專利名稱：晶體管器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及微電子集成電路，更具體地涉及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
新一代的微電子集成電路使用具有介電常數(shù)大于二氧化硅和氧氮化硅材料的柵極絕緣材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件?，F(xiàn)已提出HfOx和ZrOx材料作為高k柵極絕緣材料。實(shí)際上，需要將這些柵極絕緣材料引入到互補(bǔ)n溝道和p溝道MOSFET(CMOS)工藝內(nèi)。此外，這些高k材料已用做蝕刻終止(etch-stop)膜，其中開始蝕刻之后，通過專門的退火過程，MOSFET器件連接區(qū)中的終止膜被轉(zhuǎn)化成金屬。
例如，在對(duì)淀積在硅襯底上的ZrO2和Zr硅化物(Zr27Si10O63)柵極介質(zhì)效果的研究中，這些高k材料顯示出9.9埃(ZrO2)和9.6埃(Zr27Si10O63)的極好的等效氧化物厚度(EOT)，和分別為20mA/cm2和23mA/cm2的很低的漏泄電流(C.H.Lee等人的“MOS Characteristics of Ultra Thin RapidThermal CVD ZrO2and Zr Silicate Gate Dielectrics”IEEE Tech.Dig.，2000，在此引入其全部內(nèi)容作為參考)。在另一研究中，HfO2同樣顯示出具有10.4埃的EOT和0.23mA/cm2的漏泄電流(S.J.Lee等人的“HighQuality Ultra Thin CVD HfO2Gate Stack with Poly-Si Gate Electrode”，IEEE Tech.Dig.，2000，在此引入其全部內(nèi)容作為參考)。
然而，由于對(duì)MOSFET器件性能要求不斷增加，且沒有能夠滿足性能規(guī)范的常規(guī)器件，因此需要一種能夠達(dá)到集成電路技術(shù)的目前和將來技術(shù)規(guī)范的高性能MOSFET器件的新的改進(jìn)結(jié)構(gòu)和其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明被設(shè)計(jì)用來提供一種高性能MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及其制造方法。本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)以自對(duì)準(zhǔn)方式集成了高介電常數(shù)的柵極絕緣體以及低電阻的金屬硅化物源/漏區(qū)的組合，而不需要額外的處理成本。本發(fā)明提供一種方法，該方法相對(duì)于常規(guī)的MOSFET器件，減少了制造具有高介電常數(shù)柵極絕緣體和低電阻硅化物(自對(duì)準(zhǔn)硅化物)源/漏區(qū)的MOSFET器件所用的處理步驟數(shù)量。本發(fā)明提供一種用于在選定的源/漏區(qū)中將金屬氧化物薄膜轉(zhuǎn)化成金屬薄膜，以使隨后的退火過程將金屬膜轉(zhuǎn)化成硅化物(自對(duì)準(zhǔn)硅化物)膜，以便改進(jìn)器件的串聯(lián)電阻的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種新的自對(duì)準(zhǔn)和低成本硅化處理過程。當(dāng)使用如HfOx或ZrOx的適當(dāng)金屬氧化物形成具有高k柵極介質(zhì)的MOS器件，源/漏區(qū)中暴露到空氣中的剩余高k介質(zhì)轉(zhuǎn)化成金屬。本過程的一個(gè)特征為能夠使用帽介質(zhì)層阻擋直接接觸柵極導(dǎo)體的高k介質(zhì)。隨后的硅化過程僅在源/漏區(qū)中形成硅化物合金，以減少器件的串聯(lián)電阻。通過控制金屬轉(zhuǎn)化處理步驟，也可以最小化由具有高k介質(zhì)的柵極和源/漏重疊造成的重疊電容。絕緣襯底頂面上的高k介質(zhì)也可用于形成電阻器。簡而言之，本公開中教授了一種集成很高性能有源和無源器件的低成本制造方法。
具體地說，根據(jù)本發(fā)明，公開的晶體管器件及其形成方法包括在襯底中形成源區(qū)、漏區(qū)和溝槽區(qū)。然后，第一絕緣體被形成在襯底上。接下來，柵電極被形成在第一絕緣體上。完成該步驟之后，鄰接該電極形成一對(duì)絕緣間隔層。接下來，部分第一絕緣體被轉(zhuǎn)化成金屬膜。然后，至少部分金屬膜轉(zhuǎn)化成硅化物和自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜中的一種。
該方法還包括在溝槽區(qū)上形成互連區(qū)以及在第一絕緣體、溝槽區(qū)、柵電極以及該對(duì)絕緣間隔層上形成蝕刻終止層。接下來，第二絕緣體形成在蝕刻終止層上，最后，接觸形成在第二絕緣體中。第一絕緣體包括金屬氧化物材料，具體地說，包括HfOx和ZrOx中的一種。
