專(zhuān)利名稱(chēng)：具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示器，特別有關(guān)于一種具有低溫多晶硅薄膜晶體管的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
目前的薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transisto-liquidcrystal display，TFT-LCD)技術(shù)分為兩種，一為傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管，另一為多晶硅薄膜晶體管。由于多晶硅薄膜晶體管的電子移動(dòng)速度為非晶硅薄膜晶體管的10倍到100倍之間。因此，TFT-LCD業(yè)界已開(kāi)始著手進(jìn)行研究及發(fā)展，以多晶硅薄膜晶體管的作為畫(huà)素(pixel)開(kāi)關(guān)組件及LCD外圍的驅(qū)動(dòng)電路。
上述多晶硅薄膜晶體管的制作通常采用低溫多晶硅(lowtemperature polysilicon，LTPS)制程。所謂的LTPS制程是利用準(zhǔn)分子雷射退火處理(excimer laser annealing，ELA)使原先的非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變成多晶硅結(jié)構(gòu)。由于制程溫度在600℃以下，所以適用于透明的玻璃基板。且由于多晶硅TFT的載子遷移率較高、驅(qū)動(dòng)電路的積集度較佳、光露電流較小，故多晶硅TFT較常應(yīng)用在高操作速度的電路中。
然而習(xí)知的低溫多晶硅液晶顯示器的TFT結(jié)構(gòu)，所有的組件都是位于同一平面上，如圖1所示，其是顯示習(xí)知多晶硅的顯示器TFT的結(jié)構(gòu)的剖面圖，一玻璃基板100、一第一硅層102位于100基板上、一閘極介電層104位于第一硅層102和基板100上、一閘極106位于閘極介電層104上、一層間介電層108位于閘極106上、一訊號(hào)線110位于部分閘極介電層104上，也因此每一個(gè)組件都占據(jù)住一定區(qū)域，在部分區(qū)域的面板上無(wú)法達(dá)到最佳效益。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，利用堆棧的3D結(jié)構(gòu)達(dá)到解省空間的目的。因此，可以置入更多的組件(例如閃存、靜態(tài)內(nèi)存、動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存、電容或電阻)在顯示器中，達(dá)到更多的整合電路功能。
本發(fā)明提出一種具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其包括一基板、一第一硅層位于基板上、一閘極介電層位于第一硅層上、一閘極位于閘極介電層上、一層間介電層位于閘極上與門(mén)極介電層上及一第二硅層位于層間介電層上；其中第二硅層可為一被動(dòng)組件，而形成一組件堆棧結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明另提出一種具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其包括一基板、一第一硅層位于基板上、一閘極介電層位于第一硅層上、一閘極位于閘極介電層上、一層間介電層位于閘極上與門(mén)極介電層上及一第二硅層位于層間介電層上；其中第二硅層可為一主動(dòng)組件，而形成一組件堆棧結(jié)構(gòu)。


圖1顯示習(xí)知多晶硅TFT結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖2顯示本發(fā)明第一實(shí)施例具有一電組的多晶硅TFT結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖3顯示本發(fā)明第二實(shí)施例具有二個(gè)串聯(lián)的多晶硅TFT的組件堆棧結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖4顯示本發(fā)明第三實(shí)施例具有二個(gè)信道的多晶硅TFT結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖5顯示本發(fā)明第四實(shí)施例具有浮置閘極和電容的多晶硅TFT結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖6顯示本發(fā)明第五實(shí)施例具有二個(gè)獨(dú)立的多晶硅TFT的組件堆棧結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
