專利名稱：高頻打線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高頻打線結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種使用于金屬框架式封裝或?qū)Ь€架封裝的高頻打線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在射頻電路或高速電路中，高頻打線結(jié)構(gòu)中在芯片端上雖常以高頻信號(hào)打線墊兩側(cè)包圍有接地信號(hào)打線墊，并在封裝體上提供多點(diǎn)接地處，而使芯片與封裝體間的電氣特性能夠較好。但在此種情況下，高頻打線結(jié)構(gòu)內(nèi)狹小的空間內(nèi)有著密集的金屬線分布，因此金屬線在打線時(shí)，會(huì)有打線間距、打線弧高以及打線布局上的困擾。
且高頻打線結(jié)構(gòu)在封裝體上上膠膜以覆蓋住芯片以及金屬線時(shí)，過于密集的金屬線會(huì)造成膠膜促使金屬線間互相接觸，而使高頻信號(hào)經(jīng)過此高頻打線結(jié)構(gòu)時(shí)，有著較嚴(yán)重的失真情形。
請(qǐng)先參考圖11，圖11為現(xiàn)有封裝體結(jié)構(gòu)側(cè)視的示意圖。在圖11中，無(wú)接腳方扁體(Quad Flat No-lead，QFN)、凸點(diǎn)芯片載體(bump chip carrier，BCC++)或芯片級(jí)封裝(chip scale package，CSP)這些類封裝組件01其膠膜03高度H很低，容易造成高頻信號(hào)的失真。因此，用于射頻電路或高速電路的構(gòu)裝組件01常會(huì)因?yàn)樾酒?5以及封裝體01內(nèi)金屬線07布局過于密集，而造成最后芯片05與封裝體01間的電氣特性仍普遍不佳。
請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1，圖1繪示的是現(xiàn)有芯片端具有共面打線墊的高頻打線結(jié)構(gòu)的3D示意圖。高頻打線結(jié)構(gòu)100主要包括有芯片110以及封裝體120。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可知，封裝體120上還具有一接地面130用以承載芯片110。在此高頻打線結(jié)構(gòu)100中，芯片110與封裝體120間的電性連接主要是依靠芯片110端上的打線墊133以打線方式連接至封裝體上的金屬框架引腳(lead frame)如140、150、160等。為了提高芯片110與封裝體120間的電氣特性，芯片110端上高頻信號(hào)的打線墊133周遭包圍有一個(gè)共面打線墊135。因此，高頻信號(hào)自打線墊133以打線方式連接至金屬框架140，再通過傳輸線170導(dǎo)入至封裝體120內(nèi)，接地信號(hào)自共面打線墊135并聯(lián)輸出且以打線方式分別連接至金屬框架式引腳150、160，再通過傳輸線180、190接地。而高頻信號(hào)藉由相鄰的接地回路來(lái)縮短高頻信號(hào)的接地路徑，以使高頻信號(hào)減少失真，提高芯片110與封裝體120間的電氣特性。
但由于封裝體120上引腳140、150、160等的設(shè)置是通常使用業(yè)界規(guī)格化的模塊加以設(shè)置。模塊化的引腳140、150、160等兩兩相鄰的間距因此固定，且大于0.5mm。因此，高頻打線結(jié)構(gòu)100信號(hào)間的回路仍然過大而受限影響。
現(xiàn)有技術(shù)為了改善上述高頻打線結(jié)構(gòu)100的電氣特性，特別將高頻信號(hào)以并聯(lián)方式輸出。請(qǐng)參考圖2，圖2繪示的是圖1高頻打線結(jié)構(gòu)100改良的示意圖。高頻打線結(jié)構(gòu)100在芯片110端上的高頻信號(hào)改以并聯(lián)方式輸出，因此芯片110端上高頻信號(hào)的打線墊133采用兩打線輸出方式同時(shí)連接至封裝體120端的引腳140。而由于此高頻打線的高頻打線結(jié)構(gòu)100在操作時(shí)，打線會(huì)產(chǎn)生很大的寄生電感，故當(dāng)高頻信號(hào)自芯片110端以并聯(lián)方式輸出至封裝體120端時(shí)，寄生電感藉由并聯(lián)導(dǎo)線而被并聯(lián)。因此，芯片110與封裝體120間具有較好的電容與電感匹配而得到較佳的電氣特性。
