)軌道105，使得上部加工頭117的垂直位置指示(index)驅(qū)動(dòng)軌道105的垂直位置和引導(dǎo)軌道105的垂直位置，從而指示基板載體103和其上所托持的基板102的垂直位置。上部加工頭117定義為在基板載體103移動(dòng)在其下的基板102時(shí)在基板102的上表面上執(zhí)行清潔過(guò)程。類似地，下部加工頭118定義為在基板載體103移動(dòng)在其上基板102 時(shí)在基板102的下表面上執(zhí)行沖洗過(guò)程。在各個(gè)實(shí)施方式中，在加工模塊121中的上部加工頭117和下部加工頭118的每一個(gè)可以定義為在基板102上執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)基板加工操作。此外，在一個(gè)實(shí)施方式中，在加工模塊121中的上部加工頭117和下部加工頭118定義為跨越基板102的直徑，使得在上/下部加工頭117/118之下/上基板載體103的一次通過(guò)就將加工基板102的整個(gè)上/下表面。圖2A示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的上部加工頭117的等軸測(cè)視圖。上部加工頭117包括兩個(gè)基本相同的模塊，即第一上表面模塊117A和第二上表面模塊117B。第一上表面模塊117A有有效前緣201A和有效后緣203A。第二上表面模塊117B有有效前緣 201B和有效后緣2(X3B。要清潔的基板的頂部將沿從上部加工頭117的前緣141向后緣143 延伸的方向從第一上表面模塊117A和第二上表面模塊117B的下面按順序通過(guò)。因此，在加工過(guò)程中，基板將沿從有效前緣201A向有效后緣203A延伸的方向從第一上表面模塊117A 下面通過(guò)。然后，基板沿從有效前緣201B向有效后緣2(X3B延伸的方向從第二上表面模塊 117B下面通過(guò)。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二上表面模塊117B被定義為與第一上表面模塊117A基本上相同。第二上表面模塊117B與上部加工頭117A中的第一上表面模塊117A是連續(xù)的，使得第二上表面模塊117B的有效前緣201B在加工過(guò)程期間相對(duì)于在上部加工頭117之下的基板行進(jìn)方向被置于第一上表面模塊117A的有效后緣203A之后。此外，在一個(gè)實(shí)施方式中，第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B是獨(dú)立可控的。然而，在另一實(shí)施方式中，第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B可共同控制。圖2B示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、在其前緣141和后緣143之間垂直切割的上部加工頭117的垂直剖面圖。本文所討論的上部加工頭117頭的各種特征可以參考圖2A和2B。上部加工頭117可以用例如塑料、金屬等與半導(dǎo)體晶片清潔過(guò)程以及清潔過(guò)程中使用的化學(xué)物兼容的并且能形成到本文所公開(kāi)的配置的基本上任何類型的材料制成 (define)。第一上表面模塊117A包括沿有效前緣201A定義的成排的清潔材料分配口 209A。 第二上表面模塊117B也包括沿有效前緣201B定義的成排的清潔材料分配口 209B。每一成排的清潔材料分配口 209A/209B被定義為將清潔材料層向下分配到位于其下面的基板上。 清潔材料分配口 209A/209B連接到各自的清潔材料供應(yīng)流動(dòng)網(wǎng)絡(luò)，如在共同待審的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/165, 577中說(shuō)明的那樣，這里將其全文納入。清潔材料分配口 209A/209B及其相關(guān)的清潔材料供應(yīng)流動(dòng)網(wǎng)絡(luò)配置為使上部加工頭117的外形因素最小化，同時(shí)確保在清潔材料分配口 209A/209B下方穿過(guò)的基板上以基本均勻的方式涂敷清潔材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，清潔材料分配口 209A/209B定義為成排的離散的口，例如孔。 在另一實(shí)施方式中，清潔材料分配口 209A/209B定義為沿上部加工頭117的長(zhǎng)度方向延伸的一個(gè)或多個(gè)槽。在一個(gè)實(shí)施方式中，清潔材料分配口 209A/209B定義為以高達(dá)約60每秒毫米(mm/s)的基板載體速度及每一基板約25毫升(mL/基板)的相應(yīng)的低清潔材料耗費(fèi)向基板提供基本均勻和完整的覆蓋。還有，清潔材料分配口 209A/209B及其相關(guān)的清潔材料供應(yīng)流動(dòng)網(wǎng)絡(luò)可以用具有不同化學(xué)性質(zhì)的許多種不同的清潔材料進(jìn)行操作。在一個(gè)實(shí)施方式中，此處引用的清潔材料可以包括一種或多種粘彈性材料以捕獲存在于基板表面上的污染物。在一示例實(shí)施方式中，粘彈性材料被定義為大分子量的聚合物。在另一示例實(shí)施方式中，清潔材料是一種凝膠狀聚合物。