專利名稱：半導體制造系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造系統(tǒng)，具體涉及下面的半導體制造系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有垂直反應管，通過該反應管每次能處理多個半導體片。
背景技術：
由于在半導體制造過程中需要長時間的熱處理，所以優(yōu)選同時處理多個半導體片。在半導體制造系統(tǒng)中，在熱處理工程中通常使用上面放置有半導體片的、作為載片結構的載片器皿和管子形狀的垂直反應管，這是因為熱處理的均勻性受反應氣體的流動均勻性的影響。在載片器皿中，以垂直間隔形成槽縫以支撐半導體片，然后將半導體片的至少一個或兩個邊緣安裝于槽縫內。
然而在傳統(tǒng)的半導體制造系統(tǒng)中，由于半導體片是通過安置在槽縫內的邊緣來支撐的，所以支撐力集中在半導體片與槽縫相接觸的邊緣區(qū)域。在高溫熱處理過程中，大部分支撐力都集中在半導體片的邊緣，由晶片重量引起的重力應力和由不同熱膨脹引起的熱應力作用到半導體片上，從而產生半導體片的最終機械變形，例如歪斜、彎曲和錯位形式的變形。在直徑為300毫米(12英寸)或更大的大尺寸半導體片中，這種機械變形是很嚴重的問題，這會降低加工的可靠性。為了防止在高溫處理晶片時產生這種機械變形以及均勻分布重力應力和熱應力，需要一種能夠支撐半導體片的整個底部或一部分表面的載片器皿。然而，具有附加支撐裝置的半導體制造系統(tǒng)不僅結構復雜，而且除了昂貴的處理費用之外，仍然無法避免機械變形，并且使用者在裝載和卸載半導體片時也有困難。

發(fā)明內容
為了解決上述及相關問題，本發(fā)明的目的是提供這樣一種半導體制造系統(tǒng)，它能在熱處理過程中防止大直徑半導體片的機械變形，通過該系統(tǒng)能降低在使用晶片臺的板上裝載和卸載半導體片的時間，從而降低半導體的制造成本。
一方面，本發(fā)明提供的半導體制造系統(tǒng)能將多個半導體片裝入垂直反應管內進行熱處理，該系統(tǒng)包含第一載片器皿，安裝在反應管內，且包括多個用于支撐板狀晶片臺的臺架，該晶片臺以預定間隔垂直裝入并且其上放置半導體片；第二載片器皿，位于第一載片器皿之內或之外，且具有位于半導體片的下面以支撐半導體片的晶片臺；板蓋，位于第一載片器皿和第二載片器皿的下部，用來支撐第一載片器皿和第二載片器皿；門板，位于板蓋的下部，用來支撐板蓋；和升降系統(tǒng)，至少垂直移動第一載片器皿和第二載片器皿之一，使放置在晶片臺上的半導體片離開晶片臺預定高度。
第二載片器皿向內靠近第一載片器皿。第一載片器皿包含第一支柱，排列在第一載片器皿形成圓柱形的接收空間；第一上板和第一下板，用于固定第一支柱的兩端；和臺架，以預定垂直間隔形成在第一支柱上，用以水平支撐晶片臺。晶片支架是通過在第一支柱內開槽而形成的槽縫。臺架是以直角相對于第一支柱向接收空間的中心伸出預定長度的突起。
第二載片器皿包含第二支柱，排列在第二載片器皿內形成圓柱形的接收空間；第二上板和第二下板，用于固定支柱的兩端；和臺架，以預定垂直間隔形成在第二支柱上，用以水平支撐半導體片。晶片支架是從第二支柱伸出預定長度的突起。該突起應當(或可以)傾斜預定角度。
晶片支架還包括支撐突起，從突起的末端向上延伸預定高度。該支撐突起的末端朝著接收空間的中心向內或向外傾斜。晶片支架是通過在第二支柱內開槽而形成的槽縫。放置半導體片的槽縫底面向下傾斜預定角度。相對于水平面傾斜的該預定角度的范圍在0.1°～45°之間。
晶片臺包含主板，該主板是一塊圓形板。在圓形板的邊緣制作開口部分，使第二載片器皿和晶片支架、突起、或支柱從中自由地垂直移動。開口部分從主板周圍向主板中心延伸預定長度和形狀。