符號(hào)說(shuō)明習(xí)知技術(shù)基板-100； 第一硅層-102；閘極介電層-104；閘極-106；層間介電層-108；訊號(hào)線-110；本發(fā)明技術(shù)第一實(shí)施例基板-200；第一硅層-202；第一源極區(qū)域-204；信道區(qū)域-206；第一汲極區(qū)域-208；閘極介電層-210；層間開(kāi)口-212；閘極-214；層間介電層-216； 第二硅層-218；金屬間介電層-220；導(dǎo)線開(kāi)口-222；導(dǎo)電層-224；第二實(shí)施例基板-300；第一硅層-302；第一源極區(qū)域-304；第一信道區(qū)域-306；第一汲極區(qū)域-308；閘極介電層-310；閘極-312；層間介電層-314；
層間開(kāi)口-316；第二硅層-318；第二信道區(qū)域-320；第二源極區(qū)域-322；第二汲極區(qū)域-324；金屬間介電層326；第一開(kāi)口-328；第二開(kāi)口-330；導(dǎo)電層-332；第三實(shí)施例基板-400；第一硅層-402；第一源極區(qū)域-404；第一信道區(qū)域-406；第一汲極區(qū)域-408；下閘極區(qū)域-410；閘極介電層412； 閘極-414；上閘極介電層-416；層間介電層-418；第二硅層-420；第二源極區(qū)域-422；第二信道區(qū)域-424；第二汲極區(qū)域-426；第三源極區(qū)域-428；第三信道區(qū)域-430；第三汲極區(qū)域-432；硅間開(kāi)口-434；第一開(kāi)口-435；第二開(kāi)口-436；導(dǎo)電層-438。
金屬間介電層-419第四實(shí)施例基板-500；第一硅層-502；第一源極區(qū)域-504；第一信道區(qū)域-506；第一汲極區(qū)域-508；閘極介電層-510；閘極硅層-512；層間閘極介電層-514；第一導(dǎo)電層-516； 層間介電層-518；層間開(kāi)口-520；第二硅層-522；
金屬間介電層-524； 第一開(kāi)口-526；第二導(dǎo)電層-530； 第二開(kāi)口-528；第五實(shí)施例基板-600； 第一硅層-602；第一源極區(qū)域-604； 第一信道區(qū)域-606；第一汲極區(qū)域-608； 閘極介電層-610；第一閘極-612； 層間介電層-614；第二硅層-616； 第二源極區(qū)域-618；第二信道區(qū)域-620； 第二汲極區(qū)域-622；頂部閘極介電層-624； 上部閘極-626；導(dǎo)線開(kāi)口-628； 導(dǎo)電層-630。
具體實(shí)施例方式
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例，并配合所附圖標(biāo)，作詳細(xì)說(shuō)明如下第一實(shí)施例具有一電阻的多晶硅組件堆棧結(jié)構(gòu)如圖2所示，其是顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器中，其多層硅結(jié)構(gòu)的剖面圖，包括下列組件一基板200，在此實(shí)施例中其為一玻璃基板，其較佳為一無(wú)堿性玻璃，更佳為一石英所組成。一例如是由多晶硅所組成的第一硅層202位于基板的部分區(qū)域上，其中第一硅層包括一第一信道區(qū)域206以及一第一源極區(qū)域204和一第一汲極區(qū)域208位于第一信道區(qū)域206的兩側(cè)。其中第一硅層202可以是N型且第一源極區(qū)域204和第一汲極區(qū)域208植入有N+型雜質(zhì)，第一硅層亦可以是P型且第一源極區(qū)域和第一汲極區(qū)域植入有P+型雜質(zhì)。