在又一示例實(shí)施方式中，清潔材料是溶膠，即在液體中的固體顆粒的膠體懸浮物。在又一實(shí)施方式中，清潔材料是一種液體溶液。在基板上的污染物顆粒被捕獲在清潔材料的粘彈性組分鏈/網(wǎng)絡(luò)中。當(dāng)通過(guò)沖洗去除基板上的清潔材料時(shí)，被捕獲在清潔材料中的污染物顆粒被從基板去除。適合使用于此處所公開(kāi)的系統(tǒng)的一些示例性的清潔材料在共同待審的美國(guó)專利申請(qǐng)No. 12/131,654 中有說(shuō)明，這里將其全文納入。第一上表面模塊117A包括沿有效后緣203A定義的成排的沖洗材料分配口 211A。 第二上表面模塊117A也包括沿有效后緣2(X3B定義的成排的沖洗材料分配口 211B。每一成排的沖洗材料分配口 211A/211B被定義為向下分配沖洗材料到正位于其下的基板上。在一個(gè)實(shí)施方式中，在所述成排的沖洗材料分配口 211A/211B中的每個(gè)口被定義為具有約0. 03 英寸的直徑，在所述成排的沖洗材料分配口 211A/211B中的相鄰的口被分隔為中心到中心的距離為約0. 125英寸。但是，應(yīng)理解，在其它的實(shí)施方式中，所述成排的沖洗材料分配口 211A/211B可以定義為具有不同的大小和間距，只要沖洗材料是以合適的方式從那里分配即可。此外，在一個(gè)實(shí)施方式中，所述成排的沖洗材料行分配口 211A/211B可以定義為沿所述第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B的有效后緣203A/20;3B成行延伸的一個(gè)或多個(gè)槽。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述成排的沖洗材料分配口 211A/211B及其相關(guān)的沖洗材料供應(yīng)流網(wǎng)絡(luò)被定義為以在約1升/分鐘(L/min)延伸至約4L/min的范圍內(nèi)的流速分配沖洗材料。此外，沖洗材料分配口 211A/21B及其相關(guān)的沖洗材料供應(yīng)流網(wǎng)絡(luò)可以用具有不同化學(xué)性質(zhì)的許多種不同的沖洗材料進(jìn)行操作。沖洗材料應(yīng)與清潔材料和要清潔的基板化學(xué)兼容。在一個(gè)實(shí)施方式中，沖洗材料是去離子水(DIW)。然而，在其它的實(shí)施方式中，沖洗材料可以是在液體狀態(tài)下的許多不同材料之一，諸如二甲基亞砜(DMSO)、二甲基甲酰胺(DMF)、 二醋酸乙烯酯(DMAC)、容易與DIW混用的極性溶劑、諸如霧化極性溶劑(例如DIW)之類的霧化液體、或其任何組合。應(yīng)該理解，上述確定的沖洗材料是通過(guò)舉例的方式提供的，并不代表沖洗材料的包容集(inclusive set)。正如下文將進(jìn)一步討論的，在第一和第二上表面模塊117A和117B中的每一個(gè)和基板之間分別形成沖洗彎液面。在第一上表面模塊和第二上表面模塊117A和117B中的每一個(gè)，所述成排的沖洗材料分配口 211A/211B在沖洗彎液面的尾隨側(cè)供應(yīng)沖洗材料，而第一成排的真空口 217A/217B去除在沖洗彎液面的引領(lǐng)側(cè)的液體。因?yàn)榈谝怀膳诺恼婵湛?217A/217B是在沖洗彎液面的引領(lǐng)側(cè)提供而不是在引領(lǐng)側(cè)和尾隨側(cè)兩側(cè)都提供，在成排的沖洗液供應(yīng)口 211A/211B中的口是呈角度向下朝向第一成排的真空口 217ΑΛ17Β。更具體地說(shuō)，在所述一排沖洗材料分配口 211A/211B中的每一個(gè)口被定義為沿從有效后緣 203A/203B向有效前緣201A/201B延伸的方向呈角度向下。由于沖洗材料分配口 211A/211B的角度，沖洗材料是以足夠的液壓動(dòng)力分配的， 以克服基板向有效后緣203A/20;3B運(yùn)動(dòng)引發(fā)的拖力，從而使沖洗材料通過(guò)沖洗液彎液面被推到在沖洗彎液面的引領(lǐng)側(cè)的成排的真空口 217A/217B。此外，應(yīng)該理解，在成排的沖洗材料分配口 211A/211B中的口的角度是定義為減少在有效后緣203A/203B的沖洗材料的壓力，以助于限制大部分的沖洗材料彎液面。在一個(gè)實(shí)施方式中，在成排的沖洗材料分配口 211A/211B中的口的中心線和垂直向量之間的角度是定義為是在向上延伸至約45度的范圍內(nèi)。在一個(gè)特定的實(shí)施方式中，在成排的沖洗材料分配口 211A/211B中的口的中心線和垂直向量之間的角度是20度左右。第一上表面模塊117A包括在所述成排的通風(fēng)口 213A和所述成排的沖洗材料分配口 211A之間定義的第一成排的真空口 217A。第二上表面模塊117B包括在所述成排的通風(fēng)口 21 和所述成排的沖洗材料分配口 211B之間定義的第一成排的真空口 217B。在第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B中的每一個(gè)，第一成排的真空口 217A/217B分別被設(shè)置為基本上對(duì)分在有效前緣201A/201B和有效后緣203A/20;3B之間的總分隔距離。每一個(gè)第一成排的真空口 217A/217B被定義提供對(duì)在基板存在于其下時(shí)的該基板上的清潔材料與沖洗材料和通過(guò)成排的通風(fēng)口 213A/2i;3B供應(yīng)的空氣的多相抽吸。