板蓋支撐第一載片器皿和第二載片器皿的下部。
升降系統(tǒng)通過精確控制電機進行電驅動，或通過液壓進行液壓驅動。升降系統(tǒng)連接第一載片器皿的下部，垂直移動第一載片器皿。升降系統(tǒng)包括升降控制器，用于控制第一載片器皿和第二載片器皿在臺架的每個槽縫節(jié)點內垂直移動的高度。
第二載片器皿靠近第一載片器皿，第二載片器皿的晶片支架為突起。本發(fā)明的半導體制造系統(tǒng)包括雙器皿，該雙器皿具有能裝載晶片臺的第一載片器皿和位于第一載片器皿之內或之外的、能裝載半導體片的第二載片器皿，該第二載片器皿能將半導體片從晶片臺上升預定高度。因此，在裝載或卸載半導體片時不需要將晶片臺從第一載片器皿中取出。從而，能在較短的時間內完成半導體片的裝載或卸載。
另外，由于在裝載半導體片時是將半導體片放置在通常由導熱材料制成的晶片臺上，所以半導體片中的熱量能均勻分布。從而，能提高半導體制造過程的均勻性。
此外，當晶片在高溫熱處理過程中彎曲時，通過在開始處理之前調整第一載片器皿與第二載片器皿之間的間隙，能使晶片中心以最佳的接觸面積理想地觸及晶片臺的中心，以便使機械變形最小化。即使在處理過程中也能動態(tài)調節(jié)間隙。
最后，可以改變晶片臺的形狀，以優(yōu)化半導體片與晶片臺之間的接觸面積。因此，在熱處理過程中能防止接觸區(qū)域產生任何的機械或物理缺陷。


通過結合附圖對優(yōu)選實施方式的詳細說明，使本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點變的更加清楚，附圖中圖1是本發(fā)明的半導體制造系統(tǒng)的截面圖；圖2A是圖1中“A”部分的放大側剖視圖；圖2B是根據本發(fā)明一種實施方式的安裝在半導體片中的雙器皿的側視圖；圖3是根據本發(fā)明一種實施方式的安裝在半導體片中的雙器皿的俯視圖；圖4是根據本發(fā)明一種實施方式的安裝在半導體片中的雙器皿的俯視分解圖；圖5是根據本發(fā)明一種實施方式的安裝在半導體制造系統(tǒng)中的雙器皿的俯視圖；圖6是用于圖5中實施方式的晶片臺的平面圖；圖7是從圖5的實施方式中獲取的雙器皿的放大平面圖；圖8是圖7中“B”部分的放大平面圖；圖9A到9D是根據本發(fā)明一種實施方式的半導體制造系統(tǒng)中第二載片器皿的晶片支架的截面圖；圖10A是根據本發(fā)明一種實施方式的半導體制造系統(tǒng)中第二載片器皿的晶片支架的截面圖；圖10B是在高溫熱處理之后，在圖10A中第二載片器皿的晶片支架上的彎曲半導體片的截面圖；圖11是根據本發(fā)明一種實施方式的安裝在半導體制造系統(tǒng)中的雙器皿的平面截面圖；圖12A是安裝在反應管中的根據本發(fā)明實施方式的雙器皿的側剖視圖；圖12B是裝載和卸載半導體片時雙器皿的側剖視圖；圖12C是根據本發(fā)明實施方式的雙器皿中半導體片機械手的橫截面圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖對本發(fā)明進行全面說明，附圖中顯示了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。但是，本發(fā)明可以多種不同形式來實施，而不限于所列舉的實施方式；并且，提供這些實施方式是為了充分、全面地公開本發(fā)明，向本領域的技術人員傳遞本發(fā)明的原理。
圖1是本發(fā)明的半導體制造系統(tǒng)的截面圖。圖2是圖1中“A”部分的放大截面圖。圖2B是根據本發(fā)明實施方式的、安裝在半導體片中的雙器皿的橫截面圖。