一例如是氧化硅或氮化硅所組成的閘極介電層210位于第一硅層202和基板200上，其中在第一源極區(qū)域204或第一汲極區(qū)域208上方的閘極介電層210有一層間開(kāi)口212。一閘極214位于閘極介電層210上，在此較佳實(shí)施例中其閘極214是由鎢化鉬所組成。一例如是氧化硅或氮化硅所組成的層間介電層216位于閘極214上及層間開(kāi)口212以外的閘極介電層210上以及一第二硅層218位于部分層間介電層216上且經(jīng)由開(kāi)口212連接到第一硅層202，其中第二硅層218是為多晶硅所組成且其具有電阻的功能。一金屬間介電層220位于層間介電層216及第二硅層218上且金屬間介電層220在第二硅層218上有一導(dǎo)線開(kāi)口222。一導(dǎo)電層224經(jīng)由導(dǎo)線開(kāi)口222連接到第二硅層218。
第二實(shí)施例具有二個(gè)串聯(lián)的多晶硅組件堆棧結(jié)構(gòu)如圖3所示，其是顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器中，其多層硅結(jié)構(gòu)的剖面圖，包括下列組件一基板300，在此實(shí)施例中其為一玻璃基板，其較佳為一無(wú)堿性玻璃，更佳為一石英所組成。一第一硅層302位于基板300的部分區(qū)域上，其中第一硅層302包括一第一信道區(qū)域306以及一第一源極區(qū)域304和一第一汲極區(qū)域308位于第一信道區(qū)域306的兩側(cè)，第一硅層302可以是N型且第一源極區(qū)域304和第一汲極區(qū)域308植入有N+型雜質(zhì)，第一硅層302亦可以是P型且第一源極區(qū)域304和第一汲極區(qū)域308植入有P+型雜質(zhì)。
一例如是氧化硅或氮化硅所組成的閘極介電層310位于第一硅層302和基板300上。一閘極312位于閘極介電層310上，在此較佳實(shí)施例中其閘極312是由鎢化鉬所組成。一例如是氧化硅或氮化硅所組成的層間介電層314位于閘極312上，其中層間介電層314在第一汲極區(qū)域308上有一層間開(kāi)口316。一第二硅層318位于部分層間介電層314上且經(jīng)由層間開(kāi)口316連接到閘極介電層310，其中第二硅層318包含一第二信道區(qū)域320、一第二源極區(qū)域322和一第二汲極區(qū)域324，同樣的，第二硅層318可以是N型且第二源極區(qū)域322和第二汲極區(qū)域324植入有N+型雜質(zhì)，第二硅層318亦可以是P型且第二源極區(qū)域322和第二汲極區(qū)域324植入有P+型雜質(zhì)。
一金屬間介電層326位于層間介電層314及第二硅層318上，且金屬間介電層326在第二源極區(qū)域322有一第一開(kāi)口328和第二汲極區(qū)域324有一第二開(kāi)口330。一導(dǎo)電層332經(jīng)由第一開(kāi)口328連接到第二源極區(qū)域322及經(jīng)由第二開(kāi)口330連接到第二汲極區(qū)域324。
第三實(shí)施例具有二個(gè)信道的多晶硅組件堆棧結(jié)構(gòu)如圖4所示，其是顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器中，其多層硅結(jié)構(gòu)的剖面圖，包括下列組件一基板400，在此實(shí)施例中其為一玻璃基板，其較佳為一無(wú)堿性玻璃，更佳為一石英所組成。一第一硅層402位于基板400的部分區(qū)域上，其中第一硅層402包括一第一信道區(qū)域406以及第一源極區(qū)域404和一第一汲極區(qū)域408位于第一信道區(qū)域406的兩側(cè)；尚有一下閘極區(qū)域410位于第一汲極區(qū)域408靠第一信道區(qū)域406的另一側(cè)，第一硅層402可以是N型且第一源極區(qū)域404和第一汲極區(qū)域408植入有N+型雜質(zhì)，第一硅層402亦可以是P型且第一源極區(qū)域404和第一汲極區(qū)域408植入有P+型雜質(zhì)。
一例如是氧化硅或氮化硅所組成的閘極介電層412位于第一硅層402和基板400上。一閘極414位于閘極介電層412上，在此較佳實(shí)施例中其閘極414是由鎢化鉬所組成。一例如是氧化硅或氮化硅所組成的上閘極介電層416位于閘極414上方及兩側(cè)。一例如是氧化硅或氮化硅所組成的層間介電層418位于下閘極區(qū)域410正上方以外的閘極介電層412之上。