在一個(gè)實(shí)施方式中，在第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B中的每一個(gè)中，第一成排的真空口 217A/217B及其相關(guān)的真空供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)被定義為提供在從約250標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘 (SLM)到550SLM的范圍內(nèi)的流體抽吸流速。應(yīng)該理解，通過(guò)第一成排的真空口 217A/217B 提供的吸力是限于不會(huì)造成將基板吸到上部加工頭117上的這樣的吸力。應(yīng)該理解，在固定的總吸流量或固定的吸流總截面積下，在沖洗材料可能堵塞真空口并使沖洗材料、清潔材料和空氣之間的界面不穩(wěn)定的情況下，較低的真空口大小的限制存在。還應(yīng)當(dāng)理解，在固定的總吸流量或固定的吸流總截面積下，在清潔材料可能由于真空口之間不足的吸流而在真空口之間泄漏的情況下，上真空口大小的限制存在。真空口尺寸應(yīng)足夠小，以使相鄰的真空口間的間距減少，從而避免真空口間的清潔材料泄漏；但不要太小，以免被清潔材料堵塞真空口。在一個(gè)實(shí)施方式中，在第一成排的真空口 217A/217B中的每一個(gè)口被定義為具有約0. 04英寸的直徑，在第一成排的真空口 217A/217B中的相鄰的口被分隔為中心到中心的距離為約0.0625英寸。在又一實(shí)施方式中，在第一成排的真空口 217A/217B中的每一個(gè)口被定義為具有約0. 06英寸的直徑，在第一成排的真空口 217A/217B中的相鄰的口被分隔為中心到中心的距離為約0. 125英寸。不過(guò)，應(yīng)該理解，在其它實(shí)施方式中，只要由此提供的吸力適于上部加工頭117操作的要求，第一成排的真空口 217A/217B可以定義為具有與此處提及的具體實(shí)施方式
不同的大小和間距。還有，在一個(gè)實(shí)施方式中，第一成排的真空口 217A/217B可以定義為一個(gè)或多個(gè)孔(slot)。第一上表面模塊117A包括定義為限制沖洗彎液面區(qū)223A在第一成排的真空口 217A和有效后緣203A之間，以使突出框架221A包括分別定義為沖洗彎液面區(qū)223A的大約在先的一半的引領(lǐng)部和尾隨的一半的尾隨部。第二上表面模塊117B包括定義為限制沖洗彎液面區(qū)22 在第一成排的真空口 217B和有效后緣20 之間，以使突出框架221B包括分別定義為沖洗彎液面區(qū)22 的大約在先的一半的引領(lǐng)部和尾隨的一半的尾隨部。在第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B中的每一個(gè)，第一成排的真空口 217A/217B被定義為對(duì)分突出框架221A/221B的引領(lǐng)部的前緣。突出框架221A/221B的尾隨部的后緣是第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B的有效后緣203A/203B。還有，在第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B中的每一個(gè)，成排的沖洗材料分配口 211A/211B被定義為在突出框架221A/221B的尾隨部附近的沖洗彎液面區(qū)223A/223B內(nèi)。突出框架221A/221B的尾隨部被定義為提供在物理上限制大多數(shù)彎液面的沖洗材料存在于沖洗彎液面區(qū)223A/223B。還有，突出框架221A/221B的尾隨部被定義為在基板從第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B下方出現(xiàn)時(shí)在基板上留下沖洗材料的均勻薄層。突出框架221A/221B的尾隨部提供了液壓阻力的本地增加，并用于將大多數(shù)沖洗材料彎液面保持在沖洗彎液面區(qū)223A/223B內(nèi)。
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在一個(gè)實(shí)施方式中，突出框架221A/221B從沖洗彎液面區(qū)223A/223B內(nèi)的上部加工頭117的水平面朝下突出約0.02英寸。但是，應(yīng)該理解，在其它的實(shí)施方式中，只要沖洗彎液面被限制并且只要沖洗材料和清潔材料各自的流的屬性是適于確保清潔材料基本上從基板上完全沖洗掉，突出框架221A/221B可以從沖洗彎液面區(qū)223A/223B內(nèi)的上部加工頭117的水平面突出不同的距離。第一上表面模塊117A包括沿成排的清潔材料分配口 209A的尾隨側(cè)215A定義的成排的通風(fēng)口 213A。第二上表面模塊117B還包括沿成排的清潔材料分配口 209B的尾隨側(cè) 215B定義的成排的通風(fēng)口 213B。第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B中的每一個(gè)都包括在成排的清潔材料分配口 209A/209B和第一成排的真空口 217A/217B之間定義的各自的進(jìn)氣(plenum)區(qū)225A/225B。