參照圖1，半導體制造系統(tǒng)包括進行熱處理的反應管30。反應管30內包括雙器皿，雙器皿包括其中裝入半導體片100的第一載片器皿10和第二載片器皿20。第一載片器皿10包括多個水平裝入的晶片支架和支撐雙器皿下部的板蓋40。另外，半導體制造系統(tǒng)還包括門板50，它從下面支撐著板蓋40，并將雙器皿插入反應管30內以及從反應管30中拉出雙器皿；和升降系統(tǒng)50，用于在受限高度內垂直移動雙器皿中的一個板。
參照圖2A和2B，雙器皿包括第一載片器皿10和位于第一載片器皿10之內的第二載片器皿20。
在第一載片器皿10中，至少有3個第一支柱11彼此平行排列，形成柱形空間以容納半導體片100。在該實施方式中，提供4個第一支柱11。第一上板12a和第一下板12b連接到第一支柱11的兩端，用于分別在相同的水平面內固定第一支柱11。第一支柱11的每端包括臺架11a，其中在每個第一支柱11內形成有一定深度的槽縫，從而能將圓板放置在臺架11a上。臺架11a形成為槽縫形狀。圓板形狀的晶片臺25被放置在臺架11a上。臺架11a可以是從每個第一支柱11的內部中心伸出預定長度的部分。臺架11a之間間隔的長度足以使載片葉片(未示出)插入到半導體片100的下面。
在第二載片器皿20中，至少有3個第二支柱21彼此平行排列，形成柱形空間以接收半導體片100。第二上板22a和第二下板22b連接到第二支柱21的兩端，用于分別在相同的水平面內固定第二支柱21。在每個第二支柱21內，晶片支架20a從每個第二支柱21的內部伸出預定長度，以便升起半導體片100的兩邊。此處，晶片支架20a位于晶片臺25的下部，并且當升起半導體片時，其位置改變到臺架11a之間的部分。
第一支柱11和第二支柱21的排列彼此不重疊，所以能防止下面的情況，即當晶片支架20a滲透到晶片臺25的開口部分25a而與其重疊時，晶片臺25無法支撐半導體片100。
第一載片器皿10和第二載片器皿20通過它們下面的一個板蓋40支撐。升降系統(tǒng)70經過板蓋40延伸，與第一載片器皿10或第二載片器皿20的下部連接，移動第一載片器皿10或第二載片器皿20之一，使半導體片100從晶片臺25上升預定高度。
第一載片器皿10和第二載片器皿20由耐高溫的石英或碳化硅(SiC)形成。同樣地，晶片臺25也是由石英或碳化硅(SiC)形成。但考慮到導熱性能或吸熱性能，優(yōu)選使用碳化硅(SiC)來形成晶片臺25。特別地，當熱處理的溫度非常高時，優(yōu)選使用碳化硅(SiC)來形成第一、第二載片器皿和晶片臺25。
圖3是根據本發(fā)明的、安裝在半導體片中的雙器皿實施方式的俯視圖。圖4是根據本發(fā)明實施方式的、安裝在半導體片中的雙器皿的分解俯視圖。
參照圖3和4，第一載片器皿10作為最外環(huán)安裝，晶片臺25被放置在第一載片器皿10內的臺架11a上。
晶片臺25包括圓板形狀的主板25b和從主板周圍向主板中心延伸的開口部分25a。開口部分25a如此形成，使第二載片器皿20的第二支柱21能夠從開口部分25a垂直上升微小距離。開口部分25a的寬度大于晶片支架20a的尺寸。
第二載片器皿20形成于第一載片器皿10之內。半導體片100則形成于第二載片器皿20之內。半導體片100的一部分圓周通過第二載片器皿20的晶片支架20a來支撐。因此，晶片臺25僅通過第一載片器皿10的臺架11a來支撐，半導體片100則通過第一載片器皿10的臺架11a和第二載片器皿20共同支撐。通過垂直移動第一載片器皿10或第二載片器皿20能使半導體片100從晶片臺25上升一定高度。此處，優(yōu)選將半導體片100上升到臺架11a之間間隔的中間部分。因此，半導體片100在其上下都具有空間，從而在裝卸時不必接觸相鄰的半導體片。