在將部分第一絕緣體轉(zhuǎn)化成金屬膜的步驟中，該部分第一絕緣體包括襯底的源和漏區(qū)上的區(qū)域。此外，將金屬膜轉(zhuǎn)化成硅化物和自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜中的一種的步驟發(fā)生在襯底的源和漏區(qū)上的區(qū)域中。此外，通過在還原氣氛環(huán)境中退火進(jìn)行將部分第一絕緣體轉(zhuǎn)化成金屬膜的步驟。此外，通過退火過程和濕蝕刻過程中的一種進(jìn)行將金屬膜轉(zhuǎn)化成硅化物和自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜中的一種的步驟。
還有，公開的晶體管器件包括其上具有金屬氧化物膜的襯底、金屬氧化物膜上的柵電極以及與柵電極鄰接的間隔層。金屬氧化物膜具有柵電極下面的第一區(qū)，以及沒有被柵電極保護(hù)的第二區(qū)。此外，當(dāng)與第一區(qū)相比，第二區(qū)的氧含量減少。還有，第二區(qū)部分地延伸到間隔層下面。第二部分中的晶體管器件包括硅化物區(qū)，還包括第二區(qū)下的襯底中的源和漏區(qū)。最后，第一區(qū)包括柵極絕緣體。
根據(jù)本發(fā)明，MOSFET器件的性能是受薄柵極絕緣體的介質(zhì)特性以及晶體管的源/漏區(qū)的串聯(lián)電阻影響的。此外，通過引入高介電常數(shù)柵極絕緣體，器件的跨導(dǎo)增加。
此外，根據(jù)本發(fā)明，通過在源/漏區(qū)的表面上引入金屬硅化物可以減小晶體管的源/漏區(qū)串聯(lián)電阻。還有，使用自對(duì)準(zhǔn)的處理方案，通過使重疊區(qū)最小，減少柵極到源/漏的重疊電容。


從下面參考附圖對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明中，可以更好地理解本發(fā)明，其中圖1為根據(jù)本發(fā)明的部分完成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的剖面示意圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的部分完成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的剖面示意圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的部分完成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的剖面示意圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的部分完成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的剖面示意圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明的部分完成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的剖面示意圖；
圖6為根據(jù)本發(fā)明的完成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的剖面示意圖；圖7為表示本發(fā)明的優(yōu)選方法的流程圖；以及圖8為表示本發(fā)明的優(yōu)選方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
如上面提到的，需要一種能夠達(dá)到集成電路技術(shù)的目前和將來技術(shù)規(guī)范的高性能MOSFET器件的改進(jìn)結(jié)構(gòu)和其制造方法。根據(jù)本發(fā)明，公開了一種高性能MOSFET器件的新的改進(jìn)結(jié)構(gòu)和其制造方法。
現(xiàn)在參考附圖，更具體地說參考圖1到8，示出了根據(jù)本發(fā)明的方法和結(jié)構(gòu)的優(yōu)選實(shí)施例。具體地說，圖1到5示出了根據(jù)本發(fā)明的部分完成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的完成的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件。本發(fā)明的優(yōu)選方法顯示在圖7和8中。
圖1示出了部分完成的MOSFET器件1，包括襯底10，形成在襯底10中的淺溝槽隔離(STI)區(qū)20和源/漏擴(kuò)散區(qū)40，STI區(qū)20、襯底10、源/漏擴(kuò)散區(qū)40上的柵極絕緣體25，設(shè)置在柵極絕緣體25上的柵電極30，以及柵電極30和柵極絕緣體25上的絕緣層50。
襯底10優(yōu)選包括雜質(zhì)摻雜阱，例如硅晶片或絕緣體上硅晶片。通過常規(guī)的處理形成STI區(qū)20，該常規(guī)的處理例如光刻構(gòu)圖、本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的干蝕刻到隨后處理步驟中形成的半導(dǎo)體結(jié)下一定深度、氧化物填充淀積以及如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的平面化。