在第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B中的每一個(gè)，成排的通風(fēng)口 213A/2i;3B與進(jìn)氣區(qū)225A/225B是流體流通連接的。在第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B中的每一個(gè)，每一個(gè)進(jìn)氣區(qū)225A/225B被定義為有助于空氣流從成排的通風(fēng)口 213A/2i;3B流向第一成排的真空口 217ΑΛ17Β，而沒(méi)有對(duì)要由成排的清潔材料分配口 209A/209B分配在基板上的清潔材料的由空氣流引起的干擾。每一成排的通風(fēng)口 213A和21 被定義為分別沿突出框架221A和221B的長(zhǎng)度分別提供基本上均勻的通風(fēng)空氣流到進(jìn)氣區(qū)225A和225B中。將沖洗彎液面限制在沖洗彎液面區(qū)223A和22 中的每一個(gè)取決于在分別通過(guò)第一成排的真空口 217A和217B中的每一個(gè)的流體流中的足夠的空氣進(jìn)入。在第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B中的每一個(gè)，成排的通風(fēng)口 213A/2i;3B被定義為在進(jìn)氣區(qū)225A/225B提供足夠的空氣流，以便有足夠的空氣可用于通過(guò)第一成排的真空口 217A/217B進(jìn)入流體流。進(jìn)氣區(qū)225A/225B的容積被定義為提供足夠的空氣量流過(guò)第一成排的真空口 217A/217B同時(shí)避免對(duì)在進(jìn)氣區(qū)225A/225B內(nèi)的基板上存在的清潔材料層產(chǎn)生不利的空氣流動(dòng)影響。例如，一個(gè)這樣的不利的空氣流動(dòng)影響可能是加于清潔材料層的空氣拉力，這將導(dǎo)致清潔材料層變得更薄或產(chǎn)生波紋。因此，成排的通風(fēng)口 213A/2i;3B和相應(yīng)的進(jìn)氣區(qū)225A/225B被定義和優(yōu)化為維持清潔過(guò)程的效果而沒(méi)有不利地影響清潔過(guò)程的清潔材料涂層方面。在一個(gè)實(shí)施方式中，沿在上部加工頭117的前緣141和后緣143之間垂直延伸的方向切割的每一個(gè)進(jìn)氣區(qū)225A和225B的垂直橫截面面積是約0. 35平方英寸。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B包括沿第一成排的真空口 217A/217B的的尾隨側(cè)定義的第二成排的真空口 219A/219B。第二成排的真空口 219A/219B被定義為在所述基板位于其下時(shí)對(duì)從所述基板來(lái)的清潔材料和沖洗材料提供多相的抽吸。第二成排的真空口 219A/219B可以獨(dú)立于第一成排的真空口 217A/217B而被控制。第二成排的真空口 219A/219B的口被定義為單相液體返回口，并被配置為避免破壞沖洗流體彎液面的穩(wěn)定性。第二成排的真空口 219A/219B提供對(duì)清潔過(guò)程的微調(diào)。第二成排的真空口 219A/219B提供對(duì)沿沖洗材料和清潔材料間界面的流體速度力分布的額外的控制。一旦清潔材料泄漏通過(guò)第一成排的真空口 217ΑΛ17Β，第二成排的真空口 219A/219B就能夠去除泄漏的清潔材料，從而提供了備份的沖洗能力，防止清潔材料與沖洗液在沖洗液彎月面區(qū) 223A/223B內(nèi)的額外的混合或稀釋。此外，第二成排的真空口 219A/219B的運(yùn)作可以讓基板載體速度增加，從而增加吞吐量和擴(kuò)大清潔工藝的窗口。
在一個(gè)實(shí)施方式中，在第二成排的真空口 219A/219B中的口的大小與成排的沖洗材料分配口 211A/21IB中的口類似。在一個(gè)實(shí)施方式中，在第二成排的真空口 219A/219B中的每個(gè)口被定義為有約0. 03英寸的直徑，在第二成排的真空口 219A/219B中的相鄰口被分隔為中心到中心的距離為約0. 125英寸。此外，在第二成排的真空口 219A/219B中的口以與成排的沖洗材料分配口 211A/211B中的口類似的方式逆著基板的移動(dòng)方向呈角度向下。第二成排的真空口 219A/219B中的口的這樣的角度提供了在第二成排的真空口 219A/219B和成排的沖洗材料分配口 211A/211B之間的足夠的間距，以確保沖洗材料能夠在遇到第二成排的真空口 219A/219B的吸力之前均勻分散在沖洗彎液面區(qū)223ΑΛ23Β中的整個(gè)基板上。圖3A示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的下部加工頭118的等軸測(cè)視圖。下部加工頭118包括兩個(gè)相同的模塊，即第一下表面模塊118A和第二下表面模塊118B。下部加工頭118有前緣301和后緣303。要清潔的基板底部是沿從前緣301到后緣303延伸的方向順序通過(guò)第一下表面模塊和第二下表面模塊118A和118B上方。第二下表面模塊118B 定義為與第一下表面模塊118A相似。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一下表面模塊和第二下表面模塊118A/118B是獨(dú)立可控的。