但高頻打線結(jié)構(gòu)100如此的改良有著實(shí)施上的困難。舉例來(lái)說，打線墊133與引腳140上打線面積其實(shí)不大，因此打線墊133與引腳140間的兩打線必須靠的很近，且在打線時(shí)難以實(shí)施，還有將來(lái)在上膠膜時(shí)，膠膜容易使兩打線接觸而產(chǎn)生反效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出使用于金屬框架式封裝的一種高頻打線結(jié)構(gòu)，可以在其打線布局時(shí)，避免打線間靠的過近，且在芯片與封裝體間，可以得到較佳的電容與電感匹配，而具有較佳的電氣特性。
為達(dá)到目的，本發(fā)明提供使用于金屬框架式封裝的一種高頻打線結(jié)構(gòu)，其主要包含有多個(gè)打線墊于芯片端、多個(gè)引腳以及多個(gè)傳輸線于封裝體端。其中，高頻信號(hào)的連接方式為自芯片端的一個(gè)打線墊以并聯(lián)方式輸出至封裝體上兩相鄰的引腳。接地信號(hào)的連接方式為高頻信號(hào)相鄰有兩接地回路。還有封裝體端上的一條傳輸線為共享于用以輸出高頻信號(hào)的兩相鄰引腳。
如上所述的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中在芯片端，高頻信號(hào)的打線墊被兩個(gè)接地的打線墊包圍。
如上所述的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中兩相鄰引腳的寬度相等。
本發(fā)明還提供一種使用于導(dǎo)線架封裝的高頻打線結(jié)構(gòu)，包括有多個(gè)焊墊在芯片端；多個(gè)引腳在封裝體端，其中一高頻信號(hào)自芯片端一焊墊以并聯(lián)方式輸出至封裝體端對(duì)應(yīng)的兩相鄰引腳；至少一共享于該相鄰引腳的高頻信號(hào)傳輸線將高頻信號(hào)自引腳輸出至封裝體外部；其中該高頻信號(hào)傳輸線的電容值在接近該引腳端處較小。
在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，此被共享的傳輸線在部分線段上具有特定的傳輸面積，像是此被共享的傳輸線的此部分線段具有較其它線段小的單位長(zhǎng)度傳輸面積。舉例來(lái)說，當(dāng)此傳輸線為帶有類似一長(zhǎng)條形把手的蒼蠅拍形狀的平面時(shí)，蒼蠅拍兩側(cè)均等的部分面積分別共享于用以輸出高頻信號(hào)的兩相鄰引腳，而長(zhǎng)條型把手的部分線段上具有較其它線段小的單位長(zhǎng)度表面積。
其中，長(zhǎng)條型把手此部分線段的位置以及面積亦會(huì)影響芯片端與封裝體端間的電氣特性。因此本發(fā)明考慮在較佳實(shí)施例中，將此部分線段位于長(zhǎng)條型把手在緊鄰蒼蠅拍的一線段上。且此部分線段為其它線段將兩側(cè)寬度縮減的長(zhǎng)方形表面。
綜上所述，本發(fā)明提出使用于金屬框架式封裝及導(dǎo)線架封裝的一種高頻打線結(jié)構(gòu)，藉由高頻信號(hào)在芯片端打線墊上以并聯(lián)方式輸出，且特別分別輸入至封裝體端上的兩緊鄰引腳，更特別的是此兩緊鄰引腳共享一傳輸線。因此本發(fā)明可在其打線布局時(shí)，避免打線間靠的過近，且在芯片與封裝體間，可以得到較佳的電容與電感匹配，而具有較佳的電氣特性。


圖1是現(xiàn)有芯片端具有共面打線墊的高頻打線結(jié)構(gòu)的3D示意圖；圖2是圖1高頻打線結(jié)構(gòu)100改良的示意圖；圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施例的使用于金屬框架式的高頻打線結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明此較佳實(shí)施例高頻打線結(jié)構(gòu)與圖1、圖2現(xiàn)有高頻打線結(jié)構(gòu)在插入損耗、返回?fù)p失上的整體比較表；
