專利名稱：熱熔型斷路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱熔型斷路裝置，尤指基板上的發(fā)熱組件過熱時，切斷其電路的裝置。
背景技術(shù)：
一般如功率半導(dǎo)體組件(semiconductor power device)的發(fā)熱組件于運作時，會產(chǎn)生高熱，且必須設(shè)置一組溫度感測斷路裝置，以使該功率半導(dǎo)體組件的溫度升高至預(yù)定溫度時，被該溫度感測斷路裝置檢測且切斷其電訊回路，以保護該半導(dǎo)體供電裝置，可避免該功率半導(dǎo)體組件持續(xù)運作而損壞，或更因此防止高熱損及其它裝置而造成更大損失。
因此為了使該溫度感測斷路裝置能正確地檢測溫度且減小檢測的延遲時間，因此該溫度感測斷路裝置與發(fā)熱組件必須有良好的熱接觸，所以需精心的設(shè)計熱傳連接及使該溫度感測斷路裝置鑲嵌于該發(fā)熱組件的制備過程。
公知的溫度感測斷路裝置設(shè)置于發(fā)熱組件上仍具有下列缺點1.當(dāng)發(fā)熱組件為功率半導(dǎo)體組件時，其尺寸相當(dāng)小，因此該發(fā)熱組件上的大部分可接觸面積已被散熱器占據(jù)，而沒有余留足夠面積供溫度感測斷路裝置設(shè)置。
2.該發(fā)熱組件產(chǎn)生大量熱流經(jīng)散熱器發(fā)散，因此發(fā)熱組件內(nèi)部的芯片與外部表面具有很大的溫差，而該溫度感測斷路裝置檢測該組件表面的溫度時，不能準確測知芯片溫度，導(dǎo)致內(nèi)部芯片已過熱損毀，而外部表面溫度仍維持于正常溫度。
3.在該發(fā)熱組件上設(shè)置該溫度感測斷路裝置時，該溫度感測斷路裝置的鑲嵌系件及工序令成本提高。
4.該發(fā)熱組件工作于高電壓及高頻率，當(dāng)該溫度感測斷路裝置設(shè)置于該發(fā)熱組件時，因該溫度感測斷路裝置具有一定體積及接線長度，因此形成該發(fā)熱組件的延伸電磁輻射體，使其電磁干擾(Electro-Magnetic Interference，EMI)劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的其一目的在于提供一種熱熔型斷路裝置，藉以縮小體積且較準確地檢測發(fā)熱組件的溫度，且于熱組件超過一標準溫度時，即形成過熱斷路狀態(tài)。
本發(fā)明的其二目的在于提供一種熱熔型斷路裝置，藉以降低裝置的制造成本。
為達到上述目的，本發(fā)明提供了一種熱熔型斷路裝置，其設(shè)置于基板上，其包括至少兩相對的導(dǎo)電片，其設(shè)置于該基板上，且所述導(dǎo)電片鄰近于一置于該基板上的發(fā)熱組件；至少一間隙部，形成于該基板上，且于所述導(dǎo)電片間；及至少一熱熔型焊接部，其連接于所述導(dǎo)電片上，且橫越該間隙部，藉以該發(fā)熱組件運作的衍生熱傳至該熱熔型焊接部，并且于過熱熔化時，以斷開該間隙部上方的熱熔型焊接部，使其分別凝聚于所述導(dǎo)電片上，使所述導(dǎo)電片之間斷路，并使該熱熔型斷路裝置形成斷路狀態(tài)。
也就是說，本發(fā)明的熱熔型斷路裝置，其設(shè)置于基板上，其包括至少兩相對的導(dǎo)電片、至少一間隙部及至少一熱熔型焊接部，其中該兩相對的導(dǎo)電片，其設(shè)置于該基板上，且所述導(dǎo)電片電連接于一置于該基板上的發(fā)熱組件，該間隙部形成于該基板上，且于所述導(dǎo)電片間，該熱熔型焊接部連接于所述導(dǎo)電片上，且橫越該間隙部，藉以該發(fā)熱組件運作的衍生熱傳至該熱熔型焊接部，并且于過熱熔化時，分別凝聚于所述導(dǎo)電片上以斷開該熱熔型焊接部，并使該熱熔型斷路裝置形成斷路狀態(tài)。
為了能進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明及附圖，然而所述附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1是本發(fā)明的熱熔型斷路裝置未形成斷路前的立體圖；圖2是本發(fā)明的熱熔型斷路裝置形成斷路的立體圖；圖3是本發(fā)明的熱熔型斷路裝置的尺寸關(guān)系立體圖；
圖4是本發(fā)明的熱熔型斷路裝置減少熱熔型焊接部示意圖。
其中，附圖標記說明如下10—基板；11—連接墊；12—導(dǎo)線；20—導(dǎo)電片；30—間隙部；40—熱熔型焊接部；50—發(fā)熱組件；60—散熱組件。
具體實施例方式
請參閱圖1所示，本發(fā)明為一種熱熔型斷路裝置其設(shè)置于基板10上，其包括兩相對的導(dǎo)電片20、間隙部30及熱熔型焊接部40，其中兩相對的導(dǎo)電片20設(shè)置于該基板10上，且使發(fā)熱組件50置于該基板10上，并使間隙部30形成于所述兩相對的導(dǎo)電片20間，且該熱熔型焊接部40，其連接于所述導(dǎo)電片20上，且橫越該間隙部30，如此該熱熔型斷路裝置是可檢測該發(fā)熱組件50的發(fā)熱量，請參閱圖2所示，并藉由熱熔型焊接部40的熱熔材料所能承受的熱能，以限制該發(fā)熱組件50的發(fā)熱量，并于超過一預(yù)定溫度時形成熔化狀態(tài)，并藉由表面張力而分別凝聚于該兩相對的導(dǎo)電片20上，因此形成斷路狀態(tài)，以切斷該發(fā)熱組件50的電源供給。