然而，在另一實(shí)施方式中，第一下表面模塊和第二下表面模塊 118A/118B是可以共同控制的。圖:3B示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、通過(guò)第二下表面模塊118B縱向切開(kāi)的下部加工頭118的垂直橫截面的等軸測(cè)視圖。圖3C示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、在其前緣301和后緣303之間垂直切割的下部加工頭118的垂直剖面圖。本文所討論的下部加工頭118的各種特征可以參考圖3AJB和3C。下部加工頭118基本上可以用例如塑料、金屬等與半導(dǎo)體晶片清潔過(guò)程和其中使用的化學(xué)物兼容的、并且能夠形成到本文所公開(kāi)的配置的任何類型的材料制成。第一下表面模塊和第二下表面模塊118A和118B中的每一個(gè)都包括各自的沿下部加工頭118的長(zhǎng)度定義的、用于收集和排放其中所分配的材料的排放通道305A和305B。 如圖3B所示，每一個(gè)排放通道305A/305B從下部加工頭118的每一個(gè)外端傾斜向下朝向排放通道305A/305B的中心附近的位置，該位置定義排放通道305A/305B各自的排放口 315A/315B。圖還示出了在每一個(gè)排放通道305A/305B內(nèi)的高點(diǎn)定義的、以使諸如去離子水(DIW)之類的液體朝下流向排放通道305A/305B以促進(jìn)分配在排放通道305A/305B內(nèi)的材料向排放口 315A/315B移動(dòng)并防止沖擊排放通道305A和305B的清潔材料飛濺的液體供應(yīng)口 317。第一下表面模塊和第二下表面模塊118A和118B中的每一個(gè)都分別包括分別定義為限制沖洗彎液面區(qū)309A和309B的突出框架307A和307B。每一個(gè)突出框架307A/307B 分別包括定義沖洗彎液面區(qū)309A/309B的大約在先的一半和尾隨的一半的引領(lǐng)部和尾隨部。每一個(gè)投影框架307A和307B的引領(lǐng)部分別位于排放通道305A和305B的尾隨側(cè)。每一個(gè)突出框架307A/307B的尾隨部定義為為存在于各自的沖洗彎液面區(qū)309A/309B內(nèi)的沖洗材料的大部分的彎液面提供物理限制。下部加工頭118的沖洗彎液面區(qū)309A/309B定義為確?；宓牡撞勘砻嬖谇鍧嵾^(guò)程中保持為濕。這有助于防止可能達(dá)到基板的底部表面的多余的清潔材料的過(guò)早干燥。第一下表面模塊和第二下表面模塊118A/118B包括沿著各自的突出框架 307A/307B的尾隨部在各自的沖洗彎液面區(qū)309A/309B內(nèi)定義的各自的成排的沖洗材料分配口 311A/311B。每一成排的沖洗材料分配口 311A/311B被定義為在基板位于其上時(shí)向上分配沖洗材料到基板上。每一成排的沖洗材料分配口 311A/311B中的每個(gè)口是定義為沿從后緣303向前緣301延伸的方向呈角度向上。在一個(gè)實(shí)施方式中，在每一成排的沖洗材料分配口 311A/311B中的每個(gè)口的中心線和垂直向量間的角度是在大到約45度的范圍內(nèi)。在另一實(shí)施方式中，在每一成排的沖洗材料分配口 311A/311B中的每個(gè)口的中心線和垂直向量間的角度是20度左右。第一下表面模塊和第二下表面模塊118A/118B中的每一個(gè)包括定義為對(duì)分各自的突出框架307A/307B的引領(lǐng)部的前緣。每一成排的真空口 313A/3i;3B被定義為提供對(duì)沖洗材料和空氣的多相抽吸。下部加工頭118被定義為在形式因素上鏡像上部加工頭117，施加到基板上的液壓力作為液流力或真空吸力。更具體地說(shuō)，下部加工頭118的沖洗彎液面區(qū)309A/309B基本上與上部加工頭117的沖洗彎液面區(qū)223A/22;3B相同，細(xì)微差別體現(xiàn)在真空口配置(313A/313B和217A/217B)和深度上。與上部加工頭117的第一成排的真空口 217A/217B中的口相比，下部加工頭118 的每一成排的真空口 313A/3i;3B可能有不同的的口的大小和口的間距。應(yīng)該理解，下部加工頭118的成排的真空口 313A/3i;3B不顯著影響污染物顆粒從基板的上表面去除。在一個(gè)實(shí)施方式中，下部加工頭118的沖洗彎液面區(qū)309A/309B的深度大于上部加工頭117中的沖洗彎液面區(qū)223A/223B的深度，從而減少由從各自的成排的沖洗材料分配口 311A/311B 所分配的沖洗材料加到基板底部上的液壓力。通過(guò)操作下部加工頭118來(lái)平衡由上部加工頭117施加到基板上的液壓力，下部加工頭118有利于穩(wěn)定的清潔過(guò)程執(zhí)行。還有，當(dāng)其上帶有基板的基板載體不存在于上部加工頭和下部加工頭117/118之間時(shí)，下部加工頭118與上部加工頭117在一起工作以在沖洗彎液面區(qū)223A/309A和22!3B/309B內(nèi)提供持續(xù)的、受限的和穩(wěn)定的頭-頭沖洗材料彎液面。還有，當(dāng)其上帶有基板的基板載體不存在于上部加工頭和下部加工頭117/118之間時(shí)，下部加工頭118的傾斜排放通道305A/305B收到從上部加工頭117的成排的清潔材料分配口 209A/209B分配的清潔材料。