一例如是多晶硅所組成的第二硅層420位于上閘極介電層416上，下閘極區(qū)域410正上方的閘極介電層412上及部分層間介電層418上，其中第二硅層尚包括一第二信道區(qū)域424位于閘極414上，以及一第二源極區(qū)域422和一第二汲極區(qū)域426位于第一信道區(qū)域424的兩側(cè)；還有一第三信道區(qū)域位430于下閘極區(qū)域410上，以及一第三源極區(qū)域428和一第三汲極區(qū)域432位于第三信道區(qū)域430的兩側(cè)，其中第二硅層420可以是N型，且第二源極區(qū)域422、第二汲極區(qū)域426、第三源極區(qū)域428及第三汲極區(qū)域432植入有例如是磷的N+型雜質(zhì)。第二硅層420可以亦是P型，且第二源極區(qū)域422、第二汲極區(qū)域426、第三源極區(qū)域428及第三汲極區(qū)域432植入有例如是硼的P+型雜質(zhì)。
第二硅層420在第二汲極區(qū)域426和第三源極區(qū)域428中間有一硅間開(kāi)口434使第二汲極區(qū)域416和第三源極區(qū)域428彼此不互相連接，其中下閘極區(qū)域410是做為第三信道區(qū)域430的控制閘極。一金屬間介電層419位于層間介電層418及第二硅層420上并填入硅間開(kāi)口434且金屬間介電層419在第二源極區(qū)域422有一第一開(kāi)口434和第三汲極區(qū)域432有一第二開(kāi)口436。一導(dǎo)電層438經(jīng)由第一開(kāi)口434連接到第二源極區(qū)域422及經(jīng)由第二開(kāi)口436連接到第三汲極區(qū)域432。
第四實(shí)施例具有浮置閘極和電容的多晶硅組件堆棧結(jié)構(gòu)如圖5所示，其是顯示本發(fā)明第四實(shí)施例的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器中，其多層硅結(jié)構(gòu)的剖面圖，包括下列組件一基板500，在此實(shí)施例中其為一玻璃基板，其較佳為一無(wú)堿性玻璃，更佳為一石英所組成。一例如是由多晶硅所組成的第一硅層502位于基板500的部分區(qū)域上，其中第一硅層502包括一第一信道區(qū)域506，以及一第一源極區(qū)域504和一第一汲極區(qū)域508位于第一信道區(qū)域506的兩側(cè)。且第一硅層502可以是N型且第一源極區(qū)域504和第一汲極區(qū)域508植入有N+型雜質(zhì)，第一硅層502亦可以是P型且第一源極區(qū)域504和第一汲極區(qū)域508植入有P+型雜質(zhì)。
一例如是氧化硅或氮化硅所組成的閘極介電層510位于第一硅層502和基板500上。一例如是多晶硅所組成的閘極硅層512位于第一信道區(qū)域506上的閘極介電層510上，其中閘極硅層512是做為一浮置閘極。一例如是氧化硅或氮化硅所組成的層間閘極介電層514位于閘極硅層512上。一第一導(dǎo)電層516位于層間閘極介電層514上且其第一導(dǎo)電層516較佳是鎢化鉬所組成。一例如是氧化硅或是氮化硅所組成的層間介電層518位于第一導(dǎo)電層516和閘極介電層510上，其中層間介電層518在第一汲極區(qū)域508上方有一層間開(kāi)口520。一第二硅層522位于第一汲極區(qū)域508上的閘極介電層510上方且延伸至和層間開(kāi)口兩側(cè)的層間介電層518上，而其較佳為摻雜硼的P型半導(dǎo)體或摻雜磷的N型半導(dǎo)體。一金屬間介電層524位于層間介電層518及第二硅層522上且金屬間介電層524在第一導(dǎo)電層516上有一第一開(kāi)口526和第二硅層522上有一第二開(kāi)口528。一第二導(dǎo)電層530經(jīng)由第一開(kāi)口526連接到第一導(dǎo)電層516，以及經(jīng)由第二開(kāi)口528連接到第二硅層522。其中第二硅層522、閘極介電層510和第一硅層502是形成一電容。
第五實(shí)施例具有二個(gè)獨(dú)立的多晶硅組件堆棧結(jié)構(gòu)如圖6所示，其是顯示本發(fā)明第五實(shí)施例的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器中，其多層硅結(jié)構(gòu)的剖面圖，包括下列組件一基板600，在此實(shí)施例中其為一玻璃基板，其較佳為一無(wú)堿性玻璃，更佳為一石英所組成。一第一硅層602位于基板600的部分區(qū)域上，其中第一硅層包括一第一信道區(qū)域606、一第一源極區(qū)域604和一第一汲極區(qū)域608位于信道區(qū)域604的兩側(cè)。第一硅層602可以是N型且第一源極區(qū)域604和第一汲極區(qū)域608植入有N+型雜質(zhì)，第一硅層602亦可以是P型且第一源極區(qū)域604和第一汲極區(qū)域608植入有P+型雜質(zhì)。