柵極絕緣體25包括如HfOx或ZrOx的高介電常數(shù)材料，并通過化學(xué)汽相淀積(CVD)或物理濺射到1nm-5nm的等效氧化物厚度(EOT)形成。柵電極材料30優(yōu)選包括厚度為5nm-100nm的LPCVD多晶硅或TiN。此外，通過常規(guī)的光刻和干蝕刻技術(shù)構(gòu)圖柵電極30。此外，通過離子注入形成源/漏擴(kuò)展擴(kuò)散區(qū)40。
圖2示出了進(jìn)行了蝕刻過程之后的器件1，其中蝕刻絕緣層50以在柵電極30的兩側(cè)上形成一對(duì)柵極側(cè)壁間隔層50。柵電極30和間隔層50形成保護(hù)帽(protective cap)。優(yōu)選通過低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)2nm到20nm厚度的SiN以及例如對(duì)于高k柵極介質(zhì)25是可選的但對(duì)于層50不是可選的含氟等離子體的各向異性干蝕刻，形成間隔層50。也就是，蝕刻過程從柵電極30上除去層50，并從除鄰接每側(cè)柵電極30的側(cè)壁間隔層區(qū)50之外的高k介質(zhì)層25上的所有其它區(qū)域除去層50。這基本上沒有影響介質(zhì)25或柵極30。由此，蝕刻過程沒有除去柵電極30或高k介質(zhì)層25。由此，根據(jù)本發(fā)明，除去了源/漏區(qū)頂上的層50，露出了下面的高k介質(zhì)。
圖3示出了將沒有被柵電極30和側(cè)壁間隔層50形成的保護(hù)帽阻擋的區(qū)域中的柵極絕緣體25轉(zhuǎn)化成高導(dǎo)電性的金屬材料90。此外，也示出了嵌在襯底10中的深的高摻雜注入的源/漏區(qū)60。轉(zhuǎn)化優(yōu)選包括如H2的還原氣氛中的熱退火過程和/或真空中的退火過程，以使氧擴(kuò)散到金屬氧化膜之外，即還原了金屬氧化物。該過程使器件1的重疊電容最小。
重疊電容最佳地顯示在圖3-6中，其中可以看出在間隔層50(兩側(cè))下延伸的部分高k介質(zhì)25產(chǎn)生了重疊電容，由此使器件1的開關(guān)效應(yīng)變慢。換句話說，如果金屬形成在間隔層下面，那么將存在電容器結(jié)構(gòu)，該電容器結(jié)構(gòu)將降低晶體管的開關(guān)速度。理論上，通過從間隔層50下面除去所有多余的高k介質(zhì)材料25，從而僅有高k介質(zhì)設(shè)置在柵電極30下面，可以消除重疊電容。然而，這很可能會(huì)導(dǎo)致金屬膜90接觸柵電極30，造成器件失效。由此，為安全起見高k介質(zhì)材料25延伸到間隔層50下面。然而，與常規(guī)的器件相反，通過非常精確地用帽(間隔層50和柵極30)控制金屬轉(zhuǎn)化步驟(將高k介質(zhì)材料25轉(zhuǎn)化為金屬氧化物90)，本發(fā)明減小了器件1中的重疊電容。由此，由于層25的金屬和絕緣部分的位置是自對(duì)準(zhǔn)的并且用帽(間隔層50和柵極30)精確地控制，因此在間隔層50下面沒有產(chǎn)生電容器，并且避免了重疊電容。
圖4示出了通過使金屬合金100形成在下面的襯底層10上的附加熱步驟，從至少部分金屬材料(金屬氧化物)90的轉(zhuǎn)化中形成自對(duì)準(zhǔn)的硅化物(自對(duì)準(zhǔn)硅化物)100。通過在還原氣氛H2環(huán)境中退火使金屬氧化物90轉(zhuǎn)化成金屬100。此外，也可以通過濕蝕刻過程形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物100。由此，例如包括HfOx的金屬氧化物90轉(zhuǎn)化成Hf金屬100，或類似地，包括ZrOx的金屬氧化物90轉(zhuǎn)化成該過程中的Zr金屬100。
然而可以借助額外的掩模步驟使用淺溝槽隔離區(qū)頂部的高k材料90形成電阻器部件。絕緣襯底頂面上的退火的高k介質(zhì)的表面電阻可以在千歐姆/平方單位到百萬歐姆/平方單位的范圍內(nèi)。這些電阻器對(duì)許多應(yīng)用都很有用。例如，其可用于形成SRAM單元的上拉器件、分阻器或模擬RC部件。也使用如濕溶液的含氯各向同性蝕刻從STI 20上選擇性地除去非合金的金屬材料。由于這是自對(duì)準(zhǔn)過程，消除了至少一個(gè)金屬淀積過程。因此，本方法減少了器件的制造成本。
在圖5中，示出了MOSFET器件1的剖面圖，該MOSFET器件1具有淀積在包括合金100、柵電極30、側(cè)壁間隔層50以及STI區(qū)20的結(jié)構(gòu)上的、如2nm到30nm厚度的LPCVD SiN的襯里材料130。襯里材料130用作隨后處理步驟的蝕刻終止層。如硼和磷摻雜的玻璃(BPSG)的層間介質(zhì)150淀積在襯里材料130上。還有，由常規(guī)的光刻、干蝕刻、金屬淀積以及平面化技術(shù)形成的接觸過孔200形成在層間介質(zhì)150中，并連接到合金100。
圖6示出了包括STI區(qū)20上的局部互連區(qū)210的有創(chuàng)造性的器件1。局部互連區(qū)210在自對(duì)準(zhǔn)硅化物形成過程期間由附加掩模層(level)界定。此外，互連210可用于擴(kuò)散區(qū)之間的橋接，不必使用擴(kuò)散接觸200?；ミB區(qū)210包括金屬材料(金屬氧化物)90。