圖5是根據本發(fā)明的、安裝在半導體制造系統(tǒng)中的雙器皿的另一種實施方式的俯視圖。
參照圖5，第一支柱11的中心具有凹槽，面向容納空間的中心。第二支柱21在圓周上的排列位置與第一支柱11相似。在第二支柱21中形成有預定間隔的槽縫，如同晶片支架20a內的槽縫。臺架11a如此形成，使晶片臺25通過第一支柱11的下端來支撐。由于不需要將第一支柱11與第二支柱21彼此交叉排列，所以這種雙器皿的結構和制造都很簡單。
圖6是圖5的實施方式中使用的晶片臺的平面圖。參照圖6，在主板25b內形成有正方形的開口部分25a，第二支柱21圍繞主板25b設置，以便當第一支柱11的截面為正方形時能保持一致。優(yōu)選是開口部分25a的形狀與第二支柱21的截面形狀相同。
圖7是從圖5中實施方式獲得的雙器皿的平面圖。圖8是圖7中“B”部分的平面圖。
參照圖7和8，第一載片器皿10的第一支柱11與圖5中的相似。但是，第二支柱21的晶片支架20a的形狀為突出型的，而不是槽縫。
圖9A到9D是本發(fā)明半導體制造系統(tǒng)的第二載片器皿的晶片支架的實施方式的截面圖。
參照圖9A，晶片支架20a以直角從第二支柱21水平伸出。晶片臺20a的表面是水平的，上面放置半導體片100，使半導體片100能被穩(wěn)定地支撐。特別地，晶片支架20a的頂面也是正方形的，從而使半導體片100能穩(wěn)定地放置在晶片支架20a的表面上。
圖9B到9D顯示圖9A中晶片支架20a的變化，其中晶片支架20a與水平位置之間向上或向下成一定的角度。若晶片支架20a向上傾斜，如圖9B所示，其用于放置半導體片100的端部為圓形或平面，以防止半導體片100在與晶片支架20a相接觸的區(qū)域被擦傷。
這種晶片支架20a通過減小半導體片100與晶片支架20a相接觸的面積，能防止半導體片100在與晶片支架20a接觸時所發(fā)生的滑動或擦傷。
參照圖9D，晶片支架20a進一步包括從晶片支架20a的末端向上突出的突出支架201a。在這種晶片支架20a中，半導體片100是通過突出支架201a的末端而不是通過晶片支架20a的表面來支撐。突出支架201a的末端能水平形成或者向上或向下傾斜。因此，在熱處理的溫度很高時可以使用具有傾斜末端的突出支架201a；當處理溫度適中時可以使用具有平面末端的突出支架201a。
圖10A是本發(fā)明半導體制造系統(tǒng)的第二個載片器皿的晶片支架的另一種實施方式的截面圖。圖10B是說明經過高溫熱處理之后，位于圖10A的第二個載片器皿的晶片支架上的彎曲半導體片的截面圖。
參照圖10A，通過在第二支柱21內開槽，使晶片支架20a呈槽縫形狀。此處，晶片支架20a向下傾斜預定角度，角度范圍在0.1°～45°之間，以減小半導體片100與晶片支架20a之間的接觸面積，使半導體片100僅有很小的一部分末端支撐在晶片支架20a上。
參照圖10B，在高溫熱處理過程中，半導體片100被加熱，半導體片100的中間部分由于重力而向下彎曲。這種機械變形導致半導體片100的邊緣同樣發(fā)生彎曲，從而增加了半導體片100與晶片支架20a之間的接觸面積。然后，支點向半導體片100的中間移動，使彎曲半導體片100的支撐力作用在接觸面上，而不是作用在接觸點上，從而降低了半導體片100中的應力。
圖11是本發(fā)明半導體制造系統(tǒng)中雙器皿的另一種實施方式的平面截面圖。
參照圖11，每個第一支柱11都具有二個支柱，它們彼此平行排列且彼此分開預定間隔。預定間隔的寬度大于第二支柱21的截面寬度。因此，當晶片臺25的開口部分25a與第一支柱11的臺架11a彼此重疊時，能防止晶片臺25不被支撐的情況發(fā)生。另外，該第一支柱11的優(yōu)點還在于第一支柱11和第二支柱21能對稱排列。此處，第一和第二支柱11和21能形成圓柱形、正方形或具有多邊形截面的其它形狀。