圖5A、5B分別是本發(fā)明此較佳實(shí)施例高頻打線結(jié)構(gòu)與圖1、圖2現(xiàn)有高頻打線結(jié)構(gòu)在插入損耗、返回?fù)p失上的分別比較圖；圖6是本發(fā)明較佳實(shí)施例與圖1、圖2現(xiàn)有高頻打線結(jié)構(gòu)的史密斯圖；圖7A是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的示意圖；圖7B是傳輸線780的俯視圖；圖8是圖3實(shí)施例與對(duì)照組的插入損耗、返回?fù)p失列表；圖9A、9B分別是圖3實(shí)施例與對(duì)照組的插入損耗、返回?fù)p失分別比較圖；圖10是圖3實(shí)施例與對(duì)照組case II、IV的史密斯圖；圖11為現(xiàn)有封裝體結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下100、300、700高頻打線結(jié)構(gòu)110、310芯片120、320封裝體133、333打線墊135、335共面打線墊140、150、160、340、350、360、370引腳170、180、190、380、390、395、780傳輸線785蒼蠅拍790長(zhǎng)條型把手795線段具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的特征、目的及功能被更進(jìn)一步的認(rèn)知與了解，茲配合附圖詳細(xì)說明如后本發(fā)明基于一般用于射頻或高速電路的高頻打線結(jié)構(gòu)，其為了使芯片與封裝體間的電氣特性能夠較佳，通常將信號(hào)以并聯(lián)方式輸出，且信號(hào)相鄰的兩側(cè)又分別有接地回路，因此芯片與封裝體間的打線非常的密集。也因此，造成打線實(shí)施上的困難，并在日后上膠膜時(shí)容易造成線與線間的觸碰，而大大降低芯片與封裝體間的電氣特性。
故本發(fā)明考慮以在芯片端的高頻信號(hào)打線墊除了以兩條打線方式輸出，還將此兩條打線分別連接于封裝體端上兩相鄰的打線墊上，以避免打線間的擁擠，更特別的是更使此兩相鄰打線墊共享同一條傳輸線輸出高頻信號(hào)。
因此，請(qǐng)參考圖3，圖3繪示的是本發(fā)明較佳實(shí)施例的使用于金屬框架式的高頻打線結(jié)構(gòu)示意圖。在高頻打線結(jié)構(gòu)300中，芯片310與封裝體320間高頻信號(hào)的傳遞主要是自芯片310上的打線墊333以兩條并聯(lián)打線方式輸出并分別連接至如金屬框架式引腳340、350，再通過金屬框架式引腳340、350共享的傳輸線380輸出。而高頻信號(hào)相鄰的兩側(cè)具有接地回路，也就是自芯片310端上共面打線墊335以打線方式將接地信號(hào)傳輸至金屬框架式引腳360、370上，再通過分別連接于金屬框架式引腳360、370的傳輸線390、395接地。
值得一提的是，封裝體320原本就是一塊多層的印刷電路板，而印刷電路板上的傳輸線可視使用者所需任意設(shè)置。因此，引腳360、370共享一傳輸線的實(shí)施相當(dāng)容易。
故，本較佳實(shí)施例在芯片310與封裝體320間的打線布局較圖2現(xiàn)有技術(shù)寬松，且高頻信號(hào)雖自芯片310端以并聯(lián)打線方式輸出，但卻分別連接至兩相鄰的引腳340、350上，因此打線與打線間的距離并沒有如圖2現(xiàn)有技術(shù)一樣的靠近。本發(fā)明較佳實(shí)施例高頻信號(hào)除了以并聯(lián)方式輸出外，更由于高頻信號(hào)所連接的引腳340、350共享一條傳輸線藉以傳輸而較圖1，圖2現(xiàn)有技術(shù)有著更佳的電氣特性。