可用常規(guī)的處理隨后形成互連(未示出)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯然可以利用本發(fā)明中教授的方法和結(jié)構(gòu)通過將雜質(zhì)摻雜到，例如離子注入到結(jié)構(gòu)和襯底的選定區(qū)域來制備互補(bǔ)n溝道和p溝道MOSFET(CMOS)器件。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明形成高性能MOSFET器件1的整個(gè)過程流程圖。該方法包括在襯底10中形成源區(qū)和漏區(qū)40，以及溝槽區(qū)20(700)。然后，第一絕緣體25被形成在襯底10上(710)。接下來，柵電極30被形成在第一絕緣體25上(720)。此后，介質(zhì)層50被淀積在柵電極30和第一絕緣體25上(730)。完成該步驟之后，鄰接電極30形成一對(duì)絕緣間隔層50(740)。還有，附加的高摻雜劑注入源和漏區(qū)60可以被形成在襯底10中(750)。接下來，部分第一絕緣體90被轉(zhuǎn)化成金屬膜25(760)。然后金屬膜90被轉(zhuǎn)化成硅化物和自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜100中的一種(770)。
該方法還包括在溝槽區(qū)20上形成互連區(qū)210(780)，以及在第一絕緣體25、溝槽區(qū)20、柵電極30以及該對(duì)絕緣間隔層50上形成蝕刻終止層130(790)。接下來，第二絕緣體150被形成在蝕刻終止層130上(795)，最后，接觸200被形成在第二絕緣體150中(799)。
如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于使用Hr氧化物和Zr氧化物材料形成高k CMOS柵極介質(zhì)25包括用于氫封閉的(hydrogen-terminated)表面的最終氫氟酸(HF)清潔過程800。然后，進(jìn)行例如在含NH3的環(huán)境中的高溫步驟的熱氮化過程810，以形成5埃到15埃并優(yōu)選8埃的氮化(和/或氮氧化)硅層。接下來，進(jìn)行金屬氧化物材料的CVD過程820(原子層CVD或金屬有機(jī)CVD)。最后，在淀積柵極多晶硅之前，進(jìn)行例如CVD硅或可選地具有TiN或其它金屬阻擋層的硅的柵電極淀積(830)。
本發(fā)明提供了新的自對(duì)準(zhǔn)和低成本的硅化過程。當(dāng)使用如HfOx或ZrOx的適當(dāng)金屬氧化物形成具有高k柵極介質(zhì)的MOS器件時(shí)，源/漏區(qū)中暴露到空氣中的剩余高k介質(zhì)轉(zhuǎn)化成金屬。本過程的一個(gè)特征是能夠通過使用介質(zhì)間隔層50阻止高k介質(zhì)直接接觸柵極導(dǎo)體。隨后的硅化過程僅在源/漏區(qū)形成硅化物合金，以減少器件的串聯(lián)電阻。通過控制金屬轉(zhuǎn)化處理步驟，也可以最小化由具有高k介質(zhì)的柵極和源/漏重疊造成的重疊電容。絕緣襯底頂面上的高k介質(zhì)也可用于形成電阻器。簡而言之，本公開中教授了一種集成很高性能的有源和無源器件的低成本制造方法。
雖然就優(yōu)選的實(shí)施例介紹了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到本發(fā)明可以以在所附的權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的修改進(jìn)行實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種晶體管器件，包括襯底；所述襯底上的金屬氧化物膜；所述金屬氧化物膜上的柵電極；以及與所述柵電極鄰接的間隔層；其中所述金屬氧化物膜具有所述柵電極和所述間隔層下面的第一區(qū)，以及沒有被所述柵電極或所述間隔層保護(hù)的第二區(qū)，并且其中當(dāng)與所述第一區(qū)相比，所述第二區(qū)的氧含量減少。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體管器件，其特征在于所述金屬氧化物膜包括HfOx和ZrOx中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體管器件，其特征在于所述第二區(qū)包括硅化物區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體管器件，還包括在所述第二區(qū)下的所述襯底中的源和漏區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體管器件，其特征在于所述第一部分包括柵極絕緣體。