圖12是安裝在反應管中的、根據本發(fā)明實施方式的雙器皿的側剖視圖。圖12B是根據本發(fā)明實施方式的在裝載和卸載半導體片的雙器皿的側剖視圖。
參照圖12A，在熱處理過程中將半導體片100裝到雙器皿上時，第二載片器皿20的晶片支架20a與第一載片器皿10的臺架11a平行排列。因此，半導體片100在與晶片臺25相接觸時通過晶片臺25來支撐。然后，向反應管30內供應反應氣體，對半導體片100進行熱處理。
參照圖12B，在進行熱處理前后裝載或卸載半導體片100時，降低圖1中的門板50，將雙器皿從反應管30內拉出到能裝載或卸載半導體片100的位置。然后，利用升降系統(tǒng)70使第一載片器皿10或第二載片器皿20上升到預定高度，從而使半導體片100從晶片臺25上升預定高度。因此，使半導體片100位于臺架11a之間，在其上下都有一定的空間。
圖12C說明使用晶片機械手150從雙器皿中取出半導體片100的過程。
參照圖12C，若半導體片100的上下都有空間，如圖12B所示，將晶片機械手150的葉片151插入到半導體片100的下面，將半導體片100從第二載片器皿20中取出，裝到放置在外面的盒子(未示出)內。也可以從外部的盒子中取出半導體片100而將其裝入到第二載片器皿20的晶片支架20a中。
在雙器皿下面的板蓋40和門板50內安裝升降系統(tǒng)70。升降系統(tǒng)70為圓柱形，其一端與第二下板22b相連，另一端則通過門板50支撐。因此，通過微微上升第二載片器皿20來上升半導體片100。此處，為了防止半導體片100撞擊晶片臺25，優(yōu)選是升降系統(tǒng)70的移動寬度小于臺架11a之間間隔的寬度。升降系統(tǒng)70能通過精確控制電機進行電驅動，或通過加壓或負壓進行液壓驅動，這能平穩(wěn)地提供大的升力。
升降系統(tǒng)70可以與第一載片器皿10的第一下板12b連接。因此，通過垂直移動第一載片器皿10能使半導體片100從晶片臺25上升。對于這種情況，第一載片器皿10必須向下移動。
如上所述，本發(fā)明的半導體制造系統(tǒng)包括通過重疊第一載片器皿10與第二載片器皿20所形成的雙器皿，并使用晶片臺25來支撐半導體片100。從而，直徑大于12英寸，即300毫米，的半導體片在進行熱處理時也不會在高溫下彎曲。另外，半導體片100下面的晶片臺25充當成膜過程和退火過程中的散熱裝置，使熱量均勻分布在半導體片100中，其中成膜過程通過加熱氧化或化學汽相沉積(CVD)來完成。從而，能改進半導體制造過程的均勻性。
另外，通過將第一載片器皿10和第二載片器皿20設計成能上升預定高度，可以直接從雙器皿中裝載或卸載半導體片100而不需要將晶片臺25從雙器皿中取出。因此，當雙器皿中的晶片臺25正在使用時，也能裝載或卸載半導體片100。
考慮到操作的安全性，在裝載或卸載半導體片100時，優(yōu)選是上升第一載片器皿10和第二載片器皿20中較輕的那一個。
在板蓋40下面或門板50內設置升降系統(tǒng)70，用來上升第一載片器皿10或第二載片器皿20。在不需要這個附加升降系統(tǒng)70的情況下，通過使門板50降低而移出到反應管30之外，并將門板50放置在地板上，可以使第二載片器皿20的位置高于第一載片器皿10的位置。然后，由于雙器皿受到重力的影響，所以將第二載片器皿20相對于第一載片器皿10上升到預定高度。因此，使半導體片100從晶片臺25上分離。此處，為了精確控制上升高度，升降系統(tǒng)70包括用于控制高度的電機如步進電機(未示出)。因此，升降控制器(未示出)能精確控制半導體片100從晶片臺25上升的高度。