請(qǐng)參考圖4并同時(shí)對(duì)照?qǐng)D5A、5B，圖4以及圖5A、5B分別繪示的是本發(fā)明此較佳實(shí)施例高頻打線結(jié)構(gòu)與圖1、圖2現(xiàn)有高頻打線結(jié)構(gòu)在插入損耗(insertion interested)、返回?fù)p失(return loss)上的整體比較表以及分別比較圖。請(qǐng)先參考圖4列表以及圖5A，在信號(hào)頻率2.5GHz時(shí)，本發(fā)明較佳實(shí)施例較圖1、2現(xiàn)有技術(shù)具有明顯大的打線插入損耗，為-32dB。而在信號(hào)頻率5GHz時(shí)，本發(fā)明較佳實(shí)施例將大的插入損耗拉下并與圖2現(xiàn)有技術(shù)接近，為-21.8dB。最后在信號(hào)頻率10GHz時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例的插入損耗趨于緩和并介于現(xiàn)有技術(shù)圖1、2之間，為-7.8dB。
請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D4列表以及圖5B，在信號(hào)頻率2.5GHz時(shí)，本發(fā)明較佳實(shí)施例具有與圖2現(xiàn)有技術(shù)的相同但比圖1現(xiàn)有技術(shù)小的返回?fù)p失，為-0.09dB。而在信號(hào)頻率5GHz時(shí)，本發(fā)明較佳實(shí)施例的插入損耗仍與圖2現(xiàn)有相同且仍大于圖1現(xiàn)有，為-0.19dB。最后在信號(hào)頻率10GHz時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例的插入損耗落下并介于現(xiàn)有技術(shù)圖1、2之間，為-1.18dB。
因此，由上述表及圖示所知，若以高頻中屬于較低頻的全球移動(dòng)通訊系統(tǒng)(Global System for Mobile Communication，GSM)以及無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)(Wireless LAN，WLAN)兩者應(yīng)用所需來(lái)看，插入損耗通常須小于-20dB(＜-20dB)。故在實(shí)際應(yīng)用上，圖1現(xiàn)有技術(shù)僅能操作于2.5GHz的頻率之下，而圖2現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明較佳實(shí)施例皆能延伸操作于5GHz。
通常，插入損耗代表的是打線結(jié)構(gòu)所寄生的電容，而返回?fù)p耗代表的是打線結(jié)構(gòu)所寄生的電感。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可知，將圖5A、5B制成史密斯圖(Smith chart)，則可得到打線結(jié)構(gòu)間的電氣特性，即打線結(jié)構(gòu)間寄生電容與寄生電感的匹配性，也就是打線結(jié)構(gòu)間電氣特性的指針。
請(qǐng)參考圖6，圖6繪示的是本發(fā)明較佳實(shí)施例與圖1、圖2現(xiàn)有技術(shù)高頻打線結(jié)構(gòu)的史密斯圖。由圖6可清楚得知，本發(fā)明較佳實(shí)施例所代表的曲線與圖1、2現(xiàn)有技術(shù)所代表的曲線相比，本發(fā)明較佳實(shí)施例所代表的曲線分布較接近且較快速接近中心點(diǎn)。其原因就是不論本發(fā)明較佳實(shí)施例或圖1、2現(xiàn)有技術(shù)高頻打線結(jié)構(gòu)本身皆是高電感結(jié)構(gòu)，但在圖5A中，本發(fā)明較佳實(shí)施例雖在2.5GHz時(shí)雖具有較小電容(-32dB)，且在5GHz時(shí)卻可迅速將較小電容拉起來(lái)。因此，在圖6中，本發(fā)明較佳實(shí)施例所代表的曲線能夠分布且較快速接近中心點(diǎn)，而這樣的曲線分布就是代表本發(fā)明較佳實(shí)施例較圖1、圖2現(xiàn)有技術(shù)具有較佳的電器特性。
不過，本發(fā)明上述較佳實(shí)施例中的高頻打線結(jié)構(gòu)700還是具有過大的插入損耗(所有打線加傳輸線所產(chǎn)生的插入損耗)，因此考慮將在圖3中的傳輸線380部分線段的單位傳輸面積變小。其原因在于電容大小與平行導(dǎo)電板的面積有關(guān)，故平行導(dǎo)電板面積越小，其所儲(chǔ)存的電容越小，也就是插入損耗越小。