圖4示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的、置于基板102的上面的上部加工頭117 而置于基板102的下面對(duì)著上部加工頭117的下部加工頭118。上部加工頭117的第一上表面模塊117A操作以將清潔材料401A施加在基板102上，然后將基板102暴露于上表面沖洗彎液面403A。第一上表面模塊117A操作使沖洗材料以基本上單向的方式向著清潔材料 40IA并逆著基板102的移動(dòng)方向400流動(dòng)通過(guò)上表面沖洗彎液面403A。通過(guò)上表面沖洗彎液面403A的沖洗材料的流率被設(shè)置為防止清潔材料泄漏越過(guò)上表面沖洗彎液面403A。 第一上表面模塊117A在基板102上留下了沖洗材料405的均勻薄膜。上部加工頭117的第二上表面模塊117B操作以將清潔材料401B施加在基板102 上，然后將基板102暴露于上表面沖洗彎液面40;3B。第二上表面模塊117B操作使沖洗材料以基本上單向的方式向著清潔材料401B并逆著基板102的移動(dòng)方向400流動(dòng)通過(guò)上表面沖洗彎液面40;3B。通過(guò)上表面沖洗彎液面40 的沖洗材料的流率被設(shè)置為防止清潔材料泄漏越過(guò)上表面沖洗彎液面40;3B。第二上表面模塊117B在基板102上留下了沖洗材料 405的均勻薄膜。下部加工頭118的第一下表面模塊118A操作以施加下表面沖洗彎液面409A到基板102上，以平衡由上表面沖洗彎液面403A施加基板102上的力。第一下表面模塊117B 操作使沖洗材料以基本上單向的方式逆著基板102的移動(dòng)方向400流動(dòng)通過(guò)下表面沖洗彎液面409A。第一下表面模塊117B在基板102上留下了沖洗材料411的均勻薄膜。下部加工頭118的第二下表面模塊118B操作以施加下表面沖洗彎液面409B到基板102上，以平衡由上表面沖洗彎液面4(X3B施加基板102上的力。第二下表面模塊118B 操作使沖洗材料以基本上單向的方式逆著基板102的移動(dòng)方向400流動(dòng)通過(guò)下表面沖洗彎液面409B。第二下表面模塊118B在基板102上留下沖洗材料413的均勻薄膜?；谏喜考庸ゎ^和下部加工頭117和118的相反的布置，應(yīng)該理解，當(dāng)基板102不存在時(shí)，從每一成排的清潔材料分配口 209A/209B分配的清潔材料將被收集到下部加工頭 118的各自的排放通道305A/305B。因此，清潔材料可以在基板102進(jìn)入到上部加工頭和下部加工頭117/118之間前生產(chǎn)。此外，基于上部加工頭和下部加工頭117和118的相反的布置，應(yīng)該明白，下部加工頭118的每一成排的真空口 313A/3i;3B分別在吸力方面補(bǔ)充上部加工頭117的每一第一成排的真空口 217A/217B，從而提供在基板102不在上部加工頭和下部加工頭117/118之間時(shí)由上部加工頭和下部加工頭117/118兩者分配的沖洗材料的去除。還有，下部加工頭 118的成排的真空口 313A/3i;3B與上部加工頭117的第一成排的真空口 217A和217B的分別相反的配置防止基板102被吸到上部加工頭或下限加工頭117/118上。上部加工頭117的第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B的每一個(gè)都能夠獨(dú)立操作。還有，第一上表面模塊和第二上表面模塊117A/117B的第二成排的真空口 219A/219B中的每一個(gè)都能夠獨(dú)立操作。還有，下部加工頭118的第一下表面模塊和第二下表面模塊118A/118B中的每一個(gè)都能夠獨(dú)立操作。上述允許以下操作模式
模式1 第一上表面模塊117A開(kāi)通而第二成排的真空口 219關(guān)閉，第二上表面模塊 117B關(guān)閉，第一下表面模塊118A開(kāi)通，第二下表面模塊118B關(guān)閉。
模式2 第一上表面模塊117A開(kāi)通而第二成排的真空口 219開(kāi)通，第二上表面模塊 117B關(guān)閉，第一下表面模塊118A開(kāi)通，第二下表面模塊118B關(guān)閉。
模式3 第一上表面模塊117A開(kāi)通而第二成排的真空口 219關(guān)閉，第二上表面模塊 117B開(kāi)通，第一下表面模塊118A開(kāi)通，第二下表面模塊118B開(kāi)通。
模式4 第一上表面模塊117A開(kāi)通而第二成排的真空口 219開(kāi)通，第二上表面模塊 117B開(kāi)通，第一下表面模塊118A開(kāi)通，第二下表面模塊118B開(kāi)通。本文公開(kāi)的清潔系統(tǒng)的上部加工頭117和下部加工頭118提供了在更高的基板生產(chǎn)量下的提高的粒子去除效率(PRE)，清潔材料消耗低。清潔系統(tǒng)提供了在每一個(gè)沖洗彎液面的前緣的優(yōu)化的壓力分布，使得可以在每一個(gè)沖洗彎液面處進(jìn)行單邊的真空抽吸，從而提高了本地化的吸力以不損失沖洗彎液面框架而提高粒子去除效率。還有，通過(guò)增加在前緣真空口處的有效沖洗和吸力而無(wú)需額外的總流量或吸力，就能使穿過(guò)上表面沖洗彎液面中的每一個(gè)的前緣真空口的清潔材料的泄漏減少。雖然本發(fā)明已經(jīng)以幾個(gè)實(shí)施例的方式進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)理解，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員，一旦他們閱讀了前面的說(shuō)明書(shū)和研究了附圖，他們就將能實(shí)現(xiàn)其各種替換、添加、變換和等同方式。因此，目的是本發(fā)明包括落入本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍內(nèi)的所有這樣的替換、 添加、變換和等同方式。