一例如是氧化硅或氮化硅所組成的閘極介電層610位于第一硅層602和基板600上。一第一閘極612位于閘極介電層610上，在此較佳實(shí)施例中其第一閘極612是由鎢化鉬所組成。一例如是氧化硅或是氮化硅所組成的層間介電層614位于閘極612和閘極介電層610上。一第二硅層616位于部分層間介電層614上，其中第二硅層616包括一第二信道區(qū)域620以及一第二源極區(qū)域618和一第二汲極區(qū)域622位于第二信道區(qū)域620的兩側(cè)，同樣的，其第二硅層616可以是N型且第二源極區(qū)域618和第二汲極區(qū)域622植入有N+型雜質(zhì)，第二硅層616亦可以是P型且第二源極區(qū)域618和第二汲極區(qū)域622植入有P+型雜質(zhì)。一例如是氧化硅或是氮化硅所組成的頂部閘極介電層624位于第二硅層616上及其兩側(cè)。一上部閘極626位于第二信道區(qū)域620上方的頂部閘極介電層624上且在此較佳實(shí)施例中其上部閘極626是由鎢化鉬所組成。一金屬間介電層626位于層間介電層614、頂部閘極介電層624和上部閘極626上且金屬間介電層626在第二源極區(qū)域618上有一導(dǎo)線開(kāi)口628。一導(dǎo)電層630經(jīng)由導(dǎo)線開(kāi)口628連接到第二源極區(qū)域618。
本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供一種具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，此多層硅結(jié)構(gòu)利用堆棧的3D結(jié)構(gòu)制成具有一電組的TFT結(jié)構(gòu)、二個(gè)串聯(lián)TFT的組件堆棧結(jié)構(gòu)、具有二個(gè)信道的TFT結(jié)構(gòu)、具有浮置閘極和電容的TFT結(jié)構(gòu)及二個(gè)獨(dú)立的TFT的組件堆棧結(jié)構(gòu)，因此本發(fā)明可以置入更多的組件(例如閃存、靜態(tài)內(nèi)存、動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存、電容或電阻)在顯示器中，達(dá)到更多的整合電路功能與節(jié)省空間的目的。
權(quán)利要求
1.一種具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該多層硅結(jié)構(gòu)至少包括一基板；一第一硅層位于該基板上；一閘極介電層位于該第一硅層上；一閘極位于該閘極介電層上；一層間介電層至少一部分位于該閘極上或該閘極介電層上；及一第二硅層至少一部分位于該層間介電層上。其中該第二硅層為包含一第二信道區(qū)域、一第二源極區(qū)域和一第二汲極區(qū)域的主動(dòng)組件，而形成一組件堆棧結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該第一硅層和該第二硅層是由多晶硅所組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該第一硅層包括一第一信道區(qū)域，以及一第一源極區(qū)域和一第一汲極區(qū)域位于該第一信道區(qū)域的兩側(cè)；該層間介電層在該第一汲極區(qū)域上有一層間開(kāi)口；該第二硅層位于該層間開(kāi)口兩側(cè)的該層間介電層上且填入該層間開(kāi)口；更包括一金屬間介電層位于該層間介電層上與該第二硅層上，且該金屬間介電層在該第二源極區(qū)域有一第一開(kāi)口及該第二汲極區(qū)域有一第二開(kāi)口；以及一導(dǎo)電層經(jīng)由該第一開(kāi)口連接到該第二源極區(qū)域及經(jīng)由該第二開(kāi)口連接到該第二汲極區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該第一硅層包括一第一信道區(qū)域，以及一第一源極區(qū)域和一第一汲極區(qū)域位于該第一信道區(qū)域的兩側(cè)；及一下閘極區(qū)域鄰接于該第一汲極區(qū)域的另一側(cè)；該層間介電層位于該閘極介電層上，且具有一開(kāi)口于該下閘極區(qū)域的正上方；該第二硅層更包括一第三信道區(qū)域位于該下閘極區(qū)域的上方，以及一第三源極區(