控制器(未示出)還與半導體制造系統(tǒng)的中央控制單元(未示出)相連，并能通過為處理單元創(chuàng)建的專用文件進行控制。然后，可以對半導體制造系統(tǒng)進行編程以控制熱處理過程中半導體片100離開晶片臺25的高度。
在本發(fā)明中，第一載片器皿10放置在第二載片器皿20之外。但是，第二載片器皿20也能放置在第一載片器皿10之外。對于這種情況，也能應用上述實施方式。但是，優(yōu)選的是，晶片臺20a為突起形狀，從第二支柱21向半導體片的下面延伸，而不是通過在第二支柱21中開槽而形成的槽縫形狀。
在本發(fā)明的半導體制造系統(tǒng)中，半導體片通過它下面的晶片臺來支撐，因此能支撐具有大直徑的半導體片而不會產生機械變形。
另外，由于晶片臺充當熱處理過程中的散熱裝置，所以能均勻控制溫度，從而提高處理的可靠性。
本發(fā)明的半導體制造系統(tǒng)包括雙器皿，該雙器皿具有用于支撐晶片臺的第一載片器皿和用于使半導體片從晶片臺上升到預定高度的第二載片器皿。因此，在不移去晶片臺的情況下能裝載或卸載半導體片。因此，能縮短裝載或卸載半導體片所需的時間。
另外，可以改變晶片臺的形狀以減小半導體片與支架的接觸面積。因此，在熱處理過程中能防止接觸區(qū)域發(fā)生任何機械或物理缺陷。
盡管參照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明進行具體說明，本領域的普通技術人員應該明白，在不背離由附屬權利要求及其等價物所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以對本發(fā)明作出各種形式和細節(jié)方面的變化。
權利要求
1.一種能將多個半導體片裝到垂直反應管中進行熱處理的半導體制造系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含第一載片器皿，其安裝在反應管中，并包括多個用于支撐板狀晶片臺的臺架，所述晶片臺以預定間隔垂直裝載且上面放置半導體片；第二載片器皿，其位于第一載片器皿之內或之外并具有晶片支架，該支架位于半導體片的下面以支撐半導體片；板蓋，其在第一載片器皿和第二載片器皿的下部支撐第一載片器皿和第二載片器皿；門板，其在板蓋的下部支撐該板蓋；和升降系統(tǒng)，其至少能垂直移動第一載片器皿和第二載片器皿之一，在晶片的裝載和卸載周期中，使晶片臺上的半導體片離開晶片臺預定高度。
2.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中第二載片器皿向內靠近第一載片器皿。
3.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中第一載片器皿包含至少一組第一支柱，排列在第一載片器皿內形成圓柱形接收空間；第一上板和第一下板，用于固定第一支柱的兩端；和臺架，以預定垂直間隔形成在第一支柱上，用于水平支撐晶片臺。
4.如權利要求3所述的系統(tǒng)，其中臺架是通過在第一支柱內開槽而形成的槽縫。
5.如權利要求3所述的系統(tǒng)，其中臺架是以直角相對于第一支柱向接收空間伸出預定長度和形狀的突起。
6.如權利要求3所述的系統(tǒng)，其中第一支柱的數量至少是二個，它們彼此分開預定距離。
7.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中第二載片器皿包含至少一組第二支柱，排列在第二載片器皿內形成圓柱形接收空間；第二上板和第二下板，用于固定第二支柱的兩端；和晶片支架，以預定垂直間隔形成在第二支柱上，用于水平支撐半導體片。