權(quán)利要求
1.用于清潔基板的上部加工頭，其包括具有前緣和后緣的第一模塊，其中要清潔的基板的頂部將以自前緣至后緣延伸的方向通過(guò)所述第一模塊的下面，其中所述第一模塊包括沿所述前緣定義的成排的清潔材料分配口，所述成排的清潔材料分配口定義為在所述基板位于其下時(shí)將清潔材料層朝下分配在所述基板上；沿所述后緣定義的成排的沖洗材料分配口，所述成排的沖洗材料分配口定義為在所述基板位于其下時(shí)將沖洗材料朝下分配在所述基板上；沿所述成排的清潔材料分配口的尾隨側(cè)定義的成排的通風(fēng)口 ；和在所述成排的通風(fēng)口和所述成排的沖洗材料分配口之間定義的第一成排的真空口，其中所述第一成排的真空口被定義為對(duì)在所述基板位于其下時(shí)來(lái)自所述基板的所述清潔材料和所述沖洗材料以及由所述成排的通風(fēng)口供應(yīng)的空氣提供多相的抽吸。
2.如權(quán)利要求1所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中所述第一模塊包括定義為將沖洗彎液面區(qū)限制在所述第一成排的真空口與所述后緣之間的突出框架，使得所述突出框架包括分別定義所述沖洗彎液面區(qū)的大約在先的一半和尾隨的一半的引領(lǐng)部和尾隨部。
3.如權(quán)利要求2所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中所述第一成排的真空口定義為對(duì)分所述突出框架的所述引領(lǐng)部的前緣，其中所述突出框架的所述尾隨部的后緣是所述第一模塊的后緣，并且其中所述成排的沖洗材料分配口定義為在所述沖洗彎液面區(qū)內(nèi)并在所述突出框架的所述尾隨部附近。
4.如權(quán)利要求3所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中所述突出框架的所述尾隨部定義為提供存在于所述沖洗彎液面區(qū)內(nèi)的所述沖洗材料的大部分彎液面的物理隔離。
5.如權(quán)利要求1所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中所述第一模塊包括定義在所述成排的清潔材料分配口和所述第一成排的真空口之間的進(jìn)氣區(qū)，其中所述成排的通風(fēng)口與所述進(jìn)氣區(qū)流體流通連接。
6.如權(quán)利要求5所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中所述進(jìn)氣區(qū)定義為有助于空氣流從所述成排的通風(fēng)口流向所述第一成排的真空口，而沒(méi)有對(duì)要由所述成排的清潔材料分配口分配在所述基板上的所述清潔材料的由空氣流引起的干擾。
7.如權(quán)利要求1所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中所述第一成排的真空口設(shè)置為基本上對(duì)分在所述第一模塊的所述前緣和所述后緣之間的整個(gè)分隔距離。
8.如權(quán)利要求1所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中所述第一上部加工頭模塊包括沿所述第一成排的真空口的尾隨側(cè)定義的第二成排的真空口，其中所述第二成排的真空口定義為對(duì)在所述基板位于其下時(shí)來(lái)自所述基板的所述清潔材料和所述沖洗材料提供多相的抽吸。
9.如權(quán)利要求8所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中所述第一成排的真空口和所述第二成排的真空口是獨(dú)立可控的。
10.如權(quán)利要求1所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中在所述成排的沖洗材料分配口中的每個(gè)口定義沿從所述后緣向所述前緣延伸的方向呈角度向下。
11.如權(quán)利要求10所述的用于清潔基板的上部加工頭，其中在所述成排的沖洗材料分配口中的每一個(gè)口的中心線和垂直向量之間的角度是在向上延伸至約45度的范圍內(nèi)。
12.如權(quán)利要求1所述的用于清潔基板的上部加工頭，還包括定義與所述第一模塊相同的第二模塊，其中所述第二模塊與所述上部加工頭中的所述第一模塊是連續(xù)的、使得所述第二模塊的前緣位于所述第一模塊的后緣之后，其中所述第一模塊和所述第二模塊是獨(dú)立可控的。