6.一種晶體管器件，包括襯底；所述襯底上的金屬氧化物膜；以及所述金屬氧化物膜上的柵電極，其中所述金屬氧化物膜具有所述柵電極下面的第一區(qū)，以及沒有被所述柵電極保護(hù)的第二區(qū)，其中與所述第一區(qū)相比，所述第二區(qū)的氧含量減少。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的晶體管器件，其特征在于所述第二區(qū)包括硅化物區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的晶體管器件，其特征在于還包括在所述第二區(qū)下的所述襯底中的源和漏區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的晶體管器件，其特征在于所述第一區(qū)包括柵極絕緣體。
10.一種形成晶體管器件的方法，所述方法包括在襯底上形成絕緣體；在所述絕緣體上形成柵電極；鄰接所述柵電極形成一對(duì)絕緣間隔層；以及將部分所述絕緣體轉(zhuǎn)化成金屬膜；其中所述轉(zhuǎn)化過程僅將所述柵電極和所述絕緣間隔層沒有保護(hù)的所述絕緣體的區(qū)域轉(zhuǎn)化成所述金屬膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于所述絕緣體包括金屬氧化物膜，并且所述轉(zhuǎn)化過程包括將所述晶體管器件退火以從所述金屬氧化物膜中除去氧，留下所述金屬膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于所述在襯底上形成絕緣體的步驟中，所述絕緣體包括金屬氧化物材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于所述金屬氧化物材料包括HfOx和ZrOx中的一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于在所述轉(zhuǎn)化步驟中，所述絕緣體的所述部分包括在所述襯底的源和漏區(qū)上的區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，還包括硅化所述金屬膜，其中所述硅化步驟發(fā)生在所述襯底的源和漏區(qū)上的區(qū)域中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于通過退火過程和濕蝕刻過程之一進(jìn)行所述硅化步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其特征在于通過在還原氣氛環(huán)境中退火進(jìn)行所述轉(zhuǎn)化步驟。
18.一種形成晶體管器件的方法，所述方法包括在襯底上形成金屬氧化物膜；在所述金屬氧化物膜上形成柵電極；鄰接所述柵電極形成一對(duì)絕緣間隔層；退火所述晶體管器件以從沒有被所述柵電極和所述絕緣間隔層保護(hù)的所述金屬氧化物膜的露出的區(qū)域中驅(qū)除氧，以在所述露出的區(qū)域中制備金屬膜；以及將所述金屬膜轉(zhuǎn)化成硅化物和自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜的一種。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其特征在于所述金屬氧化物膜包括HfOx和ZrOx中的一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其特征在于所述露出的區(qū)域包括在所述襯底的源和所述漏區(qū)上的區(qū)域。
21.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其特征在于在所述露出的區(qū)域中進(jìn)行將所述金屬膜轉(zhuǎn)化成硅化物和自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜中的一種的所述步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其特征在于在還原氣氛環(huán)境中進(jìn)行所述退火過程。
23.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其特征在于通過第二退火過程和濕蝕刻過程之一進(jìn)行所述轉(zhuǎn)化步驟。
全文摘要
一種晶體管器件的結(jié)構(gòu)和形成方法，包括在襯底中形成源區(qū)、漏區(qū)和溝槽區(qū)，在襯底上形成第一絕緣體，在第一絕緣體上形成柵電極，鄰接電極形成一對(duì)絕緣間隔層，將部分第一絕緣體轉(zhuǎn)化成金屬膜，將金屬膜轉(zhuǎn)化成硅化物和自對(duì)準(zhǔn)硅化物膜中的一種，在溝槽區(qū)上形成互連區(qū)，在第一絕緣體、溝槽區(qū)、柵電極以及該對(duì)絕緣間隔層上形成蝕刻終止層，在蝕刻終止層上形成第二絕緣體，以及在第二絕緣體中形成接觸。第一絕緣體包括金屬氧化物材料，該金屬氧化物材料包括HfO
文檔編號(hào)H01L21/70GK1510760SQ20031012156
公開日2004年7月7日 申請(qǐng)日期2003年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月23日
發(fā)明者L·A·克萊文杰, L·L·休, C·J·拉登斯, J·F·小謝潑德, L A 克萊文杰, 休, 小謝潑德, 拉登斯 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司