8.如權利要求7所述的系統(tǒng)，其中晶片支架是從第二支柱伸出預定長度和形狀的突起。
9.如權利要求8所述的系統(tǒng)，其中突起傾斜預定角度。
10.如權利要求8所述的系統(tǒng)，其中晶片支架還包括從突起末端向上延伸預定高度的支撐突起。
11.如權利要求10所述的系統(tǒng)，其中支撐突起的末端朝著接收空間的中心向內或向外傾斜。
12.如權利要求8所述的系統(tǒng)，其中晶片支架是通過在第二支柱中開槽而形成的槽縫。
13.如權利要求12所述的系統(tǒng)，其中上面用于放置半導體片的槽縫底面以預定角度向下傾斜。
14.如權利要求13所述的系統(tǒng)，其中預定角度的范圍是從水平面向下成0.1°～45°之間。
15.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中晶片臺包含為一圓形板的主板；和在圓形板的邊緣形成的開口部分，允許第二載片器皿和晶片支架、突起、或支柱從中自由地垂直移動。
16.如權利要求15所述的系統(tǒng)，其中開口部分從主板周圍向主板中心延伸預定長度和形狀。
17.如權利要求15所述的系統(tǒng)，其中晶片臺的表面具有凹槽形或突起形圖案，該圖案是對簡單的圓形板上進行附加處理而形成。
18.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中板蓋支撐第一載片器皿和第二載片器皿的下部。
19.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中升降系統(tǒng)通過精確控制電機的方法進行電驅動，或通過液壓進行液壓驅動。
20.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中升降系統(tǒng)連接到第二載片器皿的下部，以垂直移動第二載片器皿。
21.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中升降系統(tǒng)連接到第一載片器皿的下部，以垂直移動第一載片器皿。
22.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中升降系統(tǒng)包括升降控制器，用于控制第一載片器皿和第二載片器皿在臺架的節(jié)點距離內垂直移動的高度。
23.如權利要求1所述的系統(tǒng)，其中第二載片器皿靠近第一載片器皿，并且第二載片器皿的晶片支架為突起。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能將多個半導體片裝到垂直反應管中進行熱處理的半導體制造系統(tǒng)。該半導體制造系統(tǒng)包括第一載片器皿、第二載片器皿、板蓋、門板和升降系統(tǒng)。第一載片器皿安裝在反應管中，并包括多個用于支撐板狀晶片臺的臺架，所述晶片臺以預定間隔垂直裝載且上面放置半導體片。第二載片器皿位于第一載片器皿之內或之外并具有用于支撐半導體片的晶片支架。升降系統(tǒng)垂直移動第一載片器皿或第二載片器皿，使晶片臺上的半導體片離開晶片臺預定高度。該半導體制造系統(tǒng)能夠容易地在載片器皿中裝載或卸載半導體片而不需要附加的機械手結構。該系統(tǒng)還使得半導體片與晶片臺之間的間隙能夠在熱處理開始階段進行靜態(tài)控制，在熱處理過程中進行動態(tài)控制，以便消除由應力導致的對晶片的任何機械損壞。
文檔編號H01L21/324GK1505118SQ20031011540
公開日2004年6月16日 申請日期2003年11月25日 優(yōu)先權日2002年11月26日
發(fā)明者樸承甲, 劉政昊 申請人:太拉半導體公司