13.用于清潔基板的下部加工頭，其包括具有前緣和后緣的第一模塊，其中要清潔的基板的底部將沿自前緣至后緣延伸的方向通過(guò)所述第一模塊的上面，其中所述第一模塊包括沿所述前緣定義以收集和排放分配在其中的材料的排放通道；定義為限制沖洗彎液面區(qū)的突出框架，所述突出框架包括分別定義所述沖洗彎液面區(qū)的大約在先的一半和尾隨的一半的引領(lǐng)部和尾隨部，所述突出框架的所述引領(lǐng)部位于所述排放通道的尾隨的一側(cè)；在所述沖洗彎液面區(qū)內(nèi)沿所述突出框架的所述尾隨部定義的成排的沖洗材料分配口， 所述成排的沖洗材料分配口定義為在所述基板位于其上時(shí)向上分配沖洗材料到所述基板上；和定義為對(duì)分所述突出框架的所述引領(lǐng)部的前緣的成排的真空口，其中所述成排的真空口被定義為所述沖洗材料和空氣提供多相抽吸。
14.如權(quán)利要求13所述的沖洗基板的下部加工頭，其中所述突出框架的所述尾隨部被定義為提供存在于所述沖洗彎液面區(qū)內(nèi)的沖洗材料的彎液面的大部分的物理隔離。
15.如權(quán)利要求13所述的沖洗基板的下部加工頭，其中所述排放通道是從所述第一模塊的每一個(gè)外端朝定義排放口的所述排放通道中心附近的位置傾斜向下，并且其中液體供應(yīng)口定義為處于所述排放通道內(nèi)的高點(diǎn)以使液體向下流向所述排放通道，從而有助于分配在所述排放通道內(nèi)的材料向所述排放口移動(dòng)。
16.如權(quán)利要求13所述的沖洗基板的下部加工頭，其中在所述成排的沖洗材料分配口中的每個(gè)口是定義為從所述后緣向所述前緣延伸的方向呈角度向上。
17.如權(quán)利要求16所述的沖洗基板的下部加工頭，其中在所述成排的沖洗材料分配口中的每一個(gè)口的中心線和垂直向量之間的角度是在向上延伸至約45度的范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求13所述的沖洗基板的下部加工頭，還包括定義為與所述第一模塊相同的第二模塊，其中所述第二模塊與所述下部加工頭中的所述第一模塊是連續(xù)的、使得所述第二模塊的前緣位于所述第一模塊的所述后緣之后，其中所述第一模塊和所述第二模塊是獨(dú)立可控的。
19.一種用于清潔基板的系統(tǒng)，其包括定義為以基本上為直線的路徑移動(dòng)基板而同時(shí)保持所述基板在基本上水平的方向的基板載體；位于所述基板的所述路徑之上的上部加工頭，所述上部加工頭包括定義為將清潔材料施加在所述基板上、然后將所述基板暴露于上表面沖洗彎液面的第一上表面模塊，其中所述第一上表面模塊定義為使沖洗材料以基本上單向的方式向著所述清潔材料并逆著所述基板的移動(dòng)方向流經(jīng)所述上表面沖洗彎液面；和位于所述基板的所述路徑之下的下部加工頭，所述下部加工頭包括定義為將下表面沖洗彎液面施加在所述基板上以均衡由所述上表面沖洗彎液面施加在所述基板上的力的第一下表面模塊，所述第一下表面模塊定義為提供用于收集和排放當(dāng)所述基板載體不在所述上部加工頭和所述下部加工頭之間時(shí)從所述第一上表面加工頭分配的所述清潔材料的排放通道。
20.如權(quán)利要求19所述的用于清潔基板的系統(tǒng)，其中所述第一上表面模塊包括沿所述第一上表面模塊的前緣定義的成排的清潔材料分配口；定義為限定區(qū)的突出框架，在該區(qū)中將形成所述上表面沖洗彎液面；沿所述突出框架的尾隨側(cè)定義以將所述沖洗材料分配入所述上表面沖洗彎液面的成排的沖洗材料分配口 ；和沿所述突出框架的前緣定義以對(duì)所述沖洗材料、清潔材料和空氣提供多相抽吸的成排的真空口。
21.如權(quán)利要求19所述的用于清潔基板的系統(tǒng)，其中所述第一下表面模塊包括定義為限定區(qū)的突出框架，在該區(qū)中將形成所述下表面沖洗彎液面；沿所述突出框架的尾隨側(cè)定義以將所述沖洗材料分配入所述下表面沖洗彎液面的成排的沖洗材料分配口 ；和沿所述突出框架的前緣定義以對(duì)所述沖洗材料和空氣提供多相抽吸的成排的真空口。
22.如權(quán)利要求19所述的用于清潔基板的系統(tǒng)，其中所述上部加工頭包括定義為與所述第一上表面模塊相同的并與所述第一上表面模塊連續(xù)的第二上表面模塊，其中所述第一上表面模塊和所述第二上表面模塊是獨(dú)立可控的。
23.如權(quán)利要求19所述的用于清潔基板的系統(tǒng)，其中所述下部加工頭包括定義為與所述第一下表面模塊相同的并與所述第一下表面模塊連續(xù)的第二下表面模塊，其中所述第一下表面模塊和所述第二下表面模塊是獨(dú)立可控的。
全文摘要
上部加工頭包括上表面模塊，其定義為將清潔材料施加在基板的上表面、然后將基板暴露于上部沖洗彎液面。所述上表面模塊定義為使沖洗材料以基本上單向的方式向著所述清潔材料并逆著基板的移動(dòng)方向流經(jīng)所述上部沖洗彎液面。下部加工頭包括下表面模塊，其定義為將下部沖洗彎液面施加在所述基板上，以均衡由所述上部沖洗彎液面施加在所述基板上的力。所述下表面模塊定義為提供用于收集和排放當(dāng)所述基板不在所述上部加工頭和所述下部加工頭之間時(shí)從所述上部加工頭發(fā)放的所述清潔材料的排放通道。所述上部加工頭和所述下部加工頭分別可以包括多個(gè)實(shí)例的上表面模塊和下表面模塊。
文檔編號(hào)H01L21/302GK102422398SQ201080018291
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2010年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月28日
發(fā)明者利昂·金茲伯格, 拉塞爾·馬丁, 林成渝(肖恩), 馬克·卡瓦古奇, 馬克·威爾考克森 申請(qǐng)人:朗姆研究公司