請(qǐng)參考圖7A，圖7A繪示的是本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的示意圖。在圖7A中，僅將圖3中的傳輸線380改變?nèi)鐐鬏斁€780的形狀。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D7B，圖7B繪示的是傳輸線780的俯視圖。此傳輸線780的形狀類似帶有長(zhǎng)條把手790的蒼蠅拍785。其中，蒼蠅拍785兩側(cè)均等的部分面積分別共享于圖7中的引腳340、350，而細(xì)長(zhǎng)條型把手790緊鄰蒼蠅拍785的線段795卻具有較長(zhǎng)條型把手790其它線段小的單位面積，且為其它線段將兩側(cè)寬度縮減的長(zhǎng)方形表面。因此，傳輸線780如此形狀的設(shè)置應(yīng)可降低整個(gè)高頻打線結(jié)構(gòu)700的插入損耗。
為了證明傳輸線780線段795的單位長(zhǎng)度面積縮小可降低整個(gè)高頻打線結(jié)構(gòu)700的插入損耗，本發(fā)明特別將傳輸線780作為圖3傳輸線380的對(duì)照組。且此對(duì)照組還包括有將傳輸線780線段795單位面積縮小的長(zhǎng)度L依序增加有case I、II、III以及IV。
請(qǐng)參考圖8并同時(shí)對(duì)照?qǐng)D9A、9B，圖8以及圖9A、9B分別繪示的是圖3實(shí)施例與對(duì)照組的插入損耗、返回?fù)p失列表以及分別比較圖。請(qǐng)先參考圖8列表以及圖9A。由圖8列表以及圖9A可知，在信號(hào)頻率為2.5GHz時(shí)，case I、II、III較圖3實(shí)施例具有較小的插入損耗，而caseIV則與圖3實(shí)施例具有接近的插入損耗。在信號(hào)頻率為5GHz時(shí)，case I、II、III以及IV皆較圖3實(shí)施例具有較小的插入損耗。但特別的是，caseIII以及IV仍具有與在信號(hào)頻率為2.5GHz時(shí)接近的插入損耗。至于在信號(hào)頻率為10GHz時(shí)，caseI、II、III以及IV皆較圖3實(shí)施例依然具有較小的插入損耗。
請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D8以及圖9B。由圖8以及圖9B可知，case I、II、III以及IV與較圖3實(shí)施例的返回?fù)p耗不論在2.5、5或10GHz時(shí)都很接近。
因此，由上述可知，傳輸線780的長(zhǎng)條型把手790線段795單位面積縮小的長(zhǎng)度增加時(shí)，也就是長(zhǎng)條型把手790總面積逐漸縮小時(shí)，的確可以降低高頻打線結(jié)構(gòu)700的插入損耗。
也因如此對(duì)照組中case I、II、III以及IV與圖3實(shí)施例相比，在GSM及WLAN的運(yùn)用上將有更大的操作空間(插入損耗低于20dB)，尤其是caseIII以及IV在信號(hào)頻率6.5GHz時(shí)其插入損耗仍低于-30dB。
不僅如此，由圖9A、9B所制成的史密斯圖更顯示出caseIV具有絕佳的電氣特性。請(qǐng)參考圖10，圖10繪示的是圖3實(shí)施例與對(duì)照組caseII、IV的史密斯圖(由于case II與caseIII曲線接近，故caseIII不畫)。由圖10可知，caseIV曲線分布較圖3實(shí)施例以及caseII更接近中心點(diǎn)。因此，caseIV具有絕佳寄生電容與寄生電感的匹配性，即具有絕佳的電氣特性。
綜上所述，本發(fā)明提出使用于金屬框架式封裝的一種高頻打線結(jié)構(gòu)，藉由高頻信號(hào)在芯片端打線墊上以并聯(lián)方式輸出，且特別分別輸入至封裝體端上的兩緊鄰引腳，更特別的是此兩緊鄰引腳共享一傳輸線。因此，本發(fā)明可在其打線布局時(shí)，避免打線間靠的過近，且根據(jù)實(shí)驗(yàn)，此高頻打線結(jié)構(gòu)可以得到較佳的電容與電感匹配，而具有較佳的電氣特性。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，不能用限制本發(fā)明的范圍。凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化及修飾，亦不脫離本發(fā)明的范圍，皆應(yīng)屬于本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.使用于金屬框架式封裝的一種高頻打線結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)打線墊于芯片端；多個(gè)引腳于封裝體端，其中一高頻信號(hào)自芯片端一打線墊以并聯(lián)方式輸出至封裝體端兩相鄰的引腳，且該高頻信號(hào)相鄰有兩接地回路；以及多個(gè)傳輸線位于封裝體端，其中一高頻信號(hào)傳輸線共享于用以輸出該高頻信號(hào)的兩相鄰引腳。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中該高頻信號(hào)傳輸線部分線段具有較其它線段小的單位長(zhǎng)度傳輸面積。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中該高頻信號(hào)傳輸線為帶有類似一長(zhǎng)條形把手的蒼蠅拍形狀的平面。
4.如權(quán)利要求1所述的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中在芯片端，高頻信號(hào)的打線墊被兩個(gè)接地的打線墊包圍。
5.如權(quán)利要求1所述的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中兩相鄰引腳的寬度相等。
6.一種使用于導(dǎo)線架封裝的高頻打線結(jié)構(gòu)，包括有多個(gè)焊墊在芯片端；多個(gè)引腳在封裝體端，其中一高頻信號(hào)自芯片端一焊墊以并聯(lián)方式輸出至封裝體端對(duì)應(yīng)的兩相鄰引腳；至少一共享于該相鄰引腳的高頻信號(hào)傳輸線將高頻信號(hào)自引腳輸出至封裝體外部；其中該高頻信號(hào)傳輸線的電容值在接近該引腳端處較小。
7.如權(quán)利要求6所述的使用于導(dǎo)線架封裝的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中該高頻信號(hào)傳輸線在部分線段具有較其它線段小的單位長(zhǎng)度傳輸面積。
8.如權(quán)利要求7所述的使用于導(dǎo)線架封裝的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中該高頻信號(hào)傳輸線為帶有類似一長(zhǎng)條形把手的蒼蠅拍形狀的平面。
9.如權(quán)利要求8所述的使用于導(dǎo)線架封裝的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中該蒼蠅拍兩側(cè)均等的部分面積分別共享于封裝體端用以輸出該高頻信號(hào)的兩相鄰引腳。
10.如權(quán)利要求9所述的使用于導(dǎo)線架封裝的高頻打線結(jié)構(gòu)，其中該長(zhǎng)條型把手在緊鄰蒼蠅拍的一線段具有較其它線段小的單位長(zhǎng)度表面積。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高頻打線結(jié)構(gòu)主要包含有多個(gè)打線墊于芯片端、多個(gè)打線墊以及多個(gè)傳輸線于封裝體端，其中，高頻信號(hào)的連接方式特別的是自芯片端的一個(gè)打線墊以并聯(lián)方式輸出至封裝體上兩相鄰的打線墊，且接地信號(hào)的連接方式為高頻信號(hào)相鄰有兩接地回路，更特別的是封裝體端上的一條傳輸線為共享于用以輸出高頻信號(hào)的兩相鄰打線墊。因此本發(fā)明可在其打線布局時(shí)，避免打線間靠的過近，且在芯片與封裝體間，可以得到較佳的電容與電感匹配，而具有較佳的電氣特性。
文檔編號(hào)H01L23/48GK1595643SQ200310113189
公開日2005年3月16日 申請(qǐng)日期2003年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月25日
發(fā)明者李勝源 申請(qǐng)人:威盛電子股份有限公司