qū)域和一第三汲極區(qū)域位于該第三信道區(qū)域的兩側(cè)，其中該下閘極區(qū)域是做為該第三信道區(qū)域的控制閘極；該第二硅層在該第二汲極區(qū)域和該第三源極區(qū)域中間有一硅間開(kāi)口使該第二汲極區(qū)域和該第三源極區(qū)域彼此不互相連接；更包括一上閘極介電層覆蓋于該閘極的正上方及兩側(cè)；以及一金屬間介電層位于該層間介電層及該第二硅層上，并填入該硅間開(kāi)，且金屬間介電層在該第二源極區(qū)域有一第一開(kāi)口和該第三汲極區(qū)域有一第二開(kāi)口；并且一導(dǎo)電層經(jīng)由該第一開(kāi)口連接到該第二源極區(qū)域，及經(jīng)由該第二開(kāi)口連接到該第三汲極區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該第一硅層包括一第一信道區(qū)域，以及一第一源極區(qū)域和一第一汲極區(qū)域位于該第一信道區(qū)域的兩側(cè)；該第二硅層位于該第一硅層上方的該層間介電層上；該多層硅結(jié)構(gòu)更包括一頂部閘極介電層位于該第二硅層上方及其兩側(cè)、一上部閘極位于該第二信道區(qū)域上方的頂部閘極介電層上；更包括一金屬間介電層位于該層間介電層、該頂部閘極介電層和該上部閘極上，且該金屬間介電層及該頂部閘及介電層有一導(dǎo)線開(kāi)口在該第二源極區(qū)域上方；以及一導(dǎo)電層經(jīng)由該導(dǎo)線開(kāi)口連接到該第二源極區(qū)域。
6.一種具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該多層硅結(jié)構(gòu)至少包括一基板；一第一硅層位于該基板上；一閘極介電層位于該第一硅層上；一閘極位于該閘極介電層上；一層間介電層位于該閘極上及該閘極介電層上；及一第二硅層至少一部分位于該層間介電層上其中該第二硅層為一電容或一電阻的被動(dòng)組件，而形成一組件堆棧結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該第一硅層和該第二硅層是多晶硅所組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該第一硅層包括一第一信道區(qū)域，以及一第一源極區(qū)域和一第一汲極區(qū)域位于該第一信道區(qū)域的兩側(cè)；該閘極介電層在該第一源極區(qū)域或第一汲極區(qū)域上方有一層間開(kāi)口；該層間介電層位于該閘極上及該層間開(kāi)口以外的閘極介電層上；該第二硅層位于該層間開(kāi)口兩側(cè)的該層間介電層上且填入該層間開(kāi)口。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，其中該第一硅層包括一第一信道區(qū)域，以及一第一源極區(qū)域和一第一汲極區(qū)域位于該第一信道區(qū)域的兩側(cè)；該閘極包括一閘極硅層位于該第一信道區(qū)域上的該閘極介電層上、一層間閘極介電層位于該閘極硅層上及一第一導(dǎo)電層位于該層間閘極介電層上；該第二硅層位于該第一汲極區(qū)域上方的該閘極介電層且延伸至該層間介電層的一層間開(kāi)口兩側(cè)；更包括一金屬間介電層位于該層間介電層及第二硅層上；且金屬間介電層在該第一導(dǎo)電層上有一第一開(kāi)口和該第二硅層上有一第二開(kāi)口；以及一第二導(dǎo)電層經(jīng)由該第一開(kāi)口連接到該第一導(dǎo)電層及經(jīng)由該第二開(kāi)口連接到該第二硅層。
全文摘要
本發(fā)明提出一種具有多層硅結(jié)構(gòu)的顯示器，此多層硅結(jié)構(gòu)包括一基板、一第一硅層位于基板上、一閘極介電層位于第一硅層上、一閘極位于閘極介電層上、一層間介電層位于閘極上和閘極介電層上，以及一第二硅層位于層間介電層上，其中第二硅層可為一被動(dòng)組件或一主動(dòng)組件，而形成一組件堆棧結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L29/66GK1605914SQ20031010030
公開(kāi)日2005年4月13日 申請(qǐng)日期2003年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月9日
發(fā)明者林孝義 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司