請參閱圖1及圖2所示，其中該發(fā)熱組件50可為功率半導(dǎo)體組件(semiconductor power device)，且因其運作時易產(chǎn)生高熱，且該發(fā)熱組件的上側(cè)設(shè)有散熱組件60，該發(fā)熱組件50是設(shè)置于該基板10上，該基板10可為印刷電路板，以作為該發(fā)熱組件50與其它組件的各項零件的相互電流連接，且該基板10上還設(shè)置有連接墊(mounting pad)11及導(dǎo)線12，以使該發(fā)熱組件50藉由所述連接墊11電連接于印刷電路板上，且所述相對的導(dǎo)電片20可為圓盤狀，且是分別藉由該導(dǎo)線12電連接于所述連接墊11，且鄰近于該連接墊11及該發(fā)熱組件50，該熱熔型焊接部40系連接于所述導(dǎo)電片20上，且橫越該間隙部30，藉以該發(fā)熱組件50運作產(chǎn)生的熱量傳至該熱熔型焊接部40，且當(dāng)過熱并熔化時，以斷開該熱熔型焊接部40，并熔化后且形成分別分開附著于所述導(dǎo)電片20上，使該熱熔型斷路裝置形成斷路狀態(tài)。
請參閱圖3及圖4所示，其中該導(dǎo)電片20的面積大小與間隙部30的寬度大小關(guān)系到斷路的效果，因此當(dāng)間隙部30的寬度過大，導(dǎo)致需較大量的熱熔型焊接部40橫跨于間隙部30時，過多的熱熔型焊接部40不易熔化，且不易藉由表面張力而凝聚于導(dǎo)電片20，以致于熱熔型焊接部40不易分離且切斷電路。因此當(dāng)導(dǎo)電片20為圓盤狀時，其直徑D與間隙部的寬度W比值不宜過小，其適當(dāng)數(shù)值大約為3-4，例如當(dāng)導(dǎo)電片20的直徑為1.8mm時，該間隙部的寬度約為0.5mm，且為限制該熱熔型焊接部40的體積，可藉由銼磨其上表面，使其具有一平面，并減少其高度至大約0.3mm以利該熱熔型焊接部40的分離而切斷電路。
綜上所述，藉由本發(fā)明的熱熔型斷路裝置，即可縮小體積且較準確地檢測發(fā)熱組件的溫度，并形成過熱斷路狀態(tài)，并降低裝置的制造成本。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實施例，非因此拘限本發(fā)明的專利范圍，故凡運用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變化，均同理皆包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種熱熔型斷路裝置，其設(shè)置于基板上，其包括至少兩相對的導(dǎo)電片，其設(shè)置于該基板上，且所述導(dǎo)電片鄰近于一置于該基板上的發(fā)熱組件；至少一間隙部，形成于該基板上，且于所述導(dǎo)電片間；及至少一熱熔型焊接部，其連接于所述導(dǎo)電片上，且橫越該間隙部，藉以該發(fā)熱組件運作產(chǎn)生的熱傳至該熱熔型焊接部，并且于過熱熔化時，以斷開該間隙部上方的熱熔型焊接部，使其分別凝聚于所述導(dǎo)電片上，使所述導(dǎo)電片之間斷路，并使該熱熔型斷路裝置形成斷路狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的熱熔型斷路裝置，其特征是該基板為印刷電路板。
3.如權(quán)利要求1所述的熱熔型斷路裝置，其特征是該導(dǎo)電片為圓盤狀。
4.如權(quán)利要求3所述的熱熔型斷路裝置，其特征是該導(dǎo)電片的直徑與該間隙部的寬度比值為3-4。
5.如權(quán)利要求1所述的熱熔型斷路裝置，其特征是該熱熔型焊接部的上側(cè)具有一平面。
6.如權(quán)利要求1所述的熱熔型斷路裝置，其特征是所述至少兩相對的導(dǎo)電片其中一個或一個以上電連接于該發(fā)熱組件。
7.如權(quán)利要求1所述的熱熔型斷路裝置，其特征是該熱熔型焊接部可通過銼磨而減少其體積。
全文摘要
一種熱熔型斷路裝置，其設(shè)置于基板上，其包括兩相對的導(dǎo)電片、間隙部及熱熔型焊接部，其中兩相對的導(dǎo)電片其設(shè)置于該基板，且發(fā)熱組件電連接于導(dǎo)電片，間隙部形成于導(dǎo)電片間，熱熔型焊接部連接于所述導(dǎo)電片上，并橫越該間隙部，以使發(fā)熱組件的熱量過熱時，藉由熱熔型焊接部的熔化，以切斷基板上的電路。本發(fā)明的熱熔型斷路裝置可縮小體積且較準確地檢測發(fā)熱組件的溫度，并形成過熱斷路狀態(tài)，并降低裝置的制造成本。
文檔編號H01H37/00GK1619749SQ20031011967
公開日2005年5月25日 申請日期2003年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月21日
發(fā)明者何國斌 申請人:柏怡國際股份有限公司